CN101518925B - 加工废液处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种加工废液处理装置,其能够利用加工废液处理装置的纯水温度调整构件,来冷却安装在切削装置等加工装置上的主轴单元。加工废液处理装置与设置了具有主轴单元的加工构件的加工装置相邻地配设,用来处理在加工时供给的加工液因加工而生成的加工废液,纯水温度调整构件将精制而成的纯水调整至预定温度,其包括:热交换器,其将纯水生成构件精制而得的纯水调整至预定温度;冷却器,其冷却导入热交换器的冷却液;冷却液槽,其贮存导入冷却器的冷却液;冷却液输送泵,其将贮存于冷却液槽的冷却液输送至冷却器;第一管道,其将通过了热交换器的冷却液导向主轴单元;和第二管道,其使导入到主轴单元并使主轴单元冷却了的冷却液返回冷却液槽。
Description
技术领域
本发明涉及一种加工废液处理装置,其附设在切削半导体晶片等被加工物的切削装置等加工装置上,用于对加工时供给的加工液的废液进行处理。
背景技术
在半导体器件制造工序中,在大致圆板形状的半导体晶片的表面上,通过呈格子状地排列的称为间隔道的分割预定线划分有多个区域,在这些划分出来的区域中形成IC(Integrated Circuit:集成电路)、LSI(LargeScale Integration:大规模集成电路)等器件。然后,通过将半导体晶片沿着间隔道切断,将形成有器件的区域分割开来,从而制造出一个个半导体器件。此外,关于在蓝宝石基板的表面上层叠有氮化镓类化合物半导体等的光器件晶片,也通过沿着间隔道进行切断来分割成一个个发光二极管、激光二极管等光器件,并广泛应用于电气设备。
上述半导体晶片和光器件晶片等的沿着间隔道的切断通常是通过称为切割机(dicer)的切削装置来进行的。该切削装置包括:保持半导体晶片等被加工物的卡盘工作台;切削构件,其具有切削刀具,该切削刀具用于切削保持于所述卡盘工作台上的被加工物;和向切削刀具提供加工液的加工液供给构件,通过利用所述加工液供给构件把切削液提供给旋转的切削刀具,来冷却切削刀具,并且在将加工液提供给被加工物的被切削刀具切削的切削部的同时,实施切削作业。
通过切削硅或氮化镓类化合物半导体而产生的切屑混入在如上所述切削时提供的加工液中。由于混入有由该半导体材料构成的切屑的加工废液会污染环境,所以要在利用加工废液处理装置除去切屑后进行再利用或者废弃。(例如,参照专利文献1。)
专利文献1:日本特开2004-230527号公报
上述加工废液处理装置包括:废液收纳箱,其收纳加工废液,在切削装置的加工时所供给的加工液通过加工而生成了该加工废液;泵,其输送收纳于所述废液收纳箱中的加工废液;废液过滤构件,其对利用所述泵输送的加工废液进行过滤以精制成净水;净水贮存箱,其贮存利用所述废液过滤构件精制而成的净水;净水输送泵,其输送贮存于所述净水贮存箱中的净水;纯水生成构件,其将利用所述净水输送泵输送的净水精制成纯水;以及纯水温度调整构件,其将利用所述纯水生成构件精制而成的纯水调整至预定的温度,这些各结构构件收纳在装置壳体中,并与切削装置相邻地配置。
另一方面,由于切削装置中的使切削刀具旋转的主轴以30000rpm左右的高速度旋转,所以存在发热而热膨胀、切削刀具的位置从基准位置发生变化的问题。为了消除该问题,与切削装置相邻地配置有用于冷却主轴单元的冷却装置。
