CN101313385B - 光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法 - Google Patents

光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种在浸液曝光过程中能够高效地洗涤除去因为从光致抗蚀剂溶出的成分而导致的曝光装置部位(特别是光学透镜部)的污染物、且废液处理简便、与浸液介质的置换效率高、不阻碍半导体制造生产率的光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法。本发明涉及光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法，其中，所述光刻法用洗涤液在用浸液介质充满于曝光装置的光学透镜部和置于晶片载物台上的曝光对象物之间进行曝光的浸液曝光过程中，用于上述曝光装置的洗涤，所述光刻法用洗涤液含有(a)表面活性剂、(b)烃溶剂及(c)水。

Description

光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法
技术领域
本发明涉及在浸液曝光(Liquid Immersion Lithography)过程中使用的光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法。
背景技术
在半导体装置、液晶装置等各种电子装置中的微细结构的制造中，常采用光刻法。近年，半导体装置的高集成化、微小化的进展十分显著，在光刻法工序的光致抗蚀剂图案形成中也要求更加微细化。
目前，采用光刻法，例如在最尖端领域中可以形成线宽为90nm左右的微细的光致抗蚀剂图案，人们正在研究·开发线宽为65nm的更微细图案的形成。
为了实现上述更微细的图案的形成，一般考虑改良曝光装置或光致抗蚀剂材料作为对策。作为采用曝光装置的相应策略，可以举出F2准分子激光、EUV(极端紫外光)、电子射线、X射线、软X射线等光源波长的短波长化、或透镜的开口数(NA)的增大等策略。
然而，光源波长的短波长化需要昂贵的新型曝光装置。另外，高NA化中由于析像度和焦深幅度具有折衷选择的关系，所以存在提高析像度、焦深幅度降低的问题。
最近，作为可以解决上述问题的光刻法技术，公开了浸液曝光(Liquid Immersion Lithography)法(例如，参见非专利文献1～3)。该方法是在曝光时使曝光装置的透镜和载置在晶片载物台(WaferStage)上的曝光对象物(基板上的光致抗蚀剂膜)之间的曝光光路的、至少上述光致抗蚀剂膜上存在规定厚度的浸液介质，将光致抗蚀剂膜曝光形成光致抗蚀剂图案。此浸液曝光法具有下述优点，即，通过将现有的为空气或氮等惰性气体的曝光光路空间用折射率(n)与上述空间(气体)的折射率相比较大且与光致抗蚀剂膜的折射率相比较小的浸液介质(例如纯水、氟类惰性液体等)取代，即使使用相同曝光波长的光源，也能与使用较短波长的曝光光时或使用高NA透镜时相同地实现高分辨率，同时也不导致焦深幅度的降低。
如果采用上述浸液曝光过程，则能够使用安装在现有的曝光装置上的透镜，以低成本形成高分辨率更优异、且焦深也优异的光致抗蚀剂图案，因此倍受关注。
但是，在浸液曝光过程中，在使曝光用透镜和光致抗蚀剂膜之间存在浸液介质的状态下进行曝光，因此从光致抗蚀剂膜向浸液介质中溶出的成分可能会导致对曝光装置的损坏(例如发生曝光用透镜晶材的起雾、及由此引起的透过率的降低、曝光不均等)等。
作为针对于此的对策，有改良光致抗蚀剂材料防止成分从光致抗蚀剂中溶出的方法、或在光致抗蚀剂层上设置一层保护膜，防止从光致抗蚀剂中溶出的成分渗出的方法等。然而，前者的方法存在光致抗蚀剂材料的开发受限制、光致抗蚀剂难以适应广泛应用的问题，此外，即使采用后者的方法，在目前情况下也不能完全抑制溶出成分。
