JP7291773B2 - アルカリ性洗浄組成物、洗浄方法及び半導体製造方法 - Google Patents
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Description
基板を提供するステップと、
前記基板上にシロキサン樹脂層を塗布するステップと、
多層基板が形成されるように前記シロキサン樹脂層上にフォトレジスト層を塗布するステップと、
前記多層基板に対してリソグラフィー及びエッチングプロセスを行うステップと、
上記アルカリ性洗浄組成物を用いて前記基板上に付着した前記シロキサン樹脂層及び前記フォトレジスト層の残渣を洗浄及び除去するステップと、を含む。
(アルカリ性洗浄組成物)
(アルカリ性化合物)
本発明に開示される一実施形態において、前記第1溶媒は、5~40重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)を含む。また、プロピレングリコールモノメチルエーテルの重量百分率は、15~30重量%であることが好ましい。なお、上記重量百分率は、前記アルカリ性洗浄組成物全量に対してプロピレングリコールモノメチルエーテルが占める割合範囲である。
本発明に開示される一実施形態において、本発明のアルカリ性洗浄組成物は、10~30重量%の水を含む。また、水の重量百分率は、15~25重量%であることが好ましい。なお、上記重量百分率は、前記アルカリ性洗浄組成物の全量に対して水が占める割合範囲である。
本発明に開示される一実施形態において、本発明のアルカリ性洗浄組成物は、その第2溶媒として極性溶媒をさらに含んでもよい。前記極性溶媒は、アセタール類、グリコールエーテル類、ピロリドン類、又はこれらの組み合わせの溶媒を含む。
本発明のアルカリ性洗浄組成物は、その他の添加剤、例えば、界面活性剤、金属腐食抑制剤などを含んでもよい。
本発明の洗浄方法は、本発明のアルカリ性洗浄組成物を用いて任意の装置素子に付着した残渣又は膜を洗浄及び除去することを含み、前記洗浄は、種々の洗浄方法、例えば、浸漬洗浄、噴霧洗浄、又はその他の洗浄方法などを含む。上記残渣又は膜は、レジスト又は、シリコン原子を含有する無機物などを含む。上記装置素子は、特に限定されず、製造過程においてレジスト膜、反射防止膜、シリコン原子を含有するシリコンシャドウマスクなどの無機膜からなる犠牲膜、又は保護膜などの膜層を用いる必要があり、その後また、これらの膜層を除去する必要があるものであれば、本発明に記載の装置素子の範囲であり、具体的には、例えば半導体装置や半導体素子などである。
本発明によれば、半導体製造方法がさらに提供される。前記半導体製造方法は、
基板を提供するステップと、
前記基板上にシロキサン樹脂層を塗布するステップと、
多層基板が形成されるように前記シロキサン樹脂層上にフォトレジスト層を塗布するステップと、
前記多層基板に対してリソグラフィー及びエッチングプロセスを行うステップと、
本発明に記載のアルカリ性洗浄組成物を用いて前記基板上に付着した前記シロキサン樹脂層及び前記フォトレジスト層の残渣を洗浄及び除去するステップと、を含む。
本発明の具体的な実施例1~15及び比較例1~14は、表1に示され、その除去力及び揮発性有機化合物の評価結果は、表2に示される。
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
DPGME:ジプロピレングリコールメチルエーテル
PG:プロピレングリコール
EDG:ジエチレングリコールモノエチルエーテル
NIP:N-イソプロピル-2-ピロリドン
TOU:2,5,7,10-テトラオキサウンデカン
TMAH:水酸化テトラメチルアンモニウム
MEA:エタノールアミン
N-PA:n-プロパノールアミン
界面活性剤:ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、平均オキシエチレン数は9である。
Claims (11)
- アルカリ性化合物、5~40重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテル、10~30重量%の水及び極性溶媒を含むアルカリ性洗浄組成物であって、
前記極性溶媒は、アセタール類、グリコールエーテル類、ピロリドン類、又はこれらの組み合わせの溶媒を含み、かつ、前記アルカリ性洗浄組成物は、ベンゼンスルホン酸を含まず、
前記極性溶媒は、下記式(3)、式(4)又は式(5)に示す構造の溶媒、又はこれらの組み合わせの溶媒を含み、
