CN101483149A - 一种硅通孔互连结构的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种硅通孔互连结构的制备方法，步骤为①将键合硅器件晶圆键合于硅晶圆基板上；②减薄硅器件晶圆，再刻蚀硅器件晶圆，形成盲孔；③在硅器件晶圆上涂敷一层图案化介电材料(如聚对二甲苯)；④刻蚀图案化介电质层，刻蚀掉盲孔底部的介电材料，保留盲孔侧壁；在基板上形成介电质孔，使介电质孔和盲孔同轴；⑤在介电质孔上沉积一层导电材料，作为导电层，形成导电孔；⑥在导电层上再沉积一层图案化介电质层；⑦移除基板，在导电层上形成焊料微凸点。本发明简化了工艺步骤，减少工艺时间并降低了费用；降低了寄生电容，提升了互连电性能，可适用于RF的三维互连结构；缓解了导电材料和硅之间的热失配，在很大程度上减少了热机械应力。

Description

一种硅通孔互连结构的制备方法
技术领域
本发明属于极大规模集成电路制造领域的一种电学互连加工工艺，特别适用于加工系统级封装(SiP)、片上系统(SoC)及三维堆叠形式的硅通孔(TSV)互连结构。
技术背景
在过去四十年中，微电子元器件的研究、开发和生产一直沿着摩尔定律所预测的方向来进行的。2008年，英特尔等几个公司在内存芯片的大规模生产中已开始使用45至50纳米的加工技术。按照这样的发展趋势，最晚到2012年，为了进一步提高芯片的集成度，就需要用到32甚至22纳米的加工技术。但是32或22纳米的加工技术不仅遇到光刻设备和工艺的局限，而且单元稳定性、信号延迟、CMOS电路可行性等都是悬而未决的难题。正因如此，超越摩尔定律的概念于近年被提了出来。目前，超越摩尔定律的各种技术可以分为两大类：一是基于基板的三维集成技术，一是基于芯片/晶圆的三维集成技术。前者由于制造成本较高及存在可靠性问题，只能适用于一些特殊应用。根据所使用的内互连技术和三维堆叠方式的不同，后者又可以分为基于金线键合的芯片堆叠(Die Stacking)、封装堆叠(Package Stacking)和基于TSV(TSV—Through-Silicon-Via)的三维堆叠。由于TSV技术具有许多独特的特性，因此目前基于TSV技术的三维高密度集成技术正在成为超越摩尔定律的最主要方法。
作为一种目前最主要的超越摩尔定律方法，与摩尔定律通过开发更小尺度的微纳米加工技术、减小电路基本单元的物理尺寸来提高电路的集成度不同，基于TSV的三维高密度集成技术是在现有的微纳米加工技术的基础上、通过TSV互连进行三维集成、提高元器件的集成度。总体来说，基于TSV的三维高密度集成/封装技术具有以下四个主要优点：(1)高密度集成—通过三维封装，可以大幅度地提高电子元器件的集成度，减小封装的几何尺寸，克服现有的二维系统级封装(2D-SiP)和三维封装堆叠(PoP)系统的不足，满足微电子产品对于多功能和小型化的要求；(2)提高电性能—由于TSV技术可以大幅度地缩短电互连的长度，从而可以很好地解决出现在二维系统级芯片(SoC)技术中的信号延迟等问题，提高电性能；(3)多种功能集成—传统的二维SoC技术必须通过复杂的设计以及很大的芯片尺寸来实现有限的集中功能芯片集成，很难实现多功能芯片的集成。通过TSV互连的方式，可以把不同的功能芯片(如射频、内存、逻辑、数字和MEMS等)集成在一起实现电子元器件的多功能；(4)降低制造费用—TSV三维集成技术虽然目前在工艺上的成本较高，但是可以在元器件的总体水平上降低制造成本。
目前加工硅通孔互连结构的主要工艺方法为：(1)利用Bosch反应离子刻蚀-感应耦合等离子体(RIE-ICP)方法在晶圆表面刻蚀盲孔；(2)用化学气相沉积(CVD)氧化物或氮化物钝化法在硅孔表面形成绝缘层(通常为二氧化硅)；(3)金属化硅通孔。采用铜电镀方法填充硅孔，用化学机械抛光移除多余的铜电镀层；(4)背面磨削晶圆，暴露出铜导体层，完成通孔结构。
这种工艺流程能有效的实现高密度的三维通孔互连，但是存在如下的问题：(1)在硅基板和铜结构层之间只有一层很薄的绝缘层(通常为二氧化硅)，这导致在TSV互连间形成了很高的电容，有时甚至超过了标准引线键合互连方式的电容值；(2)相当厚的铜结构被填充于硅孔之中。由于硅和铜之间较大的热失配，这会在热循环过程中导致很显著的热机械应力；(3)采用电镀铜完全填充硅孔的方法需要很长的工时，这增加了该工艺方法的费用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅通孔互连结构的制备方法，该方法所需的工艺时间较短，并且所加工的硅通孔互连结构具有较好的热稳定性，TSV互连间形成的电容值较低，信号延时小。
