CN101410226A - 输送系统的输送位置对准方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种输送系统的输送位置对准方法，不管输送系统的构成组件的安装情况，都能高效率地进行精度很高的输送位置对准。其进行以下工序：求出通过输送路径(X23、X24)在定向器(320)和第2处理室(220B)之间输送虚设晶圆(Wd)时的、与第2处理室的输送位置的可进行位置偏移校正的方向相对应的定向器的输送位置的可进行位置偏移校正的方向，由此得到位置偏移校正用坐标系的工序、使通过基准输送路径(X21、X22)从定向器输送到第2处理室的虚设晶圆从第2处理室通过输送路径(X23、X24)返回到定向器而对输送前后的虚设晶圆的位置偏移进行检测的工序、基于位置偏移校正用坐标系，对经由输送路径(X23、X24)的第2处理室的输送位置进行校正，以消除检测到的位置偏移的工序。

Description

输送系统的输送位置对准方法
技术领域
本发明涉及输送被输送物的输送系统的输送位置对准方法。
背景技术
对基板例如液晶基板等FPD基板(平板显示基板)和半导体晶圆(以下也简称为“晶圆”。)，实施例如干蚀刻、阴极真空溅镀、CVD(Chemical Vapor Deposition化学气相沉积)等规定处理的基板处理装置例如包括：由用于对晶圆实施规定处理的多个处理室构成的工艺处理单元、以及将晶圆搬入、搬出该工艺处理单元的输送单元。
例如集簇(cluster tool)型的基板处理装置时，工艺处理单元由截面呈多边形的共用输送室、被气密地连接在共用输送室周围的多个处理室和加载互锁真空室等多个组件构成。输送单元包括供设置晶圆收纳容器(盒式容器)的导入口、在盒式容器和处理单元之间搬出、搬入晶圆的导入侧输送室。上述共用输送室和导入侧输送室分别具有在处理室间、盒式容器和处理室之间自动地输送晶圆的输送机构。
在这样的基板处理装置中，例如对收纳在盒式容器的晶圆实施规定的处理时，首先由导入侧输送室内的输送机构从盒式容器搬出未处理晶圆。从盒式容器搬出的未处理晶圆在搬入加载互锁真空室之前，搬入设置在导入侧输送室内的位置对准机构(例如定向器，预对准台)来定位。定位后的未处理晶圆从位置对准机构搬出而搬入加载互锁真空室。
搬入加载互锁真空室的未处理晶圆利用共用输送室内的输送机构从加载互锁真空室搬出，搬入处理室而被实施规定的处理。然后，在处理室内的处理已结束的处理完毕的晶圆例如通过原来的路径返回到盒式容器内。
不过，在这种基板处理装置中，在其内部具有单个或多个输送机构，晶圆的交接和输送由这些输送机构自动地进行。这些输送机构具有例如伸缩、回旋和升降自如地构成的臂，以由该臂的顶端的抓手保持晶圆的状态移动到处理室等规定的组件，将晶圆移送到该组件内的规定的输送位置(例如载置台上)。
这样的输送机构要求适当地保持被放置在某固定场所的晶圆而输送到目的地，高精度地交接到该目的地的输送位置。晶圆和臂必须进行调整，以使不与基板处理装置内的构件接触。因此，在进行了装置的组装和装置改装之际等，在输送机构的抓手的移动路径中，为了避开进行晶圆交接的场所和障碍物，进行所谓示教作业，即将臂可通过的场所等重要位置例如作为输送位置座标存储在对输送机构的动作进行控制的控制部的作业。
例如对盒式容器、加载互锁真空室的载置台、位置对准机构的载置台、各处理室的基座等与抓手之间进行晶圆的交接的基板处理装置内的所有场所(组件)，在每个抓手进行该示教作业。
集簇型的基板处理装置的输送系统的示教方法(输送位置对准方法)中，采用由例如做成了直径与要输送的晶圆为同一尺寸且厚度也大致相同的透明板组成的位置对准用虚设晶圆。在该虚设晶圆上例如预先在抓手应该保持的适当场所形成有抓手的轮廓等记号，载置并保持成在抓手上使该虚设晶圆保持在适当的位置时，该记号与抓手的轮廓一致。
首先，即使自动输送虚设晶圆，也以虚设晶圆不与内壁等碰撞的程度的粗糙的精度(例如是2mm左右的输送误差)来临时决定输送位置座标。接着，通过手动操作使上述虚设晶圆与各组件的输送位置(例如加载互锁真空室内的载置台上，真空处理室的基座上等)位置对准并以高的位置精度载置在适当的位置上。然后，利用抓手将该虚设晶圆输送到定位机构即定向器上，通过该定向器检测位置偏移量。为了消除该位置偏移量而对临时决定的输送位置的座标进行校正，将输送位置座标存储在控制部内并将其确定。
不过，这样的方法中，操作者必须对抓手进入的基板处理装置内的所有场所目视观察，同时谨慎地手动操纵抓手来进行输送位置对准，因此示教作业就需要很长时间，对操作者来说成为很大的负担。
因此，提出了能尽可能减少操作者必须用手动操作来对准输送位置的部位的输送位置对准方法(例如参照专利文献1)。例如在集簇型的基板处理装置的场合，基板处理装置可进入处理组件即各处理室内的共用输送室内输送机构的抓手有2个且输送到处理组件之际被中转的中转组件即加载互锁真空室有2个，直到最终输送到各处理组件的输送路径有4个，这4个输送路径通过了共用输送室内的输送机构所具有的2个抓手和2个中转组件任一个，在示教操作中，上述4个输送路径的输送位置被确定。此时，若预先用手动操作对1个输送路径的输送位置进行位置对准，将其作为基准输送路径而自动地进行校正，以使其他3个输送路径的输送位置与经由基准输送路径的输送位置一致。由此，比以往可缩短示教作业所花费的时间。
专利文献1：  日本特开2004-174669号公报
不过，以往认为处理室和加载互锁真空室等组件的输送位置的位置偏移(例如晶圆的中心位置的位置偏移量和位置偏移方向)与位置对准机构的输送位置的位置偏移之间的每次关系是一致的，因此以此为前提来对位置偏移进行校正。
不过，实际上，通过实验可知有时组件的输送位置的位置偏移与位置对准机构的输送位置的位置偏移之间每次不一致。例如，处理室和加载互锁真空室等组件的安装角度和位置从设计上的安装角度和位置发生偏移时，组件的输送位置的位置偏移方向与位置对准机构的输送位置的位置偏移方向不一致。而且，两者的关系根据各组件的安装精度等基板处理装置的组装精度而不同，因此每个基板处理装置即使些微也产生偏差。
因此，如以往那样，以组件的输送位置的位置偏移与位置对准机构的输送位置的位置偏移之间的每次关系一致为前提来进行校正，因此有时不能正确地对位置偏移进行校正，因此存在成为提高位置对准精度时的瓶颈这样的问题。近年来，对输送位置对准也增加了要求更高精度的工艺处理。因此，期望适合于这些工艺处理地将输送位置对准的精度提高到以往以上。
发明内容
本发明是鉴于这样的问题而做成的，其目的在于提供一种输送系统的输送位置对准方法，为了也与要求高精度的工艺处理相适应，不管输送系统的构成组件的安装状态，都能更高效率地进行高精度的输送位置对准。
为了解决上述课题，根据本发明的某些方面，提供一种输送系统的输送位置对准方法，该输送系统具有对被输送物的位置偏移进行检测的位置对准机构和可搬入上述被输送物的组件，在通过多个输送路径能将上述被输送物输送到上述位置对准机构和上述组件的规定输送位置上，其中以上述多个输送路径之一作为基准输送路径时，该输送位置对准方法用于使经由其他输送路径的输送位置与上述组件的经由上述基准输送路径的输送位置对准，其特征在于，包括以下工序：使从上述位置对准机构通过上述基准输送路径输送到上述组件的位置对准用被输送物通过上述其他输送路径从上述组件返回到上述位置对准机构，对输送前后的上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测的工序、将从上述组件的输送位置沿可以进行位置偏移的校正的方向错开规定错开量的位置对准用被输送物通过上述其他输送路径从上述组件输送到上述位置对准机构，对上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测，还改变上述错开量并重复多次上述位置偏移检测，基于由此得到的多个位置偏移的检测结果，求出与上述组件的输送位置的可进行位置偏移校正的方向相对应的上述位置对准机构的输送位置的位置偏移方向，从而算出上述位置偏移校正用座标系的工序、以及基于上述位置偏移校正用座标系，对经由上述其他输送路径的上述组件的输送位置进行校正，以消除上述检测到的位置偏移的工序。
根据该方法，求出通过上述其他输送路径在上述位置对准机构和上述组件之间输送上述被输送物时的、与上述组件的输送位置的可进行位置偏移校正的方向相对应的上述位置对准机构的输送位置的位置偏移方向，由此得到位置偏移校正用座标系，因此即使组件的安装位置和安装角度与设计上存在偏移，位置偏移校正用座标系反映其安装位置等的偏移。因此，不管在组件的安装位置等是否存在偏移，或不管偏移的大小和方向，能正确地对经由其他输送路径的上述组件的输送位置进行校正。其结果，使经由其他输送路径的输送位置与上述组件的经由上述基准输送路径的输送位置以极高的精度对准。
上述输送系统具有输送机构，该输送机构具有保持上述被输送物的多个抓手，上述多个输送路径可以是分别通过上述输送机构的不同的抓手输送时的输送路径。这样一来，无论使用多个抓手中的哪个抓手来将被输送物输送到组件，能输送到相同的输送位置。
上述组件可以是下列组件中的任一个：对所搬入的上述被输送物实施规定处理的处理组件、将上述被输送物向上述处理组件输送时用于中转该被输送物的中转组件、具有可进入上述处理室和上述中转组件的输送机构的输送组件、或收纳上述被输送物的收纳组件。
为了解决上述课题，根据本发明的其他的方面，提供一种输送系统的输送位置对准方法，该输送系统具有对被输送物的位置偏移进行检测的位置对准机构和将上述被输送物输送到规定输送位置时用于中转该被输送物的多个中转组件，该输送位置对准方法用于以上述多个中转组件的其中之一作为基准中转组件，使经由通过其他中转组件的输送路径的输送位置与经由通过上述基准中转组件的输送路径的输送位置对准，其特征在于，包括以下工序：使从上述输送位置对准机构经由通过了上述基准中转组件的输送路径输送到上述规定输送位置的位置对准用被输送物从上述规定输送位置经由通过了上述其他中转组件的输送路径返回到上述输送位置对准机构，对输送前后的上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测的工序、求出经由通过了上述其他中转组件的输送路径在上述位置对准机构位置和上述规定输送位置之间输送上述被输送物之际的、与上述其他中转组件的输送位置的可进行位置偏移校正的方向相对应的上述位置对准机构的输送位置的位置偏移方向，由此得到位置偏移校正用座标系的工序、以及基于上述位置偏移校正用座标系，对上述其他中转组件的输送位置进行校正，以消除上述检测到的位置偏移的工序。
