CN101309074B - 压电薄膜谐振器和滤波器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供压电薄膜谐振器和滤波器。压电薄膜谐振器包括：在基板上形成的下部电极；在该基板和该下部电极上形成的压电膜；在该压电膜上形成的上部电极，该压电膜的一部分插在相互面对的该下部电极和该上部电极之间；以及附加膜，该附加膜形成在该基板上，在该下部电极的外周的至少一部分上，并且位于该下部电极和该上部电极相互面对的部分，该附加膜沿着该下部电极布置。

Description

压电薄膜谐振器和滤波器
技术领域
本发明总体上涉及一种压电薄膜谐振器和滤波器，并且更具体地涉及一种使用压电薄膜中引起的电信号和体声波之间的转换的压电薄膜谐振器，以及包括这种压电薄膜谐振器的滤波器。
背景技术
由于诸如便携式电话装置的无线装置已迅速普及，对于小型、重量轻的谐振器和通过组合这些谐振器形成的滤波器存在日益增加的需求。常规上，已使用了电介质滤波器和表面声波(SAW)滤波器。然而，近年来，注意力转向了展现优异特性(尤其在高频)并且在尺寸上可以做得很小或做成单片的压电薄膜谐振器，并且还转向了用这些压电薄膜谐振器形成的滤波器。
压电薄膜谐振器分类为FBAR(膜体声波谐振器)类型和SMR(固态安装谐振器)类型。FBAR型压电薄膜谐振器具有由下部电极、压电膜、和上部电极组成并且形成在基板上的膜层叠结构。在下部电极下方在下部电极和上部电极相互面对的位置处形成有中空空间或腔体(谐振部分)，压电膜插在下部电极和上部电极之间。FBAR型压电薄膜谐振器中的腔体可以是通过对基板表面上形成的牺牲层执行湿法刻蚀而在下部电极和基板之间形成的腔体，或可以是通过执行湿法刻蚀或干法刻蚀而在基板中形成的通孔。SMR型压电薄膜谐振器具有声学多层膜而不是腔体。通过交替地层叠具有高声阻抗的薄膜和具有低声阻抗的薄膜而形成声学多层膜，并且声学多层膜的膜厚度是λ/4(λ：声波的波长)。
在“ZnO/SiO2-Diaphragm Composite Resonator on a Silicon Wafer(K.Nakarmura，H.Sasaki，and H.Shimizu，Electronics Letters，vol.17，No.14，第507-509页，1981年7月)”中公开了具有通孔的FBAR。在日本特开60-189307号公报中公开了具有腔体的FBAR。图1是具有通孔18的FBAR的剖面图。图2是具有腔体18的FBAR的剖面图。如图1中所示，下部电极12、压电膜14、和上部电极16以该顺序形成在基板10上，基板10具有在其表面上形成的SiO2膜11，并且用硅制成。在基板10中在下部电极12和上部电极16相互面对的部分形成腔体18(通孔)。如图2中所示，SiO2膜11形成为由硅制成的基板10上的支承膜，使得可形成腔体18(腔体)。下部电极12、压电膜14、和上部电极16以该顺序形成在SiO2膜11上。下部电极12和上部电极16部分地相互面对，压电膜14插在下部电极12和上部电极16的面对的部分之间。
这里，下部电极12和上部电极16可由铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)、铂(Pt)、钌(Ru)、铑(Rh)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)等制成。下部电极12和上部电极16可以是通过组合这些材料中的一部分而形成的层叠材料。压电膜14可以由氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)、钛酸铅(PbTiO3)等制成。基板10可以是硅基板、玻璃基板、GaAs基板等。
当将高频电信号施加到上部电极和下部电极之间时，通过上部电极和下部电极之间插入的压电膜中的反向压电效应而产生声波，或者通过由压电效应引起的变形而产生声波。这些声波转换为电信号。因为这种声波全部被上部电极和下部电极暴露于空气的表面反射，所以产生在厚度方向具有主要位移的纵向振荡波。在由下部电极、压电膜、和上部电极(包括添加到上部电极上的膜)组成的膜层叠的总膜厚度H等于声波波长λ的1/2的整倍数(n倍)的频率处引起谐振。谐振频率F表示为：F＝nV/(2H)，其中V表示由材料确定的声波传播速度。考虑到这一点，可通过调节层叠膜的总薄膜厚度H来控制谐振频率F，并且可获得具有期望频率特性的压电薄膜谐振器。