然而,关于与切削装置相邻地配置用于冷却主轴单元的冷却装置,这存在不能有效利用维护成本高的净化间的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而完成的,其主要的技术课题在于提供一种加工废液处理装置,该加工废液处理装置能够利用加工废液处理装置的纯水温度调整构件来冷却安装在切削装置等加工装置上的主轴单元。
为了解决上述主要的技术课题,根据本发明,提供一种加工废液处理装置,该加工废液处理装置与加工装置相邻地配设,用来对加工废液进行处理,在利用上述加工装置的加工构件进行加工时所供给的加工液通过加工而生成了上述加工废液,上述加工装置包括:卡盘工作台,其保持被加工物;上述加工构件,其具有使工具旋转的主轴单元,该工具对保持在上述卡盘工作台上的被加工物进行加工;和加工液供给构件,其向被上述加工构件加工的加工部位提供加工液,上述加工废液处理装置的特征在于,
上述加工废液处理装置包括:废液收纳箱,其收纳上述加工废液;废液输送泵,其输送收纳于上述废液收纳箱中的加工废液;废液过滤构件,其对利用上述废液输送泵输送的加工废液进行过滤,以精制成净水;净水贮存箱,其贮存利用上述废液过滤构件精制而成的净水;净水输送泵,其输送贮存于上述净水贮存箱中的净水;纯水生成构件,其将利用上述净水输送泵输送的净水精制成纯水;纯水温度调整构件,其将利用上述纯水生成构件精制而成的纯水调整至预定的温度;以及装置壳体,其收纳上述各结构构件,
上述纯水温度调整构件包括:热交换器,其将利用上述纯水生成构件精制而成的纯水调整至预定温度;冷却器,其对导入上述热交换器的冷却液进行冷却;冷却液槽,其收纳导入上述冷却器的冷却液;冷却液输送泵,其将收纳在上述冷却液槽内的冷却液输送至上述冷却器;第一管道,其将通过了上述热交换器的冷却液导向上述主轴单元;和第二管道,其使导入到上述主轴单元并对上述主轴单元进行了冷却的冷却液返回上述冷却液槽。
在本发明的加工废液处理装置中,纯水温度调整构件将利用上述纯水生成构件精制而成的纯水调整至预定温度,将纯水温度调整构件的冷却液经第一管道导入至加工装置的主轴单元,以冷却该主轴单元,因此,不需要用于冷却主轴单元的冷却装置,能够有效利用维护成本高的净化间。
附图说明
图1是表示与作为加工装置的切削装置相邻地配设有按照本发明构成的加工废液处理装置的状态的立体图。
图2是按照加工废液的流动表示按照本发明构成的加工废液处理装置的结构要素的说明图。
图3是透视构成图2所示的装置壳体的各壁地表示在装置壳体内配置有加工废液处理装置的构成要素的状态的立体图。
图4是构成图2所示的加工废液处理装置的纯水温度调整构件的结构方框图。
标号说明
2:切削装置;21:卡盘工作台;22:主轴单元;221:主轴壳体;222:旋转主轴;223:切削刀具;225:加工液供给喷嘴;3:废液箱;30:废液输送泵;4:废液过滤构件;41:净水接收盘;42a:第一过滤器;42b:第二过滤器;43a、43b:电磁开闭阀;5:净水贮存箱;50:净水输送泵;6:纯水生成构件;61:支撑台;62:紫外线照射构件;63a:第一离子交换构件;63b:第二离子交换构件;64:精密过滤器;66a、66b:电磁开闭阀;7:纯水温度调整构件;71:冷却液槽;72:冷却液输送泵;73:冷却器;74:热交换器;8:控制构件;9:操作板;91:输入构件;92:显示构件;10:加工废液处理装置;100:装置壳体。
具体实施方式
下面,参照附图详细说明按照本发明构成的加工废液处理装置的优选实施方式。
图1表示与作为加工装置的切削装置相邻地配设的本发明的加工废液处理装置的立体图。