因此，目前广泛使用的作为利用光致抗蚀剂或保护膜解决上述问题点的方法，公开了使用洗涤液洗涤与浸液介质接触的曝光装置部位(特别是光学透镜部)的方法(例如，参见专利文献1)。
但是，该公报记载的洗涤液，由酮类、醇类有机溶剂构成，即使在适用上述洗涤液的情况下，对作为污染主要原因的具有高危险性的光致抗蚀剂溶出成分的洗涤效果仍不充分，难以维持曝光装置的光学特性。
需要说明的是，在其它专利文献(例如，参见专利文献2)中也公开了使用洗涤液洗涤与浸液介质接触的曝光装置部位(特别是光学透镜部)的方法。
非专利文献1：“Journal of Vacuum Science & Technology B)”，(美国)，1999年，第17卷，6号，3306-3309页
非专利文献2：“Journal of Vacuum Science & Technology B”，(美国)，2001年，第19卷，6号，2353-2356页
非专利文献3：“Proceedings of SPIE”，(美国)，2002年，第4691卷，459-465页
专利文献1：特开2005-79222号公报
专利文献2：美国专利申请公开第2005-0205108号说明书
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种洗涤液，在浸液曝光过程中虽然使用目前广泛使用的光致抗蚀剂或保护膜，但所述洗涤液能够防止从光致抗蚀剂溶出的成分损坏曝光装置，废液处理简便，与浸液介质的置换效率高，不影响半导体制造的生产率，降低制造成本，洗涤性能优异。
为了解决上述课题，本发明提供一种光刻法用洗涤液，用于在浸液曝光过程中洗涤曝光装置，含有(a)表面活性剂、(b)烃溶剂、及(c)水，所述浸液曝光过程是在曝光装置的光学透镜部和载置于晶片载物台上的曝光对象物之间充满浸液介质进行曝光。
另外，本发明提供一种曝光装置的洗涤方法，其特征在于，使用至少装有光学透镜部、晶片载物台、液体导入流路、和液体排出流路的曝光装置，一边通过上述液体导入流路向上述光学透镜部和载置于上述晶片载物台上的曝光对象物之间的空间内导入浸液介质充满该空间，同时通过上述液体排出流路排出浸液介质，一边进行曝光，在该浸液曝光过程中，使用与用于上述浸液介质导入的流路相同的导入流路导入上述光刻法用洗涤液，使其与曝光装置接触规定时间，由此进行洗涤，通过与用于上述浸液介质排出的流路相同的排出流路将该使用过的洗涤液排出。
另外，本发明提供一种曝光装置的洗涤方法，其特征在于，在将曝光装置的光学透镜部和载置在晶片载物台上的曝光对象物之间充满浸液介质、进行曝光的浸液曝光过程中，向上述曝光装置喷洒上述光刻法用洗涤液、或者用在该光刻法用洗涤液中浸泡过的布擦拭上述曝光装置的污渍，由此洗涤该曝光装置。
根据本发明，能够提供一种洗涤性能高、对曝光用透镜晶材无损害、废液处理容易、与浸液介质的置换效率高、不影响半导体制造的生产率、制造成本降低、清洁性能优异的光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法。
具体实施方式
本发明的光刻法用洗涤液是在将曝光装置的光学透镜部和载置于晶片载物台上的曝光对象物之间充满浸液介质进行曝光的浸液曝光过程中用于洗涤上述曝光装置的洗涤液，含有(a)表面活性剂、(b)烃溶剂、及(c)水。
作为(a)成分，优选使用非离子性表面活性剂，作为上述非离子性表面活性剂，优选使用选自聚氧化烯烷基醚、聚氧化烯烷基苯基醚、聚氧化烯烷基脂肪酸酯、聚氧化烯烯丙基苯基醚、聚氧化烯失水山梨醇脂肪酸酯、失水山梨醇脂肪酸酯、及聚氧化烯中的至少1种。
上述表面活性剂中，作为聚氧化烯，可以举出聚氧乙烯、聚氧丙烯、及聚氧丁烯等。聚氧化烯的加成摩尔数优选将其平均加成摩尔数调至1～50摩尔的范围。
