CN101310042A - 用于通过运载气体输送物质的改进的起泡器 - Google Patents

用于通过运载气体输送物质的改进的起泡器 Download PDF

Info

Publication number
CN101310042A
CN101310042A CNA2006800429330A CN200680042933A CN101310042A CN 101310042 A CN101310042 A CN 101310042A CN A2006800429330 A CNA2006800429330 A CN A2006800429330A CN 200680042933 A CN200680042933 A CN 200680042933A CN 101310042 A CN101310042 A CN 101310042A
Authority
CN
China
Prior art keywords
bubbler
chamber
container
inner cavity
carrier gases
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006800429330A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101310042B (zh
Inventor
H·坎宁
G·威廉姆斯
R·奥德拉
R·坎乔利亚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sigma Aldrich Co LLC
Original Assignee
Sigma Aldrich Co LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sigma Aldrich Co LLC filed Critical Sigma Aldrich Co LLC
Publication of CN101310042A publication Critical patent/CN101310042A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101310042B publication Critical patent/CN101310042B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material

Abstract

一种用于向反应器地点输送液态或固态金属有机化合物的起泡器(2)。所述起泡器具有内腔室和外腔室，以及位于其进口(6)和出口(8)之间的设有多个孔的元件(14)。所述元件(14)优选地为具有预定孔密度的带孔盘片的形式，以提供流过所述起泡器的运载气体的最佳吸收和流动。

Description

用于通过运载气体输送物质的改进的起泡器
技术领域
本发明涉及一种用于通过运载气体输送物质的改进的起泡器，并且涉及输送被物质渗透的运载气体的方法。特别地，本发明涉及一种输送金属有机物前体以用于化学气相沉积技术的改进的起泡器。
背景技术
在半导体工业中，通常的惯例是电子装置通过化学气相沉积(CVD)工艺而生产。将一种液态或固态前体提供于起泡器中，运载气体(如氢气)可以经由浸渍管通过起泡器起泡，从而所述气体变得充满了所述前体。所述运载气体/前体的气相混合物随后以可控速率被送入外延反应器。这种系统用于硅和化合物半导体的制造。重要的是气相化学成分的浓度要非常地稳定。但是，传统的单使用型起泡器所提供的沟槽和不均匀表面会导致产品的可变汽化，从而引起气相浓度的波动。这种波动不利于沉积过程。这对于固态前体(如三甲基铟(trimethyindium))的情况尤其显著。
在金属有机物气相外延系统(MOVPE)中，在制造具有三层或四层的非常复杂的装置结构时，进入到反应室中的稳定的、可控的前体流是关键因素。历史上，简单的起泡器设计已经被应用于执行这个任务，其中运载气体流和源温度控制能够提供适当稳定的系统。但是，施加在MOVPE设备上的增加的容量需求使得其必须具有增加的流量和更大的起泡器。简单的单汲取管型起泡器不再适合于满足这些需求。
2002年6月27日公开的美国专利申请No.09/870,245和欧洲专利申请公开号No.1 160 355(Shipley Company LLC)描述了一种起泡器，其具有多孔材料(例如包含于起泡器的圆锥段中的玻璃料)以将固体材料保持在所述起泡器中并引导运载气体流穿过所述固体材料。所述玻璃料有助于提供稳定的运载气体流穿过所述固体材料。但是，所述玻璃料为运载气体流过所述材料提供了随机的通道。这可能导致发生干涉，从而降低所述玻璃料的有效性。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种改进的起泡器，其允许加强通过运载气体输送物质，尤其但不是唯一地用于输送金属有机化合物，以用于化学气相沉积工艺。
本发明的另一个目的是提供一种通过运载气体输送物质(诸如金属有机化合物)的改进的方法，以用于化学沉积工艺。
因此，本发明的第一个方面是提供一种起泡器，其包括容纳有一种物质的密封容器，所述容器具有用于输送运载气体进出所述容器的进口和出口，所述进口或出口与延伸到所述容器中的导管相连，所述容器设有位于所述进口和所述出口之间的元件，所述元件中以预定间距设有多个孔。
所述容器大致为细长圆筒形式。优选地，所述元件由无孔材料制成。更优选地，所述元件由金属制成，诸如不锈钢。所述元件优选地横向于所述容器的纵向延伸。所述元件优选是圆形的，其周长遵循所述容器的内侧轮廓。所述元件优选地为基本平坦的，例如以盘片的形式。优选地，所述元件基本上跨越所述容器的整个横截面延伸。所述元件优选地设置于所述容器的下部中。
所述元件优选地从所述导管向外延伸。优选地，所述元件从所述导管的自由端延伸。例如，所述元件可以被焊接到所述导管上。
优选地，所述带孔的元件包括通过侧面连接的上表面和下表面。优选地，所述上表面中设置有多个孔，且所述上表面从所述导管的端部向外延伸。可替换地，所述导管的端部可延伸到形成于所述上表面和下表面之间的空腔内。所述下表面优选地为实心的。以这种方式，所述运载气体可以穿过所述孔并被导向入汲取管，反之亦然。优选地，所述元件为截顶圆筒的形式，其中所述上表面和下表面为圆形盘片。
提供于所述元件中的孔为预定间距的，以保证所述运载气体基本上穿越容器的全部横截面积扩散，并有助于提供穿过容纳于所述容器内的物质的均匀的运载气体流。设置在所述元件中的孔的尺寸和密度对提供最佳吸收和运载气体混合物流量来说是重要的。假设保持最佳密度，孔的布置可以是随机的或为几何图形，诸如以同心圆的形式。但是，更优选地，孔的布置是随机的。
所述孔的密度优选地在每平方厘米5至25个的范围内，更优选的是每平方厘米10至20个孔。所述孔的直径优选地小于0.5mm，更优选地为0.1至0.2mm，尤其为0.15mm。
在本发明的一个优选实施例中，所述容器包括一内腔室和一外腔室，所述内腔室包括所述导管。所述元件优选地穿过所述内腔室和外腔室横向地延伸。更优选地，所述腔室为圆筒形的。优选的是，所述内腔室的直径大约为外腔室直径的三分之一。
所述内腔室的直径优选地为至少20mm，更优选地至少为25mm。所述外腔室的直径优选地为至少75mm，更优选地为至少80mm。
优选地，所述进口连接到所述外腔室，所述出口连接到所述内腔室。
优选地在内腔室和外腔室中提供将要被携带在运载气体中的物质。更优选地，在所述外腔室中的物质与在所述内腔室中的物质的比率在5∶1至7∶1的范围内。
本发明的一个优选实施例提供了一种起泡器，其包括包含有一种物质的密封容器，所述容器具有一进口和一出口，以输送运载气体进出所述容器，所述进口与延伸入所述容器的外腔室连接，所述出口与所述外腔室内的内腔室相连，所述内腔室和外腔室流体连通，至少一个所述腔室具有设置在所述进口和所述出口之间的元件，所述元件中以预定间距设置多个孔。
本发明的第二个方面是提供一种向反应器地点输送物质的方法，所述方法包括将运载气体引入包含物质的容器内，使所述运载气体穿过以预定间距设置在元件中的孔，其中所述元件设置于所述容器内，使所述气体穿过所述物质并将所述运载气体混合物输送到一反应器地点。
更优选地，在使所述运载气体穿过设置于所述元件中的孔之前，使所述运载气体穿过包含所述物质的外腔室。仍然更优选的，在使所述运载气体传输到反应器地点之前，使它穿过包含另外物质的内腔室。
本发明尤其适用于将液态或固态金属有机化合物(诸如三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝、二甲基锌(dimethylzinc)和三乙基镓(triethylgallium))传输到反应器地点。其尤其适用于传输固态前体(诸如三甲基铟)，或用于任何其中必须保持高度稳定的化学气相浓度的过程。吸收所述物质的运载气体可以是任何不会与所运载的物质发生反应的合适的永久气体，诸如氢气或氮气。本发明对穿过起泡器的正向或反向运载气体流均有效。