作为加工装置的切削装置2包括大致长方体状的装置壳体20。在该装置壳体20内,以能够在作为切削进给方向的箭头X所示的方向上移动的方式配设有保持被加工物的卡盘工作台21。卡盘工作台21通过使未图示的吸引构件动作,将被加工物吸引保持在作为上表面的保持面上。此外,卡盘工作台21构成为能够通过未图示的旋转机构旋转。另外,在卡盘工作台21上配设有用于固定环状框架的夹紧器211,所述环状框架经切割带支撑作为被加工物在后文叙述的晶片。这样构成的卡盘工作台21通过未图示的切削进给构件在箭头X所示的切削进给方向上移动。
图1所示的切削装置2包括作为切削构件的主轴单元22。主轴单元22通过未图示的分度进给构件在图1中箭头Y所示的分度进给方向上移动,并且通过未图示的切入进给构件在图1中箭头Z所示的切入进给方向上移动。该主轴单元22包括:主轴壳体221,其安装在未图示的移动基座上,并且在作为分度方向的箭头Y所示的方向和作为切入方向的箭头Z所示的方向上进行移动调整;旋转主轴222,其以能够自由旋转的方式支承于该主轴壳体221;和切削刀具223,其安装在所述旋转主轴222的前端部。在主轴壳体221的前端部安装有覆盖切削刀具223的上半部的刀具罩224,在该刀具罩224上配设有向上述切削刀具223喷射加工液的加工液供给喷嘴225。另外,加工液供给喷嘴225与未图示的加工液供给构件连接。
图1所示的切削装置2包括摄像构件23,该摄像构件23用来对保持在上述卡盘工作台21上的被加工物的表面进行摄像,以检测应被上述切削刀具223切削的区域。该摄像构件23由显微镜和CCD照相机等光学构件构成。此外,在上述装置壳体20上的盒载置区域24a,配设有载置收纳被加工物的盒的盒载置工作台24。该盒载置工作台24构成为能够通过未图示的升降构件在上下方向上移动。在盒载置工作台24上载置收纳作为被加工物的半导体晶片W的盒25。收纳在盒25中的半导体晶片W在表面上形成有格子状的间隔道,在由该格子状的间隔道划分而成的多个矩形区域中形成有IC、LSI等器件。这样形成的半导体晶片W以背面粘贴在安装于环状支撑框架F的切割带T的表面上的状态,收纳在盒25中。
此外,图示的实施方式中的切削装置2包括:搬出搬入构件27,其将载置于盒载置工作台24上的盒25中所收纳的半导体晶片W(经切割带T支撑在环状框架F上的状态)搬出至临时放置工作台26;第一搬送构件28,其将搬出到临时放置工作台26上的半导体晶片W搬送到上述卡盘工作台21上;清洗构件29,其对在卡盘工作台21上进行了切削加工的半导体晶片W进行清洗;和第二搬送构件290,其将在卡盘工作台21上进行了切削加工的半导体晶片W搬送到清洗构件29。
图1所示的切削装置2如上所述地构成,下面简单地说明其作用。
通过未图示的升降构件,盒载置工作台24上下运动,由此将在载置于盒载置工作台24上的盒25的预定位置处收纳的半导体晶片W(经切割带T支撑在环状框架F上的状态)定位于搬出位置。接着,搬出搬入构件27进行进退动作,将定位于搬出位置的半导体晶片W搬出到临时放置工作台26上。搬出到临时放置工作台26的半导体晶片W通过第一搬送构件28的回转动作,被搬送到上述卡盘工作台21上。当将半导体晶片W载置在卡盘工作台21上之后,使未图示的吸引构件动作,从而将半导体晶片W吸引保持在卡盘工作台21上。此外,利用上述夹紧器211将经切割带T支撑半导体晶片W的环状框架F固定。将这样保持有半导体晶片W的卡盘工作台21移动到摄像构件23的正下方。当卡盘工作台21定位于摄像构件23的正下方时,利用摄像构件23检测形成在半导体晶片W上的间隔道,并在作为分度方向的箭头Y方向上移动调节主轴单元22,来进行间隔道与切削刀具223的精密位置对准作业。