本发明提供的硅通孔互连结构的制备方法，其步骤包括：
(1)将键合硅器件晶圆键合于硅晶圆基板上；
(2)减薄硅器件晶圆，再刻蚀硅器件晶圆，形成盲孔，盲孔的深宽比为5：1—20：1；刻蚀在到达内部接触时停止；
(3)在上述硅器件晶圆上涂敷一层图案化介电材料；
(4)刻蚀上述图案化介电质层，刻蚀掉盲孔底部的介电材料，保留盲孔侧壁；在硅晶圆基板上形成介电质孔，使介电质孔和盲孔同轴；
(5)在介电质孔上沉积一层导电材料，作为导电层，形成导电孔；
(6)在导电层上再沉积一层图案化介电质层；
(7)移除硅晶圆基板，在导电层上形成焊料微凸点。
作为上述技术方案改进，步骤(3)中的图案化介电质层的材料采用聚对二甲苯。
本发明所提出的工艺方法具有如下优点：(1)简化了工艺步骤，减少工艺时间并降低了费用；(2)通过使用二层图案化介电质层，降低了寄生电容，提升了互连电性能，可适用于高速和射频(RF)的三维互连结构；(3)通过减薄铜填充层和使用低模量的电介质材料，缓解了导电材料和硅之间的热失配，在很大程度上减少了热机械应力。
本发明还提出了采用聚对二甲苯(Parylene)代替二氧化硅和传统的聚合物(如BCB(双苯环丁烯)，聚酰亚氨)作为硅通孔结构的介电层(绝缘层)。作为一种新型的聚合物材料，聚对二甲苯(Parylene)以其优良的电性能已经广泛应用在微电子产业和医疗产业中。Parylene是在室温下沉积而成，透明且具有良好的机械强度，材料无应力(室温沉积后冷却)，与集成电路制造工艺相兼容。
附图说明
图1(a)—图1(1)为本发明方法具体实施方式的工艺流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实例对本发明提供的工艺方法的具体实施方式作进一步详细的说明。本发明方法包括：
(a)提供一个基板1，如涂敷有氧化层2的硅晶圆。基板的厚度为10—500微米。参见图1(a)。
(b)将硅器件晶圆或芯片3键合于硅晶圆上，硅器件晶圆或芯片有至少一个内部接触4。例如，可以通过倒装的方式在器件晶圆或芯片正面制作铝焊盘和钝化层，形成内部接触点4。参见图1(b)。
(c)采用机械磨削的方法减薄硅器件晶圆或芯片。磨削厚度为25—100微米。参见图1(c)。
(d)干法刻蚀硅器件晶圆或芯片，形成盲孔5，盲孔5的深宽比为5∶1—20∶1。这些盲孔5可以具有不同的形状和尺寸。优选值是直径20—50微米的圆柱形的孔，刻蚀在到达内部接触时停止。对于倒装芯片而言，即为刻蚀钝化层直至到达铝焊盘时停止。参见图1(d)。
(e)采用旋涂，喷涂或层压的方式涂敷第一层介电材料6(如聚合物)以填充盲孔5，聚合物可以是BCB(双苯环丁烯)，聚对二甲苯或聚酰亚氨。第一层介电材料最好使用聚对二甲苯(Parylene)，聚对二甲苯(Parylene)是在室温下沉积而成，透明且具有良好的机械强度，材料无应力(室温沉积后冷却)，与集成电路制造工艺相兼容。参见图1(e)。
(f)各向异性干法刻蚀第一层图案化的介电材料6，盲孔5底部的介电质层被刻蚀，盲孔5侧壁的介电质保留，从而在基板上形成至少一个介电质孔7。这些介电质孔7可以具有不同的形状和尺寸并可以在同一层介电层上形成。孔最好是圆柱形的，并且盲孔5和介电质孔7是同轴的。参见图1(f)。
(g)在介电质孔7表面沉积一层籽晶层8。典型的方法是物理气相沉积一层钛(Ti)/铜(Cu)籽晶层，其中钛(Ti)的厚度为30纳米，铜(Cu)的厚度为400纳米。参见图1(g)。
(h)采用旋涂、喷涂或电泳沉积方式沉积光刻胶层9(正胶)，典型的厚度是5—10微米。通过掩模板和紫外光曝光光刻胶层，图案化结构层。参见图1(h)。
(i)采用电镀的方法电镀一层导体层10(如铜层)，部分填充介电质孔和器件表面。参见图1(i)。
(j)剥离光刻胶层和籽晶层，可采用湿法刻蚀方式。形成导电孔11。参见图1(j)。
(k)在导电层11上沉积第二层图案化的介电质层12以完全填充导电孔11。介电质层12作为外部绝缘钝化层。介电质层12可以是聚合物(BCB(双苯环丁烯)，聚对二甲苯)或硅树脂，最好采用旋涂，喷涂或层压的方式沉积。第二介电质层12最好是BCB(双苯环丁烯)，因为BCB(双苯环丁烯)具有良好的平面化和空隙填充属性。真空工艺可以被采用以保证硅基板孔的良好填充。对于BCB(双苯环丁烯)而言，真空工艺最好在170温度下进行，因为BCB(双苯环丁烯)在该温下流动性最佳。参见图1(k)。
(1)移除硅器件晶圆下方的基板1。在焊接区域(未被聚合物涂敷的区域)形成焊料微凸点结构13，为键合和互连作好准备。参见图1(1)。
下面借助具体实施实例将更加详细说明本发明，且以下实施例仅是说明性的，本发明并不受这些实施实例的限制。