式(4)中、R1は、炭素数1~4のアルキル基であり、前記アルキル基は、無置換又は水酸基で置換され、R2、R3は、それぞれ独立に水素又は炭素数1~2のアルキル基であり、nは、1~4の整数であり、
アルカリ性洗浄組成物。 - 前記アルカリ性化合物は、水酸化第4級アンモニウム、アルカノールアミン類化合物、又はこれらの混合物を含む、
請求項1に記載のアルカリ性洗浄組成物。 - 前記水酸化第4級アンモニウムは、下記式(1)に示す構造を有し、
前記アルカノールアミン類化合物は、下記式(2)に示す構造を有し、
請求項2に記載のアルカリ性洗浄組成物。 - 前記水酸化第4級アンモニウムは、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化エチルトリメチルアンモニウム、水酸化ジエチルジメチルアンモニウム、(2-ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド、ビス(2-ヒドロキシエチル)ジメチルアンモニウムヒドロキシド及びトリ(2-ヒドロキシエチル)メチルアンモニウムヒドロキシドの群から選ばれる少なくとも一つであり、
前記アルカノールアミン類化合物は、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、n-プロパノールアミン、n-ジプロパノールアミン、n-トリプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、N-メチルエタノールアミン、2-アミノ-2-メチル-1,3-プロパンジオール及び2-(2-アミノエトキシ)エタノールの群から選ばれる少なくとも一つである、
請求項2に記載のアルカリ性洗浄組成物。 - 前記アルカリ性化合物の含有量は、0.1~20重量%である、
請求項1に記載のアルカリ性洗浄組成物。 - 前記極性溶媒は、4,8-ジメチル-2,5,7,10-テトラオキサウンデカン、2,5,7,10-テトラオキサウンデカン、6-(2-メトキシエトキシ)-2,5,7,10-テトラオキサウンデカン、1-エトキシ-2-プロパノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、N-メチル-2-ピロリドン、N-エチル-2-ピロリドン及びN-イソプロピル-2-ピロリドンの群から選ばれる少なくとも一つである、
請求項1に記載のアルカリ性洗浄組成物。 - 前記極性溶媒の含有量は、5~84.9重量%である、
請求項1に記載のアルカリ性洗浄組成物。 - アルカリ性化合物、5~40重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテル、10~30重量%の水及び極性溶媒を含むアルカリ性洗浄組成物であって、
前記極性溶媒は、アセタール類、グリコールエーテル類、ピロリドン類、又はこれらの組み合わせの溶媒を含み、かつ、前記アルカリ性洗浄組成物は、ベンゼンスルホン酸を含まず、
前記アルカリ性化合物は、水酸化第4級アンモニウムとアルカノールアミン類化合物との混合物である、
アルカリ性洗浄組成物。 - 水酸化第4級アンモニウム、5~40重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテル、10~30重量%の水及び極性溶媒を含むアルカリ性洗浄組成物であって、
前記極性溶媒は、N-イソプロピル-2-ピロリドン、N-エチル-2-ピロリドン、2,5,7,10-テトラオキサウンデカン、ジエチレングリコールモノエチルエーテル及びジエチレングリコールモノブチルエーテルから選ばれる少なくとも一つであり、かつ、前記アルカリ性洗浄組成物は、ベンゼンスルホン酸を含まない、
アルカリ性洗浄組成物。 - 請求項1~9のいずれか1項に記載のアルカリ性洗浄組成物を用いて装置素子に付着した残渣又は膜を洗浄及び除去することを含む洗浄方法であって、
前記残渣又は膜は、レジスト又は、シリコン原子を含有する無機物を含む、
洗浄方法。 - 基板を提供するステップと、
前記基板上にシロキサン樹脂層を塗布するステップと、
多層基板が形成されるように前記シロキサン樹脂層上にフォトレジスト層を塗布するステップと、
前記多層基板に対してリソグラフィー及びエッチングプロセスを行うステップと、
請求項1~9のいずれか1項に記載のアルカリ性洗浄組成物を用いて前記基板上に付着した前記シロキサン樹脂層及び前記フォトレジスト層の残渣を洗浄及び除去するステップと、を含む、
半導体製造方法。
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