另外，上述表面活性剂中，作为构成聚氧化烯的末端醚化物的烷基，优选碳原子数6～18的烷基，作为具体例可以举出己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基等。该烷基可以为支链状、环状(可以为单环也可以为稠环)中的任一种，另外，可以含有不饱和键，并且部分氢原子也可以被醇羟基取代。
另外，上述表面活性剂中，作为脂肪酸，可以举出庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十二烷酸、十四烷酸、十五烷酸、十六烷酸、十七烷酸、十八烷酸等。但并不限定于上述例子。
上述聚氧化烯类化合物、失水山梨醇脂肪酸类化合物等非离子性表面活性剂，作为“Newcol”系列(日本乳化剂(株)制)等在市场上销售，优选使用上述市售品。
作为非离子性表面活性剂，除上述聚氧化烯类化合物、失水山梨醇脂肪酸类化合物之外，还可以使用炔属醇类化合物。
作为炔属醇类化合物，例如优选使用下述通式(I)表示的化合物。
Figure S2006800435558D00051
(其中，R1表示氢原子或下述式(II)所示的基团；
Figure S2006800435558D00052
R2、R3、R4、R5分别独立地表示氢原子、碳原子数1～6的烷基)
该炔属醇类化合物作为例如“Surfynol”、“Olfine”(以上均由空气化工产品有限公司(Air Product and Chemicals Inc.)制)等系列在市场上销售，优选使用。其中，从其物性方面考虑最优选使用“Surfynol 104”、“Surfynol 82”或者它们的混合物。此外，也可以使用“Olfine B”、“Olfine P”、“Olfine Y”等。
另外，也可以使用在上述炔属醇中加成烯化氧得到的化合物。作为在上述炔属醇上加成的烯化氧，优选使用环氧乙烷、环氧丙烷或者其混合物。
作为上述炔属醇·烯化氧加成物，优选使用下述通式(III)表示的化合物。
(其中，R6表示氢原子或下述式(IV)所示的基团；
R7、R8、R9、R10分别独立地表示氢原子、碳原子数1～6的烷基)。此处，(n+m)表示1～30的整数，由于此环氧乙烷的加成数不同，所述加成物在水中的溶解性、表面张力等特性微妙地变化。
炔属醇·烯化氧加成物，其本身作为表面活性剂为公知物质。该物质作为“Surfynol”(空气化工产品有限公司制)系列、或者“Acetylenol”(川研精细化学(株)制)系列等在市场上销售，优选使用。其中，考虑到由环氧乙烷的加成数导致的在水中溶解性、表面张力等特性的变化等，优选使用“Surfynol 420”、“Surfynol 440”、“Surfynol 465”、“Surfynol 485”、“Acetylenol EL”、“AcetylenolEH”、或者它们的混合物。
并且，在本发明光刻法用洗涤液中，非离子性表面活性剂优选将HLB值为9以下的至少1种非离子性表面活性剂和HLB值大于9的至少1种非离子性表面活性剂两者组合使用，其中，HLB值是表示与水和油的亲和性的指标。需要说明的是，此处使用的HLB值为各非离子性表面活性剂的平均HLB值。如上所述，通过组合使用HLB值为9以下的表面活性剂和HLB值大于9的表面活性剂，能够同时高效地溶解(b)成分、(c)成分。
本发明光刻法用洗涤液中，(a)成分的配合量优选为0.01～5质量％，特别优选为0.1～2质量％。通过使(a)成分的配合量在上述范围内，能够有效地避免由洗涤液分离等导致的不利情况，同时维持洗涤性能。
如上所述，使用2种以上表面活性剂时，其混合比可以在不影响洗涤性能的范围内适当选择。
需要说明的是，作为表面活性剂，除非离子性表面活性剂以外，在对光刻法用洗涤液的稳定性或洗涤性能无不良影响的范围内，也可以配合各种阳离子性表面活性剂或阴离子性表面活性剂。