(a)提供一个基板1，基板1为涂敷有氧化层2的硅晶圆。基板的厚度为500微米。
(b)将硅器件晶圆3键合于硅晶圆上，硅器件晶圆有至少一个内部接触4。通过倒装的方式在器件晶圆正面制作铝焊盘和钝化层，形成内部接触4。
(c)采用机械磨削的方法减薄硅器件晶圆或芯片。磨削厚度为50微米。
(d)干法刻蚀硅器件晶圆，形成盲孔5，这些盲孔5是直径50微米的圆柱形的孔，刻蚀在到达内部接触时停止，即为刻蚀钝化层直至到达铝焊盘时停止。
(e)采用旋涂方式涂敷第一层介电材料6以填充盲孔5，介电材料9采用聚对二甲苯。
(f)各向异性干法刻蚀第一层图案化的介电材料6，盲孔5底部的介电质层被刻蚀，盲孔5侧壁的介电质保留，从而在基板上形成至少一个介电质孔7。这些介电质孔7是圆柱形的，并且盲孔5和介电质孔7是同轴的。
(g)在介电质孔7表面沉积一层籽晶层8。采用物理气相方法沉积一层钛(Ti)/铜(Cu)籽晶层，其中钛(Ti)的厚度为30纳米，铜(Cu)的厚度为400纳米。
(h)采用旋涂沉积方式沉积光刻胶层9(正胶)，胶厚度是10微米。通过掩模板和紫外光曝光光刻胶层，图案化结构层。
(i)采用电镀的方法电镀一层铜导体层10，部分填充介电质孔和器件表面。
(j)剥离光刻胶层和籽晶层，采用湿法刻蚀方式。形成导电孔11。
(k)在导电层10上沉积第二层图案化的介电质层12以完全填充导电孔12。介电质层12作为外部绝缘钝化层。介电质层12是聚合物BCB(双苯环丁烯)，采用旋涂方式沉积。采用真空工艺，在170温度下进行。
(1)移除硅器件晶圆下方的基板1。在焊接区域(未被聚合物涂敷的区域)形成焊料微凸点结构13，为键合和互连作好准备。
本发明不仅局限于上述具体实施方式，本领域一般技术人员根据本发明公开的内容，可以采用其它多种具体实施方式实施本发明，因此，凡是采用本发明的技术方案和思路，做一些简单的变化或更改，都落入本发明保护的范围。

Claims (6)

1、一种硅通孔互连结构的制备方法，其步骤包括：
(1)将键合硅器件晶圆键合于硅晶圆基板上；
(2)减薄硅器件晶圆，再刻蚀硅器件晶圆，形成盲孔，盲孔的深宽比为5：1—20：1；刻蚀在到达内部接触时停止；
(3)在上述硅器件晶圆上涂敷一层图案化介电材料；
(4)刻蚀上述图案化介电质层，刻蚀掉盲孔底部的介电材料，保留盲孔侧壁；在硅晶圆基板上形成介电质孔，使介电质孔和盲孔同轴；
(5)在介电质孔上沉积一层导电材料，作为导电层，形成导电孔；
(6)在导电层上再沉积一层图案化介电质层；
(7)移除硅晶圆基板，在导电层上形成焊料微凸点。
2、根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：步骤(3)中的图案化介电质层的材料为聚对二甲苯。
3、根据权利要求1或2所述的工艺方法，其特征在于：步骤(5)中的导电层材料为铜。
4、根据权利要求1或2所述的工艺方法，其特征在于：在步骤(5)沉积导电材料之前，先沉积一层钛/铜籽晶层。
5、根据权利要求1或2所述的工艺方法，其特征在于：步骤(6)中的图案化介电质层的材料为双苯环丁烯。
6、根据权利要求1或2所述的工艺方法，其特征在于：步骤(6)中的硅器件晶圆的内部接触材料为铝。
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Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102064149A (zh) * 2010-10-21 2011-05-18 日月光半导体制造股份有限公司 具有穿导孔的半导体装置及具有穿导孔的半导体装置的封装结构及其制造方法
CN102148192A (zh) * 2010-12-30 2011-08-10 上海交通大学 在硅通孔表面生长阻挡层与种子层的方法
CN102214624A (zh) * 2011-05-17 2011-10-12 北京大学 一种具有通孔的半导体结构及其制造方法
CN102024783B (zh) * 2009-09-22 2012-03-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于互连工艺中的半导体器件及其制造方法
CN102376642A (zh) * 2011-11-24 2012-03-14 上海华力微电子有限公司 一种硅通孔工艺
CN101740484B (zh) * 2008-11-25 2012-03-28 台湾积体电路制造股份有限公司 形成穿透硅通孔的方法
CN102487058A (zh) * 2010-12-01 2012-06-06 海力士半导体有限公司 半导体芯片、半导体封装件以及半导体芯片的制造方法