应当理解，将通过对本领域普通技术人员已知的方法仔细地选择和控制穿过所述设备的运载气体的压力、温度和流量。
附图说明
为更好地理解本发明并更清楚地示出本发明是如何实施的，现在以举例的方式并结合附图仅参考以下例子，这些例子是对使用根据本发明第一和第二实施例的起泡器通过运载气体输送三甲基铟进行的研究，其中：
图1为根据本发明第一实施例的起泡器的示意图；
图2a为汲取管的端部的横截面视图，其中所述汲取管接纳带孔盘片以提供一种根据本发明设计的一个实施例的起泡器；
图2b和2c分别为用于附接到如图2a所示的汲取管上的带孔盘片的平面图和横截面图；
图3为在压力1000mbar、流量1000sccm、温度17℃的条件下，使用根据本发明的反向流带孔盘片起泡器吸收三甲基铟的Epison135读数随时间变化的图表；
图4为在压力250托、流量300sccm、温度17℃的条件下，使用根据本发明的起泡器消耗三甲基铟的Epison136百分比读数随时间变化的图表；
图5为在压力250托、流量400sccm、温度17℃的条件下，使用根据本发明的起泡器消耗三甲基铟的Epison 136百分比随时间变化的图表；
图6为在压力250托、流量600sccm、温度17℃的条件下，使用根据本发明的起泡器消耗三甲基铟的Epison138百分比读数随时间变化的图表；
图7为在压力250托、流量700sccm、温度17℃的条件下，使用根据本发明的起泡器吸收三甲基铟的Epison140读数随时间变化的图表；
图8为在压力250托、流量800sccm、温度17℃的条件下，使用根据本发明的起泡器消耗三甲基铟的Epison百分比读数随时间变化的图表；
图9为压力329mbar、流量400sccm的条件下，使用根据本发明的起泡器吸收三甲基铟的起泡器压力随时间变化的图表；
图10为根据本发明第二实施例的起泡器的示意图，其示出了固态前体充入所述起泡器中；
图11为用于测试图10所示的起泡器操作的实验室配置的示意图；
图12为在流量920sccm、压力250托、温度25℃的条件下，在使用TMI(335g)的正常流中使用传统起泡器(EP207405起泡器)消耗三甲基铟的Epison百分比读数随时间变化的图表；
图13为在流量800sccm、压力250托、温度25℃的条件下，使用如图10所示的起泡器消耗三甲基铟的Epison百分比读数随时间变化的图表；
图14为使用根据本发明第二实施例的起泡器的三甲基铟的流量(sccm)随高亮度LED生长条件(中等流量中等压力状态)变化的图表。
具体实施方式
图1至2c示出了根据本发明一个实施例的起泡器。所述起泡器尤其的但不是唯一的适用于向反应器地点输送金属有机化合物，如三甲基铟。所述起泡器2具有封闭的腔室4，所述腔室4具有进口管6、出口管8和填充端口10。所述出口管与延伸穿过大致所述腔室的长度的汲取管12相连接。带孔盘片14被焊接到所述汲取管的基部，所述盘片基本上横跨腔室的整个直径延伸。实心盘片11设置在所述带孔盘片下方，并通过侧面15与所述带孔盘片相连接。所述盘片可以是不锈钢材料的，但还可以使用任何其它合适的材料，并且利用激光钻孔技术形成小孔。在示出的实施例中，所述盘片设有一系列同心圆形式的孔(参见图2b和2c)。但是，穿过所述盘片的孔的图案不仅限于这种布置。
运载气体(例如氢气)被引入到包含金属有机物前体(如三甲基铟)的腔室4中。所述气体被导向流过所述带孔盘片12中的孔并吸收汽化化合物。所述气体混合物随后能够向上穿过所述汲取管12并通过出口管8离开所述腔室。
横跨所述腔室设置的带孔盘片用于在起泡器的整个横截面上分散所述运载气体，从而使其更均匀地与包含在起泡器中的金属有机物前体的所有面积相接触。这提高了将前体传输到气相中的效率，且在一个更宽的操作时间框架中更容易地达到饱和浓度，从而使得来自所述起泡器的输出流量保持在一个恒定水平。
穿过所述盘片的孔的尺寸和密度对优化所述盘片的性能是很重要的。大概由于在相邻的孔之间出现一些扰乱最佳条件的干扰，因此在达到一个极限的情况下，设置附加的孔将不再提高所述起泡器的性能。假设维持孔的最佳密度，所述孔的布置可以是随机的或几何图案的。例如，在一个63mm直径的圆形板的整个区域上，以随机方式设置大约700个直径为0.15mm的孔，这样可以获得一个很好的结果。可替换地，对于同心布置，可以在63mm直径的圆形板上设置大约350个孔。
应当理解，如本领域技术人员公知的，所述起泡器可设置有适当的传统装置，以选择和控制流过所述设备的气体的温度、压力和流量。
示例1
研究利用如图1所示的反向流起泡器，在运载气体中输送固态三甲基铟的效率。在多种条件下测试所述起泡器，并记录所述起泡器随着时间的流逝给出稳定的Epison读数的条件。所述数据由Trendview记录器收集，所述Trendview记录器记录所述起泡器的压力、压力控制器处的压力以及Epison读数。在2个小时内不间断地记录每次流量的数据。所述Epison读数的误差为±0.005，所述压力读数的误差为±3mbar。
所使用的反向流起泡器的100％灌装水平为300g。将60g的固态三甲基铟添加到所述起泡器中，使得所述起泡器被充满20％，并且将所述起泡器与所述Epison成套工具(kit)相连接。低灌装水平用来代表接近其使用寿命终点的起泡器，在使用传统起泡器时，该终点对应于其中吸收率下降的一灌装水平。因此，所述灌装水平使得能够在难度参数下对所述起泡器的有效饱和效率进行研究。源的温度保持在17℃。
图3至9示出了在各种压力和流量下使用本发明的起泡器时运载气体中三甲基铟的吸收和消耗。所述图表代表由超声系统测量的来自所述起泡器的输出流量。这个系统报告出直接与运载气体中的金属有机物的浓度相关的读数。期望的是在给定流量、压力和温度下获得一个恒定输出浓度。这种输出由图表中的直线表示。当条件改变时，所述读数将变化，并且正是这种波动产生了问题。在使用三甲基铟的情况中，接触时间和可利用的表面面积是在气相中获得产品恒定浓度的关键。本发明有助于对穿过所述产品的运载气体路径进行优化，以在所述起泡器的整个使用寿命期间获得均匀的接触，并且在使用过程中随着所述起泡器中容纳物的消耗而保持良好的汽化效率。相比之下，传统的单个浸渍腿布置会导致读数发生更大波动以及在终点出现吸收量的更大下降。
如在图3至9中所示，对于40-60g的灌装水平，反向流带孔盘式起泡器在760托的压力下工作良好，并且达到1000sccm流量。在250托的压力下，在流量高于700sccm时所述Epison读数变得不稳定之前，所述起泡器给出高达600sccm流量的好结果。对于大气压下高达1000sccm的流量以及在减小的压力下高达500sccm的流量的流动稳定性是对使用相同设备获得的标准浸渍腿效果的显著改进。
应当注意到，对于前面的试验，没有观察到在经受超过5mbar的浮动时理想的压力控制，从而不利地影响输出的稳定性。但是，即使对于这些未优化的参数，根据本发明的起泡器的设计能够提供比通过传统汲取管提供的单个大孔进口所能实现的更好的结果。此外，在多个图表中出现了一个导引时期，可以相信该导引时期与带孔盘片的性能相比，与压力控制更加相关。
在示出的实施例中使用的是固态前体三甲基铟，但是本发明的所述起泡器同样可以被用于输送液态前体，所述液态前体被用于任何化学气相沉积或必须要保持高度稳定的化学气相浓度的CVD类应用。这尤其与高流量用途相关，在高流量用途中使用标准起泡器设计更加难以实现运载气体饱和。在液态前体的情况下，相对于由传统汲取管提供的一个较大的单个孔，提供于所述盘片上的小尺寸孔的穿孔可以产生小尺寸的气泡，以允许在较浅的液体深度的情况下的完全气体饱和。这保证了在所述起泡器的使用寿命期间以提高的效率实现饱和，从而保证了稳定的输出流量。所述小的气泡同样使得在腔室内的前体表面被较少地扰乱，从而导致压力波动减小，并且因此获得一个更稳定的输出。在固态前体的情况下，相对于进入传统单个汲取管的较大孔，穿过所述盘片提供的小尺寸孔提供更小的通道区域，以形成核，因此改善了由所述运载气体接触的表面区域的一致性。这提高了输出气相浓度的稳定性，并提高了在所述起泡器寿命期间的输出稳定性。设置大致横穿所述起泡器的腔室的直径延伸的带孔盘片有助于使运载气体跨过整个腔室横截面扩散，由于所述气体更均匀地与容纳于所述腔室内的物质的所有区域相接触，因此这有益于饱和效率。通过在更宽的操作时间框架范围更容易地实现饱和浓度，从所述起泡器输出的输出流量保持在一个恒定的水平。
应当理解的是，根据本发明的起泡器可以被用于将气体流沿常规正向方向向下输送到所述汲取管并向上穿过容纳于所述腔室内的金属有机化合物，或同样地用于反向流结构，其中在所述反向流结构中，气体被向下输送穿过所述金属有机化合物并向上输送至所述汲取管。
清楚的是，配备运载气体必须穿过的给定密度的一系列孔改善了随时间变化的起泡器流量输出的稳定性和起泡器灌装水平。同时还提高了相对于运载流量和操作压力的流量输出的稳定性。
实施例2
附图中的图10示出了根据本发明第二实施例的起泡器。为了简要起见，与关于图1至2c已经描述过的相同特征给予相同的参考标记。除了存在如上面关于图1至2c已经描述的带孔盘片14外，所述起泡器设有双腔室20、22，其中内腔室22包括由外腔室20包围的起泡器的浸渍腿。