作为是(b)成分的烃溶剂，可以广泛使用烷烃类或烯烃类。其中，优选使用碳原子数8～12的直链或支链状烷烃类、碳原子数8～12的直链或支链状烯烃类、及由2个以上异戊二烯单元构成的萜类。
上述碳原子数8～12的直链或支链状烷烃类及烯烃类，一般情况下市售。其中，从洗涤性能的观点考虑，优选正癸烷、1-癸烯。
作为上述萜类，优选单萜类、二萜类等。作为单萜类，例如可以举出香叶醇、橙花醇、里哪醇(Linalool)、柠檬醛、香茅醇、对
Figure S2006800435558D00071
烷、二苯基
Figure S2006800435558D00072
烷、薄荷醇、异薄荷醇、新薄荷醇、苧烯、二聚戊烯(dipentene)、萜品醇、香芹酮、芷香酮、苧酮(thujone)、樟脑(camphor)、莰烷、冰片(borneol、2-莰醇)、降冰片烷、蒎烷、α-蒎烯、β-蒎烯、苧烷(Thujane)、α-苧酮、β-苧酮、蒈、樟脑、α-萜品烯、β-萜品烯、γ-萜品烯等。作为二萜类，例如可以举出枞烷(松香烷、Abietane)、枞酸(Abietic acid)等。其中，从易于获得的方面考虑优选单萜类，其中，从具有高洗涤性能的方面考虑，优选使用选自苧烯、蒎烯、及对
Figure S2006800435558D00073
烷中的至少1种。
本发明光刻法用洗涤液中，(b)成分的配合量优选为0.01～5质量％，特别优选为0.1～2质量％。通过使(b)成分的配合量在上述范围内，能够进一步提高洗涤液的保存稳定性、洗涤性能。
剩余量配合作为(c)成分的水。
本发明中除上述(a)～(c)成分之外还可以配合水溶性有机溶剂作为(d)成分。作为(d)成分可以举出选自链烷醇胺类、烷基胺类、聚亚烷基多胺类、二元醇类、醚类、酮类、乙酸酯类、及羧酸酯类中的至少1种水溶性有机溶剂。
作为上述链烷醇胺类，可以举出单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇〔＝二甘醇胺〕、N，N-二甲基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N，N-二丁基乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、单异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺等。但并不限定于上述例示的化合物。
作为上述烷基胺类，可以举出2-乙基-己基胺、二辛基胺、三丁基胺、三丙基胺、三烯丙基胺、庚基胺、环己基胺等。但并不限定于上述例示的化合物。
作为上述聚亚烷基多胺类，可以举出二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、亚丙基二胺、N，N-二乙基亚乙基二胺、N，N’-二乙基亚乙基二胺、1，4-丁二胺、N-乙基-亚乙基二胺、1，2-丙二胺、1，3-丙二胺、1，6-己二胺等。但并不限定于上述例示的化合物。
作为上述二元醇类，可以举出乙二醇、二甘醇、丙二醇、丙三醇、1，2-丁二醇、1，3-丁二醇、2，3-丁二醇等。但并不限定于上述例示的化合物。
作为上述醚类，可以举出乙二醇单甲醚〔＝甲基溶纤剂〕、乙二醇单乙醚〔＝乙基溶纤剂〕、乙二醇二乙醚、乙二醇异丙醚、乙二醇单正丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、二甘醇单甲醚、二甘醇单乙醚、二甘醇单正丁醚〔＝丁基二甘醇〕、二甘醇二甲基醚、二甘醇二乙基醚、双丙甘醇单甲基醚、苄基乙基醚、二己基醚等。但并不限定于上述例示的化合物。
