CN101345475A - 电荷泵驱动电路 - Google Patents

Abstract

一种电荷泵驱动电路(10A)包括第一MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)(30)和第二MOSFET(31)。第一MOSFET和第二MOSFET的沟道类型不同并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被设置以形成互补的逆变器电路。互补的逆变器电路基于输入至输入端(34)的输入电势(Vin)驱动电荷泵电路(20)。第一MOSFET的第一栅极(G1)和第二MOSFET的第二栅极(G2)连接到输入端，以使得在第一栅极的电势不同于在第二栅极的电势。

Description

电荷泵驱动电路

技术领域

本发明涉及电荷泵驱动电路、使用电荷泵驱动电路的半导体器件以及电压转换方法，尤其是涉及降低用于提高或降低直流(DC)电压的电荷泵电路中的高频噪声。

背景技术

已知Dickson型电荷泵电路是一种用于提高或降低DC电压的电荷泵电路。日本特开专利申请(JP-P2006-340436A)中公开了这样的电荷泵的一个示例。参考图1，将对使用Dickson型电荷泵电路的升压电路进行描述。

参考图1，用于升压电路的电荷泵电路包括串联连接在电源Vi和输出端Vo之间的五个二极管Da至De，以及五个电容器Ca至Ce。电容器Ca至Ce的端部(或者节点N1a至N1e)分别连接到二极管Da至De的阳极。电容器Ca至Cc的另一端部经由节点N2a共同连接到电荷泵驱动电路100A，电荷泵驱动电路100A向电容器Ca至Cc提供时钟φ。电容器Cb至Cd的另一端部经由节点N2b连接到电荷泵驱动电路100B，电荷泵驱动电路100B向电容器Cb至Cd提供时钟φB。时钟φB与时钟φ相位相反。电容器Ce的另一端连接到作为第二电源的地(GND)。时钟φ是周期性地重复高电平(H)和低电平(L)的信号。

当时钟φ处于低电平时，节点N1a和N1c处于低电平，而节点N1b和N1d处于高电平。因此，二极管Da至Dc处于导电状态，而二极管Db至Dd处于非导电状态。因而，电源Vi的源电压Vi被充入电容器Ca中，并且存储在电容器Cb中的电荷流至电容器Cc中。

当时钟φ处于高电平时，节点N1a和N1c处于高电平，而节点N1b和N1d处于低电平。因此，二极管Da至Dc处于非导电状态，而二极管Db至Dd处于导电状态。因此，比源电压Vi充入电容器Ca中的电压高的电压被充入电容器Cb中。

如上所述，由于二极管Da至Dd的开关和由于电容器Ca至Cd的充电及放电，在输出端Vo出现是输入电压Vi五倍大的电压。注意，这里未考虑二极管中的电压降。

上面描述的Dickson型电荷泵电路基于相位彼此相反且从电荷泵驱动电路100A和100B中输出的时钟φ和φB来升高或降低输入电压Vi。时钟φ和φB一般是矩形波。因此，在这些时钟的脉冲的上升沿和下降沿发生谐波含量，当谐波含量流至作为开关元件的二极管Da至De时，谐波含量被辐射为高频噪声，因此干扰了在电荷泵电路周围的无线器件(未示出)。

日本特开专利申请(JP-P2006-340436A)公开了一种用于降低由于时钟的脉冲而导致的这样的乱真辐射的技术。日本特开专利申请(JP-P2006-340436A)中描述的电荷泵驱动电路包括：电容器，其通过两个恒流源来充电和放电；控制装置，用于控制电容器的充电和放电时间段；以及输出装置，用于将电容器的充电和放电电压作为时钟φ输出至电荷泵电路。在电荷泵驱动电路中，控制电容器的充电和放电，以使得时钟φ的脉冲的上升和下降的时间段被延长。因此，有可能模糊时钟φ在上升或下降时的波形，从而抑制谐波含量的出现。

本发明人已经认识到如下情况。

日本特开专利申请(JP-P2006-340436A)中描述的电荷泵驱动电路需要恒流源、电容器和诸如运算放大器的输出装置来模糊时钟φ在上升和下降时的波形，并且需要开关元件来控制电容器的充电和放电。因此，根据日本特开专利申请(JP-P2006-340436A)中描述的电荷泵驱动电路，存在增加电路尺寸和芯片尺寸的问题。