所述内腔室22具有比传统的腔室更宽的直径。在这一点上，浸渍腿通常为0.25英寸(6.35mm)左右，然而本发明的内腔室的直径为1英寸(25.4mm)左右。所述外腔室的直径为3.388英寸(86mm)左右。
此外，如图10所示，前体(例如TMI)既被放置在内腔室中，又被放置在外腔室中。位于外腔室中的前体与位于内腔室中的前体的比率为5∶1-7∶1左右。所述浸渍腿本身大约充满75％的前体，且所述外腔室大约充满25％的前体。例如，对于300g灌装，将会有达到60g的TMI位于中央汲取管容积中，其余的位于外部第二腔室中。
通过使用图11中所示的试验装置，对使用如图10所示的起泡器的前体的吸收和稳定性进行研究。在使用Epichem设备(EpisonTM)测试时，显示设计优于传统起泡器，如图12和13所示的，它们示出了通过使用本发明的起泡器，即使下降到低灌装水平，仍然可以实现前体输出的高稳定性，显示非常高的效率。图14同时显示出在“理论流动”和“实际流动”之间具有极好的一致。此外，根据本发明第二实施例的起泡器能够在不得不更换起泡器之前使用高百分比前体。例如，对于初始灌装水平为300g的起泡器，在更换起泡器之前，85％的起泡器可以达到超过90％的使用率，并且在更换之前，35％的起泡器可以达到超过98％的使用率。
所述结果显示出，使起泡器具有双腔室、更宽的汲取管、跨越所述腔室的带孔盘片，以及提供在所述起泡器的每个区段内的特定比率的前体，提供了改进的吸收稳定性和性能。所述汲取管的直径的增加放慢了气体流过这个区域的速度，以提高接触停留时间并提高气体饱和度。此外，位于所述汲取管和腔室的出口处的所述带孔盘片引导所述已饱和气体流入到起泡器内部的下段的所有部分，到达加满的前体存储所停留的地方，从而在整个源使用期间，能够将排气浓度保持在一个稳定的水平。
所述起泡器适合于在高和低流动条件下输送固体源，并且可被用于运载气体的反向流动。

Claims (39)

1、一种起泡器，其包括容纳有一种物质的密封容器，所述容器具有用于输送运载气体进出所述容器的进口和出口，所述进口或出口被连接到延伸入所述容器中的一导管上，所述容器设有位于所述进口和所述出口之间的一元件，所述元件中以预定间距设置多个孔。
2、根据权利要求1所述的起泡器，其中所述容器为细长圆筒形。
3、根据权利要求1或2所述的起泡器，其中所述元件由无孔材料制成。
4、根据权利要求3所述的起泡器，其中所述元件由金属制成。
5、根据权利要求4所述的起泡器，其中所述元件由不锈钢制成。
6、根据前述任一权利要求所述的起泡器，其中所述元件横向于所述容器的纵向延伸。
7、根据权利要求2-6中任一权利要求所述的起泡器，其中所述元件是圆形的，并且所述元件的周长遵循所述容器的内侧轮廓。
8、根据前述任一权利要求所述的起泡器，其中所述元件为基本上平的。
9、根据前述任一权利要求所述的起泡器，其中所述元件基本上跨过所述容器的整个横截面延伸。
10、根据前述任一权利要求所述的起泡器，其中所述元件提供于所述容器的下部中。
11、根据前述任一权利要求所述的起泡器，其中所述元件从所述导管向外延伸。
12、根据权利要求11所述的起泡器，其中所述元件从所述导管的自由端延伸。
13、根据权利要求11或12所述的起泡器，其中所述元件被焊接到所述导管上。
14、根据权利1-6中任一权利要求所述的起泡器，其中所述元件包括通过侧面连接的上表面和下表面。
15、根据权利要求14所述的起泡器，其中所述上表面中设置有多个孔，并且所述上表面从所述导管的自由端向外延伸。
16、根据权利要求14所述的起泡器，其中所述上表面中设置有多个孔，并且所述导管的所述端延伸到形成于所述上表面和下表面之间的空腔中。
17、根据权利要求14、15或16所述的起泡器，其中所述下表面为实心的。
18、根据权利要求14-17中任一权利要求所述的起泡器，其中所述元件为截顶圆筒的形式，并且所述上表面和下表面包括圆形盘片。
19、根据前述任一权利要求所述的起泡器，其中所述多个孔以随机或不规则的图案布置。
20、根据权利要求1至18中任一权利要求所述的起泡器，其中所述多个孔以几何或规则图案布置。
21、根据权利要求20所述的起泡器，其中所述孔以一系列同心圆的方式布置。
22、根据前述任一权利要求所述的起泡器，其中穿过所述元件设置的所述孔的密度在每平方厘米5-25个孔的范围内。
23、根据权利要求22所述的起泡器，其中穿过所述元件设置的所述孔的密度在每平方厘米10-20个孔的范围内。
24、根据前述任一权利要求所述的起泡器，其中每个孔的直径小于0.5mm。
25、根据权利要求24所述的起泡器，其中每个孔的直径为0.1至0.2mm。
26、根据前述任一权利要求所述的起泡器，其中所述容器包括一内腔室和一外腔室，所述内腔室包括所述导管。
27、根据权利要求26所述的起泡器，其中所述元件跨过所述内腔室和外腔室横向地延伸。
28、根据权利要求26或27所述的起泡器，其中所述腔室为圆筒形的，且所述内腔室的直径大约为所述外腔室的直径的三分之一。
29、根据权利要求28所述的起泡器，其中所述内腔室的直径为至少20mm。
30、根据权利要求28或29所述的起泡器，其中所述外腔室的直径为至少75mm。
31、根据权利要求26-30中任一权利要求所述的起泡器，其中所述进口连接到所述外腔室，所述出口连接到所述内腔室。
32、根据权利要求26-31中任一权利要求所述的起泡器，其中要被所述运载气体运载的所述物质提供于所述内腔室和外腔室中。
33、根据权利要求32所述的起泡器，其中所述外腔室与所述内腔室中的所述物质的比率在5∶1至7∶1的范围内。
34、一种起泡器，其包括容纳有一种物质的密封容器，所述容器具有用于输送运载气体进出所述容器的进口和出口，所述进口被连接到延伸入所述容器中的一外腔室上，所述出口被连接到位于所述外腔室中的一内腔室上，所述内腔室和外腔室流体连通，至少一个所述腔室设有位于所述进口和所述出口之间的元件，所述元件中以预定间距设置多个孔。
35、一种向反应器地点输送物质的方法，所述方法包括将运载气体引入到包含有物质的容器中，使所述运载气体穿过多个孔，所述孔以预定间距设置在位于所述容器中的一元件中，使所述气体穿过所述物质并向反应器地点输送运载气体混合物。
36、根据权利要求35所述的方法，其中在使所述运载气体穿过设置在所述元件中的孔之前，使所述运载气体穿过容纳有所述物质的外腔室。
37、根据权利要求36所述的方法，其中在将所述运载气体输送到反应器地点之前，使所述运载气体穿过容纳有另外物质的内腔室。
38、将根据前述任一权利要求所述的起泡器用于向反应器地点输送液态或固态金属有机化合物的用途。
39、根据权利要求38所述的将起泡器用于输送固态金属有机化合物的用途。
CN2006800429330A 2005-11-17 2006-10-12 用于通过运载气体输送物质的改进的起泡器 Active CN101310042B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0523429.9 2005-11-17
GB0523429A GB2432371B (en) 2005-11-17 2005-11-17 Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas
PCT/GB2006/003801 WO2007057631A2 (en) 2005-11-17 2006-10-12 Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101310042A true CN101310042A (zh) 2008-11-19
CN101310042B CN101310042B (zh) 2011-06-29

Family

ID=35580219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800429330A Active CN101310042B (zh) 2005-11-17 2006-10-12 用于通过运载气体输送物质的改进的起泡器

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8272626B2 (zh)
EP (1) EP1951930B1 (zh)
JP (1) JP5133254B2 (zh)
KR (1) KR101303271B1 (zh)
CN (1) CN101310042B (zh)
GB (1) GB2432371B (zh)
TW (1) TWI331054B (zh)
WO (1) WO2007057631A2 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8272626B2 (en) 2005-11-17 2012-09-25 Sigma-Aldrich Co. Llc Bubbler for the transportation of substances by a carrier gas