日本特表2005-536908号公报公开了一种技术，通过该技术，在基板上按与下部电极相同的高度提供绝缘膜，并且从下部电极去除台阶部分，以防止压电膜的结晶性由于下部电极的台阶部分而退化。日本特开2002-140075号公报公开了一种技术，通过该技术，将下部电极的台阶部分直接放置在基板上，以防止压电膜的结晶性由于下部电极的台阶部分而退化。日本特开2006-254295号公报公开了一种技术，通过该技术，使要用于形成下部电极的光刻胶图案的角部为圆形，以防止压电膜的结晶性由于下部电极的台阶部分而退化。
AlN膜经常用作为压电膜，以获得期望的声学速度、期望的温度特性、和期望的谐振峰锐度(Q值)。具体来说，具有朝向c轴(朝向垂直于下部电极表面的方向((002)方向))的结晶性的AlN膜的形成是确定谐振特性的重要因素之一。然而，形成具有朝向c轴的高结晶性的AlN膜需要大量的能量。例如，在由MOCVD(金属有机化学气相沉积)形成膜的情况下，需要将基板加热到1000℃或更高。在由PECVD(等离子增强化学气相沉积)形成膜的情况下，需要提供等离子能量并且将基板加热到400℃或更高。此外，在由溅射技术形成膜的情况下，通过溅射绝缘膜而在基板中引起温度的升高。因此，AlN膜具有高的膜应力。
下部电极具有台阶部分，并且台阶部分的侧壁逐渐变细。形成压电膜以覆盖下部电极的台阶部分。结果，压电膜的结晶性在下部电极的台阶部分变低，并且存在压电薄膜谐振器的谐振特性退化的问题。
根据日本特表2005-536908号公报，在形成绝缘膜以覆盖下部电极的台阶部分之后，通过对表面进行抛光而使下部电极和绝缘膜的表面变得平坦，从而去除下部电极的台阶部分。下部电极的膜厚度影响谐振频率。因此，难以执行表面抛光而不引起晶片面内和晶片面之间的膜厚度的不均匀，同时通过表面抛光在下部电极上执行膜厚度控制是必要的。而且，绝缘膜的淀积和表面抛光增加了制造工序的数量。结果，生产率变低，并且生产成本变高。
在日本特开2002-140075号公报中公开的技术可以应付具有高膜应力的压电膜，并且改进机械强度和Q值。然而，通过该技术，机电耦合系数(K2)变低。
发明内容
因此本发明的一个目的是提供消除了上面缺点的压电薄膜谐振器和包括该压电薄膜谐振器的滤波器。
本发明的更具体的目的是提供可改进谐振特性的压电薄膜谐振器和包括该压电薄膜谐振器的滤波器。
根据本发明的一个方面，提供了一种压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：在基板上形成的下部电极；在该基板和该下部电极上形成的压电膜；在该压电膜上形成的上部电极，该压电膜的一部分插在相互面对的该下部电极和该上部电极之间；和附加膜，该附加膜形成在该基板上，在该下部电极的外周的至少一部分上，并且位于该下部电极和该上部电极相互面对的部分，该附加膜沿着该下部电极布置。因而，不会形成通常由于压电膜的结晶性在下部电极的台阶部分退化而形成的裂缝，并且可改进谐振特性。
根据本发明的另一方面，提供了一种包括如上所述地构成的压电薄膜谐振器的滤波器。
附图说明
根据以下详细描述，当结合附图阅读时，本发明的其他目的、特征和优点将变得更加清楚，在附图中：
图1是具有通孔型腔体的压电薄膜谐振器的剖面图；
图2是具有空腔型腔体的压电薄膜谐振器的剖面图；
图3A是根据本发明第一实施方式的压电薄膜谐振器的顶视图；
图3B是沿着图3A的线A-A截取的压电薄膜谐振器的剖面图；
图3C是沿着图3A的线B-B截取的压电薄膜谐振器的剖面图；
图4A是根据第一比较例的压电薄膜谐振器的顶视图；
图4B是沿着图4A的线A-A截取的压电薄膜谐振器的剖面图；
图4C是沿着图4A的线B-B截取的压电薄膜谐振器的剖面图；
图5A到5H是示出根据第一实施方式的压电薄膜谐振器的制造方法的剖面图；
图6A示出根据第一比较例的压电薄膜谐振器的谐振特性；
图6B示出史密斯圆图，该史密斯圆图示出根据第一比较例的压电薄膜谐振器的反射特性；