CN102054746B (zh) * 2009-11-02 2012-10-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 硅通孔互连结构形成方法
CN102957418A (zh) * 2011-08-15 2013-03-06 台湾积体电路制造股份有限公司 低功率/高速tsv接口设计
CN103545275A (zh) * 2012-07-12 2014-01-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 硅通孔封装结构及形成方法
CN103779351A (zh) * 2012-10-23 2014-05-07 格科微电子（上海）有限公司 三维封装结构及其制造方法
US8890320B2 (en) 2011-12-31 2014-11-18 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation Via arrangement and semiconductor device with the via arrangement
CN104253139A (zh) * 2014-09-30 2014-12-31 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种图像传感器制备工艺
CN104362161A (zh) * 2014-09-30 2015-02-18 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种图像传感器制备工艺
CN105374739A (zh) * 2014-08-29 2016-03-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
CN105390434A (zh) * 2014-09-05 2016-03-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件及其制备方法、电子装置
CN105470225A (zh) * 2015-12-09 2016-04-06 西安交通大学 基于穿硅电容的三维容性耦合互连结构的制作方法
CN105489550A (zh) * 2016-01-11 2016-04-13 华天科技（昆山）电子有限公司 低成本晶圆级芯片尺寸硅通孔互连结构及其制备方法
CN105514047A (zh) * 2014-10-13 2016-04-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种晶圆级封装方法
CN105706239A (zh) * 2013-12-23 2016-06-22 英特尔公司 穿主体过孔隔离的共轴电容器及其形成技术
CN107293484A (zh) * 2017-07-11 2017-10-24 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种转接板制造方法
CN107359137A (zh) * 2017-07-11 2017-11-17 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种用于制造转接板的方法
CN108220924A (zh) * 2018-01-26 2018-06-29 中国科学院理化技术研究所 一种铜薄膜的制备方法
CN108461465A (zh) * 2018-05-03 2018-08-28 复旦大学 一种硅通孔结构及其制备方法
CN110137341A (zh) * 2018-02-02 2019-08-16 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 单晶压电薄膜异质衬底的制备方法
CN112420604A (zh) * 2020-11-20 2021-02-26 中国科学院半导体研究所 一种基于热压键合的tsv垂直电学互连器件的制备方法
CN113140548A (zh) * 2021-03-25 2021-07-20 深圳市时代速信科技有限公司 一种功率放大器的内匹配电容