根据该方法，求出经由通过上述其他中转组件的输送路径在上述位置对准机构和上述规定输送位置之间输送上述被输送物时的、与上述其他中转组件的输送位置的可进行位置偏移校正的方向相对应的上述位置对准机构的输送位置的位置偏移方向，由此得到位置偏移校正用座标系，因此即使其他中转组件的安装位置和安装角度与设计上存在偏移，位置偏移校正用座标系反映其安装位置等的偏移。因此，不管其他中转组件的安装位置等是否存在偏移，或不管偏移的大小和方向，能正确地对经由其他输送路径的上述其他中转组件的输送位置进行校正。其结果，使经由通过其他中转组件的输送路径的输送位置与经由通过基准中转述组件的输送路径的输送位置以极高的精度对准。
为了解决上述课题，根据本发明的其他的方面，提供一种输送系统的输送位置对准方法，该输送系统包括：对被输送物的位置偏移进行检测的位置对准机构、对所搬入的上述被输送物实施规定处理的1个以上的处理组件、将上述被输送物输送到上述处理组件时用于中转该被输送物的1个以上的中转组件、具有保持上述被输送物的1个以上的抓手部且可进入上述位置对准机构和上述各中转组件的第1输送机构、以及具有保持上述被输送物的第1、第2抓手部且可进入上述中转组件和上述各处理组件的第2输送机构，其中在上述位置对准机构和上述处理组件之间构成的上述被输送物的多个输送路径中，以经由上述第1输送机构的抓手部、上述中转组件以及上述第2输送机构的第1抓手部的输送路径为基准输送路径，以经由上述第1输送机构的抓手部、上述中转组件以及上述第2输送机构的第2抓手部的输送路径为其他输送路径时，该输送位置对准方法用于使经由其他输送路径的输送位置与上述处理组件中的经由上述基准输送路径的输送位置对准，其特征在于，包括以下工序：使从上述位置对准机构通过上述基准输送路径输送上述处理组件的位置对准用被输送物从上述处理组件通过上述其他输送路径返回到上述位置对准机构，对输送前后的上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测的工序、使从上述位置对准机构通过上述基准输送路径输送到上述处理组件的上述位置对准用被输送物从上述处理组件的输送位置沿可以进行位置偏移的校正的方向错开规定错开量，交接到上述第2输送机构的第2抓手部上，通过上述其他输送路径返回到上述位置对准机构，对上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测，还改变上述错开量，并重复多次上述位置偏移检测，基于由此所得到的多个位置偏移的检测结果，求出与上述处理组件的输送位置的可以进行位置偏移的校正的方向相对应的上述位置对准机构的输送位置的位置偏移方向，由此算出上述位置偏移校正用座标系的工序、基于上述位置偏移校正用座标系，对经由上述其他输送路径的上述处理组件的输送位置进行校正，以消除上述检测到的位置偏移的工序。
根据该方法，求出通过上述其他输送路径在上述位置对准机构和上述处理组件之间输送上述被输送物时的、与上述处理组件的输送位置的可进行位置偏移校正的方向相对应的上述位置对准机构的输送位置的位置偏移方向，由此得到位置偏移校正用座标系，因此即使处理组件的安装位置和安装角度与设计上存在偏移，位置偏移校正用座标系反映其安装位置等的偏移。因此，不管处理组件的安装位置等是否存在偏移，或不管偏移的大小和方向，能正确地对经由其他输送路径的上述处理组件的输送位置进行校正。其结果，使经由其他输送路径的输送位置与上述处理组件中的经由上述基准输送路径的输送位置以极高的精度对准。
上述第2输送机构的第2抓手部相对于上述处理组件的可进行位置偏移校正的方向可以是上述第2输送机构的第2抓手部向上述处理组件的进入方向和与上述进入方向正交的方向。
上述输送系统具有多个处理组件时，优选分别对上述多个处理组件进行以下工序：对上述输送前后的上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测的工序、得到上述位置偏移校正用座标系的工序、以及对上述处理组件的输送位置进行校正的工序。这样一来，对全部的处理组件，使经由其他输送路径的输送位置与经由上述基准输送路径的输送位置以极高的精度对准。
为了解决上述课题，根据本发明的其他的方面，提供一种输送系统的输送位置对准方法，该输送系统包括：对被输送物的位置偏移进行检测的位置对准机构、对所搬入的上述被输送物实施1个以上的规定处理的处理组件、将上述被输送物输送到上述处理组件时用于中转该被输送物的第1、第2中转组件、具有保持上述被输送物的1个以上的抓手部且可进入上述位置对准机构和上述中转组件的第1输送机构、以及具有保持上述被输送物的一个以上的抓手部且可进入上述中转组件和上述处理组件的第2输送机构，其中在上述位置对准机构和上述第2输送机构的抓手部之间构成的上述被输送物的多个输送路径中，以经由上述第1输送机构的抓手部、上述第1中转组件的输送路径为基准输送路径，以经由上述第1输送机构的抓手部、上述第2中转组件的输送路径为其他输送路径时，该输送位置对准方法用于使经由其他输送路径的输送位置与上述第2输送机构的抓手部的经由上述基准输送路径的输送位置对准，其特征在于，包括以下工序：使从上述位置对准机构通过上述基准输送路径输送到上述第2输送机构的抓手部的位置对准用被输送物从上述第2输送机构的抓手部通过上述其他输送路径返回到上述位置对准机构，对输送前后的上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测的工序、使从上述位置对准机构通过上述基准输送路径输送到上述第2输送机构的抓手部的上述位置对准用被输送物从上述第2输送机构的抓手部的输送位置沿可以进行位置偏移的校正的方向错开规定错开量而载置到上述第2中转组件上，从上述第2中转组件通过上述其他输送路径返回到上述位置对准机构，对上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测，还改变上述错开量，并重复多次上述位置偏移检测，基于由此得到的多个位置偏移的检测结果，求出与上述第2输送机构的抓手部的输送位置可进行位置偏移校正的方向相对应的上述位置对准机构的输送位置的位置偏移方向，由此算出上述位置偏移校正用座标系的工序、以及基于上述位置偏移校正用座标系，对经由上述其他输送路径的上述第2输送机构的抓手部的输送位置进行校正，以消除上述检测到的位置偏移的工序。
根据该方法，求出通过上述其他输送路径在上述位置对准机构和上述第2输送机构的抓手部之间输送上述被输送物时的、与上述第2输送机构的抓手部的输送位置的可进行位置偏移校正的方向相对应的上述位置对准机构的输送位置的位置偏移方向，由此得到位置偏移校正用座标系，因此即使第2中转组件的安装位置和安装角度与设计上存在偏移，位置偏移校正用座标系反映其安装位置等的偏移。因此，不管第2中转组件的安装位置等是否存在偏移，或不管偏移的大小和方向，能正确地对经由其他输送路径的上述第2中转组件的输送位置进行校正。其结果，使经由通过了第2中转组件的输送路径的第2输送机构的抓手部的输送位置与经由通过了第1中转组件的输送路径的第2输送机构的抓手部的输送位置以极高的精度对准。
上述第2输送机构的抓手部相对于上述第2中转组件的可进行位置偏移校正的方向可以是上述第2输送机构的抓手部向上述第2中转组件的进入方向和与上述进入方向正交的方向。
上述第2输送机构具有多个抓手部时，优选分别对上述第2输送机构的上述多个抓手部进行以下工序：对上述输送前后的上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测的工序、得到上述位置偏移校正用座标系的工序、以及对上述第2输送机构的抓手部的输送位置进行校正的工序。这样一来，对第2输送机构的全部抓手部，使经由其他输送路径的输送位置与经由上述基准输送路径的输送位置以极高的精度对准。
根据本发明，不管输送系统的构成组件的安装情况，都能高效率地进行更高精度的输送位置对准。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的基板处理装置的构成的俯视图。
图2是表示该实施方式的控制部的构成的方框图。
图3是表示该实施方式的定向器和第2处理室之间的输送路径的图
图4是表示绘制出定向器中的虚设晶圆的中心位置的定向器座标系的图。
图5是在图4的定向器座标系上叠加抓手B2相对于第2处理室的输送位置座标系(Rθ座标系)的图。
图6是表示第2处理室的输送位置座标系和与第2处理室有关的定向器的座标系之间的关系的图。
图7是表示第2处理室的输送位置座标系(R轴，θ轴)和与第2处理室有关的定向器的座标系(Ra轴，θa轴)不一致时的输送位置座标的校正方向和校正量的图。
图8是表示采用位置偏移校正用座标系对输送位置座标进行校正时的校正方向和校正量的图。
图9是表示本实施方式的输送位置对准处理的具体例子的流程图。
图10是表示图9的共用输送室和定向器之间的输送位置对准处理的具体例子的流程图。
图11是表示图10的第1阶段输送位置对准处理的具体例子的流程图。
图12是表示图10的第2阶段输送位置对准处理中由输送系统所输送的虚设晶圆的输送路径的图。
图13是表示图10的第2阶段输送位置对准处理的具体例子的流程图。
图14是表示图13的第2阶段输送位置对准处理中所作成的位置偏移校正用座标系的图。
图15是表示采用图14的位置偏移校正用座标系对输送位置座标进行校正时的校正方向和校正量的图。
图16是表示对抓手B1实施图10的第2阶段输送位置对准处理时所作成的位置偏移校正用座标系的图。
图17是表示图9的处理室和定向器之间的输送位置对准处理的具体例子的流程图。
图18是表示图17的第1阶段位置对准处理的具体例子的流程图。