图7A示出根据第一实施方式的压电薄膜谐振器的谐振特性；
图7B示出史密斯圆图，该史密斯圆图示出根据第一实施方式的压电薄膜谐振器的反射特性；
图8是示出第一比较例中的谐振特性退化的原因的剖面图；
图9是示出在第一实施方式中可以改进谐振特性的原因的剖面图；
图10是根据本发明第二实施方式的压电薄膜谐振器的顶视图；
图11示出根据本发明第三实施方式的压电薄膜谐振器的顶视图(a)，和沿着部分(a)的线A-A截取的压电薄膜谐振器的剖面图(b)；
图12示出根据第三实施方式的变型例的压电薄膜谐振器的顶视图(a)，和沿着部分(a)的线A-A截取的压电薄膜谐振器的剖面图(b)；
图13是根据本发明第四实施方式的梯型滤波器的等效电路图；以及
图14示出根据第四实施方式的梯型滤波器的带通特性。
具体实施方式
以下是参考附图对本发明的实施方式的描述。
[第一实施方式]
图3A是根据第一实施方式的压电薄膜谐振器的顶视图。图3B是沿着图3A的线A-A截取的压电薄膜谐振器的剖面图。图3C是沿着图3A的线B-B截取的压电薄膜谐振器的剖面图。图4A是根据第一比较例的压电薄膜谐振器的顶视图。图4B是沿着图4A的线A-A截取的压电薄膜谐振器的剖面图。图4C是沿着图4A的线B-B截取的压电薄膜谐振器的剖面图。
如图3A到3C中所示，根据第一实施方式的压电薄膜谐振器具有下部电极12，其由Ru制成，厚度为260nm，并且形成在用(100)-切割硅基板形成的基板10上。在基板10和下部电极12上提供了压电薄膜14，其厚度为1220nm并且用具有在(002)方向上延伸的主轴的AlN膜形成。在压电膜14上提供了上部电极16，其由Ru制成并且厚度为260nm，压电膜14的一部分插入在下部电极12和上部电极16之间。通过该结构，形成了由下部电极12、压电膜14和上部电极16组成的膜层叠。在下部电极12和上部电极16相互面对的部分(谐振部分21)，在基板10上并且至少沿着下部电极12的外周的一部分提供了由与下部电极12相同的材料(Ru)制成的附加膜22。在下部电极12和上部电极16相互面对的部分处，下部电极12和附加膜22之间的距离d是2.0μm。附加膜22的厚度是260nm，并且宽度是4μm。谐振部分21具有椭圆形状。谐振部分21的长轴的长度是250μm，并且短轴的长度是180μm。
在谐振部分21之下，在基板10和下部电极12之间形成有圆顶状形状的腔体18。通过圆顶状形状，腔体18在中心比在外周部分具有更大的高度。谐振部分21包括在通过将腔体18投影到基板10上形成的区域中。在下部电极12中提供了用于刻蚀随后描述的牺牲层的引入通路24。没有用压电膜14覆盖引入通路24的末端，并且下部电极12在引入通路24末端处具有孔26。压电膜14具有开口部分28，以提供与下部电极12的电连接。
如图4A到4C中所示，根据第一比较例的压电薄膜谐振器不具有在基板10上形成的附加膜22。结构的其他方面与图3A到3C中示出的第一实施方式的结构相同，并且因此这里省略了对它们的说明。
现在参考图5A到5H，描述根据第一实施方式的压电薄膜谐振器的制造方法。图5A到5D是沿着图3A的线A-A截取的压电薄膜谐振器的剖面图。图5E到5H是沿着图3A的线B-B截取的压电薄膜谐振器的剖面图。如图5A和5E中所示，通过溅射技术或气相沉积技术在基板10上形成由MgO(氧化镁)制成并且厚度近似为20nm的牺牲层30。在此之后，通过曝光技术和刻蚀技术使得牺牲层30的形状为预定形式。
如图5B和5F中所示，通过在0.6到1.2Pa的压力下在Ar气环境中溅射Ru来形成下部电极12。在此之后，通过曝光技术和刻蚀技术使得下部电极12的形状为预定形式。这里，同时形成附加膜22。
如图5C和5G中所示，通过在近似0.3Pa的压力下在Ar/N2混合气体环境中溅射Al来在下部电极12和基板10上形成压电膜14。通过在0.6到1.2Pa的压力下在Ar气环境中溅射Ru来在压电膜14上形成上部电极16。在此之后，通过曝光技术和刻蚀技术使得压电膜14和上部电极16的形状为预定形式。此外，通过曝光技术和刻蚀技术在引入通路24的末端处形成孔26。与下部电极12同时形成孔26。