WO2023207399A1 (zh) * 2022-04-29 2023-11-02 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种直孔硅通孔的介质层填充方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI434387B (zh) 2010-10-11 2014-04-11 Advanced Semiconductor Eng 具有穿導孔之半導體裝置及具有穿導孔之半導體裝置之封裝結構及其製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101356645A (zh) * 2005-10-11 2009-01-28 朴太锡 利用硅通孔接点的cmos图像传感器晶片层级封装及其制造方法
CN101364550A (zh) * 2007-08-08 2009-02-11 矽品精密工业股份有限公司 具硅通道的多芯片堆叠结构及其制法

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101740484B (zh) * 2008-11-25 2012-03-28 台湾积体电路制造股份有限公司 形成穿透硅通孔的方法
CN102024783B (zh) * 2009-09-22 2012-03-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于互连工艺中的半导体器件及其制造方法
CN102054746B (zh) * 2009-11-02 2012-10-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 硅通孔互连结构形成方法
CN102064149A (zh) * 2010-10-21 2011-05-18 日月光半导体制造股份有限公司 具有穿导孔的半导体装置及具有穿导孔的半导体装置的封装结构及其制造方法
CN102487058A (zh) * 2010-12-01 2012-06-06 海力士半导体有限公司 半导体芯片、半导体封装件以及半导体芯片的制造方法
CN102148192B (zh) * 2010-12-30 2013-03-20 上海交通大学 在硅通孔表面生长阻挡层与种子层的方法
CN102148192A (zh) * 2010-12-30 2011-08-10 上海交通大学 在硅通孔表面生长阻挡层与种子层的方法
CN102214624A (zh) * 2011-05-17 2011-10-12 北京大学 一种具有通孔的半导体结构及其制造方法
CN102214624B (zh) * 2011-05-17 2013-05-29 北京大学 一种具有通孔的半导体结构及其制造方法
CN102957418B (zh) * 2011-08-15 2015-11-04 台湾积体电路制造股份有限公司 衬底通孔接口电路
CN102957418A (zh) * 2011-08-15 2013-03-06 台湾积体电路制造股份有限公司 低功率/高速tsv接口设计
CN102376642A (zh) * 2011-11-24 2012-03-14 上海华力微电子有限公司 一种硅通孔工艺
US8890320B2 (en) 2011-12-31 2014-11-18 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation Via arrangement and semiconductor device with the via arrangement
CN103545275A (zh) * 2012-07-12 2014-01-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 硅通孔封装结构及形成方法
CN103545275B (zh) * 2012-07-12 2016-02-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 硅通孔封装结构及形成方法
CN103779351A (zh) * 2012-10-23 2014-05-07 格科微电子（上海）有限公司 三维封装结构及其制造方法
CN103779351B (zh) * 2012-10-23 2017-11-07 格科微电子（上海）有限公司 三维封装结构及其制造方法
CN105706239A (zh) * 2013-12-23 2016-06-22 英特尔公司 穿主体过孔隔离的共轴电容器及其形成技术
CN105374739A (zh) * 2014-08-29 2016-03-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