US9297071B2 (en) 2009-11-02 2016-03-29 Sigma-Aldrich Co. Llc Solid precursor delivery assemblies and related methods
CN106861557A (zh) * 2017-04-24 2017-06-20 中国科学技术大学 一种用于cvd固态源的挥发装置

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7601225B2 (en) 2002-06-17 2009-10-13 Asm International N.V. System for controlling the sublimation of reactants
US20070254100A1 (en) * 2006-04-26 2007-11-01 Applied Materials, Inc. MOCVD reactor without metalorganic-source temperature control
US20070254093A1 (en) * 2006-04-26 2007-11-01 Applied Materials, Inc. MOCVD reactor with concentration-monitor feedback
CN101522943B (zh) 2006-10-10 2013-04-24 Asm美国公司 前体输送系统
TWI425110B (zh) * 2007-07-24 2014-02-01 Sigma Aldrich Co 以化學相沉積法製造含金屬薄膜之方法
TWI382987B (zh) 2007-07-24 2013-01-21 Sigma Aldrich Co 應用於化學相沉積製程的有機金屬前驅物
TW200949939A (en) * 2008-05-23 2009-12-01 Sigma Aldrich Co High-k dielectric films and methods of producing using titanium-based β -diketonate precursors
TWI467045B (zh) * 2008-05-23 2015-01-01 Sigma Aldrich Co 高介電常數電介質薄膜與使用鈰基前驅物製造高介電常數電介質薄膜之方法
US8348248B2 (en) * 2009-03-11 2013-01-08 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Bubbling supply system for stable precursor supply
KR101538982B1 (ko) 2009-08-07 2015-07-23 시그마-알드리치 컴퍼니., 엘엘씨 고분자량 알킬알릴 코발트트리카르보닐 착체 및 유전체 박막 제조를 위한 그 용도
KR101877419B1 (ko) * 2011-03-30 2018-07-11 (주)이룸바이오테크놀러지 1-메틸시클로프로펜 발생 장치
US8927748B2 (en) 2011-08-12 2015-01-06 Sigma-Aldrich Co. Llc Alkyl-substituted allyl carbonyl metal complexes and use thereof for preparing dielectric thin films
DE102012021527A1 (de) * 2012-10-31 2014-04-30 Dockweiler Ag Vorrichtung zur Erzeugung eines Gasgemisches
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
KR101427199B1 (ko) * 2013-05-23 2014-08-07 한국기초과학지원연구원 ＭＯＣＶＤ 공정용 ＴＭＩｎ 증착 용기
US9957612B2 (en) 2014-01-17 2018-05-01 Ceres Technologies, Inc. Delivery device, methods of manufacture thereof and articles comprising the same
KR20150143158A (ko) 2014-06-13 2015-12-23 이현식 고체 전구체용 버블러
DE102015108430A1 (de) 2015-05-28 2016-12-01 Dockweiler Ag Vorrichtung zur Erzeugung eines Gases mit einer ringzylindrischen Reaktionskammer
US10480070B2 (en) * 2016-05-12 2019-11-19 Versum Materials Us, Llc Delivery container with flow distributor
US11926894B2 (en) 2016-09-30 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
US10876205B2 (en) 2016-09-30 2020-12-29 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
KR102344996B1 (ko) * 2017-08-18 2021-12-30 삼성전자주식회사 전구체 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
JP7376278B2 (ja) 2018-08-16 2023-11-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 固体原料昇華器
US11624113B2 (en) 2019-09-13 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Heating zone separation for reactant evaporation system

Family Cites Families (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1541853A (en) * 1919-06-09 1925-06-16 Westinghouse Electric & Mfg Co Absorption bulb
US1372328A (en) * 1920-03-29 1921-03-22 Adams Fred Dispensing container or bottle
US2738762A (en) * 1951-10-08 1956-03-20 Ohio Commw Eng Co Apparatus for the deposition of nonconductive copper coatings from vapor phase
US3230245A (en) * 1961-08-31 1966-01-18 Standard Oil Co Recovery of alkyl borate from methanol-alkyl borate mixtures
FR1458099A (fr) 1965-01-08 1966-03-04 Perfectionnements aux dispositifs doseurs
US3338761A (en) * 1965-03-31 1967-08-29 Texas Instruments Inc Method and apparatus for making compound materials
GB1277025A (en) * 1968-09-23 1972-06-07 British Insulated Callenders Improvements in or relating to apparatus for applying powder to an elongate article
US3628339A (en) 1970-01-27 1971-12-21 Beckman Instruments Inc Fluid sample stream conditioning
US3756068A (en) * 1971-04-30 1973-09-04 Us Army Carbon dioxide concentration sensor
US3831069A (en) * 1972-11-03 1974-08-20 Robertshaw Controls Co Miniature capacitance level detector