作为上述酮类，可以举出丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮、甲基丙基酮、甲基异丁基酮、甲基戊基酮、二异丙基酮、环丁酮、环戊酮、环己酮等。但并不限定于上述例示的化合物。
作为上述乙酸酯类，可以举出乙二醇单甲醚乙酸酯〔＝甲基溶纤剂乙酸酯〕、乙二醇单乙醚乙酸酯〔＝乙基溶纤剂乙酸酯〕、乙二醇单正丁醚乙酸酯〔＝正丁基溶纤剂乙酸酯〕、丙二醇单甲醚乙酸酯等。但并不限定于上述例示的化合物。
作为上述羧酸酯类，例如可以举出烷基-或脂肪族-羧酸酯、单羟基羧酸酯等，具体而言可以举出乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯、乙酸异戊酯等。但并不限定于上述例示的化合物。
本发明中，作为(d)成分，特别优选使用链烷醇胺类、二元醇类、醚类、酮类、乙酸酯类、及羧酸酯类。
在本发明光刻法用洗涤液中配合(d)成分时，优选以0.1～20质量％进行配合，特别优选为1～8质量％。通过使(d)成分的配合量为上述范围，能够降低光刻法用洗涤液的层分离的危险，提供稳定的均匀溶液，进而能够进一步提高洗涤性能。
使用本发明光刻法用洗涤液的曝光装置的洗涤方法，例如可如下进行。
首先，采用旋涂器等在硅片等基板上涂布常用光致抗蚀剂组合物作为曝光对象物后，进行预烘烤(PAB处理)，形成光致抗蚀剂膜。需要说明的是，也可以在基板上设置1层有机类或无机类的防反射膜(下层防反射膜)后形成光致抗蚀剂膜。
光致抗蚀剂组合物没有特殊的限定，包括负型及正型光致抗蚀剂，可以随意使用能被碱水溶液显影的光致抗蚀剂。作为上述光致抗蚀剂，可以举出(i)正型光致抗蚀剂：含有萘醌二叠氮基化合物和酚醛清漆树脂；(ii)正型光致抗蚀剂：含有通过曝光生成酸的化合物、在酸作用下分解后对碱水溶液的溶解性增大的化合物及碱可溶性树脂；(iii)正型光致抗蚀剂：含有通过曝光生成酸的化合物、碱可溶性树脂，其中碱可溶性树脂具有在酸作用下分解后对碱水溶液的溶解性增大的基团；及(iv)负型光致抗蚀剂：含有在光作用下生成酸或者自由基的化合物、交联剂及碱可溶性树脂等，但不限定于此。需要说明的是，也可以在上述光致抗蚀剂膜的表面形成保护膜。
接下来，将形成此光致抗蚀剂膜的基板置于曝光装置的晶片载物台上。该曝光装置优选除配置上述晶片载物台之外，以规定间隔与该晶片载物台对向配置光学透镜部，除此之外还配置液体导入流路、和液体排出流路。
然后，一边向形成此光致抗蚀剂膜的基板和光学透镜部之间的空间内从晶片载物台一侧的方向通过液体导入流路导入浸液介质，同时从晶片载物台另一侧方向通过液体排出流路排出(吸出)浸液介质，一边在浸液介质充满上述空间的状态下通过掩模图案对光致抗蚀剂膜选择性地进行曝光。
此处，在局部浸液曝光方式中，一边使晶片载物台相对于曝光用透镜以高速移动，并且从液体导入喷嘴(液体导入流路)在光致抗蚀剂膜上连续滴下浸液介质，一边选择性地曝光光致抗蚀剂层。通过掩模图案对该连续滴下状态的基板上的光致抗蚀剂膜选择性地进行曝光。剩余的浸液介质通过液体排出喷嘴(液体排出流路)排出。或者，也可以采用将形成上述光致抗蚀剂层的基板浸渍到浸液介质中，在此状态下进行曝光的方式。
在上述任意状态下，至少在透镜和形成光致抗蚀剂层的基板之间充满浸液介质。通过掩模图案对此状态的基板的光致抗蚀剂膜选择性地进行曝光。所以，此时曝光光通过浸液介质到达光致抗蚀剂膜。
此时，光致抗蚀剂构成成分从光致抗蚀剂膜向浸液介质中溶出，其作为污染物附着在曝光装置上。
曝光光没有特殊的限定，可以使用ArF准分子激光、KrF准分子激光、F2准分子激光、EB、EUV、VUV(真空紫外线)等放射线进行曝光。
