CN101452211A - 光刻对准标记的制备方法 - Google Patents

光刻对准标记的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101452211A
CN101452211A CNA2007100943180A CN200710094318A CN101452211A CN 101452211 A CN101452211 A CN 101452211A CN A2007100943180 A CNA2007100943180 A CN A2007100943180A CN 200710094318 A CN200710094318 A CN 200710094318A CN 101452211 A CN101452211 A CN 101452211A
Authority
CN
China
Prior art keywords
alignment mark
photoresist
silicon
photoetching
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2007100943180A
Other languages
English (en)
Inventor
陈华伦
陈雄斌
陈瑜
熊涛
罗啸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd filed Critical Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority to CNA2007100943180A priority Critical patent/CN101452211A/zh
Publication of CN101452211A publication Critical patent/CN101452211A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明公开了一种光刻对准标记的制备方法，其用于在硅衬底上制备光刻对准标记，包括：在硅衬底上制备一氧化层；用光刻胶光刻显影，保留光刻对准标记处的光刻胶；以形成的光刻胶图案为刻蚀掩膜，刻蚀曝出的氧化层至硅表面，最后去除光刻胶层；进行硅外延生长，使外延层表面高度大于氧化层表面高度，形成光刻对准标记。本发明的制备方法，避免了原有基于沟槽刻蚀的光刻对准标记制备方法中，因外延层加厚所带来的标记模糊的问题，同时具有生产成本低，工艺控制的简单，工艺能力窗口扩大，且对准精度高的优点，适用于集成电路制造中。

Description

光刻对准标记的制备方法
技术领域
本发明涉及一种半导体芯片的制造工艺，特别涉及一种半导体芯片制造中光刻对准标记的制备方法。
背景技术
集成电路制造过程中，光刻是一个重要的工艺流程，其通过涂胶和曝光将设计的图形通过光刻胶复制到硅片上。在光刻过程中，对准是通常是在硅片上设置对准标记，光刻对准标记包括光刻对位标记和光刻套刻对准标记。现有工艺中一般是利用在硅片上刻蚀形成浅沟槽作为对准标记的。其基本的工艺流程为：
(1)在硅衬底上淀积氧化硅(见图1a和图1b)；
(2)涂光刻胶，光刻显影定义出沟槽的图案(见图1c)；
(3)刻蚀硅衬底形成浅沟槽(见图1d)；
(4)去除光刻胶以及氧化硅(见图1e)。
从上述工艺流程上看，现有光刻对准标记的形成需要对硅衬底进行刻蚀，而且随着后续外延层厚度的增加，刻蚀的沟槽深度也硬随之增加，深度甚至可以达到0.5微米，这对产能是种浪费。而且对位以及光刻套刻标记会随着外延层加厚而逐渐模糊，存在精确性的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是光刻对准标记的制备方法，其能有效避免因外延层加厚而带来的光刻对准标记变模糊的问题。
为解决上述技术问题，本发明的光刻对准标记的制备方法，其制作在硅衬底中，包括：
(1)在硅衬底上淀积一氧化层；
(2)用光刻胶光刻显影，保留光刻对准标记处的光刻胶；
(3)以步骤(2)中形成的光刻胶图案为刻蚀掩膜，刻蚀曝出的氧化层至硅表面，最后去除光刻胶层；
(4)进行硅外延生长，使外延层表面高度大于氧化层表面高度，形成光刻对准标记。
本发明的光刻对准标记的制备方法，利用不同材料间存在的选择性外延的特性，对光刻对位和套刻标记形成的方式作出修正，避免了传统的标志所需要的深沟，同时避免了外延后标志清晰度下降的问题。利用氧化层来形成突出的外延前标记，外延时氧化层阻挡硅在标记处堆积，最终形成类似传统的开槽式的光刻对位标记和光刻套刻对准标记。本发明的制备方法具有生产成本低，工艺控制的简单，工艺能力窗口扩大，且对准精度高的优点。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1a至图1e为现有的光刻对准标记制备示意图；
图2为本发明的制备方法流程示意图；
图3a至图3d为本发明的具体制备示意图。
具体实施方式
本发明的光刻对准标记的制备方法，用于硅衬底的光刻对准标记制备中，其利用在氧化层表面不能进行外延生长的这一特性，形成标记的图形。本发明的一个具体实施例(见图2)，包括：
(1)先在硅衬底上制备一氧化层(见图3a)，该氧化层的厚度可以较薄，厚度没有具体限定，最简单的制备方法为放入炉管中热生长氧化层；
(2)涂光刻胶，曝光显影，保留光刻对准标记处的光刻胶(见图3b和图3c)；
(3)以步骤(2)中形成的光刻胶图案为刻蚀掩膜，刻蚀掉曝出的氧化层至硅表面(见图3c)，最后去除光刻胶层；
(4)进行硅外延生长，使外延层表面高度大于氧化层表面高度，形成光刻对准标记(见图3d)；在进行外延生长之前还可以对硅片表面进行清洗，以使硅外延生长更顺利，因氧化层表面无法进行硅外延生长，故最终得到类似沟槽状的图形，其中沟槽底部为氧化层表面；此处硅外延生长的工艺和参数等与现有工艺中采用的相同，可以采用硅烷作为反应气体。