US3935740A (en) * 1974-06-20 1976-02-03 Sybron Corporation Liquid level probe
US3884819A (en) * 1974-08-19 1975-05-20 Ozone Inc Gas cooling and drying system for corona discharge ozone generating unit
US4010650A (en) * 1974-12-26 1977-03-08 Ford Motor Company Apparatus for generating an electrical signal indicative of liquid level
US4285701A (en) * 1975-01-23 1981-08-25 Schlenker R F Method for separating isotopes using a vortex tube
US4298037A (en) * 1976-12-02 1981-11-03 J. C. Schumacher Co. Method of shipping and using semiconductor liquid source materials
US4099939A (en) * 1977-07-20 1978-07-11 Mine Safety Appliances Company Spill-proof gas sampler
US4140735A (en) * 1977-08-15 1979-02-20 J. C. Schumacher Co. Process and apparatus for bubbling gas through a high purity liquid
US4325911A (en) * 1978-01-23 1982-04-20 International Telephone And Telegraph Corporation Stack gas analyzer and thermal oxidation device therefor
US4211748A (en) * 1978-01-23 1980-07-08 International Telephone And Telegraph Corporation Stack gas analyzer and thermal oxidation device therefor
US4191541A (en) * 1978-08-14 1980-03-04 Container Corporation Of America Method and apparatus for gas sample analysis
US4293009A (en) * 1978-09-12 1981-10-06 Fulton Hugh C Pressurized gas filling head
US4224828A (en) * 1978-12-04 1980-09-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Non-spill gas-liquid contact unit
DE3029352C2 (de) * 1980-08-01 1982-12-23 Endress U. Hauser Gmbh U. Co, 7867 Maulburg Kapazitive Füllstandsmeßanordnung mit einer stabförmigen Sonde für die Messung des Füllstandes in einem Behälter
US4448072A (en) * 1982-02-03 1984-05-15 Tward 2001 Limited Fluid level measuring system
SU1126315A1 (ru) 1983-05-20 1984-11-30 Гродненское Ордена Дружбы Народов Производственное Объединение "Азот" Им.С.О.Притыцкого Барботер дл реакционных аппаратов
FR2569207B1 (fr) * 1984-08-14 1986-11-14 Mellet Robert Procede et dispositif d'obtention d'un courant gazeux contenant un compose a l'etat de vapeur, utilisable notamment pour introduire ce compose dans un reacteur d'epitaxie
US4645524A (en) * 1985-04-22 1987-02-24 Corning Glass Works Method for making sodium-containing glass
US4859375A (en) * 1986-12-29 1989-08-22 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical refill system
US4919304A (en) * 1985-08-01 1990-04-24 American Cyanamid Company Bubbler cylinder device
US4966207A (en) * 1986-12-29 1990-10-30 Air Products And Chemicals, Inc. Disposable chemical container
DE3702923A1 (de) * 1987-01-31 1988-08-11 Philips Patentverwaltung Vorrichtung zum anreichern eines traegergases mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes
US4738693A (en) 1987-04-27 1988-04-19 Advanced Technology Materials, Inc. Valve block and container for semiconductor source reagent dispensing and/or purification
US5031068A (en) * 1987-11-06 1991-07-09 Hansen Technologies Corporation Liquid level control system for refrigeration apparatus
US4809129A (en) * 1987-11-06 1989-02-28 Hansen Technologies Corporation Liquid level control system for refrigeration apparatus
JPH01168331A (ja) * 1987-12-24 1989-07-03 Mitsui Toatsu Chem Inc 有機金属化合物の飽和方法
DE3801147A1 (de) * 1988-01-16 1989-07-27 Philips Patentverwaltung Vorrichtung zum erzeugen eines mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes angereicherten gasstroms
US4886178A (en) 1988-04-27 1989-12-12 Air Products And Chemicals, Inc. Method and apparatus for packaging, shipping and using poisonous liquids
JPH0269389A (ja) * 1988-08-31 1990-03-08 Toyo Stauffer Chem Co 有機金属気相成長法における固体有機金属化合物の飽和蒸気生成方法
DE3900069A1 (de) 1989-01-03 1990-07-05 Metallgesellschaft Ag Verfahren zur gewinnung von elementarem schwefel aus elementaren schwefel enthaltendem material
US4915880A (en) * 1989-05-22 1990-04-10 Advanced Delivery & Chemical Systems Incorporated Container for a bubbler