浸液介质只要是折射率比空气折射率大且比所用光致抗蚀剂膜的折射率小的液体即可，没有特殊的限定。作为上述浸液介质，可以举出水(纯水、脱离子水。折射率1.44)、在水中配合各种添加剂而高折射率化的液体、氟类惰性液体、硅类惰性液体、烃类液体等，也可以使用预计将来可开发出的具有高折射率特性的浸液介质。作为氟类惰性液体的具体例，可以举出以C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等氟类化合物作为主要成分的液体。其中，从成本、安全性、环境问题及常用性的观点考虑，优选使用水(纯水、去离子水)，但在使用157nm波长的曝光光(例如F准分子激光器等)时，从曝光光吸收少的观点考虑，优选使用氟类溶剂。
在上述浸液状态下的曝光工序结束后，从浸液介质中取出基板，从基板中除去液体。
然后，使曝光装置特别是光学透镜部等中的与上述浸液介质接触的部位与本发明光刻法用洗涤液接触，进行洗涤，将从光致抗蚀剂膜中溶出的成分等洗涤除去。接触时间只要是能够洗涤·除去光致抗蚀剂溶出成分所需的充足的时间即可没有特殊的限制，通常为30秒～10分钟左右。由此，即使在从光致抗蚀剂膜溶出的成分附着在曝光装置、特别是光学透镜部等中时，也能够快速地除去，所以通常能够以清洁状态进行高精度的曝光处理，减小错误等发生的可能性，可以形成可靠性高的光致抗蚀剂图案。
需要说明的是，本发明光刻法用洗涤液能够共用与用于浸液介质导入·排出的流路相同的流路。所以，不需另外设置洗涤液用流路，可以降低制造成本。
作为与曝光装置接触的方法，除此之外，还可以举出向曝光装置喷洒本发明洗涤液、或者用在本发明洗涤液中浸泡过的布擦拭曝光装置的污渍，由此进行洗涤等方法。需要说明的是，上述洗涤方法并不限定于上述例示的方法。
然后，对上述曝光的光致抗蚀剂膜进行PEB(曝光后加热)，接下来，使用由碱性水溶液构成的碱显影液进行显影处理。碱显影液可以使用常用物质。需要说明的是，在显影处理之后可以进行后烘烤。然后，使用纯水等进行冲洗。水冲洗如下进行。例如，一边使基板旋转一边将水滴下或喷雾在基板表面，洗去基板上的显影液及被该显影液溶解的保护膜成分和光致抗蚀剂组合物。接下来，通过干燥，使光致抗蚀剂膜形成与掩模图案相应的形状，得到光致抗蚀剂图案。
通过如上所述形成光致抗蚀剂图案，能够以良好的析像度制造微细线宽的光致抗蚀剂图案、特别是间距小的线·和·间隔(line andspace)图案。
实施例
接下来，通过实施例更详细地说明本发明，但本发明并不限定于这些例子。
(实施例1～9、比较例1～5)
为了再现于浸液曝光状态下曝光用透镜的污渍，准备以下构成的试验用具。
首先，将“TPS-PFBS(全氟丁磺酸四苯基锍盐)”溶解于纯水中，以其500ppm水溶液作为试验药液，上述“TPS-PFBS”被预测是曝光用透镜污染的原因，是光致抗蚀剂成分中的光致酸发生剂。
然后，在能够以一定流量输送液体的配管上设置透明槽，形成使上述试验药液从其一侧的配管流入、从相反侧的配管使试验药液体排出的结构，进而，形成在此透明槽的未设置配管的任一侧面设置浸液曝光用透镜的结构。
形成一边从设置此浸液曝光用透镜的侧面方向照射脉冲状的ArF准分子激光，一边向设置浸液曝光用透镜的透明槽内通入试验药液的结构。
需要说明的是，ArF准分子激光的照射成脉冲状，无论曝光用透镜的污渍是由因光照射解离而呈离子性的光致酸发生剂引起的，还是未经光照射未解离的光致酸发生剂引起的，均能作为实际曝光时的污渍，反映为试验用具的污渍。
使用上述结构的试验用具，一边以0.1L/min的流量使上述试验药液流过，一边以0.18mJ的曝光量在1.76×105脉冲下照射ArF准分子激光，使污染物附着在浸液曝光用透镜表面上。
使附着此污染物的浸液曝光用透镜在表1所示各组成的洗涤液中浸渍10分钟，然后水洗30秒后，通过吹入氮气使其干燥，目视观察此干燥后的透镜，根据下述评价基准，评价洗涤效果。结果如表1所示。
[洗涤效果的评价基准]
A：能够良好地洗涤除去附着在浸液曝光用透镜上的污染物。
B：不能洗涤除去附着在浸液曝光用透镜上的污染物，作为残留物残留下来。