发明内容

在一个实施例中，电荷泵驱动电路包括第一MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和第二MOSFET。第一MOSFET和第二MOSFET的沟道类型不同，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被设置以形成互补的逆变器电路。互补的逆变器电路基于输入至输入端的输入电势驱动电荷泵电路。第一MOSFET的第一栅极和第二MOSFET的第二栅极连接到输入端，以使得在第一栅极的电势与第二栅极的电势不同。

在另一个实施例中，半导体器件包括电荷泵电路和电荷泵驱动电路。电荷泵驱动电路包括第一MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和第二MOSFET。第一MOSFET和第二MOSFET的沟道类型不同，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被设置以形成互补的逆变器电路。互补的逆变器电路基于输入至输入端的输入电势驱动电荷泵电路。第一MOSFET的第一栅极和第二MOSFET的第二栅极连接到输入端，以使得在第一栅极的电势与在第二栅极的电势不同。

在又一实施例中，电压转换方法包括基于输入至输入端的输入电势驱动电荷泵电路。第一MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的第一栅极和第二MOSFET的第二栅极连接到输入端，以使得在第一栅极的电势与在第二栅极的电势不同。第一MOSFET和第二MOSFET的沟道类型不同，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被设置以形成互补的逆变器电路。

在电荷泵驱动电路、半导体器件和电压转换方法中，在抑制电路尺寸增大的同时，能够降低在电荷泵电路中产生的高频噪声。

附图说明

根据以下结合附图对某些优选实施方式的描述，本发明的上述及其他目的、优点及特征将变得更加明显，其中：

图1是使用现有的电荷泵驱动电路的升压电路的电路图；

图2是使用根据本发明的第一实施例的电荷泵驱动电路的升压电路的电路图；

图3是根据第一实施例的第一恒流源电路的电路图；

图4是根据第一实施例的第二恒流源电路的电路图；以及

图5是示出了根据第一实施例的电荷泵驱动电路的输入电压、电路的晶体管的栅极上的电压、以及从电路中输出的时钟之间的关系的时序图。

具体实施方式

现在将参考说明性实施例对本发明进行描述。本领域技术人员应当认识到，利用本发明的教导，可完成许多可替换的实施例，并且本发明不限于为说明目的而示出的实施方式。

图2是根据本发明的第一实施例的半导体器件的电路图。在本实施例中，作为半导体器件的电路的示例，对用于将电源电压VDD升高至输出电压的升压电路进行描述，该输出电压是电源电压VDD的四倍。

(构造)

参考图2至图4，将对根据本实施例的半导体器件(升压电路)进行解释。参考图2，根据本发明实施例的半导体器件包括电荷泵驱动电路10A和10B以及电荷泵电路20。电荷泵驱动电路10A和10B分别向电荷泵电路20输出时钟φ和φB。时钟φ和φB是时钟脉冲信号，并且时钟φ和φB的信号电平基于输入电势Vin周期性地从一个电平转变至另一个电平。电荷泵驱动电路10B包括与电荷泵驱动电路10A相同的电路以及连接到电荷泵驱动电路10B的输出端的逆变器电路。电荷泵驱动电路10B的输出端与下文所描述的输出节点N7相对应。为此，时钟φB与时钟φ相位相反。根据对电荷泵驱动电路10A的描述，电荷泵驱动电路10B的结构和操作是显而易见的。

电荷泵电路20包括四个二极管D1至D4以及电容器C1至C4。二极管D1至D4串联连接在输入端43和输出端21之间。三个电容器C1至C3各自的一端(或者节点N1至N3)连接到二极管D2至D4的阳极。电容器C4的一端连接到二极管D4的阴极，而电容器C4的另一端接地(或连接到第二电源GND)。输入端43连接到第一电源VDD，并且第一电源VDD向输入端43提供电源电势VDD(第一电源电势)。另外，负载电路(未示出)连接到输出端21。电容器C1和C3的另一端经由节点N5共同地连接到电荷泵驱动电路10A的输出节点N7。电荷泵驱动电路10A向节点N5输入时钟φ。另外，电容器C2的另一端经由节点N6连接到电荷泵驱动电路10B。电荷泵驱动电路10B向节点N6输入时钟φB。