SU1669524A1 (ru) 1989-07-24 1991-08-15 Ярославский политехнический институт Смеситель барботажного типа
DE69027496T2 (de) 1989-09-26 1996-10-31 Canon Kk Gasversorgungsvorrichtung und ihre Verwendung für eine Filmabscheidungsanlage
US5078922A (en) * 1990-10-22 1992-01-07 Watkins-Johnson Company Liquid source bubbler
US5262130A (en) 1990-12-07 1993-11-16 Baker Hughes Inc. Fixed bed chemical reactor
US5199603A (en) * 1991-11-26 1993-04-06 Prescott Norman F Delivery system for organometallic compounds
US5217904A (en) * 1992-01-10 1993-06-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Department Of Commerce Apparatus and method for evaporative concentration of a liquid sample
US5235112A (en) * 1992-05-29 1993-08-10 Exxon Chemical Patents Inc. Stripper-reactor for volatile cobalt recovery
RU2045999C1 (ru) 1992-07-03 1995-10-20 Северо-Кавказский горно-металлургический институт Ротационный барботер
US6029717A (en) * 1993-04-28 2000-02-29 Advanced Delivery & Chemical Systems, Ltd. High aspect ratio containers for ultrahigh purity chemicals
US5481197A (en) 1993-09-17 1996-01-02 Penberthy, Inc. High pressure, leak resistant explosionproof capacitance probe
JPH07211646A (ja) 1994-01-14 1995-08-11 Mitsubishi Electric Corp 材料供給装置
JPH07278818A (ja) * 1994-04-14 1995-10-24 Murata Mfg Co Ltd Ｃｖｄ粉体原料用気化器
KR100353297B1 (ko) * 1994-06-13 2003-01-29 지요다 가꼬겐세쓰 가부시키가이샤 기액접촉용기체분산관과이것을사용하는기액접촉방법및장치
JP2996101B2 (ja) 1994-08-05 1999-12-27 信越半導体株式会社 液体原料ガスの供給方法および装置
KR960010901A (ko) * 1994-09-30 1996-04-20 김광호 고체 유기화합물 전용 버블러 장치
SE505324C2 (sv) 1994-11-14 1997-08-04 Gems Pet Systems Ab Framställning av 11C-metyljodid
US5653813A (en) * 1995-04-03 1997-08-05 Novellus Systems, Inc. Cyclone evaporator
JPH08279497A (ja) * 1995-04-07 1996-10-22 Hitachi Ltd 半導体製造装置および半導体装置
US5553395A (en) * 1995-05-31 1996-09-10 Hughes Aircraft Company Bubbler for solid metal organic source material and method of producing saturated carrying gas
TW314637B (zh) * 1995-07-27 1997-09-01 Toshiba Co Ltd
US5701084A (en) 1995-09-22 1997-12-23 Magnetrol International, Inc. Insulated capacitance probe
US5607581A (en) * 1995-10-31 1997-03-04 Systec, Inc. Debubbling and priming system for chromotography
US5835678A (en) 1996-10-03 1998-11-10 Emcore Corporation Liquid vaporizer system and method
JPH10135315A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Tokyo Electron Ltd 試料載置台の温度制御装置及び検査装置
KR100364115B1 (ko) * 1996-12-17 2002-12-11 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 화학 증착용 시약 공급 용기
US6148681A (en) 1997-01-06 2000-11-21 Rosemount Inc. Level probe with modular connection
US6078729A (en) * 1997-10-21 2000-06-20 National Environmental Products Ltd., Inc. Foam, drain and fill control system for humidifier
US6053984A (en) 1997-11-17 2000-04-25 Petvai; Steve I. Method and apparatus for decomposition of silicon oxide layers for impurity analysis of silicon wafers
US5992830A (en) * 1997-12-15 1999-11-30 Olin Corporation High pressure quartz glass bubbler
US6039809A (en) 1998-01-27 2000-03-21 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Method and apparatus for feeding a gas for epitaxial growth
DE19803740C2 (de) * 1998-01-30 2001-05-31 Mtu Aero Engines Gmbh Gasphasenbeschichtungsverfahren und Vorrichtung zur Gasphasenbeschichtung von Werkstücken
JP2000128181A (ja) 1998-10-26 2000-05-09 Applied Materials Inc 液体貯蔵容器および液体残量検知方法
IL150315A (en) 1998-11-30 2010-12-30 Air Prod & Chem Ultrasonic level sense in a chemical refill system
US6257446B1 (en) * 1999-02-18 2001-07-10 Advanced Micro Devices, Inc. Liquid chemical container with integrated fluid reservoir
US7423750B2 (en) * 2001-11-29 2008-09-09 Applera Corporation Configurations, systems, and methods for optical scanning with at least one first relative angular motion and at least one second angular motion or at least one linear motion
US6444038B1 (en) * 1999-12-27 2002-09-03 Morton International, Inc. Dual fritted bubbler