[表1]
Figure S2006800435558D00131
需要说明的是，表1中各缩写表示以下化合物。
S1：聚氧乙烯-2-乙基己基醚(“Newcol 1020”；日本乳化剂(株)制。HLB＝17.4)、
S2：失水山梨醇三油酸酯(“Newcol 3-80”；日本乳化剂(株)制。HLB＝3.4)、
S3：聚氧乙烯硬脂基醚(“Newcol 1820”；日本乳化剂(株)制。HLB＝15.3)、
S4：聚氧乙烯月桂基醚(“Newcol 2502-A”；日本乳化剂(株)制。HLB＝6.3)、
S5：炔属醇环氧乙烷加成物(“Surfynol 420”；空气化工产品公司制。HLB＝4.0)、
S6：炔属醇环氧乙烷加成物(“Surfynol 485”；空气化工产品公司制。HLB＝17.0)、
EDG：二甘醇单乙醚、
BDG：二甘醇单丁醚、
IPA：异丙醇。
产业上的可利用性
本发明的洗涤液及洗涤方法，清洁性能优异，在浸液曝光过程中，虽然利用了目前广泛使用的光致抗蚀剂和保护膜，但能够防止因为从光致抗蚀剂溶出的成分而导致的对曝光装置造成的损害。另外，废液处理简便，与浸液介质的置换效率高，不妨碍半导体制造的生产率，制造成本降低。

Claims (10)

1.一种光刻法用洗涤液，用于在浸液曝光过程中洗涤曝光装置，所述浸液曝光过程是在曝光装置的光学透镜部和载置于晶片载物台上的曝光对象物之间充满浸液介质进行曝光的过程，其特征在于，含有
(a)表面活性剂，其中含有至少2种以上的表面活性剂，所述至少2种以上表面活性剂为选自平均HLB值为9以下的表面活性剂中的至少1种以及选自平均HLB值大于9的表面活性剂中的至少1种，
(b)烃溶剂，及
(c)水，
其中(a)的含量为0.1～2质量％，(b)的含量为0.1～2质量％。
2.如权利要求1所述的光刻法用洗涤液，其中，(a)成分为非离子性表面活性剂。
3.如权利要求1所述的光刻法用洗涤液，其中，(a)成分为选自聚氧化烯烷基醚、聚氧化烯烷基苯基醚、聚氧化烯烷基脂肪酸酯、聚氧化烯烯丙基苯基醚、聚氧化烯失水山梨醇脂肪酸酯、失水山梨醇脂肪酸酯、聚氧化烯、及炔属醇类化合物中的至少1种。
4.如权利要求1所述的光刻法用洗涤液，其中，(b)成分为选自碳原子数为8～12的直链或支链的烷烃类、碳原子数为8～12的直链或支链的烯烃类、及萜类烃溶剂中的至少1种。
5.如权利要求4所述的光刻法用洗涤液，其中，(b)成分中的萜类烃溶剂为单萜类。
6.如权利要求1所述的光刻法用洗涤液，其中，还含有(d)水溶性有机溶剂。
7.如权利要求6所述的光刻法用洗涤液，其中，(d)成分为选自链烷醇胺类、烷基胺类、聚亚烷基多胺类、二元醇类、醚类、酮类、乙酸酯类、及羧酸酯类中的至少1种。
8.如权利要求6所述的光刻法用洗涤液，其中，含有0.1～20质量％(d)成分。
9.一种曝光装置的洗涤方法，其特征在于，使用至少装有光学透镜部、晶片载物台、液体导入流路、和液体排出流路的曝光装置，一边通过所述液体导入流路向所述光学透镜部和载置于所述晶片载物台上的曝光对象物之间的空间内导入浸液介质充满该空间，同时通过所述液体排出流路排出浸液介质，一边进行曝光，在该浸液曝光过程中，使用与用于所述浸液介质导入的流路相同的导入流路导入权利要求1所述的光刻法用洗涤液，通过与曝光装置接触规定时间进行洗涤，通过与用于所述浸液介质排出的流路相同的排出流路将该使用过的洗涤液排出。
10.一种曝光装置的洗涤方法，其特征在于，在将曝光装置的光学透镜部和载置在晶片载物台上的曝光对象物之间充满浸液介质、进行曝光的浸液曝光过程中，向所述曝光装置喷洒权利要求1所述的光刻法用洗涤液，或者用在该光刻法用洗涤液中浸泡过的布擦拭所述曝光装置的污渍，由此洗涤该曝光装置。
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