然后,使切削刀具223在箭头Z所示的方向切入进给预定量并向预定方向旋转,同时使吸引保持有半导体晶片W的卡盘工作台21在作为切削进给方向的箭头X所示的方向(与切削刀具223的旋转轴正交的方向)以预定的切削进给速度移动,由此,将保持在卡盘工作台21上的半导体晶片W通过切削刀具223沿预定的间隔道切断(切削工序)。在该切削工序中,使未图示的加工液供给构件动作,以使从加工液供给喷嘴225向切削刀具223的加工部喷射加工液。这样,在沿预定的间隔道切断了半导体晶片W之后,将卡盘工作台21在箭头Y所示的方向上分度进给相当于间隔道之间的间隔的量,然后实施上述切削工序。另外,当沿着在半导体晶片W的预定方向延伸的所有间隔道实施了切削工序后,使卡盘工作台21旋转90度,沿着半导体晶片W的在与预定方向正交的方向延伸的间隔道执行切削工序,由此,对呈格子状地形成在半导体晶片W上的所有间隔道进行切削,从而分割成一个个芯片。另外,分割出的芯片借助于切割带T的作用支撑在环状框架F上并维持晶片的状态,而不会分散开来。
如上所述地沿着半导体晶片W的间隔道完成了切削工序后,使保持有半导体晶片W的卡盘工作台21返回最初吸引保持半导体晶片W的位置。然后,解除对半导体晶片W的吸引保持。接着,利用第二搬送构件290将半导体晶片W搬送至清洗构件29。搬送到清洗构件29的半导体晶片W在此处进行清洗并被干燥。利用第一搬送构件28将这样进行了清洗和干燥的半导体晶片W搬送到临时放置工作台26上。然后,利用搬出搬入构件27将半导体晶片W收纳到在盒25的预定位置。
在上述的切削工序中,由于使切削刀具223旋转的旋转主轴222以30000rpm左右的高速度旋转,所以存在会发热而热膨胀、切削刀具223的位置相对于基准位置发生变化的问题。因此,在本发明中利用与切削装置2相邻地配设的加工液处理装置10,来冷却以使旋转主轴222能够旋转的方式支承该旋转主轴222的主轴壳体221。参照图1至图4说明该加工废液处理装置10。
图示的实施方式中的加工废液处理装置10包括装置壳体100,在该装置壳体100内配设有加工废液处理装置的结构要素。参照图2对配设在装置壳体100内的加工废液处理装置的结构要素进行说明。
图2中按照加工废液的流动示出了按照本发明构成的加工废液处理装置的结构要素。图示的实施方式中的加工废液处理装置10包括:废液箱3,其收纳加工废液,在上述切削装置2进行加工时从加工液供给喷嘴225供给至被切削刀具223切削的加工部的加工液通过加工而生成了该加工废液;和废液输送泵30,其输送收纳于上述废液箱3中的加工废液。废液箱3通过管道31与安装在上述切削装置2上的加工废液送出构件连接。这样,从安装在切削装置2上的加工废液送出构件送出的加工废液经管道31被导入至废液箱3中。在该废液箱3的上壁配设有输送加工废液的废液输送泵30。
利用上述废液输送泵30输送的加工废液经由挠性软管构成的管道32被输送至废液过滤构件4。废液过滤构件4包括:净水接收盘41、以及配置在该净水接收盘41上的第一过滤器42a和第二过滤器42b。该第一过滤器42a和第二过滤器42b以能够装卸的方式配置在净水接收盘41上。另外,在将上述废液输送泵30、与第一过滤器42a和第二过滤器42b连接起来的管道32中配设有电磁开闭阀43a和电磁开闭阀43b。当电磁开闭阀43a通电(ON)而打开时,利用废液输送泵30输送的加工废液被导入至第一过滤器42a中,当电磁开闭阀43b通电(ON)而打开时,利用废液输送泵30输送的加工废液被导入至第二过滤器42b中。导入到第一过滤器42a和第二过滤器42b中的加工废液通过第一过滤器42a和第二过滤器42b进行过滤,混入在加工废液中的切屑被捕捉,从而精制成净水并流出到净水接收盘41中。通过由挠性软管构成的管道44,该净水接收盘41与净水贮存箱5连接,从而流出到净水接收盘41的净水经过由挠性软管构成的管道44被送入净水贮存箱5中并进行贮存。