JP3909792B2 (ja) * 1999-08-20 2007-04-25 パイオニア株式会社 化学気相成長法における原料供給装置及び原料供給方法
GB9929279D0 (en) * 1999-12-11 2000-02-02 Epichem Ltd An improved method of and apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to a plurality of epitaxial reactor sites
US6599484B1 (en) * 2000-05-12 2003-07-29 Cti, Inc. Apparatus for processing radionuclides
DE60106675T2 (de) 2000-05-31 2005-12-01 Shipley Co., L.L.C., Marlborough Verdampfer
GB0017968D0 (en) * 2000-07-22 2000-09-13 Epichem Ltd An improved process and apparatus for the isolation of pure,or substantially pure,organometallic compounds
US6341615B1 (en) * 2000-09-13 2002-01-29 Air Products And Chemicals, Inc. Self-cleaning vacuum purge system
DE10048759A1 (de) 2000-09-29 2002-04-11 Aixtron Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPD
US6401463B1 (en) * 2000-11-29 2002-06-11 Marconi Communications, Inc. Cooling and heating system for an equipment enclosure using a vortex tube
US6718126B2 (en) * 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
TW200300701A (en) * 2001-11-30 2003-06-16 Asml Us Inc High flow rate bubbler system and method
US6986814B2 (en) * 2001-12-20 2006-01-17 General Electric Company Gas distributor for vapor coating method and container
JP2003273093A (ja) 2002-03-12 2003-09-26 Canon Inc 固体有機金属の供給方法及びその供給装置
AU2003228514A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-27 Sequenom, Inc. Methods and devices for performing chemical reactions on a solid support
US7601225B2 (en) * 2002-06-17 2009-10-13 Asm International N.V. System for controlling the sublimation of reactants
KR20040000689A (ko) * 2002-06-25 2004-01-07 삼성전자주식회사 화학기상 증착공정의 원료물질 공급장치
GB0216502D0 (en) 2002-07-17 2002-08-28 Epichem Ltd A method and apparatus for monitoring liquid levels within a vessel
US7186385B2 (en) * 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
JP2005533266A (ja) 2002-07-17 2005-11-04 エピケム リミテッド 容器内の液体レベルを監視するための方法および装置
US7077388B2 (en) * 2002-07-19 2006-07-18 Asm America, Inc. Bubbler for substrate processing
US6921062B2 (en) * 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
US7300038B2 (en) 2002-07-23 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
US7547363B2 (en) * 2003-07-08 2009-06-16 Tosoh Finechem Corporation Solid organometallic compound-filled container and filling method thereof
US7261118B2 (en) * 2003-08-19 2007-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Method and vessel for the delivery of precursor materials
US7156380B2 (en) * 2003-09-29 2007-01-02 Asm International, N.V. Safe liquid source containers
DE502004012396D1 (de) * 2004-02-20 2011-05-26 Cs Clean Systems Ag Vorrichtung und Verfahren zum Nachfüllen eines Blasenverdampfers
US20050227358A1 (en) * 2004-04-01 2005-10-13 Mcentee John F Methods of determining a quality of an array substrate
RU2274483C2 (ru) 2004-05-17 2006-04-20 Открытое акционерное общество "НПО "Промавтоматика" Способ определения удельного уноса абсорбента при осушке природного или попутного газа и устройство для его автоматического осуществления
CN1954094A (zh) * 2004-05-20 2007-04-25 阿克佐诺贝尔股份有限公司 用于固体化学制品持续蒸汽发送的起泡器
DE202004010834U1 (de) 2004-06-18 2004-09-23 Dockweiler Ag Vorrichtung zur Temperierung eines Gutes in einer zylindrischen Kammer
US7458222B2 (en) 2004-07-12 2008-12-02 Purity Solutions Llc Heat exchanger apparatus for a recirculation loop and related methods and systems
US20060037540A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Delivery system
WO2006031905A1 (en) * 2004-09-14 2006-03-23 Midwest Instrument Company, Inc. Molten metal gas sampling
FR2878453B1 (fr) * 2004-11-30 2007-03-16 Centre Nat Rech Scient Cnrse Dispositif de fourniture de vapeurs d'un precurseur solide a un appareil de traitement
US7722720B2 (en) * 2004-12-08 2010-05-25 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Delivery device