图19是表示图17的第2阶段在输送位置对准处理中由输送系统所输送的虚设晶圆的输送路径的图。
图20是表示图17的第2阶段输送位置对准处理的具体例子的流程图。
图21是表示图20的第2阶段输送位置对准处理中所作成的位置偏移校正用座标记系的图。
图22是表示采用图21的位置偏移校正用座标系来对输送位置座标进行校正时的校正方向和校正量的图。
附图标记的说明
100、基板处理装置；200、处理单元；210、共用输送室；212、处理单元侧输送机构；220A～220D、第1～第4处理室；222A～222D、载置台；230M、第1加载互锁真空室；230N、第2加载互锁真空室；232M、交接台；232N、交接台；240A～240D闸门；300、输送单元；302A～302C、盒式容器；304A～304C、导入口；306A～306C、搬入口；310、导入侧输送室；312、输送单元侧输送机构；314、基台；320、定向器；322、旋转载置台；324、光学传感器；400、控制部；450、输入输出部件；470、各种控制器；482、输送程序；484、工艺处理程序；490、设定信息存储部件；492、输送设定信息存储区域；494、工艺处理设定信息存储区域；A1、A2、B1、B2、抓手；W、晶圆；Wd、虚设晶圆；Xa、Xb、输送路径；X11～X14、输送路径；X21～X24、输送路径。
具体实施方式
下面参照附图对本发明的最佳实施方式进行详细地说明。另外，在本说明书和附图中，通过对实质上具有同一功能结构的构成要素标上相同的附图标记，省略重复说明。
(输送系统的构成例)
首先，参照附图对本发明的实施方式的输送系统进行说明。在此，以能作为输送晶圆等基板的输送系统而发挥作用的基板处理装置为例子。图1是表示本发明的实施方式的基板处理装置100的概略构成的图。该基板处理装置100包括：对被处理基板例如半导体晶圆W进行成膜处理、蚀刻处理等各种处理的处理单元200、将晶圆W搬入、搬出该处理单元200的输送单元300、以及对基板处理装置100整体的动作进行控制的控制部400。
输送单元300如图1所示，具有在基板收纳容器例如盒式容器302(302A～302C)和处理单元200之间搬入、搬出晶圆W的导入侧输送室310。导入侧输送室310形成为截面呈大致多边形(例如长方形)的箱体状。在导入侧输送室310的一侧面上并列设有构成为可载置盒式容器302A～302C的多个导入口304(304A～304C)。另外，设置在导入口内的盒式容器作为收纳晶圆W的收纳组件而起作用。
各盒式容器302(302A～302C)，例如能以等间隔将最多25张晶圆W载置成多级来收容，内部是例如充满氮气的密闭构造。并且，各盒式容器302A～302C和导入侧输送室310通过搬入口306A～306C相连接，借助于这些搬入口306A～306C能搬入、搬出晶圆W。另外，导入口304和盒式容器302的数量不限于如图1所示的例子。
在导入侧输送室310的端部，即构成截面呈大致多边形状的短边的侧面上设有作为位置对准机构的定向器(预对准台)320。该定向器320在其内部具有对旋转载置台322和晶圆W的周端部进行光学检测的光学传感器324。旋转载置台322具有用于对其上是否载置有晶圆W进行检测的传感器(未图示)。在该定向器320中，例如由光学传感器32对预先形成在晶圆W上的定向平面和刻痕等进行检测，根据该检测结果对晶圆W的旋转角度进行调整。由光学传感器324对晶圆W的中心和旋转载置台322的旋转中心之间的偏移量和方向进行检测。将该晶圆W的输送位置信息发送到控制部400。
在导入侧输送室310内设有沿着导入侧输送室310的长度方向(如图1所示的箭头方向)将晶圆W输送的输送单元侧输送机构(第1输送机构)312。固定有输送单元侧输送机构312的基台314将导入侧输送室310内的中心部可滑动移动地支持在沿着长度方向设置的引导导轨316上。在该基台314和引导导轨316上分别设有线性电动机的转子和定子。在引导导轨316的端部设有驱动该线性电动机用的线性电动机驱动机构(未图示)。线性电动机驱动机构基于来自控制部400的控制信号被控制，由此输送单元侧输送机构312与基台314一起沿着引导导轨316向箭头方向移动。
输送单元侧输送机构312采用具有2个臂部的所谓双臂构造。各臂部具有例如可伸缩、可升降、可回旋的多关节构造。并且，在各臂的顶端具有保持晶圆W的抓手A1、A2，输送单元侧输送机构312一次能同时处理2张晶圆W。利用这样的输送单元侧输送机构312，例如相对于盒式容器302、定向器320和后述的第1、第2加载互锁真空室230M、230N等可搬入、搬出晶圆W以对其进行更换。输送单元侧输送机构312的抓手A1、A2分别具有对是否保持有晶圆W进行检测的传感器(未图示)。另外，输送单元侧输送机构312的臂部的数量不限于上述数量，例如也可以具有1个臂部的单臂机构。
接着，对处理单元200的构成例进行说明。本实施方式的基板处理装置100是集簇型，因此处理单元200如图1所示，包括形成为截面呈多角形(例如六角形)的共用输送室210、被气密地连接在其周围的多个处理室220(第1～第4处理室220A～220D)以及第1、第2加载互锁真空室230M、230N。这些第1～第4处理室220A～220D分别构成对晶圆W实施规定的处理的处理组件，第1、第2加载互锁真空室230M、230N分别构成输送晶圆W的过程中中转用的第1、第2中转组件。
第1～第4处理室220A～220D分别通过闸门240A～240D与共用输送室21连接。第1、第2加载互锁真空室230M、230N的顶端分别通过闸门(真空侧闸门)240M、240N与共用输送室210连接，第1、第2加载互锁真空室230M、230N的基端分别通过闸门(空气侧闸门)242M、242N与导入侧输送室310的其他侧面连接。
处理室220A～220D分别在内部具有载置台(基座)222A～222D，对载置在其上的晶圆W实施例如成膜处理(例如等离子CVD处理)和蚀刻处理(例如等离子蚀刻处理))等规定处理。各处理室220A～220D与用于将处理气体和清洗气体等规定气体导入内部的气体导入系统(未图示)、内部排气用的排气系统(未图示)连接。另外，处理室220的数量不限于图1所示的例子。
第1、第2加载互锁真空室230M、230N临时保持晶圆W而调整了压力之后，具有向下一级传递的功能。在各第1、第2加载互锁真空室230M、230N的内部分别设有可载置晶圆W的交接台232M、232N。
在共用输送室210内设有采用了具有2个臂部的所谓双臂构造的处理单元侧输送机构(第2输送机构)212。并且，处理单元侧输送机构212的各臂部具有例如可伸缩、可升降、可回旋的多关节构造，在各臂的顶端具有保持晶圆W用的抓手B1、B2。这样的处理单元侧输送机构212一次能同时处理2张晶圆W，可在各加载互锁真空室230M、230N及各处理室220A～220D之间输送晶圆W。处理单元侧输送机构212的抓手B1、B2分别具有对是否保持有晶圆W进行检测用的传感器(未图示)。另外，处理单元侧输送机构212的臂部的数量不限于上述数量，也可以是例如具有1个臂部的单臂机构。
控制部400对包括输送单元侧输送机构312、处理单元侧输送机构212、各闸门、定向器320的旋转载置台322等基板处理装置100的整体动作进行控制。控制部400具有如下功能：接收例如定向器320的光学传感器324检测到的表示晶圆W的位置偏移量和位置偏移方向的数据并存储该数据，按照规定顺序对该数据进行运算。
(处理部的构成例)
接着，参照附图对控制部400的具体构成例进行说明。控制部400如图2所示，包括：构成控制部主体的CPU(中央处理装置)410、对CPU410控制各部的数据等进行存储的ROM(Read Only memory)420、设有CPU410进行的各种数据处理时所使用的存储区域等的RAM(Random AccessMemory)430、表示操作画面和选择画面等的液晶显示器等构成的显示部件440、可进行操作者的各种数据的输入、输出等输入输出部件450、例如蜂鸣器那样的警报器等构成的通知部件460、用于控制基板处理装置100的各部的各种控制器470、对适用于基板处理装置100的各种程序数据进行存储的程序数据存储部件480、以及对执行基于程序数据的程序处理时使用的各种设定信息的设定信息进行存储的存储部件490。程序数据存储部件480和设定信息存储部件490例如由闪存(flashmemory)、硬盘、CD一ROM等记录介质构成，根据需要由CPU410读取数据。
在程序数据存储部件480中存储有以下程序：对例如控制输送单元侧输送机构312和处理单元侧输送机构212的动作的程序进行存储的输送程序482、对各处理室220A～220D中的对晶圆W的工艺处理时所执行的程序进行存储的工艺处理程序484。
设定信息存储部件490中确保对例如存储输送单元侧输送机构312和处理单元侧输送机构212进入来输送晶圆W的部位的输送位置座标等进行存储的输送设定信息存储区域492、对工艺处理中的处理室内压力、气体流量、高频电力等制程数据进行存储的工艺处理设定信息存储区域494。在输送设定信息存储区域492中分别存储各部位的输送位置座标。并且，通过在对例如存储在输送设定信息存储区域492的输送位置座标进行校正时，置换成该校正后的输送位置座标来存储(写入)，确定输送位置座标。对已确定的输送位置座标再进行一次校正时，置换成该校正后的输送位置座标来存储(写入)，确定输送位置座标。
这些CPU410、ROM420、RAM 430、显示构件440、输入输出部件450、通知部件460、各种控制器470、程序数据存储部件480和设定信息存储部件490由控制总线、系统总线、数据总线等总线进行电连接。
(输送系统的输送位置对准处理的概要)
接着，参照附图对使用上述基板处理装置(输送系统)100进行的输送位置对准处理(示教操作)的概要进行说明。在该输送位置对准处理中，采用输送位置对准用虚设晶圆Wd替代在各处理室220A～220D中实施规定处理的产品用晶圆W。该虚设晶圆Wd是由透明板形成的，其直径和厚度实质上与产品用晶圆W相同。在该表面上画有例如与抓手A1、A2、B1、B2的轮廓相对准的记号，通过使该记号与抓手的轮廓一致，可使虚设晶圆Wd在适当的位置保持在各抓手上。