在上述管道32中配设有压力检测构件33,该压力检测构件33用来检测向废液过滤构件4的第一过滤器42a和第二过滤器42b输送的加工废液的压力,该压力检测构件33将检测信号传送至后述的控制构件。例如,在使上述电磁开闭阀43a通电(ON)、利用第一过滤器42a对加工废液进行过滤的状态下,如果来自压力检测构件33的检测信号达到了预定压力值以上,则后述的控制构件判断为:加工屑堆积在第一过滤器42a中,第一过滤器42a丧失了作为过滤器的功能,于是使电磁开闭阀43a断电(OFF),并使电磁开闭阀43b通电(ON)。并且,后述的控制构件将已从第一过滤器42a切换到第二过滤器42b的情况显示在设置于后述操作板的显示构件上。根据这样显示在显示构件上的信息,操作者能够得知第一过滤器42a已到寿命,并更换过滤器。此外,在使上述电磁开闭阀43b通电(ON)、利用第二过滤器42b对加工废液进行过滤的状态下,如果来自压力检测构件33的检测信号达到了预定压力值以上,则后述的控制构件判断为:加工屑堆积在第二过滤器42b中、第二过滤器42b丧失了作为过滤器的功能,于是使电磁开闭阀43b断电(OFF),并使电磁开闭阀43a通电(ON)。并且,后述的控制构件将已从第二过滤器42b切换到第一过滤器42a的情况显示在设置于后述操作板的显示构件上。
从上述废液过滤构件4经过由挠性软管构成的管道44输送、并贮存在净水贮存箱5中的净水通过净水输送泵50被输送,并经过由挠性软管构成的管道51输送到纯水生成构件6中。图示的实施方式中的纯水生成构件6包括:支撑台61;直立设置在该支撑台61上的隔离板611;配置在支撑台61上的隔离板611的后侧的紫外线照射构件62;配置在支撑台61上的隔离板611的前侧的、具有离子交换树脂的第一离子交换构件63a和第二离子交换构件63b;以及配置在支撑台61上的隔离板611的后侧的精密过滤器64。该第一离子交换构件63a和第二离子交换构件63b以及精密过滤器64以能够装卸的方式配置在支撑台61上。利用上述净水输送泵50输送、并经过由挠性软管构成的管道51输送的净水被导入至紫外线照射构件62中,并在此处通过照射紫外线(UV)来进行杀菌。在紫外线照射构件62中进行了杀菌处理的净水经管道65被导入至第一离子交换构件63a或第二离子交换构件63b中。另外,在管道65中配设有电磁开闭阀66a和电磁开闭阀66b。当电磁开闭阀66a通电(ON)而打开时,进行了杀菌处理的净水被导入至第一离子交换构件63a中,当电磁开闭阀66b通电(ON)而打开时,进行了杀菌处理的净水被导入至第二离子交换构件63b中。导入到第一离子交换构件63a或第二离子交换构件63b中的净水进行离子交换而精制成纯水。在这样对净水进行离子交换而精制成的纯水中,有时混入有构成第一离子交换构件63a和第二离子交换构件63b的离子交换树脂的树脂屑等细微的物质。因此,在图示的实施方式中,将如上所述对净水利用第一离子交换构件63a和第二离子交换构件63b进行离子交换而精制成的纯水,经管道67导入至精密过滤器64中,通过该精密过滤器64来捕捉混入在纯水中的离子交换树脂的树脂屑等细微的物质。