如图5D和5H中所示，通过引入通路24引入用于刻蚀牺牲层30的刻蚀溶液，并且去除牺牲层30。这里，通过调节溅射条件，将在由下部电极12、压电膜14和上部电极16组成的膜层叠上的应力设置为压缩应力。由此，当完成牺牲层30的刻蚀时，膜层叠扩展以在下部电极12和基板10之间形成圆顶状形状的腔体18。在第一实施方式的溅射条件下的组合膜上的压缩应力是-300Mpa。以该方式，完成根据第一实施方式的压电薄膜谐振器。
图6A示出根据第一比较例的压电薄膜谐振器的谐振特性。图6B示出的史密斯圆图示出了根据第一比较例的压电薄膜谐振器的反射特性。图7A示出根据第一实施方式的压电薄膜谐振器的谐振特性。图7B示出的史密斯圆图示出了根据第一实施方式的压电薄膜谐振器的反射特性。图6A到图7B示出了位于晶片的三个点处的压电薄膜谐振器的谐振特性和反射特性。在图6A和7A中，横坐标轴表示频率[MHz]，并且纵坐标轴表示衰减[dB]。
如图6A中所示，使用根据第一比较例的压电薄膜谐振器，在稍微低于谐振频率的频率(1880MHz附近)处形成了波纹，并且谐振特性退化。如从图6B的史密斯圆图可看到的，反射特性也退化(如图6B中的箭头所示)。如图7A中所示，使用根据第一实施方式的压电薄膜谐振器，在稍微低于谐振频率的频率(1880MHz附近)处防止了波纹，并且改进了谐振特性。如可从图7B看到的，还改进了反射特性(如图7B中的箭头所示)。
图8是示出根据第一比较例的压电薄膜谐振器的谐振特性退化的原因的剖面图。更具体地说，图8是示出在对牺牲层30执行刻蚀之前(在腔体18形成之前)压电薄膜谐振器的剖面图。图8还是下部电极12的台阶部分的放大图。压电膜14中的细线表示压电膜14(AlN膜)的柱状结晶结构。如图8中所示，下部电极12的台阶部分具有锥形形状。压电膜14的柱状结晶结构垂直于基板10和下部电极12的上表面，并且也垂直于下部电极12的台阶部分的锥形部分。因此，压电膜14的结晶性在区域Y退化。结果，由于当如图5D和5H中所示地形成圆顶状的腔体18时产生的应力，在区域Y形成了裂缝。这些裂缝使得谐振特性退化。
图9是根据第一实施方式的压电薄膜谐振器的下部电极12的台阶部分的剖面图和放大图(在对牺牲层30执行刻蚀之前)。如图9中所示，在离下部电极12的距离d为2.0μm处，提供了附加膜22，以防止区域Y中的裂缝。由此，可改进谐振特性。距离d不限于2.0μm，但如果距离d太长，在下部电极12的台阶部分处压电膜14的结晶性变得类似于第一比较例的结晶性。因此，距离d优选地是2.0μm或更短。
根据第一实施方式，在下部电极12和上部电极16相互面对的部分，在基板10上至少沿着下部电极12的外周的一部分提供附加膜22，如图3A到3C中所示。在基板10和下部电极12上提供压电膜14，以覆盖附加膜22。使用该布置，可防止由于压电膜14的结晶性在下部电极12的台阶部分处退化而形成裂缝，如图9中所示。从而，在根据第一实施方式的压电薄膜谐振器中比在根据第一比较例的压电薄膜谐振器中形成较少的波纹，并且可改进谐振特性。在第一实施方式中，机电耦合系数(K2)和谐振峰锐度(Q值)与在第一比较例中的情况相同。
还优选的是，下部电极12和附加膜22由相同材料(Ru)制成，如图3A到3C中所示。在该情况下，可同时形成下部电极12和附加膜22，如图5B和5F中所示，并且可获得更高的生产率。
此外，在下部电极12和上部电极16相互面对的部分的下方，在基板10和下部电极12之间形成具有圆顶状形状的腔体18，如图3A到3C中所示。从而，不需要在基板10上执行刻蚀。因而，可获得更高的生产率，并且可防止基板10的机械强度退化。而且，因为用于形成腔体18的区域很小，所以可获得更高的集成。此外，因为被提供以形成腔体18的牺牲层30很薄，所以在压电膜14中可维持优异的朝向性(orientation)。
此外，在由下部电极12、压电膜14和上部电极16组成的膜层叠上的应力，或在下部电极12和上部电极16相互面对的部分上的应力是压缩应力，如图3A到3C中所示。使用该布置，可以防止具有圆顶状形状的腔体18发生变形。而且，在下部电极12中形成连通到腔体18的孔26。使用该布置，可通过经由孔26引入刻蚀溶液并且对牺牲层30执行刻蚀来形成具有圆顶状形状的腔体18，如图5D和5H中所示。