Claims (4)

1、一种光刻对准标记的制备方法，其制作在硅衬底中，其特征在于，包括：
(1)在硅衬底上制备一氧化层；
(2)用光刻胶光刻显影，保留光刻对准标记处的光刻胶；
(3)以步骤(2)中形成的光刻胶图案为刻蚀掩膜，刻蚀曝出的氧化层至硅表面，最后去除光刻胶层；
(4)进行硅外延生长，使外延层表面高度大于氧化层表面高度，形成光刻对准标记。
2、按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的光刻对准标记包括光刻对位标记和光刻套刻标记。
3、按照权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)之前还包括对硅片表面进行清洗的步骤。
4、按照权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)硅外延生长采用硅烷作为反应气体。
CNA2007100943180A 2007-11-28 2007-11-28 光刻对准标记的制备方法 Pending CN101452211A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2007100943180A CN101452211A (zh) 2007-11-28 2007-11-28 光刻对准标记的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2007100943180A CN101452211A (zh) 2007-11-28 2007-11-28 光刻对准标记的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101452211A true CN101452211A (zh) 2009-06-10

Family

ID=40734518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007100943180A Pending CN101452211A (zh) 2007-11-28 2007-11-28 光刻对准标记的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101452211A (zh)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101630637A (zh) * 2009-08-04 2010-01-20 上海集成电路研发中心有限公司 防止外延工艺中标记发生畸变的方法
CN101923296B (zh) * 2009-06-17 2011-12-14 上海华虹Nec电子有限公司 Nvm器件制备中光刻对准记号的制备方法
WO2012028109A1 (en) * 2010-09-01 2012-03-08 Csmc Technologies Fab1 Co., Ltd. Semicondunctor device and method of fabricating the same
CN102420214A (zh) * 2010-09-25 2012-04-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 形成强化对准标记的方法以及半导体器件
CN102683181A (zh) * 2011-03-14 2012-09-19 上海华虹Nec电子有限公司 提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法
CN101924013B (zh) * 2009-06-17 2012-10-03 上海华虹Nec电子有限公司 一种增强外延后光刻套准精度的方法
CN102856164A (zh) * 2012-09-07 2013-01-02 无锡华润上华科技有限公司 一种提高对位标记清晰度的方法
CN102931171A (zh) * 2012-11-08 2013-02-13 杭州士兰集成电路有限公司 一种外延标记及其相应的制作方法
CN103187250A (zh) * 2011-12-31 2013-07-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 多次外延生长方法
CN103872019A (zh) * 2012-12-17 2014-06-18 上海华虹宏力半导体制造有限公司 应用于外延工艺的光刻标记及其制造方法
CN104570630A (zh) * 2013-10-28 2015-04-29 上海华虹宏力半导体制造有限公司 光刻套刻标记及其形成方法
CN104766789A (zh) * 2015-03-31 2015-07-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 外延生长工艺方法
CN104779241A (zh) * 2015-04-29 2015-07-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 外延工艺中光刻标记的制作方法
CN108231742A (zh) * 2017-12-29 2018-06-29 吉林华微电子股份有限公司 光刻标记对准方法和芯片制备方法
CN111883430A (zh) * 2020-09-18 2020-11-03 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体器件制备方法
CN112563246A (zh) * 2020-12-18 2021-03-26 河源市众拓光电科技有限公司 一种光刻套刻标记及其制备方法
CN113794105A (zh) * 2021-07-15 2021-12-14 华芯半导体研究院(北京)有限公司 基于自对准技术的vcsel芯片柱面刻蚀方法及其应用
CN114460819A (zh) * 2022-01-14 2022-05-10 北京量子信息科学研究院 用于电子束曝光的对准标记及其制备方法