在该输送位置对准处理中，首先进行与共用输送室210和定向器320之间能取得的所有输送路径相关的位置对准(第1输送位置对准处理)后，进行各处理室220A～220D相对于各载置台222A～222D的位置对准(第2输送位置对准处理)。由此，不管经过哪个输送路径都能输送到各载置台222A～222D上的相同输送位置。
以各输送机构212、312的不同的抓手进入同一场所时，输送路径是不同的。例如在上述基板处理装置100中，为了从定向器320将晶圆W向第1、第2加载互锁真空室230M、230N的任一个输送，能选择使用输送单元侧输送机构312的抓手A1、A2的任一个，因此存在2个输送路径。还有，为了向各处理室220A～220D输送晶圆W，能选择使用处理单元侧输送机构212的抓手B1、B2的任一个，在该输送之际，经由第1、第2加载互锁真空室230M、230N的任一个来输送晶圆W，因此存在4个输送路径。因此，最终将晶圆W输送到各处理室220A～220D中，通过对输送用抓手A1、A2、B1、B2和加载互锁真空室230M、230N进行组合，分别存在最多8个输送路径。
这些输送路径中，对于经由输送单元侧输送机构312的抓手A1或A2的2个输送路径，抓手A1、A2直接进入定向室320和第1、第2加载互锁真空室230M、230N，因此分别直接进入来确定输送位置座标。对此，对于经由处理单元侧输送机构212的抓手B1或B2的4个输送路径，抓手B1、B2不能直接进入定向器320。因此，使经由输送单元侧输送机构312的抓手A1和A2的2个输送路径确定之后，采用其中的任一个输送路径，通过定向室320间接地进行输送位置对准，确定输送位置座标。
在此，对经由处理单元侧输送机构212的抓手B1或B2与加载互锁真空室230M或230N的4个输送路径的输送位置对准处理进行说明。对这些输送路径当中之一确定输送位置，以其为基准输送路径时，进行校正，使得经由其他输送路径的输送位置与经由基准输送路径输送晶圆W的输送位置对准。
参照附图以例如为了把晶圆W输送到第2处理室220B的规定的输送位置(例如载置台222B上)而存在经由处理单元侧输送机构212的抓手B1的输送路径Xa和经由抓手B2的输送路径Xb的情况为例进行说明。图3是表示定向室320和第2处理室220B之间的输送路径的图。在图3中，为了简单说明，省略了定向器320和第2处理室220B之外的场所。
首先通过例如使用了虚设晶圆Wd的上述手动操作来确定利用经由处理单元侧输送机构212的抓手B1的输送路径Xa输送到第2处理室220B内的晶圆W的输送位置，以该输送路径Xa为基准输送路径。接着，使适当地放置在定向器320内的虚设晶圆Wd经由基准输送路径即输送路径Xa输送到第2处理室220B的规定输送位置一次，随后经由其他输送路径即输送路径Xb将该虚设晶圆Wd输送到定向器320而返回。
然后，在定向器320中，对输送前后的虚设晶圆Wd的位置偏移进行检测，对经由其他输送路径即输送路径Xb的输送位置进行校正，以消除检测到的位置偏移。具体来说，对处理单元侧输送机构212的抓手B 2相对于处理室220B的输送位置进行校正，以使在定向器320中输送前后的虚设晶圆Wd的中心一致。
对这样的经由其他输送路径的输送位置的校正方法的具体例子进行说明。图4表示的是上述输送前后的虚设晶圆Wd的中心在定向器320的座标系(XY座标系)分别为P0、P1的场合。另外，在定向器320中输送前后的虚设晶圆Wd的中心的位置偏移例如作为位置偏移量(偏心量)V和位置偏移方向(偏心方向)α而被检测出，因此在定向器320的座标系的X轴上取位置偏移量V和位置偏移方向α的余弦函数的积(V×cosα)，在Y轴取位置偏移量V和位置偏移方向α的正弦函数的积(V×Sinα)。在该例子中，虚设晶圆Wd在P0和P1之间只位置偏移V1，因此利用控制部400对抓手B2相对于第2处理室220B(载置台222B)的输送位置进行校正，以消除位置偏移V1。
在此，若使抓手B2相对于第2处理室220B(载置台222B)的输送位置座标系(R0座标系)与定向器320的座标系(XY座标系)叠加，就如图5所示。在图5用点划线表示的输送位置座标系以虚设晶圆Wd的中心位置为原点，用近似直线的θ轴表示抓手B2的臂的回旋角度和用R轴表示伸缩方向R。另外，在本实施方式中，以抓手B1、B2的臂的左回旋方向为θ轴的正方向，以臂的延伸方向为R轴的正方向。
如图5所示，表示定向器320中的虚设晶圆Wd的位置偏移的矢量V1可分解成在输送位置座标系中R轴向的矢量V1R(大小为|V1R|)和θ轴向的矢量V1θ(大小为|V1θ|)。因此，只要对抓手B2相对于第2处理室220B的输送位置向R轴的负向校正R轴校正量|V1R|，向θ轴的负方向校正θ轴校正量|V1θ|，P1与P0就一致。此时，R轴校正量|V1R|例如由直线θ轴和P0之间的距离DR算出，θ轴校正量|V1θ|例如由直线R轴和P0之间的距离Dθ算出。
由此，能使经由基准输送路径即输送路径Xa的输送位置与经由其他输送路径即输送路径Xb的输送位置一致。仅用手动操作只确定经由1个输送路径的输送位置，其他输送路径就能自动进行位置对准，因此能减少用手动操作必须对准输送位置的部位。
不过，以往认为处理室220和加载互锁真空室230等组件的输送位置的位置偏移(例如晶圆W的中心位置的位置偏移量和位置偏移方向)与位置对准机构即定向器320的输送位置的位置偏移之间的每次关系是一致的，因此以此为前提来校正位置偏移。即，认为在图5中表示定向器320的座标系(XY座标系)的位置偏移的矢量V1与表示输送位置座标系(Rθ座标系)中的位置偏移的矢量V1一致，进行了各组件的输送位置座标的校正。
不过，通过实验可知，实际上，受到处理室220、加载互锁真空室230、定向器320的安装误差等影响，有时处理室220的输送位置的位置偏移与定向器320的输送位置的位置偏移不一致。
例如图6所示，在第2处理室220B中使虚设晶圆Wd的中心位置例如每沿R轴向和θ轴向错开0.15mm而通过经由抓手B2的输送路径Xb输送到定向器320来对位置偏移进行检测，若将其标绘在定向器320的座标系上，可知定向器320的座标系中的实际的R轴向和θ轴向的位置偏移与第2处理室220B的输送位置座标系(Rθ座标系)的R轴向和θ轴向不一致。
这样，若处理室220、定向器320等安装角度和位置从设计上的安装角度和位置偏移时，在处理室220中的虚设晶圆Wd的输送位置的位置偏移方向就与从处理室220输送到定向器320内时的虚设晶圆Wd的输送位置的位置偏移方向不一致。
例如图7所示，第2处理室220B的输送位置座标系(R轴，θ轴)与该第2处理室220B的实际的定向器320的座标系(Ra轴，θa轴)不一致时，用如图5所示的座标系算出的R轴校正量|V1R|、θ轴校正量|V1θ|分别对R轴，θ轴的负方向进行校正，实际上对Ra轴的负方向只校正|V1R|(矢量VIRa)，θa轴的负方向只校正在|V1θ|(矢量V1θa)。
由此，从定向器320通过经由抓手B1的输送路径Xa，输送到第2处理室220B，从第2处理室220B通过经由抓手B2的输送路径Xb返回到定向器320的虚设晶圆Wd的位置从P1被校正到P1a，因此比校正前位置偏移变少，但还留下P0和P1a之间的距离那样大小的位置偏移。
这样，以在处理室220的输送位置的位置偏移与将虚设晶圆Wd从该处理室220输送到定向器320中时的定向器320的输送位置的位置偏移是一致的为前提来进行输送位置座标的校正时，由于处理室220等的安装精度的不同，有时例如残留有十分之一毫米级的输送位置的位置偏移。即，在上述的前提下，有时无法正确地校正位置偏移，即使想更提高位置对准精度也存在极限。
因此，在本实施方式中，求出与处理室220的输送位置座标的位置偏移校正方向(例如图6、图7所示的R轴、θ轴)相对应的定向器320中的可进行位置偏移校正的方向(例如图6、图7所示的Ra轴、θa轴)，求出位置偏移校正用座标系，基于该位置偏移校正用座标系，进行输送位置的位置偏移校正。
例如上述图7所示的例子中，由Ra轴，θa轴构成的座标系作为位置偏移校正用座标系，算出这些Ra轴、θa轴上的位置偏移量。即，如图8所示，表示定向器320中的虚设晶圆Wd的位置偏移的矢量V1能分解成位置偏移校正用座标系中的Ra轴向矢量V1Ra(大小为|V1Ra|)和θa轴向的矢量V1θa(大小为|V1θa|)。
因此，与该位置偏移校正用座标系相对应的抓手B2相对于第2处理室220B的输送位置座标的校正量向R轴的负方向为R轴校正量|V1Ra|，向θ轴的负方向为θ轴校正量|V1θa |。另外，R轴校正量|V1Ra|例如可由直线θa轴和P0之间的距离算出，θ轴校正量|V1θa |例如可由直线Ra轴和P0之间的距离算出。
通过这样进行校正，即使处理室220的安装位置和安装角度与设计上存在偏移，也能进行校正，使得经由其他输送路径的输送位置P1与经由基准输送路径的输送位置P0以极高的精度一致。例如能得到百分之一毫米级那样高的位置对准精度。
在此，参照图6对作成上述的位置偏移校正用座标系(RO座标系)的方法的具体例子进行了说明。在图6中，与第2处理室220B重叠的标绘点(黑点)表示的是利用抓手B2将第2处理室220B内的虚设晶圆Wd搬出时的抓手B2的进入位置。如图6所示，本实施方式中有意地使抓手B2的进入位置沿第2处理室220B的输送位置座标系的R轴向和θ轴向错开多次并搬出虚设晶圆Wd。
然后，通过使由抓手B2从第2处理室220B所搬出的虚设晶圆Wd通过其他输送路径Xb返回到定向器320时所检测到的定向器320中的标绘点(黑点)，可求出与处理室220的输送位置座标的位置偏移校正方向(R轴、θ轴)相对应的定向器320的位置偏移校正方向(Ra轴、θa轴)。即，在图6中与定向器320重叠记载的标绘点(黑点)表示定向器320中所检测到的虚设晶圆Wd的中心的位置，基于这些标绘点(黑点)的分布，算出2条近似直线时，这些即为与第2处理室220B的输送位置座标系的R轴、θ轴相对应的定向器320中的Ra轴、θa轴。
这样在本实施方式中，利用有意错开进入位置的抓手B2将从第2处理室220B搬出的虚设晶圆Wd向定向器320输送，通过对定向器320中的虚设晶圆Wd的位置偏移进行检测，检测到第2处理室220B的定向器320中的位置偏移校正方向，基于此，作成位置偏移校正用座标系。