下部电极12和上部电极16相互面对的部分包括在将具有圆顶状形状的腔体18投影到基板10上而形成的区域中，如图3A到3C中所示。从而，下部电极12和上部电极16相互面对的部分(谐振部分21)可振荡。而且，腔体18不需要具有圆顶状形状。谐振部分21可振荡，只要下部电极12和上部电极16相互面对的部分包括在将腔体18投影到基板10上而形成的区域中即可。
此外，下部电极12和上部电极16相互面对的部分具有椭圆形，并且没有两条边相互平行，如图3A到3C中所示。使用该布置，可防止压电膜14的外周所反射的声波变成谐振部分21中的横向驻波。因而，谐振特性中不会出现波纹。
此外，压电膜14由朝向为主轴在(002)方向上延伸的氮化铝制成，如图3A到3C中所示。使用该布置，可形成具有优异谐振特性的压电薄膜谐振器。而且，可使用朝向为主轴在(002)方向上延伸的氧化锌来获得优异的谐振特性。
尽管在第一实施方式中基板10是硅基板，但是也可以使用石英基板、玻璃基板、GaAs基板等。而且，在第一实施方式中下部电极12和上部电极16由Ru制成，但也可以使用在现有技术的描述中提到的那些材料。尽管在第一实施方式中牺牲层30是MgO层，但是也可以使用可容易地溶解在刻蚀溶液中的材料，例如ZnO、Ge、Ti或SiO2。
[第二实施方式]
图10是根据本发明的第二实施方式的压电薄膜谐振器的顶视图。如图10中所示，下部电极12和上部电极16相互面对的部分(谐振部分21)具有由不平行的边形成的多边形形状。该结构的其他方面与图3A到3C中示出的第一实施方式的结构相同，并且因此这里省略了对它们的说明。
根据第二实施方式，下部电极12和上部电极16相互面对的部分具有由不平行的边形成的多边形形状。因为不存在两个平行边，所以可防止由压电膜14的外周反射的声波变成谐振部分21中的横向驻波。因而，谐振特性中不会出现波纹。
[第三实施方式]
本发明的第三实施方式是腔体18形成在基板10中的示例情况。图11示出了根据第三实施方式的压电薄膜谐振器的顶视图(a)、和沿着部分(a)的线A-A截取的压电薄膜谐振器的剖面图(b)。图12示出了根据第三实施方式的变型例的压电薄膜谐振器的顶视图、和沿着部分(a)的线A-A截取的压电薄膜谐振器的剖面图。如图11和12中所示，在第三实施方式中，可以不像在第一实施方式和第二实施方式中那样在基板10和下部电极12之间形成腔体18，而是可以在基板10中在下部电极12和上部电极16相互面对的部分(谐振部分21)的下方形成腔体18。可通过由深-RIE(活性离子刻蚀)对基板10进行刻蚀来垂直形成腔体18。
[第四实施方式]
本发明的第四实施方式是包括第一实施方式的压电薄膜谐振器的四级梯型滤波器的示例。图13是示出根据第四实施方式的梯型滤波器的电路图。在四级梯型滤波器中，在输入端子Tin和输出端子Tout之间的串联臂谐振器S和并联臂谐振器P通常形成S-P-P-S-S-P-P-S结构。然而，在第四实施方式中，组合中间的两个串联臂谐振器S以形成串联臂谐振器S2，并且组合在任一端的两个并联臂谐振器P以形成并联臂谐振器P1和P2。如图13中所示，串联臂谐振器S1、S2和S3串联连接在输入端子Tin和输出端子Tout之间。并联臂谐振器P1连接在地与串联臂谐振器S1和S2间的节点之间。并联臂谐振器P2连接在地与串联臂谐振器S2和S3间的节点之间。
为了在梯型滤波器中获得带通滤波器特性，需要使得并联臂谐振器的谐振频率低于串联臂谐振器的谐振频率。因此，在该实施方式中，串联臂谐振器是第一实施方式的压电薄膜谐振器，并且并联臂谐振器是通过在第一实施方式的压电薄膜谐振器的每个上部电极16上提供质量负载膜而形成的压电薄膜谐振器。质量负载膜由Ti制成并且厚度为130nm。
图14示出了根据第四实施方式的梯型滤波器的带通特性。为了比较，图14还示出了包括第一比较例的压电薄膜谐振器作为串联臂谐振器和并联臂谐振器(在每个上部电极上形成有质量负载膜)的梯型滤波器(第二比较例)的带通特性。第二比较例的梯型滤波器的电路图与第四实施方式的电路图是相同的。在图14中，横坐标轴表示频率[MHz]，并且纵坐标轴表示衰减[dB]。如图14中所示，第二比较例的梯型滤波器的带通特性(由虚线表示)在通带中在1960MHz附近形成有波纹。另一方面，第四实施方式的梯型滤波器的带通特性(由实线表示)没有形成波纹。从而，通过在梯型滤波器中使用第一实施方式的压电薄膜谐振器可改进带通特性。