另外,在上述管道67中配设有压力检测构件68,该压力检测构件68用来检测从第一离子交换构件63a和第二离子交换构件63b向精密过滤器64输送的纯水的压力,该压力检测构件68将检测信号传送至后述的控制构件。例如,如果来自压力检测构件68的检测信号达到了预定压力值以上,则后述的控制构件判断为:树脂屑等细微的物质堆积在精密过滤器64中、精密过滤器64丧失了作为过滤器的功能,并在设置于后述的操作板的显示构件上进行显示。根据这样显示在显示构件上的信息,操作者能够得知精密过滤器64已到寿命,并更换过滤器。
此外,在上述管道67中配设有电阻率计69,该电阻率计69用来检测从第一离子交换构件63a或第二离子交换构件63b向精密过滤器64输送的纯水的电阻率,该电阻率计69将检测信号传送至后述的控制构件。关于后述的控制构件,在使上述电磁开闭阀66a通电(ON)、将净水利用第一离子交换构件63a精制成纯水的状态下,如果来自电阻率计69的检测信号达到了预定值(例如10MΩ·cm)以下,则后述的控制构件判断为:第一离子交换构件63a的纯水精制能力下降了,于是使电磁开闭阀66a断电(OFF),并使电磁开闭阀66b通电(ON)。并且,后述的控制构件将已从第一离子交换构件63a切换到第二离子交换构件63b的情况显示在设置于后述操作板的显示构件上。根据这样显示在显示构件上的信息,操作者能够得知第一离子交换构件63a已到寿命,并更换第一离子交换构件63a的离子交换树脂。此外,在使上述电磁开闭阀66b通电(ON)、将净水利用第二离子交换构件63b精制成纯水的状态下,如果来自电阻率计69的检测信号达到了预定值(例如10MΩ·cm)以下,则后述的控制构件判断为:第二离子交换构件63b的纯水精制能力下降了,于是使电磁开闭阀66b断电(OFF),并使电磁开闭阀66a通电(ON)。并且,后述的控制构件将已从第二离子交换构件63b切换到第一离子交换构件63a的情况显示在设置于后述操作板的显示构件上。
利用上述纯水生成构件6精制而成的纯水经过由挠性软管构成的管道60被输送至纯水温度调整构件7中。输送到纯水温度调整构件7中的纯水在此处被调整至预定温度(例如23℃),并经管道70循环至安装在上述切削装置2上的加工液供给构件。另外,关于纯水温度调整构件7将在后面详细说明。
上述的废液箱3、废液过滤构件4、纯水生成构件6、纯水温度调整构件7和各管道等配置在图1和图3所示的装置壳体100内。另外,图3透视构成装置壳体100的后述各壁地示出了在装置壳体100内配置有上述废液箱3、废液过滤构件4、纯水生成构件6、纯水温度调整构件7和各管道等的状态。图示的实施方式中的装置壳体100具有:形成长方体状的收纳室的框体110;安装在该框体110上的底壁121、上壁122、左侧壁123、右侧壁124和后壁125;以及开闭门扇126,其安装在框体110前侧,用来开闭形成在框体110前侧的前侧开口101。
在这样构成的装置框体100的底壁121上配置有上述废液箱3、净水贮存箱5和纯水生成构件6。废液箱3配置在装置壳体100的底壁121的靠后壁125侧,净水贮存箱5与废液箱3相邻地配置在底壁121的中央部,纯水生成构件6与净水贮存箱5相邻地配置在底壁121的靠前侧开口101侧(靠开闭门扇126侧)。