另外，也可以使第2处理室220B内的虚设晶圆Wd的位置错开，以替代错开抓手B2向第2处理室220B的进入位置的方法。后者的场合，与图6的第2处理室220B重叠记载的标绘点(黑点)表示虚设晶圆Wd的中心位置。无论采用哪个方法也能同样地作成位置偏移校正用座标系。
(输送系统的输送位置对准处理的具体例子)
接着，参照附图对本实施方式的输送系统的输送位置对准处理的具体例子进行说明。图9是表示输送位置对准处理的具体例子的流程图。在本实施方式中，考虑了位置对准作业的效率和正确性，原则上从靠近定向器320的场所依次进行位置对准。具体来说，首先在步骤S100进行与在共用输送室210和定向器320之间取得的输送路径有关的位置对准，在步骤S200进行各处理室220A～220D相对于各载置台222A～222D的位置对准。
图9所示的步骤S100、步骤S200中除了分别以某种程度的精度(例如输送位置误差为十分之一毫米级的精度)进行位置对准的校正的第1阶段输送位置对准处理之外，以比第1阶段还高的精度(例如输送位置误差为百分之一毫米级的精度)执行了进行位置对准的校正的第2阶段输送位置对准处理。通过进行这样2个阶段的位置对准，不管经由哪个输送路径，也能以更高的精度输送到各载置台222A～222D上的相同输送位置，因此也能适用于进行更高精度的输送位置对准所必需的工艺处理的处理室220。
(共用输送室和定向器之间的输送位置对准处理)
图9所示的共用输送室210和定向器320之间的输送位置对齐处理(步骤S100)如上所述，除了图10所示的第1阶段输送位置对准处理(步骤S110)之外，进行了第2阶段输送位置对准处理(步骤S120)。
另外，实施步骤S110的第1阶段输送位置对准处理之前，优选对各抓手A1、A2、B1、B2适当组合自动移动和手动移动，并一点一点移动，对各抓手进入的基板处理装置100内的所有场所(点)，进行临时决定输送位置座标的所谓粗略示教(roughteaching)。
实施该粗略示教的目的在于，抓手所保持的虚设晶圆Wd不与基板处理装置100内的构件等接触，在此，例如以±2mm以内左右的粗精度来临时决定输送位置座标。该临时的输送位置座标存储到控制部400的设定信息存储部件490内的规定输送设定信息存储区域492中。另外，在基板处理装置100的组装误差很小时等，从基板处理装置100的设计数值算出输送位置座标，也可以将其作为该临时的输送位置座标。
(第1阶段输送位置对准处理)
例如基于图11所示的流程图执行了第1阶段输送位置对准处理(步骤S110)。第1阶段输送位置对准处理是为了进行定向器320和共用输送室210(例如处理单元侧输送机构212的各抓手B1、B2)之间的输送位置对准而被实施。另外，在图11中，第1加载互锁真空室230M简写为“LLM1”，第2加载互锁真空室230N简写为“LLM2”。
在第1阶段输送位置对准处理中，首先在步骤S111，使虚设晶圆Wd与抓手A2适当地位置对准并将其保持，将其自动地向定向室320输送，移送到旋转载置台322上。然后，使载置台322旋转而通过光学传感器324对虚设晶圆Wd的位置偏移量(偏心量)V和位置偏移方向α(偏心方向)进行检测。表示此时检测到的位置偏移量V和位置偏移方向α的输送位置信息数据被发送到控制部400。控制部400基于该输送位置信息数据，对通过原来的粗略示教临时决定的抓手A2相对于定向器320(旋转载置台322)的输送位置座标进行校正，以消除虚设晶圆Wd相对于旋转载置台322的位置偏移，并通过存储输送位置座标来确定输送位置座标。
同样，对于抓手A1，也对原来的粗略示教临时决定的相对于定向器320(旋转载置台322)的输送位置座标进行校正，通过存储输送位置座标来确定输送位置座标。通过这样对输送位置座标进行校正，抓手A2、A1相对于定向器320的输送位置对准完成。之后，利用抓手A1、A2自动地输送晶圆W到定向器32中时，晶圆W以其中心与载置台322的中心实质上一致地进行移送。
在下一个步骤S112，通过手动操作进行抓手B2相对于第1加载互锁真空室230M的位置对准、抓手B1相对于第2加载互锁真空室230N的位置对准、以及抓手B1相对于第1加载互锁真空室230M的位置对准。
具体来说，将虚设晶圆Wd适当地与抓手B2位置对准并将其保持，通过手动将其向第1加载互锁真空室230M输送，移送到交接台232M上。此时，调整抓手B2的进入位置，以使虚设晶圆Wd的中心与交接台232M的中心一致。控制部400通过将原来的以粗略示教所临时决定的抓手B2相对于第1加载互锁真空室230M(交接台232M)输送位置座标变更为此时的抓手B2的进入位置座标，将其存储来确定该输送位置座标。
同样，虚设晶圆Wd与抓手B1适当地进行位置对准并加以保持，通过手动操作将其输送到第2加载互锁真空室230N而移送到交接台232N上。此时，调整抓手B1的进入位置，以使虚设晶圆Wd的中心与交接台232N的中心一致。控制部400将原来的以粗略示教所临时决定的抓手B1相对于第2加载互锁真空室230N(交接台232N)的输送位置座标变更为此时的抓手B1的进入位置座标，通过将其存储来确定其输送位置座标。
虚设晶圆Wd与抓手B1适当地进行位置对准并将其保持，通过手动操作将其输送到第1加载互锁真空室230N而移送到交接台232M上。此时，调整抓手B1的进入位置以使虚设晶圆Wd的中心与交接台232M的中心一致。控制部400将原来的以粗略示教所临时决定的抓手B1相对于第1加载互锁真空室230M(交接台232M)的输送位置座标变更为此时的抓手B1的进入位置座标，通过将其存储来确定其输送位置座标。
在下一步骤S113，利用抓手A2将第1加载互锁真空室230M的交接台232M上的虚设晶圆Wd向定向器320输送，移送到旋转载置台322上。然后，使旋转载置台322旋转，通过光学传感器324对虚设晶圆Wd的位置偏移量V和位置偏移方向α进行检测。将表示此时所检测到的位置偏移量V和位置偏移方向α的输送位置信息数据发送到控制部400。控制部400基于该输送位置信息数据，对原来的以粗略示教所临时决定的抓手A2相对于第1加载互锁真空室230M(交接台232M)的输送位置座标进行校正，以消除虚设晶圆Wd相对于旋转载置台322的位置偏移，通过将其存储来确定输送位置座标。
接着，利用抓手A2将载置在定向器320的旋转载置台322上的虚设晶圆Wd载置到第1加载互锁真空室230M的交接台232M上。此时已对抓手A2相对于第1加载互锁真空室230M的输送位置座标进行校正，因此虚设晶圆Wd的中心与交接台232M的中心实质上是一致的。
接着，利用抓手A1将第1加载互锁真空室230M的交接台232M上的虚设晶圆Wd向定向器320输送，移送到载置台322上。然后，使旋转载置台322旋转，通过光学传感器324对虚设晶圆Wd的位置偏移量V和位置偏移方向α进行检测。将表示此时检测到的位置偏移量V和位置偏移方向α的输送位置信息数据发送到控制部400。控制部400基于该输送位置信息数据，对原来以粗略示教所临时决定的抓手A1相对于第1加载互锁真空室230M(交接台232M)的输送位置座标进行校正，以消除虚设晶圆Wd相对于旋转载置台322的位置偏移，将其存储来确定输送位置座标。
这样在步骤S113，抓手A2相对于第1加载互锁真空室230M(交接台232M)的输送位置对准、抓手A1相对于第1加载互锁真空室230M(交接台232M)的输送位置对准完成。由此之后，利用抓手A1、A2将晶圆W自动地输送到第1加载互锁真空室230M中时，晶圆W以其中心与交接台232M的中心实质上一致的状态进行移送。
还有，在步骤S114，利用抓手A2或抓手A1(在此是抓手A2)将定向器320的旋转载置台322上的虚设晶圆Wd移送到第1加载互锁真空室230M的交接台232M上。然后，利用抓手B1将第1加载互锁真空室230M的交接台232M上的虚设晶圆Wd移送到第2加载互锁真空室230N的交接台232N上。
接着，利用抓手A2将第2加载互锁真空室230N的交接台232N上的虚设晶圆Wd输送到定向器320中，移送到旋转载置台322上。然后，使旋转载置台322旋转，通过光学传感器324对虚设晶圆Wd的位置偏移量V和位置偏移方向α进行检测。将表示此时检测到的位置偏移量V和位置偏移方向α的输送位置信息数据发送到控制部400。控制部400基于该输送位置信息数据，对原来的以粗略示教所临时决定的、设定信息存储部件490内的输送设定信息存储区域492所存储的抓手A2相对于第2加载互锁真空室230N(交接台232N)的输送位置座标进行校正，以消除虚设晶圆Wd相对于旋转载置台322的位置偏移，将其存储来确定输送位置座标。
接着，利用抓手A2将定向室320的交接台322上的虚设晶圆Wd输送到第2加载互锁真空室230N的交接台232N上。接着，利用抓手A1将第2加载互锁真空室230N的交接台232N上的虚设晶圆Wd输送到定向室320中，移交到旋转载置台322上。然后，使旋转载置台322旋转，通过光学传感器324对虚设晶圆Wd的位置偏移量V和位置偏移方向α进行检测。将表示此时检测到的位置偏移量V和位置偏移方向α的输送位置信息数据发送到控制部400。控制部400基于该输送位置信息数据，对原来的以粗略示教临时决定的、设定信息存储部件490内的输送设定信息存储区域492所存储的抓手A2相对于第2加载互锁真空室230N(交接台232N)的输送位置座标进行校正，以消除虚设晶圆Wd相对于旋转载置台322的位置偏移，将其存储来确定输送位置座标。
这样在步骤S114，抓手A2相对于第2加载互锁真空室230N(交接台232N)的输送位置对准、抓手A1相对于第2加载互锁真空室230N(交接台232N)的输送位置对准完成。由此，之后利用抓手A1、A2将晶圆W自动地输送到第2加载互锁真空室230N中，晶圆W以其中心与交接台232N的中心实质上一致的状态进行移送。
随后，在步骤S115，利用抓手A2或抓手A1(在此是抓手A2)将定向器320的旋转载置台322上的虚设晶圆Wd移送到第1加载互锁真空室230M的交接台232M上。然后，利用抓手B2将第1加载互锁真空室230M的交接台232M上的虚设晶圆Wd移送到第2加载互锁真空室230N的交接台232N上。