在第四实施方式中，串联臂谐振器和并联臂谐振器都用第一实施方式的压电薄膜谐振器形成。然而，本发明不限于该布置。例如，在这样的情况下可防止通带中的波纹，其中第一实施方式的压电薄膜谐振器用作为串联臂谐振器，并且第一比较例的压电薄膜谐振器用作为并联臂谐振器。在第一实施方式的压电薄膜谐振器用作为串联臂谐振器和并联臂谐振器的情况下，可防止通带中的波纹，并且可改进通带的较低频率侧的衰减特性。
在第四实施方式中，梯型滤波器包括第一实施方式的压电薄膜谐振器。然而，梯型滤波器可包括第二实施方式和第三实施方式的压电薄膜谐振器。此外，可以在除了梯型滤波器之外的滤波器(例如多模滤波器或格型滤波器)中使用第一到第三实施方式的压电薄膜谐振器。
尽管已示出和描述了本发明的几个优选实施方式，但是本领域技术人员将会理解，可以在不脱离本发明原理和精神的情况下做出改变，本发明的范围由权利要求及其等同物来限定。
本申请基于2007年5月17日提交的日本专利申请No.2007-131094，在此通过引用并入其全部公开内容。

Claims (10)

1.一种压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：
在基板上形成的下部电极；
在该基板和该下部电极上形成的压电膜；
在该压电膜上形成的上部电极，该压电膜的一部分插在相互面对的该下部电极和该上部电极之间；以及
附加膜，该附加膜形成在该基板上，在该下部电极的外周的至少一部分上，并且位于该下部电极和该上部电极相互面对的部分，该附加膜沿着该下部电极布置，
其中，在该下部电极和该上部电极相互面对的该部分的下方，在该基板和该下部电极之间设置有圆顶状形状的腔体。
2.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，该压电膜覆盖该附加膜。
3.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，该附加膜由与该下部电极相同的材料制成。
4.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，该下部电极具有连通到该腔体的孔。
5.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，该下部电极和该上部电极相互面对的该部分包括在通过将该腔体投影到该基板而形成的区域中。
6.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，在该下部电极和该上部电极相互面对的该部分上的应力是压缩应力。
7.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，该下部电极和该上部电极相互面对的该部分具有椭圆形形状。
8.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，该下部电极和该上部电极相互面对的该部分具有由不平行的边形成的多边形形状。
9.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，该压电膜由朝向为主轴在(002)方向上延伸的氮化铝或氧化锌制成。
10.一种滤波器，该滤波器包括压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：
在基板上形成的下部电极；
在该基板和该下部电极上形成的压电膜；
在该压电膜上形成的上部电极，该压电膜的一部分插在相互面对的该下部电极和该上部电极之间；以及
附加膜，该附加膜形成在该基板上，在该下部电极的外周的至少一部分上，并且位于该下部电极和该上部电极相互面对的部分，该附加膜沿着该下部电极布置，
其中，在该下部电极和该上部电极相互面对的该部分的下方，在该基板和该下部电极之间设置有圆顶状形状的腔体。
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