电荷泵驱动电路10A包括P沟道型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)30和N沟道型MOSFET 31。可以将P沟道型MOSFET 30和N沟道型MOSFET 31分别称为第一MOSFET(或者第一晶体管)和第二MOSFET(或者第二晶体管)。P沟道型MOSFET 30和N沟道型MOSFET31的沟道类型不同，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被设置以形成互补的逆变器电路。互补的逆变器电路基于输入至输入端34的输入电势Vin来驱动电荷泵电路20。电荷泵驱动电路10A还包括电阻元件32、电阻元件33、第一电流源电路11、第二电流源电路12、P沟道型MOSFET 39和N沟道型MOSFET 40。可以将P沟道型MOSFET 39和N沟道型MOSFET 40分别称为P沟道型晶体管和N沟道型晶体管。可以将电阻元件32和电阻元件33分别称为第一电阻元件和第二电阻元件。可以将第一电流源电路11和第二电流源电路12称为第一恒流源和第二恒流源。例如，电阻元件32和电阻元件33是电阻器。P沟道型MOSFET 39经由终端41连接到第一电流源电路11。N沟道型MOSFET 40经由终端42连接到第二电流源电路12。

P沟道型MOSFET 30的漏极经由输出时钟φ的输出节点N7连接到N沟道型MOSFET 31的漏极。P沟道型MOSFET 30的源极和衬底连接到第一电源VDD。N沟道型MOSFET 31的源极和衬底连接到第二电源GND。作为P沟道型MOSFET 30的栅极的第一栅极G1连接到P沟道型MOSFET 39的漏极。作为N沟道型MOSFET 31的栅极的第二栅极G2连接到N沟道型MOSFET 40的漏极。第一栅极G1和第二栅极G2经由电阻元件32和电阻元件33相连接。

电阻元件33设置在第一栅极G1和输入端34之间。电阻元件32的一端连接到被提供输入电势Vin的输入端34，并且另一端连接到第一栅极G1和P沟道型MOSFET 39的漏极。电阻元件33设置在第二栅极G2和输入端34之间。电阻元件33的一端连接到输入端34，并且另一端连接到第二栅极G2和N沟道型MOSFET 40的漏极。输入端34经由电阻元件32连接到第一栅极G1，并且经由电阻元件33连接到第二栅极G2。第一栅极G1和第二栅极G2连接到输入端34，以使得在第一栅极G1的电势不同于在第二栅极G2的电势。

P沟道型MOSFET 39的源极和衬底连接到第一电源VDD，并且P沟道型MOSFET 39的栅极经由终端41连接到第一电流源电路11。P沟道型MOSFET 39作用为电流镜电路，用于将第一电流源11生成的电流传输至第一栅极G1。

图3是第一电流源电路11的电路图。第一电流源电路11包括P沟道型MOSFET 35和电阻器36。P沟道型MOSFET 35的源极和衬底连接到第一电源VDD(或者输入端43)，并且P沟道型MOSFET 35的栅极和漏极连接到终端41。电阻器36的一端连接到P沟道型MOSFET 35的栅极和漏极(以及连接到终端41)，并且另一端连接到第二电源GND。因此，第一电流源电路11作用为恒流源电路，用于产生与第一电源VDD提供的电源电压VDD成比例的电流。基于与在电源电势VDD和接地电势GND(第二电源电势)之间的差值VDD-GND相对应的电源电压VDD(第一电源电压)，第一电流源电路11向第一栅极G1提供电流。

N沟道型MOSFET 40的源极和衬底连接到第二电源GND，并且N沟道型MOSFET 40的栅极经由终端42连接到第二电流源电路12。N沟道型MOSFET 40作用为电流镜电路，用于将由第二电流源12生成的电流传输至第二栅极G2。