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101923296B (zh) * 2009-06-17 2011-12-14 上海华虹Nec电子有限公司 Nvm器件制备中光刻对准记号的制备方法
CN101924013B (zh) * 2009-06-17 2012-10-03 上海华虹Nec电子有限公司 一种增强外延后光刻套准精度的方法
CN101630637A (zh) * 2009-08-04 2010-01-20 上海集成电路研发中心有限公司 防止外延工艺中标记发生畸变的方法
CN102386056A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 无锡华润上华半导体有限公司 半导体器件及其制造方法
WO2012028109A1 (en) * 2010-09-01 2012-03-08 Csmc Technologies Fab1 Co., Ltd. Semicondunctor device and method of fabricating the same
CN102420214A (zh) * 2010-09-25 2012-04-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 形成强化对准标记的方法以及半导体器件
CN102420214B (zh) * 2010-09-25 2017-06-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 形成强化对准标记的方法以及半导体器件
CN102683181A (zh) * 2011-03-14 2012-09-19 上海华虹Nec电子有限公司 提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法
CN102683181B (zh) * 2011-03-14 2014-10-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法
CN103187250A (zh) * 2011-12-31 2013-07-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 多次外延生长方法
CN103187250B (zh) * 2011-12-31 2016-02-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 多次外延生长方法
CN102856164A (zh) * 2012-09-07 2013-01-02 无锡华润上华科技有限公司 一种提高对位标记清晰度的方法
CN102856164B (zh) * 2012-09-07 2016-04-13 无锡华润上华科技有限公司 一种提高对位标记清晰度的方法
CN102931171A (zh) * 2012-11-08 2013-02-13 杭州士兰集成电路有限公司 一种外延标记及其相应的制作方法
CN102931171B (zh) * 2012-11-08 2015-04-29 杭州士兰集成电路有限公司 一种外延标记及其相应的制作方法
CN103872019A (zh) * 2012-12-17 2014-06-18 上海华虹宏力半导体制造有限公司 应用于外延工艺的光刻标记及其制造方法
CN103872019B (zh) * 2012-12-17 2016-08-17 上海华虹宏力半导体制造有限公司 应用于外延工艺的光刻标记及其制造方法
CN104570630A (zh) * 2013-10-28 2015-04-29 上海华虹宏力半导体制造有限公司 光刻套刻标记及其形成方法
CN104570630B (zh) * 2013-10-28 2016-11-02 上海华虹宏力半导体制造有限公司 光刻套刻标记及其形成方法
CN104766789A (zh) * 2015-03-31 2015-07-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 外延生长工艺方法
CN104779241A (zh) * 2015-04-29 2015-07-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 外延工艺中光刻标记的制作方法
CN104779241B (zh) * 2015-04-29 2017-10-20 上海华虹宏力半导体制造有限公司 外延工艺中光刻标记的制作方法
CN108231742A (zh) * 2017-12-29 2018-06-29 吉林华微电子股份有限公司 光刻标记对准方法和芯片制备方法
CN111883430A (zh) * 2020-09-18 2020-11-03 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体器件制备方法
CN111883430B (zh) * 2020-09-18 2023-03-14 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体器件制备方法
CN112563246A (zh) * 2020-12-18 2021-03-26 河源市众拓光电科技有限公司 一种光刻套刻标记及其制备方法
CN113794105A (zh) * 2021-07-15 2021-12-14 华芯半导体研究院(北京)有限公司 基于自对准技术的vcsel芯片柱面刻蚀方法及其应用
CN113794105B (zh) * 2021-07-15 2023-01-06 华芯半导体研究院(北京)有限公司 基于自对准技术的vcsel芯片柱面刻蚀方法及其应用
CN114460819A (zh) * 2022-01-14 2022-05-10 北京量子信息科学研究院 用于电子束曝光的对准标记及其制备方法
CN114460819B (zh) * 2022-01-14 2024-01-26 北京量子信息科学研究院 用于电子束曝光的对准标记及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101452211A (zh) 光刻对准标记的制备方法
US7479233B2 (en) Mask blank for charged particle beam exposure, method of forming mask blank and mask for charged particle beam exposure
KR101624814B1 (ko) 단일 노광-자기 정렬된 이중, 삼중 및 사중 패터닝을 위한 방법
CN106350783B (zh) 一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法及AlGaN薄膜
US20100117188A1 (en) Method for producing trench isolation in silicon carbide and gallium nitride and articles made thereby
CN102496563B (zh) 一种单晶硅衬底上制备硅纳米线的方法
CN101752225A (zh) 超深沟槽的多级刻蚀与填充方法
CN103337566A (zh) 一种图形化衬底制作方法
CN110648997B (zh) 一种SiC芯片光刻标记形成方法
CN107723797A (zh) 碳化硅晶圆片的制备方法和碳化硅晶圆片
EP1087427A3 (en) Selective growth process for group III-nitride-based semiconductors
CN108023002A (zh) 一种图形化衬底及其制作方法
JP4848937B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN105047537A (zh) 一种不连续外延层的制备方法
CN103887166A (zh) 一种氧化物替代式图形衬底的制备方法
CN1251313C (zh) 具有t型接触电极的半导体器件的制造方法
CN104051583A (zh) 一种用于提高外延质量的图形化衬底的制备方法
CN110808208B (zh) 一种t型纳米栅的制备方法
JP3813128B2 (ja) 微細構造の製造方法
CN113471078A (zh) 一种sgt-mosfet及其制造方法
CN202133860U (zh) 光刻对准标记
CN102082082B (zh) 填充高深宽比沟槽的外延工艺方法
CN109440180B (zh) 多孔iii族氮化物及其制备方法
CN107658290B (zh) 形成光刻对准标记的方法
CN102931171B (zh) 一种外延标记及其相应的制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Open date: 20090610