还有，利用抓手A2将第2加载互锁真空室230N的交接台232N上的虚设晶圆Wd向定向器320中输送，移送到旋转载置台322上。然后，使旋转载置台322旋转，通过光学传感器324对虚设晶圆Wd的位置偏移量V和位置偏移方向α进行检测。将表示此时被检测的位置偏移量V和位置偏移方向α的输送位置信息数据发送到控制部400。控制部400基于该输送位置信息数据，对原来的以粗略示教所临时决定的抓手B2相对于第2加载互锁真空室230N(交接台232N)的位置座标进行校正，以消除虚设晶圆Wd相对于旋转载置台322的位置偏移，将其存储来确定输送位置座标。
这样在步骤S115，通过进行抓手B2相对于第2加载互锁真空室230N(交接台232N)的输送位置对准，之后，利用抓手B2将晶圆W自动地输送到第2加载互锁真空室230N中时，晶圆W以其中心与交接台232N的中心实质上一致的状态进行移送。
通过进行以上的共用输送室210和定向器320之间的输送位置对准处理的第1阶段输送位置对准处理(步骤S111～S115)，抓手A1、A2、B1、B2相对于定向器320和第1、第2加载互锁真空室230M、230N的输送位置座标全部被确定。其结果，将晶圆W从定向器320输送到抓手B1、B2上时，不管经由怎样的输送路径，即不管抓手A1、A2和第1、第2加载互锁真空室230M、230N的组合，该晶圆W被保持在抓手B1，B2实质上相同的位置。
不过，在步骤S115对抓手B2相对于第2加载互锁真空室230N(交接台232N)的输送位置座标进行校正之际，使用了第2加载互锁真空室230N的输送位置座标系(以下，称为“第2加载互锁真空室输送位置座标系”)。可是，第2加载互锁真空室输送位置座标系有时与第2加载互锁真空室230N的实际的定向器320中的座标系不一致。这是例如在组装第2加载互锁真空室230N时存在误差所产生的现象，与上述处理室220的输送位置座标系与该处理室220的实际的定向器320的座标系不一致时的原因相同。这样的情况下，不能实现正确的输送位置对准，不管是否进行了上述第1阶段输送位置对准处理(步骤S111～S115)，有可能产生十分之一毫米级的输送位置偏移。
因此，为了进行更高精度的输送位置对准处理，在本实施方式的共用输送室210和定向器320之间的输送位置对准处理中，如图10所示，在第1阶段输送位置对准处理(步骤S111～S115)之后，通过实际输送虚设晶圆Wd来求出第2加载互锁真空室230N的位置偏移校正用座标系，基于该位置偏移校正用座标系，执行对抓手B1和抓手B2分别相对于第2加载互锁真空室230N(交接台232N)的输送位置座标进行校正的第2阶段输送位置对准处理(执行步骤S120)。
(第2阶段输送位置对准处理的具体例子)
以下，参照附图对共用输送室210和定向器320之间的输送位置对准处理的第2阶段输送位置对准处理进行说明。该第2阶段输送位置对准处理的目的在于，将晶圆W从定向器320向作为输送目的地组件的抓手B1、B2输送之际，即使经由作为基准中转组件的第1加载互锁真空室230M和作为其他中转组件的第2加载互锁真空室230N中的任一个，晶圆W的中心也与抓手B1、B2的相同位置对准。图12表示该第2阶段输送位置对准处理中，由输送系统输送虚设晶圆Wd的输送路径。图13是表示该第2阶段表示输送位置对准处理的内容的流程图。另外，在图13中。第1加载互锁真空室230M简写为“LLM1”，第2加载互锁真空室230N简写为“LLM2”。
首先，在步骤S121，利用抓手A2或抓手A1(在此，为抓手A2)将定向器320的旋转载置台322上的虚设晶圆Wd移送到第1加载互锁真空室230M的交接台232M上(输送路径X11)。
其次，在步骤S122，利用抓手B2接受(输送路径X12)第1加载互锁真空室230M的交接台232M上的虚设晶圆Wd。
接着，在步骤S123，从抓手B2将虚设晶圆Wd移送到第2加载互锁真空室230N的交接台232N上(输送路径X13)。此时，抓手B2进入上述第1阶段输送位置对准处理(步骤S1n～S115)被校正后的输送位置座标，将虚设晶圆Wd交接到第2加载互锁真空室230N的交接台232N上。
接着，在步骤S124，利用抓手A2将第2加载互锁真空室230N的交接台232N上的虚设晶圆Wd输送到定向器320，移送到旋转载置台322上(输送路径X14)。
然后，在步骤S125，使旋转载置台322旋转，通过光学传感器324检测虚设晶圆Wd的位置P2。将表示此时检测到的虚设晶圆Wd的位置输送位置信息数据发送到控制部400。控制部400将该输送位置信息数据存储到设定信息存储部件490内的输送设定信息存储区域492。
在下一步骤S126，重复上述步骤S121～S125规定次数。但是，步骤S126中的步骤S123中，从抓手B2将虚设晶圆Wd移送到第2加载互锁真空室230N的交接台232N上时，每次变更抓手B2进入第2加载互锁真空室230N(交接台232N)的位置。
具体来说，例如在第1次重复中，抓手B2的进入位置从最初的步骤S123的进入位置向θ轴的正方向偏置0.15mm，在第2次重复中，向同一方向偏置0.30mm。同样，也向θ轴的负方向变更抓手B2的进入位置，还从最初的步骤S123的进入位置向R轴的正方向和负方向也变更抓手B2的进入位置。因此，在本实施方式中重复次数为8次。
然后，每次在步骤S126中的步骤S125，对旋转载置台322上的虚设晶圆Wd的位置进行检测。表示各位置的输送位置信息数据发送到控制部400。控制部400将这些输送位置信息数据存储在设定信息存储部件490内的输送设定信息存储区域492。
在本实施方式中，在步骤S126使步骤S121～S125重复8次，因此与最初进行的步骤S125所检测到的输送位置信息数据一起，9个输送位置信息数据存储在输送设定信息存储区域492。在下一个步骤S127，控制部400从设定信息存储部件490读取这些输送位置信息数据，分别求出θ轴向和R轴向的各输送位置信息数据的趋势。具体例如图14所示，将各输送位置信息数据标绘在定向器座标系(XY座标系)上，对θ轴向和R轴向分别的标绘点用最小二乘法等算出近似直线。将这样算出的近似直线分别作为θa轴和Ra轴。并且，将由该θa轴和Ra轴构成的座标系作为位置偏移校正用座标系。
在下一步骤S128，控制部400基于步骤S127所作成的位置偏移校正用座标系，将在第1阶段输送位置对准处理(步骤S110)中确定的抓手B2相对于第2加载互锁真空室230N(交接台232N)的输送位置座标如下所述重新确定。
图15表示的是步骤S125中所检测到的定向器320中的虚设晶圆Wd的位置P2和定向器320的旋转载置台322的旋转中心位置P0之间的位置关系。表示虚设晶圆Wd的位置偏移量和位置偏移方向的矢量V2可分解为位置偏移校正用座标系中的Ra轴向的矢量V2Ra(大小为|V2Ra|)和θa轴向的矢量V2θa(大小|V2θa|)。因此，只要将抓手B2相对于第2加载互锁真空室230N的输送位置座标向Ra轴的负方向校正R轴校正量|V2Ra|，向θa轴的负方向校正θ轴校正量|V2θa |，P2与P0就一致。此时，例如可基于直线θa轴和P0的距离算出Ra轴校正量|V2R|，基于直线Ra轴和P0的距离算出θa轴校正量|V2θ|。
通过这样进行第2阶段输送位置对准处理(步骤S120)，对抓手B2相对于第2加载互锁真空室230N的输送位置座标以极高的精度，例如百分之一毫米级的精度进行校正。其结果，将晶圆W从定向器320输送到抓手B2时，不管经由作为基准中转组件的第1加载互锁真空室230M和作为其他中转组件的第2加载互锁真空室230N的任一个，抓手B2也能将晶圆W保持在同一的位置上。
至此说明了对抓手B2相对于第2加载互锁真空室230N(交接台232N)的输送位置座标进行校正的第2阶段输送位置对准处理。另一方面，在第1阶段输送位置对准处理(在步骤S110)的步骤S112中，通过手动操作，进行抓手B1相对于第1加载互锁真空室230M和第2加载互锁真空室230N的位置对准，因此以较高的精度已确定输送位置座标。
可是，抓手B1相对于第1加载互锁真空室230M的输送位置座标、抓手B1相对于第2加载互锁真空室230N的输送位置座标分别通过手动操作来确定，因此如上所述那样第2加载互锁真空室230的组装存在误差时，从定向器320将晶圆W输送到抓手B1上的场合，在经由第1加载互锁真空室230M时和经由第2加载互锁真空室230N时，抓手B1上的晶圆W的位置有可能不一致。因此在要求更高精度的工艺处理时，优选抓手B1也与抓手B2同样地进行上述的第2阶段输送位置对准处理。
图16表示的是对抓手B1实施图10的第2阶段输送位置对准处理时所作成的位置偏移校正用座标系。在该处理中，在步骤S126中，每次重复步骤S121～S125，使抓手B1进入已向θ轴的正方向和负方向、向R轴的正方向和负方向例如偏置了0.1mm、0.30mm、0.60mm、1.20mm的位置。因此，该重复次数为16次。这样，通过增加重复次数，能提高所作成的位置偏移校正用座标系的可靠性。
作成如图16所示的位置偏移校正用座标系之后，根据它，重新确定在第1阶段输送位置对准处理(步骤S110)已确定的抓手B1相对于第2加载互锁真空室230N(交接台232N)的输送位置座标。其结果，将晶圆W从定向器320输送到抓手B1上时，不管经由作为基准中转组件的第1加载互锁真空室230M和作为其他中转组件的第2加载互锁真空室230N的任一个，抓手B1也能将晶圆W保持在同一位置上。
另外，这样的抓手B的第2阶段输送位置对准处理既可以在上述的抓手B2的第2阶段输送位置对准处理后实施，也可以在抓手B2的第2阶段在输送位置对准处理之前实施。
(处理室和定向器之间的输送位置对准处理)
通过进行以上的共用输送室210和定向器320之间的输送位置对准处理(步骤S100)，从定向器320到处理单元侧输送机构212的输送位置对准完成。之后，进行处理室220和定向器320之间的输送位置对准处理(步骤S200(参照图9)。图17表示的是处理室220和定向器320之间的输送位置对准处理的工序。如图17所示，处理室220和定向器320之间的输送位置对准处理包括第1阶段输送位置对准处理(步骤210)和第2阶段含输送位置对准处理(步骤220)。
(第1阶段输送位置对准处理)
第1阶段输送位置对准处理(步骤210)例如基于图18所示的流程图被执行。另外，在图18中，第1～第4处理室220A～220D简写为“PM1～PM4”
首先，在步骤211，进行抓手(第1抓手部)B1相对于第1～第4处理室220A～220D的位置对准。具体来说，将虚设晶圆Wd适当地与抓手B1进行位置对准并将其保持，通过手动将虚设晶圆Wd向第1处理室220A输送，移送到载置台222A上。此时，调整抓手B1的进入位置，使得虚设晶圆Wd的中心与载置台222A的中心一致。对第2～4处理室220B～220D也同样地手动输送虚设晶圆Wd。控制部400将原来的以粗略示教所临时决定抓手B1相对于第1～第4处理室220A～220D(载置台222A～222D)的输送位置座标变更为此时的抓手B1的各进入位置座标，将其存储来确定输送位置座标。
其次，在步骤S212，将虚设晶圆Wd载置到定向器320的旋转载置台322上，利用该抓手A2或抓手A1(在此是抓手A2)将其移送到第1加载互锁真空室230M的交接台232M上。然后，利用抓手B1将该第1加载互锁真空室230M的交接台232M上的虚设晶圆Wd移送到第1处理室220A的载置台222A上。
接着，利用抓手(第2抓手部)B2将第1处理室220A的载置台222A上的虚设晶圆Wd移送到第1加载互锁真空室230M的交接台232M上。还有，利用抓手A2将第1加载互锁真空室230M的交接台232M上的虚设晶圆Wd向定向器320输送，移送到旋转载置台322上。然后，使旋转载置台322旋转，通过光学传感器324检测虚设晶圆Wd的位置偏移量V和位置偏移方向α。将表示此时检测到的位置偏移量V和位置偏移方向α的输送位置信息数据发送到控制部400。控制部400通过基于该输送位置信息数据，对原来的粗略示教所临时决定的抓手B2相对于第1处理室220A(载置台222A)的输送位置座标进行校正，以消除虚设晶圆Wd相对于旋转载置台322的位置偏移，对其存储来确定输送位置座标。
同样，将虚设晶圆Wd从定向器320向第2～4处理室220B～220D输送之后，返回到定向器320来进行检测虚设晶圆Wd的位置偏移的处理。控制部400通过基于该检测结果，对原来的以粗略示教所临时决定的抓手B2相对于第2～4处理室220B～220D(载置台222B～222D)的输送位置座标进行校正，将其存储来确定输送位置座标。
通过进行以上的处理室220和定向器320之间的输送位置对准处理的第1阶段输送位置对准处理(步骤S211、S212)，抓手B1、B2相对于第1～第4处理室220A～220D的输送位置座标全部被确定。进行共用输送室210和定向器320之间的输送位置对准处理(步骤S100)开始，将晶圆W从定向器320向第1～第4处理室220A～220D输送时，不管经过怎样的输送路径，即不管抓手A1、A2、第1、第2加载互锁真空室230M、230N以及抓手B1、B2的组合，该晶圆W应该被载置第1～第4处理室220A～220D的实质上相同的位置。
可是，尽管进行了上述第1阶段输送位置对准处理(步骤S211，S212)，有时产生十分之一毫米级的输送位置偏移。如已说明的那样，有时各处理室220的输送位置座标系与对各处理室220的实际的定向器320的座标系每次关系不一致，这就成为输送位置偏移的原因。
因此，本实施方式的处理室220和定向器320之间的输送位置对准处理也如图17所示，在第1阶段输送位置对准处理(步骤S210)后，根据实际输送虚设晶圆Wd的情况而作成实际的处理室座标系，基于该作成的座标系，执行对抓手B2相对于处理室220(载置台222)的输送位置座标进行校正的第2阶段输送位置对准处理(步骤S220)。
(第2阶段输送位置对准处理的具体例子)
以下，参照附图对处理室220和定向器320之间的输送位置对准处理的第2阶段输送位置对准处理进行说明。该第2阶段输送位置对准处理的目的在于，在将晶圆W从定向器320向作为输送目的地组件的处理室220输送之际，即使经由抓手B1和抓手B2中任一个，晶圆W的中心与在处理室220的载置台222的相同位置对准。图19表示的是该第2阶段输送位置对准处理中，由输送系统所输送的虚设晶圆Wd的输送路径。图20是表示第2阶段输送位置对准处理的内容的流程图。另外，在图20中，第1加载互锁真空室230M简写为“LLM1”，第2加载互锁真空室230简写为“LLM2”，第2处理室220B简写为“PM2”。
另外，第2阶段输送位置对准处理(步骤S220)可对第1～第4处理室220A～220D全部进行，在此代表性地对第2处理室220B的第2阶段输送位置对准处理进行说明。
首先，在步骤S221，利用抓手A2或抓手A1(在此为抓手A2)将定向器320的旋转载置台322上的虚设晶圆Wd移送到第1加载互锁真空室230M的交接台232M上(输送路径X21)。
接着，在步骤S222，用抓手B1接受第1加载互锁真空室230M的交接台232M上的虚设晶圆Wd，移送到第2处理室220B的载置台222B上(输送路径X22)。此时，抓手B1进入在上述的第1阶段输送位置对准处理(步骤S211，S212)中已被校正的输送位置座标，将虚设晶圆Wd交接到第2处理室220B的载置台222B上。
接着，在步骤S223，利用抓手B2将第2处理室220B的载置台222B上的虚设晶圆Wd移送到第1加载互锁真空室230M的交接台232M上(输送路径X23)。
接着，在步骤S224，利用抓手A2将第1加载互锁真空室230M的交接台232M上的虚设晶圆Wd向定向器320输送，移送到旋转载置台322上(输送路径X24)。
然后，在步骤S225，使旋转载置台322旋转，通过光学传感器324检测虚设晶圆Wd的位置P3。将表示此时检测到的虚设晶圆Wd的位置输送位置信息数据发送到控制部400。控制部400将该输送位置信息数据存储在设定信息存储部件490内的输送设定信息存储区域492。
进一步在步骤S226，重复上述步骤S221～S225规定次数。但是，在步骤S223中，抓手B2接受第2处理室220B的载置台222B上的虚设晶圆Wd时，每次都变更抓手B2向第2处理室220B(载置台222B)的进入位置。
具体，例如在重复第1次中，使抓手B2的进入位置从最初的步骤S223中的进入位置向θ轴的正方向偏置0.15mm。之后，每重复步骤S221～S225，抓手B2进入到向同一方向例如偏置了0.30mm，0.60mm，1.20mm的位置。同样也向θ轴的负方向变更抓手B2的进入位置，还从对最初的步骤S223的进入位置向R轴的正方向和负方向也变更抓手B2的进入位置。因此，在本实施方式中重复次数为16次。
然后，步骤S226中的每次步骤S225，对旋转载置台322上的虚设晶圆Wd的位置进行检测。表示各位置的输送位置信息数据发送到控制部400。控制部400将这些输送位置信息数据存储在设定信息存储部件490内的输送设定信息存储区域492。
在本实施方式中，在步骤S226，重复16次步骤S221～S225，因此与在最初进行的步骤S225所检测的输送位置信息数据一起，17个输送位置信息数据被存储到输送设定信息存储区域492。在下一个步骤S227，控制部400从设定信息存储部件490读取这些输送位置信息数据，分别求出各输送位置信息数据的θ轴向和R轴向的趋势。具体如21图所示，将各输送位置信息数据标绘在定向器座标系(XY座标系)上，对θ轴向和R轴向各自的标绘点用最小二乘法等算出近似直线。将这样算出的近似直线分别作为θa轴和Ra轴。将该θa轴和Ra轴构成的座标系作为位置偏移校正用座标系。
在下一步骤S228，控制部400基于在步骤S227作成的位置偏移校正用座标系，重新确定第1阶段输送位置对准处理(步骤S210)确定的抓手B2相对于第2处理室220B(载置台222B)的输送位置座标。
图22表示的是在步骤S225被检测到的定向器320的虚设晶圆Wd的位置P3和定向器320的旋转载置台322的旋转中心位置P0之间的位置关系。表示虚设晶圆Wd的位置偏移量和位置偏移方向的矢量V3在位置偏移校正用座标系中可分解为Ra轴向的矢量V3Ra(大小|V3Ra|)和θa轴向矢量V3θa(大小|V3θa |)。因此，只要对抓手B2相对于第2处理室220B的输送位置座标向Ra轴的负方向校正R轴校正量|V3Ra|，向θa轴的负方向只校正θ轴校正量|V3θa |，P3与P0就变一致。此时，例如基于直线θa轴和P0的距离能算出Ra轴校正量|V3R|，例如基于直线Ra轴和P0的距离算出θa轴校正量|V3θ|。
通过这样进行第2阶段输送位置对准处理(步骤S220)，抓手B2相对于第2处理室220B的输送位置座标以极高的精度被校正。其结果，将晶圆W从定向器320输送到第2处理室220B中时，不管使用抓手B1(基准输送路径)和抓手B2(其他输送路径)哪一个，也可以将晶圆W放置在第2处理室220B的载置台222B的同一位置上。
另外，在此说明了对抓手B2相对于第2处理室220B(载置台222B)的输送位置座标进行校正的第2阶段输送位置对准处理，但也同样适用于高精度地对抓手B2相对于第1、第3、第4处理室220A、220C、220D(载置台222A、222C、222D)的输送位置座标进行校正的场合。
如上所述，根据本实施方式的输送位置对准处理，第2阶段输送位置对准处理(步骤S120、S220)中，基于实际上将虚设晶圆Wd输送所得到的输送位置信息根据，作成位置偏移校正用座标系，因此该位置偏移校正用座标系正确地反映了基板处理装置100的组装状态。然后，在第2阶段输送位置对准处理中，基于被作成的位置偏移校正用座标系，输送位置被校正。由此，即使处理室220的安装位置和安装角度与设计上的错开，也可以极高精度进行校正，使得抓手B2的经由输送路径(其他输送路径)的处理室220的输送位置与抓手B1的经由输送路径(基准输送路径)的输送位置一致。例如能得到百分之一毫米级高的位置对准精度。其结果，不管通过什么输送路径，都能非常正确地将晶圆W输送到相同的位置上。
另外，以对各处理室220和第2加载互锁真空室230N的输送位置进行校正时为例说明了本发明的实施方式。同样，本发明也适用于对共用输送室210和各盒式容器302等输送位置进行高精度校正的场合。
在本实施方式中，作成位置偏移校正用座标系时，重复执行17次虚设晶圆Wd的输送，检测出定向室320中的虚设晶圆Wd的位置偏移量V和位置偏移方向α，但重复次数不限于此。只要沿θ方向和R方向分别至少执行2次，就能算出θ轴和R轴，越增加重复次数，越提高作成的位置偏移校正用座标系的可靠性。若假定算出的位置偏移校正用座标系是正交座标系，就可以只通过θ轴或R轴的一方的测量来决定，也可以计算其他的轴来决定。
以上，参照附图对本发明的最佳实施方式进行了说明，自不必说，本发明不限于该例子。本领域技术人员在权利要求的记载的范畴内，想到各种变更例或修正例是显而易见的，理解为这些也当然属于本发明的技术的范围。
例如在上述实施方式中，以将多个处理室220A～22OD连接在共用输送室210的周围的集簇型的基板处理装置为例进行列举而加以说明，但本发明例如也适用于将多个处理单元并列地与输送单元连接的所谓并行型的基板处理装置等。
工业实用性
本发明可适用于基板处置装置等所设有的输送系统的输送位置对准方法。

Claims (10)

1.一种输送系统的输送位置对准方法，该输送系统具有对被输送物的位置偏移进行检测的位置对准机构和可搬入上述被输送物的组件，通过多个输送路径能将上述被输送物输送到上述位置对准机构和上述组件的规定输送位置上，其中以上述多个输送路径之一作为基准输送路径时，该输送位置对准方法用于使经由其他输送路径的输送位置与上述组件中的经由上述基准输送路径的输送位置对准，其特征在于，包括以下工序：
使从上述位置对准机构通过上述基准输送路径输送到上述组件的位置对准用被输送物通过上述其他输送路径从上述组件返回到上述位置对准机构，对输送前后的上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测的工序、
将从上述组件的输送位置沿可以进行位置偏移校正的方向错开规定错开量的位置对准用被输送物通过上述其他输送路径从上述组件输送到上述位置对准机构而对上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测，还改变上述错开量并重复多次上述位置偏移检测，基于由此得到的多个位置偏移的检测结果，求出与上述组件的输送位置的可进行位置偏移校正的方向相对应的上述位置对准机构的输送位置的位置偏移方向，从而算出上述位置偏移校正用座标系的工序、
以及基于上述位置偏移校正用座标系，对经由上述其他输送路径的上述组件的输送位置进行校正，以消除上述检测到的位置偏移的工序。
2.根据权利要求1所述的输送系统的输送位置对准方法，其特征在于，
上述输送系统具有输送机构，该输送机构具有保持上述被输送物的多个抓手，
上述多个输送路径分别是上述输送机构的以不同的抓手输送时的输送路径。
3.根据权利要求1所述输送系统的输送位置对准方法，其特征在于，
上述组件是下列组件中的任一个：对所搬入的上述被输送物实施规定处理的处理组件、在将上述被输送物向上述处理组件输送时用于中转该被输送物的中转组件、具有可进入上述处理室和上述中转组件的输送机构的输送组件，或收纳上述被输送物的收纳组件。
4.一种输送系统的输送位置对准方法，该输送系统具有对被输送物的位置偏移进行检测的位置对准机构和将上述被输送物输送到规定输送位置时用于中转该被输送物的多个中转组件，其中，该输送位置对准方法用于以上述多个中转组件的其中之一作为基准中转组件，使经由通过其他中转组件的输送路径的输送位置与经由通过上述基准中转组件的输送路径的输送位置对准，其特征在于，包括以下工序：
使从上述输送位置对准机构经由通过了上述基准中转组件的输送路径输送到上述规定输送位置的位置对准用被输送物从上述规定输送位置经由通过了上述其他中转组件的输送路径返回到上述输送位置对准机构，对输送前后的上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测的工序、
求出经由通过了上述其他中转组件的输送路径在上述位置对准机构位置和上述规定输送位置之间输送上述被输送物之际的、与上述其他中转组件的输送位置的可进行位置偏移校正的方向相对应的上述位置对准机构的输送位置的位置偏移方向，由此得到位置偏移校正用座标系的工序、
以及基于上述位置偏移校正用座标系，对上述其他中转组件的输送位置进行校正，以消除上述检测到的位置偏移的工序。
5.一种输送系统的输送位置对准方法，该输送系统包括：对被输送物的位置偏移进行检测的位置对准机构、对所搬入的上述被输送物实施规定处理的1个以上的处理组件、将上述被输送物输送到上述处理组件时用于中转该被输送物的1个以上的中转组件、具有保持上述被输送物的1个以上的抓手部且可进入上述位置对准机构和上述中转组件的第1输送机构、以及具有保持上述被输送物的第1、第2抓手部且可进入上述中转组件和上述处理组件的第2输送机构，其中在上述位置对准机构和上述处理组件之间构成的上述被输送物的多个输送路径中，在以经由上述第1输送机构的抓手部、上述中转组件以及上述第2输送机构的第1抓手部的输送路径为基准输送路径，以经由上述第1输送机构的抓手部、上述中转组件以及上述第2输送机构的第2抓手部的输送路径为其他输送路径时，该输送位置对准方法用于使经由其他输送路径的输送位置与上述处理组件的经由上述基准输送路径的输送位置对准，其特征在于，包括以下工序：
使从上述位置对准机构通过上述基准输送路径输送到上述处理组件的位置对准用被输送物从上述处理组件通过上述其他输送路径返回到上述位置对准机构，对输送前后的上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测的工序、
使从上述位置对准机构通过上述基准输送路径输送到上述处理组件的上述位置对准用被输送物从上述处理组件的输送位置沿可以进行位置偏移的校正的方向错开规定错开量，交接到上述第2输送机构的第2抓手部上，通过上述其他输送路径返回到上述位置对准机构，对上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测，还改变上述错开量，并重复多次上述位置偏移检测，基于由此所得到的多个位置偏移的检测结果，求出与上述处理组件的输送位置的可以进行位置偏移的校正的方向相对应的上述位置对准机构的输送位置的位置偏移方向，由此算出上述位置偏移校正用座标系的工序、
基于上述位置偏移校正用座标系，对经由上述其他输送路径的上述处理组件的输送位置进行校正，以消除上述检测到的位置偏移的工序。
6.根据权利要求5所述的输送系统的输送位置对准方法，其特征在于，上述第2输送机构的第2抓手部相对于上述处理组件的可进行位置偏移校正的方向是上述第2输送机构的第2抓手部向上述处理组件的进入方向和与上述进入方向正交的方向。
7.根据权利要求5所述的输送系统的输送位置对准方法，其特征在于，上述输送系统具有多个处理组件时，分别对上述多个处理组件进行以下工序：对上述输送前后的上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测的工序、得到上述位置偏移校正用座标系的工序、以及对上述处理组件的输送位置进行校正的工序。
8.一种输送系统的输送位置对准方法，该输送系统包括：对被输送物的位置偏移进行检测的位置对准机构、对所搬入的上述被输送物实施规定处理的1个以上的处理组件、将上述被输送物输送到上述各处理组件时用于中转该被输送物的第1、第2中转组件、具有保持上述被输送物的1个以上的抓手部且可进入上述位置对准机构和上述各中转组件的第1输送机构、以及具有保持上述被输送物的1个以上的抓手部且可进入上述各中转组件和上述处理组件的第2输送机构，其中在上述位置对准机构和上述第2输送机构的抓手部之间构成的上述被输送物的多个输送路径中，以经由上述第1输送机构的抓手部、上述第1中转组件的输送路径为基准输送路径，以经由上述第1输送机构的抓手部、上述第2中转组件的输送路径为其他输送路径时，该输送位置对准方法用于使其他输送路径的输送位置与上述第2输送机构的抓手部的上述基准输送路径的输送位置对准，其特征在于，包括以下工序：
使从上述位置对准机构通过上述基准输送路径输送到上述第2输送机构的抓手部的位置对准用被输送物从上述第2输送机构的抓手部通过上述其他输送路径返回到上述位置对准机构，对输送前后的上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测的工序、
使从上述位置对准机构通过上述基准输送路径输送到上述第2输送机构的抓手部的上述位置对准用被输送物从上述第2输送机构的抓手部的输送位置沿可以进行位置偏移的校正的方向错开规定错开量而载置到上述第2中转组件上，从上述第2中转组件通过上述其他输送路径返回到上述位置对准机构，对上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测，还改变上述错开量，并重复多次上述位置偏移检测，基于由此得到的多个位置偏移的检测结果，求出与上述第2输送机构的抓手部的输送位置的可进行位置偏移校正的方向相对应的上述位置对准机构的输送位置的位置偏移方向，由此算出上述位置偏移校正用座标系的工序、
以及基于上述位置偏移校正用座标系，对经由上述其他输送路径的上述第2输送机构的抓手部的输送位置进行校正，以消除上述检测到的位置偏移的工序。
9.根据权利要求8所述的输送系统的输送位置对准方法，其特征在于，上述第2输送机构的抓手部相对于上述第2中转组件的可进行位置偏移校正的方向是上述第2输送机构的抓手部向上述第2中转组件的进入方向和与上述进入方向正交的方向。
10.根据权利要求8所述的输送系统的输送位置对准方法，其特征在于，上述第2输送机构具有多个抓手部时，分别对上述第2输送机构的上述多个抓手部进行以下工序：对上述输送前后的上述位置对准用被输送物的位置偏移进行检测的工序、得到上述位置偏移校正用座标系的工序、以及对上述第2输送机构的抓手部的输送位置进行校正的工序。
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