在图示的实施方式中,上述纯水生成构件6配置成能够经装置壳体100的前侧开口101拉出。即,在构成装置壳体100的左侧壁123和右侧壁124的内表面下端部配置有一对导轨130、130,该一对导轨130、130彼此对置地配设,并且与底壁121的上表面平行地在前后方向上延伸。通过在该一对导轨130、130上载置纯水生成构件6的支撑台61,纯水生成构件6被支撑成能够沿着一对导轨130、130经装置壳体100的前侧开口101拉出。因此,通过将纯水生成构件6沿着一对导轨130、130经装置壳体100的前端开口101拉出,能够容易地更换第一离子交换构件63a、第二离子交换构件63b以及精密过滤器64,所述第一离子交换构件63a、第二离子交换构件63b以及精密过滤器64配置在构成纯水生成构件6的支撑台61上。
在图示的实施方式的加工废液处理装置10中,在装置壳体100内的上述纯水生成构件6和净水贮存箱5的上侧,以能够经装置壳体100的前侧开口101拉出的方式配置有上述废液过滤构件4。即,在构成装置壳体100的左侧壁123和右侧壁124的内表面中间部,配设有一对导轨140、140,该一对导轨140、140彼此对置地配设,并且与上述底壁121的上表面平行(与一对导轨130、130平行)地在前后方向上延伸。通过在该一对导轨140、140上载置废液过滤构件4的净水接收盘41,废液过滤构件4被支撑成能够沿着一对导轨140、140经装置壳体100的前侧开口101拉出。另外,为了容易地进行废液过滤构件4的拉出操作,在构成废液过滤构件4的净水接收盘41的前端设置有向下方凸出的把手411。因此,通过将废液过滤构件4沿着一对导轨140、140经装置壳体100的前侧开口101拉出,能够容易地更换第一过滤器42a和第二过滤器42b,所述第一过滤器42a和第二过滤器42b以能够装卸的方式配置在构成废液过滤构件4的净水接收盘41上。由于这样将废液过滤构件4配置成能够拉出,因此通过由挠性软管构成的管道44将废液过滤构件4的净水接收盘41和上述净水贮存箱5连接起来。
如上所述地通过由挠性软管构成的管道44将废液过滤构件4的净水接收盘41和上述净水贮存箱5连接起来,与此相关联,在装置壳体100中的废液过滤构件4的后壁125侧,配置有支撑由挠性软管构成的管道44的软管支撑板150。该软管支撑板150构成为这样的形状:以朝向后壁125侧升高的方式倾斜、并且以朝向右侧壁124侧升高的方式倾斜,从而防止了由挠性软管构成的管道44由于自重而向下方弯曲,将由挠性软管构成的管道44维持成净水接收盘41侧总是位于较高位置。因此,流出到净水接收盘41的净水能够依靠自重通过由挠性软管构成的管道44流入到净水贮存箱5中。
在图示的实施方式的加工废液处理装置10中,在装置壳体100内的上述软管支撑板150的上侧配置上述纯水温度调整构件7。即,在构成装置壳体100的左侧壁123和右侧壁124上安装的未图示的支撑部件上,载置纯水温度调整构件7,并通过适当的固定构件进行固定。
图示的实施方式中的加工废液处理装置10包括:控制上述各结构构件的动作的控制构件8、和将废液处理开始信息等处理信息输入到该控制构件8中的操作板9。在图示的实施方式中,该控制构件8和操作板9一体地构成。这样构成的控制构件8和操作板9配置在装置壳体100中的废液过滤构件4的上侧。即,在构成装置壳体100的左侧壁123和右侧壁124上安装的未图示的支撑部件上,载置上述控制构件8和操作板9,并通过适当的固定构件进行固定。此时,操作板9定位于装置壳体100的前侧(配置在开闭门扇126侧的一侧)。另外,在操作板9上配设有输入处理信息等的输入构件91、和显示控制构件8的处理信息的显示构件92等。
接下来,参照图4对上述纯水温度调整构件7进行说明。