EP1866074A4 (en) * 2005-03-16 2017-01-04 Entegris Inc. System for delivery of reagents from solid sources thereof
EP1866458A4 (en) * 2005-03-17 2010-10-20 Noah Prec Llc TEMPERATURE CONTROL UNIT FOR BUBBLER
US7464917B2 (en) 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
GB2432371B (en) 2005-11-17 2011-06-15 Epichem Ltd Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas
JP4894334B2 (ja) 2006-04-06 2012-03-14 横浜ゴム株式会社 タイヤ接地部付近の表面形状検出方法と装置及び表面形状測定方法
US7967911B2 (en) * 2006-04-11 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for chemical vapor deposition
EP1860208B1 (en) 2006-05-22 2014-10-15 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Film deposition method
WO2007149696A1 (en) * 2006-06-23 2007-12-27 Applera Corporation Systems and methods for cooling in biological analysis instruments
US9109287B2 (en) * 2006-10-19 2015-08-18 Air Products And Chemicals, Inc. Solid source container with inlet plenum
US8708320B2 (en) * 2006-12-15 2014-04-29 Air Products And Chemicals, Inc. Splashguard and inlet diffuser for high vacuum, high flow bubbler vessel
WO2008091694A2 (en) 2007-01-23 2008-07-31 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Fully-automated microfluidic system for the synthesis of radiolabeled biomarkers for positron emission tomography
JP4912984B2 (ja) 2007-08-27 2012-04-11 株式会社大都製作所 紙幣搬送路の接続ユニット
US20090120364A1 (en) * 2007-11-09 2009-05-14 Applied Materials, Inc. Gas mixing swirl insert assembly
US8820095B2 (en) * 2007-12-21 2014-09-02 Finisar Corporation Vortex-based temperature control system and method
JP4612105B2 (ja) 2009-10-29 2011-01-12 矢崎総業株式会社 復帰安全確認方法および電子式ガスメータ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8272626B2 (en) 2005-11-17 2012-09-25 Sigma-Aldrich Co. Llc Bubbler for the transportation of substances by a carrier gas
US9297071B2 (en) 2009-11-02 2016-03-29 Sigma-Aldrich Co. Llc Solid precursor delivery assemblies and related methods
CN106861557A (zh) * 2017-04-24 2017-06-20 中国科学技术大学 一种用于cvd固态源的挥发装置
CN106861557B (zh) * 2017-04-24 2023-03-10 中国科学技术大学 一种用于cvd固态源的挥发装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101310042B (zh) 2011-06-29
WO2007057631A2 (en) 2007-05-24
KR101303271B1 (ko) 2013-09-03
GB0523429D0 (en) 2005-12-28
JP5133254B2 (ja) 2013-01-30
GB2432371B (en) 2011-06-15
GB2432371A (en) 2007-05-23
WO2007057631A3 (en) 2008-05-29
EP1951930A2 (en) 2008-08-06
KR20080075186A (ko) 2008-08-14
EP1951930B1 (en) 2013-07-10
US8272626B2 (en) 2012-09-25
TWI331054B (en) 2010-10-01
TW200719949A (en) 2007-06-01
JP2009516079A (ja) 2009-04-16
US20080251016A1 (en) 2008-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101310042B (zh) 用于通过运载气体输送物质的改进的起泡器
Krüger et al. Microbial processes influencing methane emission from rice fields
CN101423937B (zh) 多种气体同心注射喷头
US8170404B2 (en) Bubbler for constant vapor delivery of a solid chemical
JP5091380B2 (ja) 前駆物質を複数のエピタキシャル・リアクター部に供給するための方法および装置
US9297071B2 (en) Solid precursor delivery assemblies and related methods
CN105441904A (zh) 气体喷淋装置、化学气相沉积装置和方法
TW200619415A (en) Multi-gas distribution injector for chemical vapor deposition reactors
CN109666921A (zh) 用于原子层沉积的系统和方法
WO2006131626A3 (fr) Nebuliseur a debit nanometrique d'un effluent liquide et installation de nebulisation comportant un tel nebuliseur.
CN206901875U (zh) 一种新型膜泡式充氧生物膜反应组件
CN105483649A (zh) 一种微孔喷淋头及制作方法
WO2021126996A9 (en) Vapor delivery systems for solid and liquid materials
EP1329540A2 (en) An apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to epitaxial reactor sites
CN207031602U (zh) 一种稳定镓源反应器
JP2023540932A (ja) ２つの供給箇所を有するｃｖｄリアクタのガス入口部材
CN110643975B (zh) 一种金属有机化学源液体的蒸发输运装置
KR101311268B1 (ko) 다원계 화합물 증착용 샤워헤드
KR101501888B1 (ko) 수직 흐름 회전 디스크 리액터를 위한 밀도 매칭 알킬 압출 흐름
KR200249218Y1 (ko) 원료공급장치
CN202054638U (zh) 一种降低蒸氨废水中cn-含量的装置
JP2008114168A (ja) Ｖｏｃガスの処理装置
CN118028777A (zh) 一种用于cvd设备的气体控位传输设备及方法
JPH06151319A (ja) 気相成長用液体原料容器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant