JP2023540932A - ２つの供給箇所を有するｃｖｄリアクタのガス入口部材 - Google Patents

Abstract

本発明は、少なくとも１つの基板（４）上に少なくとも１つの層を堆積する装置及び方法に関し、ガス入口部材（１０）の少なくとも１つのガス分配空間（１１）に、少なくとも１つの反応ガスを含む第１のガス流が少なくとも１つの第１ガス入口（３９）を通して供給され、そして少なくとも１つの第２のガス流が少なくとも１つの第２のガス入口（２５，２８）を通して供給される。ガス入口部材（１０）は、プロセスチャンバ（８）に向いた、ガス分配空間（１１）と連通してそれを通して反応ガスがプロセスチャンバ（８）へと流入する多数のガス出口孔（１６）を具備するガス出口面（６１）を有し、かつ、基板（４）が、プロセスチャンバ（８）に流入した反応ガスの物理的又は化学的反応の生成物が基板（４）の表面上に層を形成するように、濃度の異なる反応ガスを含む領域がガス分配空間（１１）内に形成されるように、プロセスチャンバ（８）に配置されている。基板の膨らみにより生じる層厚の不均一を回避するために、本発明により、キャリアガスと共に異なる濃度で異なる箇所にてガス入口（２５，２８）を通して反応ガスがガス分配室（１１）に供給される。

Description

本発明は、少なくとも１つの基板上に少なくとも１つの層を堆積するための方法に関し、少なくとも１つの反応ガスを含む第１のガス流が少なくとも１つの第１のガス入口孔を通って、そして少なくとも１つの第２のガス流が少なくとも１つの第２のガス入口孔を通って、ガス入口部材の少なくとも１つのガス分配空間に供給され、ガス入口部材は、ガス分配空間と流体連通する複数のガス出口孔を具備してプロセスチャンバに向いたガス出口面を有し、そのガス出口面を通って反応ガスがプロセスチャンバに流入し、かつ、プロセスチャンバに流入した反応ガスの物理的又は化学的な反応の生成物が、基板の表面上に層を形成するように基板がプロセスチャンバに配置されている。ガス分配空間内において濃度の異なる反応ガスが存在する領域を形成するように両方のガス流が提供されかつ同じガス分配空間に供給される

本発明はさらに、少なくとも１つの基板上に少なくとも１つの層を堆積するための装置に関し、装置は、ガス入口部材のガス分配空間と流体連通する複数のガス出口孔を具備してプロセスチャンバに向いたガス出口面を有するガス入口部材と、コーティングされる基板を受容するためにプロセスチャンバに向いた担持面を有するサセプタと、ガス混合システムと、を備え、ガス混合システムは、マスフローコントローラと、反応ガス用の少なくとも１つのガスソースと、キャリアガス用のガスソースと、を有し、ガス混合システムを用いて、反応ガスを含む第１のガス流を提供可能かつ第１の供給管に供給可能であり、第１の供給管は、少なくとも１つの第１のガス入口孔によりガス分配空間に開口し、そして、ガス混合システムを用いて、第２のガス流を提供可能かつ第２の供給管に供給可能であり、第２の供給管は第２のガス入口孔により同じガス分配空間に開口する。

特許文献１は、基板上に層を堆積する方法及び装置を記載し、ガス入口部材のガス分配空間において中心領域に、反応ガスを含む第１のガス流が供給される。複数の周囲の箇所において、同じガス分配空間に希釈ガスが供給される。

特許文献２は、ガス入口部材のガス分配空間の中心領域に第１のガス入口孔を通って第１のガス流が供給される方法及び装置を記載している。複数の第２のガス入口孔を通って第２のガス流が中心領域に供給され得る。

キャリアガスと共に反応ガスがガス入口部材を通ってプロセスチャンバに供給される装置及び方法は、さらに、特許文献３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７から知られている。先行技術においては、シャワーヘッドの形態のガス入口部材を有するＣＶＤリアクタがある。ガス入口部材内に、ガス出口面の全表面に亘って、又はガス出口面のセグメントもしくはサブセクションに亘ってのみ延在し得る１又はそれ以上のガス分配空間がある。ガス分配空間には供給管が開口し、それを通って反応ガスとキャリアガス又は不活性ガスとからなり得る混合ガスであり得るプロセスガスを、ガス分配空間に供給することができる。プロセスガスは、均等に分割された小さいガス流にてガス出口面のガス出口孔を通ってプロセスチャンバに流入できるように、ガス分配空間の内部において実質的に均等に分配される。プロセスガスは、ガス分配空間の内部で均一に分布している。
先行技術においてガス分配空間の配置は公知であり、複数のガス分配空間が、ガス入口部材の幾何学的中心の周囲に同心状に、又は帯状に互いに平行に配置されることが知られている。異なるガス分配空間には、異なるプロセスガスを供給でき、そして特に反応ガスとキャリアガスの混合比のみが異なるプロセスガスもまた供給できる。そのようなガス分配空間の配置によって、プロセスチャンバの内部においてキャリアガス中の反応ガスの濃度勾配を設定することができる。ガス分配空間の境界上では、プロセスチャンバ内においてプロセスガスの反応ガスの濃度に大きな差が生じ得る。

例えばＧａＮ層もしくはＧａＡｌＮ層又は層系であるIII－Ｖ層の堆積のための装置において、ガス出口孔を通ってプロセスガスが、基板が配置されているプロセスチャンバ内に供給される。基板は、加熱されたサセプタ上に載置される。順次行われるプロセスステップにおいて複数の層を互いに上下に堆積することができる。それらのプロセスステップは、異なる温度で実行することができる。幾つかのプロセスにおいては、サセプタ上に１つの基板のみが載置されることもあり、それはガス出口面と同心に配置される。
加熱されたサセプタにより付与される熱流によって基板が撓むことが見られる。その場合、基板の中心領域は、ガス出口面とは反対向きに撓んだり、ガス出口面に向かって撓んだりし得る。いずれの場合も、中心領域における基板表面からガス出口面までの距離が変化する。その距離は、中心部と周囲部で異なる。その結果、中心部における層は、周囲部における層とは異なる成長速度で堆積される。撓みの向きによって、堆積された層は、中心部において周囲部よりも厚く又は薄くなり得る。

米国特許出願公開第2007 / 0218200号明細書 米国特許出願公開第2016/ 0194756号明細書 米国特許第6,756,235号明細書 米国特許出願公開第2018/350562号明細書 米国特許出願公開第2017/194172号明細書 米国特許出願公開第2018/135177号明細書 国際公開第2017/200696号 米国特許出願公開第2016/340781号明細書 米国特許出願公開第2016/020074号明細書 米国出願公開第2013/299009号明細書 米国特許出願公開第2011/033638号明細書 米国特許出願公開第2007/251642号明細書 国際公開第2006/020424号 国際公開第01/04931号 米国特許第6,161,500号明細書 欧州特許第0 821 084号明細書 欧州特許第0 550 058号明細書

本発明は、撓みにより生じる半径方向の層厚の不均一性に対処し得る手段を設けることを目的とする。本発明のさらなる目的は、プロセスチャンバ内におけるプロセスガス中の反応ガスの小さい濃度勾配を設定できる手段を特定することである。

その目的は、請求項で特定される本発明により達成され、従属項は独立項に記載された主題の有利な発展を表すのみでなく、目的の独立した解決手段でもある。

ガス分配空間に第１のガス入口孔が開口し、それを用いて少なくとも１つの反応ガスを含む第１のガス流をガス分配空間に供給できること、及び、同じガス分配空間に第２のガス入口孔が開口し、それを用いて第２のガス流をガス分配空間に供給できることが、先ず本質的に提示される。

本発明の第１の態様によれば、両方のガス流が、異なる濃度の異なる反応ガス又は同じ反応ガスを含むことが提示される。本発明の第２の態様によれば、１つの第１のガス入口孔又は複数の第１のガス入口孔が中心領域に配置され、そして、複数の第２のガス入口孔が周囲領域に配置されている。その場合、ガス入口孔から出て来るガス流が、ガス出口面の中心に対する周方向においてキャリアガス中の反応ガスの濃度が一定であるように、第１及び第２のガス入口孔が配置されかつ第１及び第２のガス流が調整される。一方、中心に対する半径方向においては、キャリアガス中の反応ガスの濃度が異なっているべきである。このような実施形態及び方法により、例えば、基板の撓みの方向に応じて、中心領域において周囲領域よりも高い又は低い分圧が存在するように、プロセスチャンバ内のIII族成分の分圧を半径方向において調整することができ、それによって中心領域の成長速度を周囲領域のそれよりも大きく又は小さくできるようにする。

したがって、ガス分配空間内に少なくとも２つのガス入口孔が設けられ、それを通ってガス又は異なる組成のガス混合物がガス空間に供給されることが提示される。このことは、ガス分配空間内でガスが均一に混合されるのではなく、ガス分配空間内で少なくとも１つの反応ガスの濃度の異なる領域が形成されるように行われる。その結果、濃度の異なる反応ガスを含む領域では、その領域に割り当てられたガス出口孔を通って濃度の異なる反応ガスを含むガス流がプロセスチャンバに流入する。両方のガス入口孔の間には、好ましくは、隔壁、フローバリア、又は縮小断面領域等がなく、それによってガス分配空間内の領域間に緩慢な濃度勾配を形成し得る。しかしながら、ガス分配空間内に延在する制限プレートを設けることができ、それは、例えば多孔プレート又は多孔でガス透過性の材料からなるガラスフリットとすることができる。プロセスチャンバ内には、小さい濃度勾配が形成される。

本発明の上述した形態において、別のガスが第２の反応ガスを含むことが提示される。第２の反応ガスは、第１の反応ガスと同じとすることができ、又は、同じ主族の異なる元素を有することができる。別の点において第１の反応ガスとは異なっているものでもよい。さらに、別のガスは、キャリアガスのみ又は不活性ガスのみとすることができる。しかしながら、同じ反応ガスであるがキャリアガスによる希釈度の異なるものが両方のガス入口孔を通してガス分配空間に供給される変形態様が好ましい。
したがって、本発明は、同じガス分配空間に２つの互いに異なる箇所にて同じ反応ガスが、しかしながらキャリアガスに対する反応ガスの混合比がそれぞれ異なるものが供給されることによって、ガス分配空間内に濃度勾配が形成される装置及び方法に関する。さらに、ガス分配空間が幾何学的中心を有すること、及び、１又はそれ以上の第１のガス入口孔がその幾何学的中心又はその周囲に配置されることが提供される。１又はそれ以上の第２のガス入口孔は、幾何学的中心から離れた箇所に配置することができる。ガス分配空間内には、１又はそれ以上のガス分配要素を配置することができる。

第１のガス流は、第１の供給箇所においてガス分配空間に供給し得る。その供給箇所は、ガス入口孔を形成し得る。しかしながら、複数のガス入口孔を形成するガス分配要素を、供給箇所と連通させることもできる。第１の供給箇所の周囲に、１又はそれ以上の別のガス分配要素を配置することができ、それを用いて第２のガス流をガス分配空間に供給できる。第２のガス流は、第２の供給箇所においてガス分配要素に供給される。それは、ガス分配要素に形成されたガス入口孔を通ってガス分配空間に流入する。これらの孔は、幾何学的中心の周囲に環状配置で延在し得る。しかしながら、幾何学的中心の周囲に均一に分布し幾何学的中心に対して均等な距離に配置される複数の別の供給箇所も提供できる。その場合、その別の供給箇所において別のガスをガス分配空間に直接供給することもできる。しかしながら、その別のガスを平面的又は直線的にガス分配空間へ分配するガス分配要素に供給することもできる。さらに、第１の供給箇所において、プロセスガスを局所的に供給することもできる。また、ここでは、第１のプロセスガスをガス分配空間の中心領域に大面積で分配する、その領域に配置されたガス分配要素に供給を行うことも可能である。

特に、ガス分配空間の内部において反応ガスの半径方向の濃度勾配が調整され、方位角方向の濃度勾配を消失させ得るように、ガス分配要素が配置されることが提供される。本発明による装置又は本発明による方法は、特に、大面積基板上にIV－IV層、III－Ｖ層、又はII－VI層を堆積するのに適している。好ましくは、ガス出口面よりも僅かだけ小さい面積をもつ基板が用いられる。ガス出口面は、好ましくは、少なくとも基板の表面全体に亘って延在する。ガス分配空間の断面は、ガス出口面の全体に亘って延在することができる。本発明の変形態様によれば、２つ又はそれ以上のガス分配空間が、ガス出口面の部分面に亘ってそれぞれ延在することが提供される。また、ここでは、１又はそれ以上のガス分配空間の各々が、１つの第１の供給箇所と少なくとも１つの別の供給箇所とを有し、それらの箇所において異なる組成をもつガス混合物を供給し得る。

先行技術では、複数のガス分配空間が互いに隣接して帯状に走るガス入口部材が記載されている。プロセスチャンバ内で上述した効果を生じるために、これらの複数の互いに平行に走るガス分配空間に、異なる組成のプロセスガスが異なる供給箇所において供給される。例えば、中央の細長いガス分配空間は、ガス入口部材の幾何学的中心を通って又はほぼ通って走るように設けることができる。中央のガス分配空間の中心に第１の供給箇所を設け、ガス分配空間の両端にそれぞれ第２の供給箇所を設けることができる。両方の供給箇所は、それぞれガス入口孔を形成できる。しかしながら、供給箇所において、ガス入口孔を具備するガス分配要素を設けることもできる。これらの中央のガス分配空間に加えて、別の類似形状の細長いガス分配空間が、ガス入口部材の縁部に延在している。これらのガス分配空間の各々が、１つの中心の供給箇所と、その両端の各第２の供給箇所とを有する。それら両方の、好ましくはガス入口部材の縁部に配置された第２の供給箇所を通して、組成の異なる又はキャリアガス中の濃度の異なる反応ガスを供給することができる。

本発明は、複数の部分ガス空間が同心状の列で配置された、そのようなガス入口部材に関して実現することもできる。本発明によれば、ガス出口面のガス出口孔から出て来るガス流が、ガス出口面の中心に対し半径方向において濃度の異なる反応ガスを含むように、供給箇所又はそれと流体連通するガス分配要素が配置されている。供給箇所又はそれに割り当てられたガス分配要素は、ガス出口孔を出るガス流が、ガス出口面の中心に対し方位角方向において一定の濃度の反応ガスを含むように配置することもできる。

しかしながら、ガス出口孔から出るガス流がガス出口面の全表面内で異なる濃度の反応ガスを含むように、複数の供給箇所又はその供給箇所に開口する供給管と流体連通するガス分配要素が配置されることも提供できる。このためには、反応ガスが共通のガスソースから提供される場合に有利である。反応ガスは、供給管によってガス混合システムからＣＶＤリアクタに到達する。供給管は分岐することができる。第１の分岐は、第１の供給箇所においてガス分配空間又はガス分配要素に開口する。第２の分岐は、第２の供給箇所においてガス分配空間又はガス分配要素に開口する。第２の分岐において、マスフローコントローラを用いて追加のキャリアガス流が供給され、それによって、第２の分岐に供給されるプロセスガスが、第１の分岐に供給されるプロセスガスに比べて希釈される。しかしながら、第１の分岐に供給されたプロセスガス流を希釈することも可能である。しかしながら、好ましくは、希釈されたガスは、中心から離間した環状領域において供給される。その環状領域は、環形状又は馬蹄型のガス分配要素を有することができる。互いに同心状に配置された複数の環状領域を設けることができ、その各々に、ガス分配要素を用いて又はその箇所に開口する供給管を用いて、例えば希釈された反応ガスを供給することができる。

バルブ及びマスフローコントローラを制御するために、電子的制御装置を設けることができる。制御装置はプログラム可能であり、加熱装置又は排気ポンプを制御することもできる。
本発明のさらなる態様では、ガス混合システムが２つのリアクタのためのプロセスガスを提供するように設けることができる。反応ガスのマスフローを提供するためにマスフローコントローラを設けることができる。反応ガスのマスフローに対してキャリアガスを追加するために別のマスフローコントローラを用いることができる。このガス流は、第１の供給箇所において１つのガス分配空間にのみ供給されるか、又は、異なるリアクタに所属する複数の、特に２つのガス分配空間の供給箇所において２つのガス流へと分けられる。対応する方式において、ガス混合システムは、プロセスガス供給管の別の分岐に供給される小さい別のキャリアガス流も提供する。そのプロセスガス供給管は、希釈されたプロセスガスをガス分配空間に供給するために別の供給箇所に開口する。好ましくは、希釈は、約１～１０％、又は、２～１０％である。

本発明の一変形態様では、ガス分配空間を上部分と下部分に分離することができる。その分離は、上述した制限プレートを用いて行われる。制限プレートはガス透過性であるが、制限プレートを通るガスの通過には、上部分と下部分の間の小さい圧力差を必要とする。本発明の変形態様によれば、全てのガス入口孔又は全てのガス分配要素が、上部分に配置されるように設けることができる。この変形態様では、同じ反応ガスであるがキャリアガス中の濃度の異なる反応ガスが、ガス入口孔の中心又はガス分配要素の中心に対して異なる半径方向距離においてガス入口孔又はガス分配要素を通って上部分に供給される。好ましくは、III主族の元素の反応ガスである。Ｖ主族の元素のガスは、別のガス分配空間に供給することができる。さらなる変形態様によれば、中心のガス分配要素の１つの中心のガス入口孔又は複数のガス入口孔のみを通って反応ガスが、特にキャリアガスと共に供給される。ガス分配空間内で反応ガスを希釈するために、中心のガス入口孔又は中心のガス分配要素の周囲に配置された別のガス分配要素を通って、キャリアガスのみが供給される。この変形態様では、中心のガス入口孔又は中心のガス分配要素が上部分に配置される。不活性ガスであるキャリアガスのみが供給される別のガス入口孔又はガス分配要素は下部分に配置されている。

さらに別の変形形態では、方向付けされたガス流がガス入口孔からガス分配空間に流入することが提供される。その場合、ガス流が、ガス出口面の延在する方向に対し平行な方向成分を有することが提供される。ガス分配空間は、１つの上壁を有することができる。ガス流の方向成分は、その上壁の延在方向に対し平行に走ることができる。ガス流は、その上壁の延在方向に対し全体的に平行に走ることができる。さらに別の変形形態では、ガス入口孔から出て来るガス流がその上壁の向きの方向成分を有することが提供される。そのガス流は、その上壁に向かって傾斜した向きとし得る。したがって、ガス出口面から離れる向きの方向成分を有すると同時にガス出口面が延在する方向の方向成分を有し得る。好ましくは、ガス入口孔が、ガス出口面の幾何学的中心の周囲領域に規則的配置で配置されている。

以下、本発明の実施形態の例を、添付の図面を参照しながら説明する。
図１は、ＣＶＤリアクタ１を通る概略縦断面による本発明の第１の例示的実施形態である。 図２は、図１のラインＩＩ－ＩＩによる断面図である。 図３は、第２の例示的実施形態の図１と同様の図である。 図４は、第２の例示的実施形態の図２と同様の図である。 図５は、第３の例示的実施形態の図１と同様の図である。 図６は、図５の矢印ＶＩに沿った上面図である。 図７は、第４の例示的実施形態の図１と同様の図である。 図８は、図７のラインVIII－VIIIによる断面図である。 図９は、第５の例示的実施形態の図１と同様の図である。 図１０は、図９のラインＸ－Ｘによる断面図である。 図１１は、第６の例示的実施形態の図１と同様の図である。 図１２は、図１１のラインXII－XIIによる断面図である。 図１３は、第７の例示的実施形態の概略図である。 図１４は、第８の例示的実施形態の概略図である。 図１５は、第９の例示的実施形態の図１と同様の図である。 図１６は、第１０の例示的実施形態の図１と同様の図である。 図１７は、第１１の例示的実施形態の図１と同様の図である。

例示的実施形態は、それぞれ少なくとも１つのＣＶＤリアクタ１を有する配置に関し、ＣＶＤリアクタ１はガス混合システムによりプロセスガスを供給され、ＣＶＤリアクタ１にはポンプとガス洗浄装置を有し得る図示しないガス排出システムが設けられている。ＣＶＤリアクタ１は、空洞部を取り囲むハウジング壁３を具備する外部から気密にされたハウジングを有する。リアクタハウジング１の真空引き可能な空洞部の内部には、グラファイト製のサセプタ３があり、サセプタ３は、その上向きの面上に１又はそれ以上のコーティングされる基板４を担持する。円盤ディスクとして形成されたサセプタ３の下方には加熱装置５があり、それを用いてサセプタ３を、５００℃と１０００℃の間のプロセス温度に加熱することができる。

サセプタ３の上方には、プロセスチャンバ８が延在し、その中にプロセスガスが供給される。プロセスチャンバ８は、プロセスチャンバ８のいわば天井を形成するガス出口面６’によって実現され、そのガス出口面６’は、遮蔽プレート９によっ実現されている。しかしながら、遮蔽プレートに替えて、拡散プレートをそこに配置することもできる。しかし、そのガス出口面６’は、ガス入口部材１０の床板により直接的に形成されることも可能である。

例示的実施形態において、遮蔽プレート９の上方に直接的に延在するガス入口部材１０は、少なくとも１つのガス分配空間１１を有する中空体によって形成される。例示的実施形態では、ガス入口部材１０は、ガス分配空間１１の下方に延在する別のガス分配空間１３を有する。ガス入口部材１０の床板には、冷却媒体が通過して流れる冷媒室１４が隣接している。ガス分配空間１１、１３を形成する各室は、管１７、２０によりガス出口面６’と流体連通していることによって、ガス分配空間１１、１３に供給されたプロセスガスが、均一に分布する流れでガス出口面６’から出ることができる。プロセスガスは、プロセスチャンバ８に流入し、ガス出口要素６へ向かってプロセスチャンバ８を半径方向に通過して流れる。ガス出口要素６は、プロセスチャンバ８を環状に取り囲み、ガス出口７によりガス排出システムへ接続されている。概略的にのみ図示された両方のガス分配空間１１、１３は、互いに異なる反応ガスをそれぞれキャリアガスと共に供給され得る。管１７、２０を通って反応ガスが、分解したり互いに反応したりするプロセスチャンバ８に到達することによって、基板の表面上に、反応ガスの反応生成物からなる層が堆積される。

III主族の元素を含む反応ガスは、例えば水素である不活性ガスと共にガス分配空間１１に供給され得る。不活性ガスはキャリアガスを構成する。Ｖ主族の元素を含む反応ガスは、例えば水素である不活性ガスと共にガス分配空間１３に供給され得る。基板４の上方の気相中又は基板４の表面上において、両方の反応ガスの化学反応を生じることができ、それによって基板４の表面上にIII主族及びＶ主族からなる層が堆積される。その成長速度は、基板表面上での有機金属化合物とし得るIII主族の反応ガスの分圧により、又は、ガス出口面からのIII主族の反応ガスの質量流（マスフロー）により決定される。

以下、ガス分配空間１１を参照しつつ、本発明をより詳細に説明する。

ガス分配空間１１は、図１～図８及び図１５～図１７に示される第１～第４及び第９～第１１の例示的実施形態において、円形のガス出口面６’の全体に亘って延在している。ガス出口孔１６又はそれらに対応する管１６は、ガス出口面６’の全体に亘って均一に分布している。ガス分配空間１１には、少なくとも２つの異なる供給箇所１２、２３、２６において供給管３５、３６、３８が開口し、それらにより、各プロセスガスを、互いに異なる位置でガス分配空間１１に供給することができる。その場合、プロセスガスは、ガス入口孔２５、２８、３９を通ってガス分配空間１１に入る。図１～図８で説明される例示的実施形態では、ガス分配空間が、その延在する面全体に亘って一定の高さを有し、そして隔壁やガス分配空間１１の内部でガスの進行を妨げるその他の要素を有していない。図１５～図１７に示される例示的実施形態では、ガス分配空間１１の１つの領域から別の領域へ分子がゆっくりと浸透するように隔壁又は拡散もしくはフロー障壁４０が設けられる。異なる供給箇所１２、２３、２６の各々に対し、他の領域と流体連通する１つの領域が割り当てられる。

互いに異なる供給箇所１２、２３、２６において、キャリアガスを伴う反応ガスの混合物がそれぞれ供給され、供給箇所１２、２３、２６において各反応ガスとキャリアガスもしくは不活性ガスとの混合比が異なる。

その混合比は、ガス混合システムにより設定される。ガス混合比は、反応ガスのためのガスソース３０と、キャリアガスもしくは不活性ガスのためのガスソース３１とを含む。反応ガスは、II、III又はＶ主族の元素の有機金属化合物であり得る。それはまた、IV、Ｖ又はVI主族の元素の水素化物であり得る。好ましくは、それはそのようなガスの混合物である。不活性ガスは、水素、窒素又は希ガスであり得る。マスフローコントローラ３２により反応ガスのマスフローが提供され、そしてキャリアガスとマスフローコントローラ３３を用いて希釈される。そのように提供されたプロセスガスのマスフローは、ガス分配空間１１内の中心のガス入口箇所１２に開口する供給管３５と、ガス分配空間１１内の周囲のガス入口箇所２３に開口する供給管３６に分けられる。マスフローコントローラ３４を用いて供給管３６にキャリアガス流が供給されることによって、周囲のガス入口箇所２３に供給されるプロセスガスが、中心のガス入口箇所１２に供給されるプロセスガスに対して希釈される。

図１及び図２に示した例示的実施形態では、ガス分配空間１１の内部に、環形状の外形を有しかつ環状に曲げられたパイプとして形成され得るガス分配要素２４が延在している。ガス分配要素２４の壁には、周囲部のガス入口箇所２３に供給されたプロセスガスをガス分配空間１１の幾何学的中心の周囲の環状領域に供給するガス入口孔２５がある。

図１に示したガス入口箇所１２では、単一の供給管がガス分配空間１１に開口する。ガス入口箇所１２は、ここでは、ガス入口孔３９から形成される。しかしながら、ガス分配空間１１の中心において、ガス分配空間１１に複数の供給管が開口することも可能である。キャリアガスと反応ガスの混合物である第１のガス流が、１又はそれ以上のガス入口孔３９を通ってガス分配空間１１に流入することができる。さらに、中心のガス入口箇所において、環状の孔又はガス入口孔と同心の環を配置することも可能である。

ガス入口孔２５を通って、キャリアガスと反応ガスの混合物である第２のガス流がガス分配空間１１に流入する。しかしながら、その混合比は、ここでは、第１のガス流の混合比とは異なっている。

ガス出口孔１６は、格子の交点に位置することができ、その格子のセルは、長方形、正方形、六角形、多角形のいずれかを選択できる。しかしながら、ガス出口孔１６は、ガス出口面の中心の周囲の同心状のライン上に配置することもできる。

図３及び図４に示す第２の例示的実施形態は、第１の例示的実施形態とは、半径方向外側のガス分配要素２４の中に同じく環形状である半径方向内側のガス分配要素２７が配置されている点で実質的に異なる。両方のガス分配要素２４、２７は、中心のガス入口箇所１２に関して同心状に配置されている。ガス入口箇所２６には供給管３８が開口し、その供給管３８を通ってマスフローコントローラ３７を用いてキャリアガスで希釈されたプロセスガスが供給される。マスフローコントローラ３４、３７を用いて、プロセスガスの希釈の度合いを調整できることによって、ガス分配空間１１の内部に半径方向の濃度勾配が形成される。その結果、周囲のガス出口孔１６を通るものよりも、より高い濃度の反応ガスを含むプロセスガスが、ガス出口面６’の中心に配置されたガス出口孔１６を通ってプロセスチャンバ８に供給される。

図示しない例示的実施形態では、ガス分配空間１１内に２つより多い環状領域を設けることができ、各領域の領域内に延在するガス分配要素が設けられる。

ガス分配要素２４又は２７のガス入口孔２５又は２８は、それぞれガス分配要素２４、２７が延在する面に対して垂直な方向に延在することができる。ガス入口孔２５又は２８は、それぞれ横方向の孔とすることができる。しかしながら、ガス入口孔２５、２７は、ガス出口面６’の方に開口することもできる。したがって、ガス入口孔２５又は２８は、それぞれ下向きの孔とすることもできる。しかしながら、ガス入口孔２５、２８は、上向きとすることもでき、よってガス出口面６’から離れる向きの方向成分を有することもできる。

図５及び図６に示した例示的実施形態では、円形の底面を有するガス分配空間１１の幾何学的中心に配置された中心の供給箇所１２に中心のガス入口が設けられている。幾何学的中心の周囲に均一に周方向に分布して配置された複数の別の供給箇所２３が設けられている。供給箇所１２及び周囲の供給箇所２３では、それぞれ異なる混合物を含むプロセスガスをガス分配空間に直接供給することができる。

図７及び図８に示した例示的実施形態では、ガス分配空間１１の幾何学的中心に中心のガス分配要素４３が配置されている。これは、パイプ壁に配置されたガス入口孔３９を具備して環状に曲げられたパイプであり、図示しない供給管により供給され、供給箇所１２においてガス分配要素２９に開口する。中心のガス分配要素４３の周囲に、均一に周方向に分布した複数のガス分配要素２４が配置され、それらは、例示的実施形態では、同じくパイプ壁に孔２５を有する環状に曲げられたパイプにより形成されている。複数の周囲のガス分配要素２４には、同じプロセスガス、すなわちキャリアガスを伴う反応ガスの同じ混合物を供給できる。しかしながら、互いに異なるガス分配要素２４に、キャリガスを伴う反応ガスの互いに異なる混合物を供給することもできる。

各供給箇所２３に、環形状のパイプで形成された１つのガス分配要素２４が配置されている。ガス分配要素２４は、ガス入口孔３９を具備し中心のガス分配要素４３の周囲の領域に延在する。

図９及び図１０に示した例示的実施形態では、ガス入口部材１０が、帯状に配置された複数のガス分配空間１１を有する。中央のガス分配空間１１は、円形のガス入口部材１０の中心を通って直径方向に延在する。細長いガス分配空間１１の両方の長辺の各々に、別のガス分配空間１１が隣接している。複数の細長いガス分配空間１１が互いに隣合ってガス出口面６’の全体に亘って延在している。

各ガス分配空間１１はその中央に第１の供給箇所１２、１２’を有し、その箇所からプロセスガスを各ガス分配空間に供給できる。外側のガス分配空間１１を除いて、各ガス分配空間１１はさらに、その両端に、ガス出口面６’の縁部に位置する別の供給箇所２３を具備し、それらの箇所にて異なる混合物を含むプロセスガスを供給することができる。

中央の供給箇所１２は、第１のガス流を供給するためのガス入口孔３９に相当する。供給箇所２３は、それぞれ第２のガス流を供給するためのガス入口孔２５に相当する。中央の供給箇所１２、１２’、１２”は、１つの共通の供給管から供給され得る。供給箇所２３は、同様に１つの共通の供給管から供給され得る。

上述した例示的実施形態では、サセプタ３が単一の大面積の基板４を担持しているが、他の点では上述した実施形態に対応するさらなる図示しない例示的実施形態では、図１１に示すように複数の基板４をサセプタ３上に配置することができる。

図１１及び図１２に示す例示的実施形態は、ここでは馬蹄型のガス分配要素２４の形状において上述した例示的実施形態と実質的に異なる。さらにここでは、複数のガス分配要素２４が、ガス分配空間１１の幾何学的中心に対して同心状に配置されることも可能である。

この例示的実施形態では、両方の供給箇所１２及び２３に互いに異なるプロセスガスを供給できる。このために、ガスソース３０’から提供される反応ガスとガスソース３１から提供されるキャリアガスの混合物を生成するための別のマスフローコントローラ３２’、３３’が設けられている。このプロセスガス混合物は、供給管３５’によりガス分配要素２４の供給箇所２３に供給される。ガス分配要素２４は、複数の均一に配置された横方向及び下方向の両方に向いたガス入口孔２５を具備する。

図にはさらに制御装置４２が示され、それはマスフローコントローラ３２、３７、３４を、そしてガスソース３０、３１又は加熱装置５も制御するために用い得る。制御装置４２は、冒頭及び以下に記載するプロセスチャンバ内の反応ガスの濃度が達成されるように、ガス流を制御するために用いることができる。

図１３に示す例示的実施形態は、マスフローコントローラ３２、３３によって反応ガスとキャリアガスの混合物が生成されるガス混合システムの変形形態を示している。その混合物は、複数回分岐する供給管で供給される。その供給管は、先ず、第１のＣＶＤリアクタ１のガス分配空間１１の供給箇所１２に開口する供給管３５に分岐し、そして第２のＣＶＤリアクタ１’のガス分配空間１１に開口する供給管３５’に分岐する。

２つのマスフローコントローラ３４、３７が設けられ、各々を用いて、供給管３６又は３８にそれぞれ供給されるキャリアガスがプロセスガスを希釈する。供給管３６又は３８は、それぞれガス分配空間１１における供給箇所２３に開口する。ＣＶＤリアクタ１、１’は、図１～図１１に示すように構成することができる。

図１４に示した例示的実施形態では、周囲にある供給箇所２３においてキャリアガスのみがガス分配空間１１に供給されるガス混合システムのさらなる変形形態を示している。

図１５は、ガス入口孔２５がガス分配空間１１の上壁４４に対して傾斜して配向している点で図１に示した例示的実施形態と実質的に異なる例示的実施形態を示している。さらに、図１５は、例えば光学的計測器である計測器４１を示しており、それを用いて、基板４の撓みを決定することができる。その計測装置は、計測値を制御装置４２に与えることができる。撓み４の程度に応じて、個々の供給箇所１２、２３へのガス流中の反応ガスとキャリアガスの混合比を変えるために制御装置４２を用いることができる。したがって、堆積プロセス中に、ガス流の混合比が制御装置４２によって変更され、その変更は計測された基板４の撓みに依存し得る。しかしながら、その混合比は、個々のプロセスステップのタイプに依存することもあり得る。その撓みは、０．５～１ｍｍまでであり得る。

図１６は、複数の環形状のガス分配要素２４が、中心の環形状のガス分配要素４３の周囲に配置されているさらなる変形形態を示している。中心の環形状のガス分配要素４３のガス入口孔３９を通って第１のガス流を、そして周囲のガス分配要素２４のガス入口孔２５を通って複数の第２のガス流を、ガス分配空間１１の上部分に供給することができる。その上部分は、制限プレート４０によって下部分から分離されている。下部分は、管１７によりガス出口面６’と流体連通している。図１６に示した例示的実施形態では、全てのガス分配要素２４、４３が上部分に位置している。各ガス分配要素２４、４３によって反応ガスの混合物が不活性ガスと共に供給されるが、その混合比は異なる。ガス分配要素２４、４３は、共通の平面内に位置し得る。

図１７に示した例示的実施形態では、ガス分配空間１１が制限プレート４０によって上部分と下部分に分離されている。上部分には、ガス分配要素４３が配置され、それにより反応ガスが不活性ガスと共に上部分に供給される。そして下部分には、共通の平面内に位置する複数の環形状のガス分配要素２４が配置されている。ここでは、ガス分配要素２４は、ガス分配要素４３とは異なる平面内に位置する。この例示的実施形態では、下部分に配置されたガス分配要素２４によって、プロセスガスの希釈のための手段としてキャリアガスのみがガス分配空間１１の下部分に供給される。

例示的実施形態では、それらのガス分配要素は、環形状の閉じた又は馬蹄型のパイプとして示されている。しかしながら、それらのガス分配要素はまた、プロセスガスをガス分配空間に大面積で供給可能な孔を具備する壁で囲まれた空洞のような別の形状を有することもできる。

上述した内容は、出願全体が包含する発明を説明するためのものであり、これらの発明は、それぞれの場合において、少なくとも以下の特徴の組み合わせによって、先行技術を独立してさらに進展させる。ここで、２つ、複数、又はすべてのこれらの特徴の組み合わせも可能である。

ガス分配空間１１の内部に反応ガスの濃度の異なる領域を形成するように、プロセスガスとは異なる別のガスが少なくとも１つの第２の供給箇所２３、２６において同じガス分配空間に供給されることを特徴とする方法。

ガス分配空間１１の内部に反応ガスの濃度の異なる領域を形成するように、供給箇所２３、２６の開口が配置されかつマスフローコントローラ３２、３３、３４、３７が接続されていることを特徴とする装置。

両方のガス流が、キャリアガス中に異なる濃度で異なる反応ガス又は同じ反応ガスを含むことを特徴とする方法。

ガス出口孔１６から出るガス流がガス出口面６’の中心に対する方位角方向においてキャリアガス中の反応ガスが一定の濃度を有しかつ中心に対する半径方向においてキャリアガス中の反応ガスが異なる濃度を有するように、第１及び第２のガス入口孔３９、２５、２８が配置されかつ第１及び第２のガス流が調整されることを特徴とする方法。

少なくとも１つの両方のガス流がキャリアガスを含み、それにより反応ガスが希釈されるか、又は、少なくとも２つのガス流の各々がキャリアガス中に異なる濃度で反応ガスを含むことを特徴とする方法。

第２のガス入口孔２５、２８によりキャリアガスのみをガス分配空間１１に供給されることを特徴とする方法。

反応ガスがIII主族の元素を有し、第２のガス分配空間１３にＶ主族の元素を有する第２の反応ガスが供給され、２つの反応ガスがガス出口孔１６を通ってプロセスチャンバ８に供給されることを特徴とする方法。

少なくとも３つ、４つ、又は５つの同心状に中心の周囲に配置された領域において、キャリアガス中の濃度の異なる反応ガスのガス流がプロセスチャンバ８内に供給されることを特徴とする方法。

複数のガス流のうち少なくとも１つにおける反応ガスの濃度が、少なくとも１つの基板４の堆積中に変更されることを特徴とする方法。

層の堆積中、基板４の撓みが監視され、基板４の撓みの程度に応じて複数のガス流のうち少なくとも１つにおける反応ガスの濃度が変更されることを特徴とする方法。

ガス分配空間１１が制限プレート４０により上部分と下部分に分離され、第１のガス流が上部分に、そして第２のガス流が下部分に供給されるか、又は、２つのガス流が上部分に供給されることを特徴とする方法。

キャリアガス及び反応ガスからなるプロセスガス流が、１又はそれ以上のガス流に均等に分離され、かつ、希釈のための追加のキャリアガスが少なくとも１つのガス流に供給されることを特徴とする方法。

追加のキャリアガスが、プロセスガス流の最大２％又は１％であることを特徴とする方法。

第１及び／又は第２のガス流の供給のためにガス入口孔３９、２８を有するガス分配要素２４、２７、２９が用いられ、ガス入口孔３９、２８からガス流がガス分配空間１に流入し、そのガス流は、ガス出口面６’の延在する面に対して平行な方向成分及び／又はガス出口面６’から離れる向きの方向成分を有することを特徴とする方法。

両方の供給管３５；３６、３８を通って、キャリアガス中の濃度の異なる２つの互いに異なる反応ガス又は同じ反応ガスのいずれかが、ガス分配空間１１に供給されるように、マスフローコントローラ３２、３３、３４、３７が配置されていることを特徴とする装置。

反応ガスのガスソース３０が第１の供給管３５及び第２の供給管３６、３８と流体連通しかつキャリアガスのガスソース３１が第１又は第２の供給管３５；３６、３８のうち少なくとも１つと流体連通していること、又は、反応ガスの別のガスソースが第２の供給管３６、３８と流体連通していることを特徴とする装置。

第２の供給管３６、３８と流体連通する第２のガス入口孔２５、２８が、ガス出口面６’の幾何学的中心の周囲の同心状のライン上に又は同心状の領域に配置されていることを特徴とする装置。

１又はそれ以上の第２の供給管３６、３８が、ガス分配空間１１内に配置された空間であり第２のガス入口孔２５、２８を形成しているガス分配要素２４、２７、２９に開口し、かつ、１又はそれ以上のガス分配要素２４、２７、２９は、ガス出口面６’の幾何学的中心の周囲に同心状に走る領域に延在していることを特徴とする装置。

少なくとも１つの第１のガス入口孔３９がガス分配空間１１の上部分に開口し、かつ、第２の供給管３６、３８がガス分配空間１１の下部分に開口し、下部分は制限プレート４０により上部分から分離されていることを特徴とする装置。

ガス分配空間１１が、III主族の元素を含む反応ガスを収容するガスソース３０と接続されていること、及び、ガス出口面６’に配置されたガス出口孔１６と流体連通する第２のガス分配空間１３が、Ｖ主族の元素を含む第２の反応ガスを収容するガスソースと接続されていることを特徴とする装置。

１つの第１のガス入口孔３９が中心のガス入口箇所１２に割り当てられるか、又は、複数の第１のガス入口孔３９が中心のガス分配要素２９に割り当てられること、及び、第２のガス入口孔２８が少なくとも１つのガス分配要素２４、２７、２９に形成され、そのガス分配要素２４、２７、２９は、少なくとも１つのガス入口箇所２３、２６にてガス分配要素２４、２７に供給された第２のガス流を、ガス分配空間１１内に配置された空間の形態でガス分配空間に分配することを特徴とする装置。

第１又は第２のガス入口孔２５、２８、３９が、ガス分配空間１１からガス出口面６’へのガス流の流れ方向に対して垂直な方向成分及び／又はガス出口面６’から離れる向きの方向成分を有する流れ方向をもったガス流を生じさせることを特徴とする装置。

ガス分配要素２４、２７が、ガス出口面６’の幾何学的中心の周囲の同心状ラインに沿って延在し、かつ、幾何学的中心の周囲の環状領域に開口する複数のガス入口孔２５、２８を有することを特徴とする装置。

２つ、３つ、４つ又は５つのガス分配要素２９が、中心のガス入口箇所１２の周囲又は中心のガス入口要素の周囲に同心状に配置されていることを特徴とする装置。

基板４の撓みを計測可能である計測器４１が設けられ、かつ、基板４の撓みに応じて第１又は第２のガス流中の反応ガスの濃度を変更する制御装置４２が設けられることを特徴とする装置。

第１のガス流を供給するための第１の供給箇所１２がガス分配空間１１の中心に配置されること、及び、第２のガス流を供給するための２つの第２の供給箇所２３がガス分配空間１１の縁部にそれぞれ配置されていることを特徴とする装置。

開示された全ての特徴は、（それ自体のために、また互いに組み合わされて）本発明に不可欠である。ここでの出願の開示は、関連する／追加された優先権書類（先の出願の写し）の開示内容をその内容全体に含み、それはこれらの書類の特徴を本願の請求項に組み込む目的でもある。従属請求項は、特にこれらの請求項に基づいて分割出願を行うために、引用される請求項の特徴がなくても、先行技術の独立した発明性のあるさらなる発展を特徴とする。各請求項で特定された発明は、前述の説明で特定された、特に参照符号が付与された、及び／又は符号の説明で特定された、１つ以上の機能を追加で有することができる。本発明はまた、特に、それらがそれぞれの使用目的に明らかに不要であるか、または技術的に同じ効果を有する他の手段で置き換えることができる限り、前述の説明で述べた特徴の個々のものが実装されない実施形態に関する。

１ リアクタハウジング
１’ＣＶＤリアクタ
２ ハウジング壁
３ サセプタ
４ 基板
５ 加熱装置
６ ガス出口機構
６’ ガス出口面
７ ガス出口
８ プロセスチャンバ
９ 遮蔽プレート
１０ ガス入口部材
１１ ガス分配空間
１２ 中心のガス入口箇所、供給箇所
１３ ガス分配空間
１４ 冷媒室
１５ ガス出口プレート
１６ ガス出口孔
１７ 管
１８ 隔壁プレート
１９ ガス出口孔
２０ 管
２１ 隔壁プレート
２３ 周囲部のガス入口箇所、供給箇所
２４ ガス分配要素
２５ ガス入口孔
２６ 周囲のガス入口箇所
２７ ガス分配要素
２８ ガス入口孔
２９ ガス分配要素
３０ ガスソース、反応ガス
３０’ ガスソース、反応ガス
３１ ガスソース、搬送ガス／不活性ガス
３２ マスフローコントローラ
３２’ マスフローコントローラ
３３ マスフローコントローラ
３３’ マスフローコントローラ
３４ マスフローコントローラ
３５ 供給管
３５’ 供給管
３６ 供給管
３７ マスフローコントローラ
３８ 供給管
３９’ ガス入口孔
４０ 制限プレート
４１ 光学計測器
４２ 制御装置
４３ ガス分配要素
４４ 上壁

ガス分配空間１１は、図１～図８及び図１５～図１７に示される第１～第４及び第９～第１１の例示的実施形態において、円形のガス出口面６’の全体に亘って延在している。ガス出口孔１６又はそれらに対応する管１７は、ガス出口面６’の全体に亘って均一に分布している。ガス分配空間１１には、少なくとも２つの異なる供給箇所１２、２３、２６において供給管３５、３６、３８が開口し、それらにより、各プロセスガスを、互いに異なる位置でガス分配空間１１に供給することができる。その場合、プロセスガスは、ガス入口孔２５、２８、３９を通ってガス分配空間１１に入る。図１～図８で説明される例示的実施形態では、ガス分配空間が、その延在する面全体に亘って一定の高さを有し、そして隔壁やガス分配空間１１の内部でガスの進行を妨げるその他の要素を有していない。図１５～図１７に示される例示的実施形態では、ガス分配空間１１の１つの領域から別の領域へ分子がゆっくりと浸透するように隔壁又は拡散もしくはフロー障壁４０が設けられる。異なる供給箇所１２、２３、２６の各々に対し、他の領域と流体連通する１つの領域が割り当てられる。

ガス分配要素２４又は２７のガス入口孔２５又は２８は、それぞれガス分配要素２４、２７が延在する面に対して垂直な方向に延在することができる。ガス入口孔２５又は２８は、それぞれ横方向の孔とすることができる。しかしながら、ガス入口孔２５、２８は、ガス出口面６’の方に開口することもできる。したがって、ガス入口孔２５又は２８は、それぞれ下向きの孔とすることもできる。しかしながら、ガス入口孔２５、２８は、上向きとすることもでき、よってガス出口面６’から離れる向きの方向成分を有することもできる。

図７及び図８に示した例示的実施形態では、ガス分配空間１１の幾何学的中心に中心のガス分配要素４３が配置されている。これは、パイプ壁に配置されたガス入口孔３９を具備して環状に曲げられたパイプであり、図示しない供給管により供給され、供給箇所１２においてガス分配要素４３に開口する。中心のガス分配要素４３の周囲に、均一に周方向に分布した複数のガス分配要素２４が配置され、それらは、例示的実施形態では、同じくパイプ壁に孔２５を有する環状に曲げられたパイプにより形成されている。複数の周囲のガス分配要素２４には、同じプロセスガス、すなわちキャリアガスを伴う反応ガスの同じ混合物を供給できる。しかしながら、互いに異なるガス分配要素２４に、キャリガスを伴う反応ガスの互いに異なる混合物を供給することもできる。

図１５は、ガス入口孔２５がガス分配空間１１の上壁４４に対して傾斜して配向している点で図１に示した例示的実施形態と実質的に異なる例示的実施形態を示している。さらに、図１５は、例えば光学的計測器である計測器４１を示しており、それを用いて、基板４の撓みを決定することができる。その計測装置は、計測値を制御装置４２に与えることができる。撓みの程度に応じて、個々の供給箇所１２、２３へのガス流中の反応ガスとキャリアガスの混合比を変えるために制御装置４２を用いることができる。したがって、堆積プロセス中に、ガス流の混合比が制御装置４２によって変更され、その変更は計測された基板４の撓みに依存し得る。しかしながら、その混合比は、個々のプロセスステップのタイプに依存することもあり得る。その撓みは、０．５～１ｍｍまでであり得る。

第１及び／又は第２のガス流の供給のためにガス入口孔３９、２８を有するガス分配要素２４、２７、２９が用いられ、ガス入口孔３９、２８からガス流がガス分配空間１１に流入し、そのガス流は、ガス出口面６’の延在する面に対して平行な方向成分及び／又はガス出口面６’から離れる向きの方向成分を有することを特徴とする方法。

Claims (26)

1. 少なくとも１つの基板（４）上に少なくとも１つの層を堆積するための方法であって、
   少なくとも１つの反応ガスを含む第１のガス流が少なくとも１つの第１のガス入口孔（３９）を通って、そして少なくとも１つの第２のガス流が少なくとも１つの第２のガス入口孔（２５、２８）を通って、ガス入口部材（１０）の少なくとも１つのガス分配空間（１１）に供給され、
   前記ガス入口部材（１０）は前記ガス分配空間（１１）と流体連通する多数のガス出口孔（１６）を具備してプロセスチャンバ（８）に向いたガス出口面（６’）を有し、それらのガス出口孔（１６）を通って前記反応ガスが前記プロセスチャンバ（８）に流入し、かつ、前記プロセスチャンバ（８）に流入した反応ガスの物理的又は化学的な反応の生成物が前記基板（４）の表面上に層を形成するように前記基板（４）が前記プロセスチャンバ（８）内に配置され、
   前記ガス分配空間（１１）内に前記反応ガスの濃度の異なる領域が生じるように両方の前記ガス流が割り当てられかつ同じガス分配空間（１１）に供給される、前記方法において、
   両方の前記ガス流が、キャリアガス中に異なる濃度で異なる反応ガス又は同じ反応ガスを含むことを特徴とする方法。
2. 少なくとも１つの基板（４）上に少なくとも１つの層を堆積するための方法であって、
   少なくとも１つの反応ガスを含む第１のガス流が少なくとも１つの第１のガス入口孔（３９）を通って、そして少なくとも１つの第２のガス流が少なくとも１つの第２のガス入口孔（２５，２８）を通って、ガス入口部材（１０）の少なくとも１つのガス分配空間（１１）に供給され、
   前記ガス入口部材（１０は、前記ガス分配空間（１１）と流体連通する多数のガス出口孔（１６）を具備してプロセスチャンバ（８）に向いたガス出口面（６’）を有し、それらのガス出口孔（１６）を通って前記反応ガスがキャリアガスと共に前記プロセスチャンバ（８）に流入し、かつ、前記プロセスチャンバ（８）に流入した反応ガスの物理的又は化学的な反応の生成物が前記基板（４）の表面上に層を形成するように前記基板（４）が前記プロセスチャンバ（８）内に配置され、
   キャリアガス中の前記反応ガスの濃度の異なる領域が前記ガス分配空間（１１）内に生じるように両方の前記ガス流が割り当てられかつ同じガス分配空間（１１）に供給される、前記方法において、
   前記ガス出口孔（１６）から出て来るガス流が、前記ガス出口面（６’）の中心に対する方位角方向においてキャリアガス中の前記反応ガスの濃度が一定であり、かつ、前記中心に対する半径方向においてキャリアガス中の前記反応ガスの濃度が異なるように、前記第１及び第２のガス入口孔（３９，２５，２８）が配置されかつ前記第１及び第２のガス流が調整されることを特徴とする方法。
3. 両方の前記ガス流のうち少なくとも１つが、前記反応ガスを希釈するキャリアガスを含むこと、又は、少なくとも２つの前記ガス流の各々が、キャリアガス中に異なる濃度で前記反応ガスを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 前記第２のガス入口孔（２５，２８）を通ってキャリアガスのみが前記ガス分配空間（１１）に供給されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
5. 前記反応ガスがIII主族の元素を含むと共に、第２のガス分配空間（１３）にＶ主族の元素を含む第２の反応ガスが供給され、かつ、両方の反応ガスがガス出口孔（１６）を通って前記プロセスチャンバ（８）に供給されることを特徴とする前出請求項の１つに記載の方法。
6. 少なくとも３つ、４つ、又は５つの同心状に中心の周囲に配置された領域に、キャリアガス中の濃度の異なる前記反応ガスのガス流が、前記プロセスチャンバ（８）に供給されることを特徴とする請求項１、２、３、又は５に記載の方法。
7. 複数の前記ガス流のうち少なくとも１つにおける前記反応ガスの濃度が、少なくとも１つの前記層（４）の堆積中に変更されることを特徴とする前出請求項のいずれか１つに記載の方法。
8. 前記層の堆積中、前記基板（４）の撓みが監視され、かつ、前記基板（４）の撓みの程度に応じて複数の前記ガス流のうち少なくとも１つにおける前記反応ガスの濃度が変更されることを特徴とする前出請求項のいずれか１つに記載の方法。
9. 前記ガス分配空間（１１）が制限プレート（４０）により上部分と下部分に分離され、前記第１のガス流が前記上部分に、そして前記第２のガス流が前記下部分に供給されるか、又は、両方の前記ガス流が前記上部分に供給されることを特徴とする前出請求項の１つに記載の方法。
10. キャリアガス及び前記反応ガスからなるプロセスガス流が１又はそれ以上のガス流に均等に分離され、かつ、希釈のための追加のキャリアガスが少なくとも１つの前記ガス流に供給されることを特徴とする請求項１～３、５～９のいずれかに記載の方法。
11. 前記追加のキャリアガスが、前記プロセスガス流の最大２％又は１％であることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
12. 前記第１及び／又は第２のガス流の供給のためにガス入口孔（３９，２８）を有するガス分配要素（２４，２７，２９）が用いられ、前記ガス入口孔（３９，２８）から前記ガス分配空間（１）にガス流が流入し、そのガス流は、前記ガス出口面（６’）の延在する面に対して平行な方向成分及び／又は前記ガス出口面（６’）から離れる向きの方向成分を有することを特徴とする前出請求項の１つに記載の方法。
13. 少なくとも１つの基板（４）上に少なくとも１つの層を堆積するための装置であって、
    ガス入口部材（１０）のガス分配空間（１１）と流体連通する多数のガス出口孔（１６）を具備してプロセスチャンバ（８）に向いたガス出口面（６’）を有する前記ガス入口部材（１０）と、コーティングされる前記基板（４）を受容するために前記プロセスチャンバ（８）に向いた担持面を有するサセプタ（３）と、ガス混合システムと、を備え、
    前記ガス混合システムは、マスフローコントローラ（３２，３３，３４，３７）と、反応ガス用の少なくとも１つのガスソース（３０）と、キャリアガス用のガスソース（３１）と、を有し、
    前記ガス混合システムによって、前記反応ガスを含む第１のガス流を提供可能かつ第１の供給管（３５）に供給可能であって、前記第１の供給管（３５）は少なくとも１つの第１のガス入口孔（３９）により前記ガス分配空間（１１）に開口しており、かつ、
    前記ガス混合システムによって、第２のガス流を提供可能かつ第２の供給管（３６，３８）に供給可能であって、前記第２の供給管（３６，３８）は第２のガス入口孔（２５，２８）により同じ前記ガス分配空間（１１）に開口している、前記装置において、
    両方の前記供給管（３５；３６，３８）を通って、キャリアガス中の濃度の異なる２つの互いに異なる反応ガス又は同じ反応ガスのいずれかが、前記ガス分配空間（１１）に供給されるように、前記マスフローコントローラ（３２，３３，３４，３７）が配置されていることを特徴とする装置。
14. 前記反応ガスの前記ガスソース（３０）が前記第１の供給管（３５）及び前記第２の供給管（３６，３８）と流体連通しかつ前記キャリアガスの前記ガスソース（３１）が前記第１又は第２の供給管（３５；３６，３８）のうち少なくとも１つと流体連通していること、又は、前記反応ガスの別のガスソースが前記第２の供給管（３６，３８）と流体連通していることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
15. 前記第２の供給管（３６，３８）と流体連通する第２のガス入口孔（２５，２８）が、前記ガス出口面（６’）の幾何学的中心の周囲の同心状のライン上に又は同心状の領域に配置されていることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の装置。
16. 少なくとも１つの基板（４）上に少なくとも１つの層を堆積するための装置であって、
    ガス入口部材（１０）のガス分配空間（１１）と流体連通するガス出口孔（１６）を具備してプロセスチャンバ（８）に向いたガス出口面（６’）を有する前記ガス入口部材（１０）と、コーティングされる前記基板（４）を受容するために前記プロセスチャンバ（８）に向いた担持面を有するサセプタ（３）と、ガス混合システムと、を備え、
    前記ガス混合システムは、マスフローコントローラ（３２，３３，３４，３７）と、反応ガス用の少なくとも１つのガスソース（３０）と、キャリアガス用のガスソース（３１）と、を有し、
    前記ガス混合システムによって、反応ガスを含む第１のガス流を提供可能かつ第１の供給管（３５）に供給可能であって前記第１の供給管（３５）は少なくとも１つの第１のガス入口孔（３９）により前記ガス分配空間（１１）に開口しており、かつ、
    前記ガス混合システムによって、第２のガス流を提供可能かつ第２の供給管（３６，３８）に供給可能であって前記第２の供給管（３６，３８）は第２のガス入口孔（２５，２８）により同じ前記ガス分配空間（１１）に開口している、前記装置において、
    １又はそれ以上の第２の供給管（３６、３８）が、前記ガス分配空間（１１）内に配置された空間であり前記第２のガス入口孔（２５，２８）を形成しているガス分配要素（２４，２７，２９）に開口し、かつ、１又はそれ以上の前記ガス分配要素（２４，２７，２９）は、前記ガス出口面（６’）の幾何学的中心の周囲に同心状に走る領域に延在していることを特徴とする装置。
17. 少なくとも１つの基板（４）上に少なくとも１つの層を堆積するための装置であって、
    ガス入口部材（１０）のガス分配空間（１１）と流体連通するガス出口孔（１６）を具備してプロセスチャンバ（８）に向いたガス出口面（６’）を有する前記ガス入口部材（１０）と、コーティングされる前記基板（４）を受容するために前記プロセスチャンバ（８）に向いた担持面を有するサセプタ（３）と、ガス混合システムと、を備え、
    前記ガス混合システムは、マスフローコントローラ（３２，３３，３４，３７）と、反応ガス用の少なくとも１つのガスソース（３０）と、キャリアガス用のガスソース（３１）と、を有し、
    前記ガス混合システムによって、反応ガスを含む第１のガス流を提供可能かつ第１の供給管（３５）に供給可能であって前記第１の供給管（３５）は少なくとも１つの第１のガス入口孔（３９）により前記ガス分配空間（１１）に開口しており、かつ、
    前記ガス混合システムによって、第２のガス流を提供可能かつ第２の供給管（３６，３８）に供給可能であって前記第２の供給管（３６，３８）は第２のガス入口孔（２５，２８）により同じ前記ガス分配空間（１１）に開口している、前記装置において、
    少なくとも１つの第１のガス入口孔（３９）が前記ガス分配空間（１１）の上部分に開口し、かつ、前記第２の供給管（３６，３８）が前記ガス分配空間（１１）の下部分に開口し、前記下部分は制限プレート（４０）により前記上部分から分離されていることを特徴とする装置。
18. 前記ガス分配空間（１１）が、III主族の元素を含む反応ガスを収容するガスソース（３０）と接続されていること、及び、前記ガス出口面（６’）に配置されたガス出口孔（１６）と流体連通する第２のガス分配空間（１３）が、Ｖ主族の元素を含む第２の反応ガスを収容するガスソースと接続されていることを特徴とする請求項１３～１７のいずれかに記載の装置。
19. １つの前記第１のガス入口孔（３９）が中心のガス入口箇所（１２）に割り当てられるか、又は、複数の第１のガス入口孔（３９）が中心のガス分配要素（２９）に割り当てられること、及び、第２のガス入口孔（２８）が少なくとも１つのガス分配要素（２４，２７，２９）に形成され、そのガス分配要素（２４，２７，２９）は、少なくとも１つのガス入口箇所（２３，２６）にて前記ガス分配要素（２４，２７）に供給された第２のガス流を、前記ガス分配空間（１１）に配置された空間の形態で前記ガス分配空間に分配することを特徴とする請求項１３～１８のいずれかに記載の装置。
20. 前記第１又は第２のガス入口孔（２５，２８，３９）が、前記ガス分配空間（１１）から前記ガス出口面（６’）へのガス流の流れ方向に対して垂直な方向成分及び／又は前記ガス出口面（６’）から離れる向きの方向成分をもつ流れ方向を有するガス流を生じさせることを特徴とする請求項１３～１９のいずれかに記載の装置。
21. 前記ガス分配要素（２４，２７）が、前記ガス出口面（６’）の幾何学的中心の周囲の同心状ラインに沿って延在し、かつ、前記幾何学的中心の周囲の環状領域に開口する複数のガス入口孔（２５，２８）を有することを特徴とする請求項１６～２０のいずれかに記載の装置。
22. ２つ、３つ、４つ、又は５つのガス分配要素（２９）が、中心のガス入口箇所（１２）の周囲又は中心のガス入口要素の周囲に同心状に配置されていることを特徴とする請求項１６～２１のいずれかに記載の装置。
23. 前記基板（４）の撓みを計測可能である計測器（４１）が設けられ、かつ、前記基板（４）の撓みに応じて第１又は第２のガス流中の反応ガスの濃度を変更する制御装置（４２）が設けられることを特徴とする請求項１６～２２のいずれかに記載の装置。
24. 少なくとも１つの基板（４）上に少なくとも１つの層を堆積するための装置であって、
    ガス入口部材（１０）における互いに平行に隣接して配置された複数のガス分配空間（１１）と流体連通するガス出口孔（１６）を具備してプロセスチャンバ（８）に向いたガス出口面（６’）を有する前記ガス入口部材（１０）と、コーティングされる前記基板（４）を受容するために前記プロセスチャンバ（８）に向いた担持面を有するサセプタ（３）と、ガス混合システムと、を備え、
    前記ガス混合システムは、マスフローコントローラ（３２，３３，３４，３７）と、反応ガス用の少なくとも１つのガスソース（３０）と、キャリアガス用のガスソース（３１）と、を有し、
    前記ガス混合システムを用いて、反応ガスを含む第１のガス流を提供可能かつ第１の供給管（３５）に供給可能であって前記第１の供給管（３５）は少なくとも１つの第１のガス入口孔（３９）により前記ガス分配空間（１１）に開口している、前記装置において、
    第２のガス入口孔（２５，２８，３９）を具備する第２の供給管（３６，３８）が、前記ガス分配空間（１１）の少なくとも幾つかに開口し、
    両方の前記供給管（３５；３６，３８）を通って濃度の異なる２つの互いに異なる反応ガスもしくは同じ反応ガスのいずれかが、又は 前記第２の供給管（３６，３８）を通って希釈ガスのみが、前記ガス分配空間（１１）に供給されるように、前記マスフローコントローラ（３２，３３，３４，３７）が配置されていることを特徴とする装置。
25. 前記第１のガス流を供給するための第１の供給箇所（１２）が前記ガス分配空間（１１）の中心に配置されること、及び、前記第２のガス流を供給するための２つの第２の供給箇所（２３）が前記ガス分配空間（１１）の縁部にそれぞれ配置されることを特徴とする請求項２４に記載の装置。
26. 前出請求項のいずれかの特徴的な特徴の１又はそれ以上により特徴付けられる装置又は方法。

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