CN105374739B (zh) * 2014-08-29 2019-07-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
CN105390434A (zh) * 2014-09-05 2016-03-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件及其制备方法、电子装置
CN104362161A (zh) * 2014-09-30 2015-02-18 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种图像传感器制备工艺
CN104253139A (zh) * 2014-09-30 2014-12-31 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种图像传感器制备工艺
CN104362161B (zh) * 2014-09-30 2017-05-31 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种图像传感器制备工艺
CN104253139B (zh) * 2014-09-30 2018-03-06 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种图像传感器制备工艺
CN105514047A (zh) * 2014-10-13 2016-04-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种晶圆级封装方法
CN105470225A (zh) * 2015-12-09 2016-04-06 西安交通大学 基于穿硅电容的三维容性耦合互连结构的制作方法
CN105470225B (zh) * 2015-12-09 2018-04-17 西安交通大学 基于穿硅电容的三维容性耦合互连结构的制作方法
CN105489550B (zh) * 2016-01-11 2018-08-31 华天科技（昆山）电子有限公司 低成本晶圆级芯片尺寸硅通孔互连结构及其制备方法
CN105489550A (zh) * 2016-01-11 2016-04-13 华天科技（昆山）电子有限公司 低成本晶圆级芯片尺寸硅通孔互连结构及其制备方法
CN107293484A (zh) * 2017-07-11 2017-10-24 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种转接板制造方法
CN107359137A (zh) * 2017-07-11 2017-11-17 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种用于制造转接板的方法
CN108220924A (zh) * 2018-01-26 2018-06-29 中国科学院理化技术研究所 一种铜薄膜的制备方法
CN110137341A (zh) * 2018-02-02 2019-08-16 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 单晶压电薄膜异质衬底的制备方法
CN110137341B (zh) * 2018-02-02 2020-10-20 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 单晶压电薄膜异质衬底的制备方法
CN108461465A (zh) * 2018-05-03 2018-08-28 复旦大学 一种硅通孔结构及其制备方法
CN112420604A (zh) * 2020-11-20 2021-02-26 中国科学院半导体研究所 一种基于热压键合的tsv垂直电学互连器件的制备方法
CN112420604B (zh) * 2020-11-20 2022-12-06 中国科学院半导体研究所 一种基于热压键合的tsv垂直电学互连器件的制备方法
CN113140548A (zh) * 2021-03-25 2021-07-20 深圳市时代速信科技有限公司 一种功率放大器的内匹配电容
WO2023207399A1 (zh) * 2022-04-29 2023-11-02 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种直孔硅通孔的介质层填充方法

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