图示的实施方式中的纯水温度调整构件7包括:冷却液槽71,其贮存冷却液;冷却液输送泵72,其使上述冷却液槽71内的冷却液循环;冷却器73,其将利用上述冷却液输送泵72输送的冷却液冷却至预定温度;热交换器74,其使利用上述冷却器73冷却到了预定温度的冷却液、与从上述纯水生成构件6经管道70输送的纯水进行热交换;第一管道75,其将通过了上述热交换器74的冷却液导向构成上述切削装置2的主轴单元22的主轴壳体221;和第二管道76,其使冷却了主轴壳体221的冷却液返回上述冷却液槽71。另外,贮存在上述冷却液槽71中的冷却液可以使用城市用水。
图示的实施方式中的纯水温度调整构件7如上所述地构成,下面说明其作用。
将通过使冷却液输送泵72动作而从冷却液槽71送出的冷却液利用冷却器73冷却至预定温度(例如23℃),并导入至热交换器74的一级侧741。另一方面,将利用上述纯水生成构件6精制而成的纯水经管道60导入至热交换器74的二级侧742。其结果为,导入到热交换器74的一级侧的冷却液和导入到二级侧742的纯水进行热交换,纯水被冷却至预定温度(例如23℃),并经管道70循环至安装在上述切削装置2上的加工液供给构件。
另一方面,将导入到热交换器74的一级侧741的冷却液经第一管道75导入至构成上述切削装置2的主轴单元22的主轴壳体221,以冷却主轴壳体221。这样对主轴壳体221进行了冷却的冷却液上升至35℃左右,并经第二管道76返回冷却液槽71。
如上所述,图示的实施方式中的加工废液处理装置10中,纯水温度调整构件7将利用纯水生成构件6精制而成的纯水调整至预定温度,将纯水温度调整构件7的冷却液经第一管道75导入至构成切削装置2的主轴单元22的主轴壳体221,以冷却该主轴壳体221,因此不需要用于冷却主轴单元的冷却装置,能够有效利用维护成本高的净化间。
以上示出了将按照本发明构成的加工废液处理装置应用于切削装置的例子,但是将本发明的加工废液处理装置应用于磨削装置等其它加工装置也能够得到同样的作用效果。
Claims (1)
1.一种加工废液处理装置,该加工废液处理装置与加工装置相邻地配设,用来对加工废液进行处理,在利用上述加工装置的加工构件进行加工时所供给的加工液通过加工而生成了上述加工废液,上述加工装置包括:卡盘工作台,其保持被加工物;上述加工构件,其具有使工具旋转的主轴单元,该工具对保持在上述卡盘工作台上的被加工物进行加工;和加工液供给构件,其向被上述加工构件加工的加工部位提供加工液,上述加工废液处理装置的特征在于,
上述加工废液处理装置包括:废液收纳箱,其收纳上述加工废液;废液输送泵,其输送收纳于上述废液收纳箱中的加工废液;废液过滤构件,其对利用上述废液输送泵输送的加工废液进行过滤,以精制成净水;净水贮存箱,其贮存利用上述废液过滤构件精制而成的净水;净水输送泵,其输送贮存于上述净水贮存箱中的净水;纯水生成构件,其将利用上述净水输送泵输送的净水精制成纯水;纯水温度调整构件,其将利用上述纯水生成构件精制而成的纯水调整至预定的温度;以及装置壳体,其收纳上述废液收纳箱、废液输送泵、废液过滤构件、净水贮存箱、净水输送泵、纯水生成构件和纯水温度调整构件,
上述纯水温度调整构件包括:热交换器,其将利用上述纯水生成构件精制而成的纯水调整至预定温度;冷却器,其对导入上述热交换器的冷却液进行冷却;冷却液槽,其收纳导入上述冷却器的冷却液;冷却液输送泵,其将收纳在上述冷却液槽内的冷却液输送至上述冷却器;第一管道,其将通过了上述热交换器的冷却液导向上述主轴单元;和第二管道,其使导入到上述主轴单元并对上述主轴单元进行了冷却的冷却液返回上述冷却液槽。
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