图4是第二电流源电路12的电路图。第二电流源电路12包括N沟道型MOSFET 37和电阻器38。N沟道型MOSFET 37的源极和衬底连接到第二电流源GND，并且N沟道型MOSFET 37的栅极和漏极连接到终端42。电阻器38的一端连接到N沟道型MOSFET 37的栅极和漏极(以及连接到终端42)，并且另一端连接到第一电源VDD(以及连接到输入端43)。因此，第二电源电路12作用为恒流源电路，用于产生与从第一电源VDD提供的电源电压VDD成比例的电流。基于与在电源电势VDD和接地电势GND之间的差值GND-VDD相对应的电源电压VDD(第二电源电压)，第二电流源电路12向第二栅极G2提供电流。第一和第二电源电压是符号相反，而大小相同。

其他的恒流源可以被用作连接到图3和图4所示的终端41和终端42的电流源电路。

(操作)

参见图2和图5，将对根据本实施例的半导体器件(升压电路)的操作进行描述。图5是示出了输入至输入端34的输入电势Vin的信号电平的变化、在第一栅极G1的电势VG1的信号电平的变化、在第二栅极G2的电势VG2的信号电平的变化、以及从输出节点N7输出的时钟φ的信号电平的变化的时序图。

参见图5，将输入电势Vin作为在电源电势VDD和接地电势GND之间交替的时钟脉冲波输入至输入端34。接地电势GND是0[v]。

从时间0至时间T1，输入电势Vin等于0[v]，因而由于流经P沟道型MOSFET 39的电流，电势VG1比接地电势GND高出在电阻元件32的端部之间的电势差Va。电势VG2在时间0至时间T1等于接地电势GND。优选的是，当输入电势Vin等于0[v]时，电势差Va具有等于差值VDD-Vthp的值，该差值VDD-Vthp是通过从电源电压VDD减去P沟道型MOSFET30的阈值电压Vthp获得的。在这种情况下，电势VG1比电源电势VDD低阈值电压Vthp(VG1＝VDD-Vthp)。优选的是，当输入电势Vin等于0[v](接地电势GND)时，将电势差Va设置为具有基于第一电源电压VDD-GND和阈值电压Vthp的值。

当输入电势Vin在时间T1上升至电源电势VDD时，在P沟道型MOSFET 39的漏极和源极之间的电压逐渐降低，并且电势VG1升至电源电势VDD。在输入电势Vin升高之后，在P沟道型MOSFET 39的漏极和源极之间流经的电流经由电阻元件32立即对作为输出缓冲器的P沟道型MOSFET 30的栅极电容充电。为此，较之输入电势Vin的上升而言，电势VG1是逐渐地升至电源电势VDD。

当输入电势Vin在时间T2降至接地电势GND(0[v])时，根据输入电势Vin的下降和在漏极和源极之间流经的电流，P沟道型MOSFET 39的漏极和源极之间的电压升高。另外，从时间T1至T2充电在P沟道型MOSFET 30的栅极电容中的电荷经由电阻元件32和输入端34而排出。作为从第一栅极G1排出的电荷流的电流小于输入电势Vin上升期间的电流。因此，较之电势VG1从VDD-Vthp上升至VDD，电势VG1是逐渐从VDD降至VDD-Vthp。

电势VG2根据输入电势Vin的信号电平的变化而逐渐变化。更详细地说，当输入电势Vin在时间T1升至电源电势VDD时，在N沟道型MOSFET 40的漏极和源极之间的电压升高，并且电流在漏极和源极之间流通。在N沟道型MOSFET 40的漏极和源极之间的电流经由电阻元件33对作为输出缓冲器的N沟道型MOSFET 31的栅极电容充电。因为栅极电容通过由于如上所述的电阻元件33而减少的电流充电，所以，较之输入电压Vin的上升，电势VG2是逐渐地上升。另外，电势VG2上升至电势VDD-Vb，该电势VDD-Vb比电源电势VDD低在电阻元件33的两端之间的电势差Vb。电势差Vb是由于流经N沟道型MOSFET 40的电流导致的。优选的是，当输入电势Vin等于电源电势VDD时，电势差Vb的值等于差值VDD-Vthn，该差值VDD-Vthn是通过从电源电压VDD减去N沟道型MOSFET 31的阈值电压Vthn而获得的。在这种情况下，较之输入电势Vin的上升，电势VG2逐渐地从0[v]升至Vthn(＝VDD-Vb)。优选的是，当输入电势Vin等于电源电势VDD时，将电势差Vb设置为具有基于第二电源电压GND-VDD和阈值电压Vthn的值。

当输入电势Vin在时间T2降至接地电势GND(0[v])时，在N沟道型MOSFET 40的漏极和源极之间的电压下降，并且从时间T1至时间T2充电在N沟道型MOSFET 30的栅极电容中的电荷经由电阻元件33和输入端34而排出。因此，较之输入电势Vin的下降，电势VG2是逐渐地从Vthn降至0[v]。

如上所述，当输入电势Vin降至0[v]时，电势VG1逐渐地降至VDD-Vthp，并且电势VG2逐渐地降至0[v]。因此，N沟道型MOSFET 31的电阻逐渐地增大，并且N沟道型MOSFET 31变为断开状态(非导电状态)。P沟道型MOSFET 30的电阻逐渐减小，并且P沟道型MOSFET 30变成接通状态(导电状态)。因此，在输出节点N7的电势(时钟φ的电势(或信号电平))逐渐地降至0[v]。另外，当输入电势Vin升至电源电势VDD时，N沟道型MOSFET 31的电阻逐渐地下降，并且N沟道型MOSFET 31变成接通状态。当输入电势Vin升至电源电势VDD时，P沟道型MOSFET 30的电阻逐渐地增大，并且P沟道型MOSFET 30变成断开状态。因此，在输出节点N7的电势(时钟φ的电势)逐渐地升至电源电势VDD。因此，根据本实施例，当将具有脉冲宽度T2-T1的矩形波作为输入电势Vin输入至输入端34时，将从时间T1至时间T3延迟上升并且从时间T2至时间T4延迟下降的矩形波获取为时钟φ。

根据现有技术的缓冲器电路(其中在栅极之间没有电势差)将具有逐渐上升沿和逐渐下降沿的波形的信号转换为具有急剧上升沿和急剧下降沿的矩形信号。另一方面，在电荷泵电路10A和10B中，在作用为用于输出时钟φ的缓冲器的P沟道型MOSFET 30和N沟道型MOSFET31的栅极之间具有电势差。为此，显然通过P沟道型MOSFET 30和N沟道型MOSFET 31从电源VDD流至接地GND的直通电流的最大值较小，并且直通电流是逐渐上升和下降的。此外，通过将电阻元件32的电势差设置为通过从电源电压减去阈值电压Vthp而获得的电势差VDD-Vthp以及将电阻元件33的电势差设置为通过从电源电压减去阈值电压Vthn而获得的电势差VDD-Vthn，当输入至输入端34的信号的上升沿和下降沿是急剧的时，以及当上升沿和下降沿是逐渐的时，电荷泵驱动电路10A和电荷泵驱动电路10B都能够输出具有逐渐上升沿和逐渐下降沿的时钟φ。

如上所述，电荷泵驱动电路10A能够输出时钟φ，以使得时钟φ的信号电平的转变时间从输入电势Vin的信号电平的转变时间延迟。电荷泵驱动电路10B能够输出时钟φB，以使得时钟φB的信号电平的转变时间从输入电势Vin的信号电平的转变时间延迟。因此，可以抑制在输入至电荷泵电路20的时钟φ和时钟φB的上升和下降中出现谐波含量，因而可以减少从二极管D1至D4辐射的高频噪声。

另外，与日本特开专利申请(JP-P2006-340436A)的情况不同，根据本实施例的电荷泵驱动电路10A和10B不需要电容器和开关元件来模糊在上升和下降时的时钟φ和时钟φB的波形，因此在抑制电路尺寸增大的同时，能够输出具有逐渐上升和下降沿的时钟φ和时钟φB。也就是说，根据本实施例，通过具有小于以前尺寸的电路来抑制电荷泵电路中在时钟脉冲的上升和下降出现谐波含量。

本发明显然不限于上述实施例，在不背离本发明的范围和精神的情况下可以对本发明作出修改和改变。

例如，诸如MOSFET的二极管或晶体管可以被用作电阻元件32和33的每一个，以在P沟道型MOSFET 30和N沟道型MOSFET 31的栅极之间提供电势差。串联连接的多个二极管或晶体管可以被用作电阻元件32和33的每一个。

电荷泵驱动电路10A和10B可用于降压电路。

电荷泵驱动电路10A和10B的每一个可以只包括连接到第一栅极G1的恒流源11、电阻元件32和N沟道型MOSFET 39组以及连接到第二栅极G2的恒流源12、电阻元件33和P沟道型MOSFET 40组中的一个组。

Claims (11)

1.一种电荷泵驱动电路，包括：

作为金属氧化物半导体场效应晶体管的第一晶体管；以及

作为金属氧化物半导体场效应晶体管的第二晶体管，

其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管的沟道类型不同，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被设置以形成互补的逆变器电路；

所述互补的逆变器电路基于输入至输入端的输入电势驱动电荷泵电路；以及

所述第一晶体管的第一栅极和所述第二晶体管的第二栅极连接到所述输入端，以使得所述第一栅极的电势不同于所述第二栅极的电势。

2.根据权利要求1所述的电荷泵驱动电路，还包括：

第一电阻元件，其被设置在所述第一栅极和所述输入端之间；以及

第一恒流源，其被配置以基于与第一电源电势和第二电源电势之间的差值相应的第一电源电压向所述第一栅极提供电流。

3.根据权利要求2所述的电荷泵驱动电路，还包括：

第二电阻元件，其被设置在所述第二栅极和所述输入端之间；以及

第二恒流源，其被配置以基于第二电源电压向所述第二栅极提供电流；

其中，所述第一电源电压和所述第二电源电压符号相反并且大小相同。

4.根据权利要求3所述的电荷泵驱动电路，其中，当所述输入电势等于所述第二电源电势时，将在所述第一电阻元件的端部之间的电势差设置为具有基于所述第一晶体管的阈值电压和所述第一电源电压的值；以及

当所述输入电势等于所述第一电源电势时，将所述第二电阻元件的端部之间的电势差设置为具有基于所述第二晶体管的阈值电压和所述第二电源电压的值。

5.根据权利要求3或权利要求4所述的电荷泵驱动电路，还包括：

P沟道型晶体管，其连接到所述第一栅极和所述第一电阻元件的端部；以及

N沟道型晶体管，其连接到所述第二栅极和所述第二电阻元件的端部；

其中，所述P沟道型晶体管是P沟道型金属氧化物半导体场效应晶体管；

所述N沟道型晶体管是N沟道型金属氧化物半导体场效应晶体管；

所述N沟道型晶体管用作电流镜电路；以及

所述P沟道型晶体管用作电流镜电路。

6.根据权利要求3所述的电荷泵驱动电路，其中，所述第一电阻元件和所述第二电阻元件中的每一个包括晶体管。

7.根据权利要求3所述的电荷泵驱动电路，其中，所述第一电阻元件和所述第二电阻元件中的每一个包括串联连接的多个晶体管。

8.根据权利要求3所述的电荷泵驱动电路，其中，所述第一电阻元件和所述第二电阻元件中的每一个包括二极管。

9.根据权利要求3所述的电荷泵驱动电路，其中，所述第一电阻元件和所述第二电阻元件中的每一个包括串联连接的多个二极管。

10.一种半导体器件，包括：

电荷泵电路；以及

电荷泵驱动电路；

其中，所述电荷泵驱动电路包括：

作为金属氧化物半导体场效应晶体管的第一晶体管；以及

作为金属氧化物半导体场效应晶体管的第二晶体管，

所述第一晶体管和所述第二晶体管的沟道类型不同，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被设置以形成互补的逆变器电路；

所述互补的逆变器电路基于输入至输入端的输入电势驱动所述电荷泵电路；以及

所述第一晶体管的第一栅极和所述第二晶体管的第二栅极连接到所述输入端，以使得所述第一栅极的电势不同于所述第二栅极的电势。

11.一种电压转换方法，包括：

基于输入至输入端的输入电势驱动电荷泵电路；

其中，作为金属氧化物半导体场效应晶体管的第一晶体管的第一栅极和作为金属氧化物半导体场效应晶体管的第二晶体管的第二栅极连接到所述输入端，以使得所述第一栅极的电势不同于所述第二栅极的电势；以及

所述第一晶体管和所述第二晶体管的沟道类型不同，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被设置以形成互补的逆变器电路。

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