CN101299895B - 有机发光显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及有机发光显示器及其制造方法。该有机发光显示器包括衬底、至少一薄膜晶体管、一像素电极和至少一焊盘电极。该衬底配置有显示区域和与该显示区域隔开的焊盘区域。该薄膜晶体管置于该衬底的显示区域上，并包括有源层、栅电极和源/漏电极。像素电极与该薄膜晶体管相邻并且与该薄膜晶体管电连接。该焊盘电极置于该衬底的焊盘区域上，并由与栅电极或者源/漏电极相同的层形成，并且与外部模块连接。

Description

有机发光显示器及其制造方法
本申请是申请日为2004年11月24日的题为“有机发光显示器及其制造方法”的第200410095365.3号发明专利申请的分案申请
技术领域
本发明涉及平板显示器及其制造方法，尤其是涉及有机发光显示器及其制造方法。
背景技术
通常，有机发光显示器(OLED)是发射式显示器，其通过电激励荧光有机化合物而发光。根据驱动排列为矩阵的像素的模式，OLED可分为有源矩阵或者无源矩阵。与无源矩阵OLED相比，有源矩阵OLED具有较低能耗，从而其更适于作为具有高分辨率的大显示器。根据从有机化合物发出的光线的传播方向，OLED可进一步分为三种类型：顶部发射式、底部发射式和两面发射式。与底部发射式OLED不同，顶部发射式OLED可在与衬底相反的方向上发光并且具有高的开口率(aperture ratio)，其中在该衬底上排列有单元像素。
在顶部发射式OLED中，可用具有优异反射率和适当功函数的导电材料形成像素电极。然而，似乎没有单一材料满足这些特性。从而顶部发射式OLED通常采用多层像素电极。
图1是具有多层像素电极的传统有源矩阵OLED及其制造方法的剖视图。
参照图1，衬底10具有显示区域A和焊盘区域B。有源层20形成于显示区域A上，其中该有源层具有源/漏区23和沟道区21。栅绝缘层25形成于衬底的整个表面上，并且对应于沟道区21的栅电极30形成于栅绝缘层25上。随后，中间层35形成于衬底的整个表面上，并且暴露源/漏极区23的源/漏接触孔形成于中间层35中。
接下来，源/漏电极43形成于中间层35上，其中源/漏电极43通过源/漏接触孔与源/漏区23接触。同时，焊盘电极47形成于焊盘区域B的中间层35上。平坦化层50形成于衬底的整个表面上，并且暴露源/漏电极43中任一个的通孔53和暴露焊盘电极47的焊盘接触孔55形成于平坦化层50中。
随后，铝-钕(AlNd)层和氧化铟锡(ITO)层依次沉积并被图案化于平坦化层50上。从而，与通孔53暴露的源/漏电极43连接的像素电极60形成于显示区域A的平坦化层50上，同时，通过焊盘接触孔55与焊盘电极47连接的端子焊盘65形成于焊盘区域B的平坦化层50上。从而，像素电极60和端子焊盘65由AlNd层61、66和ITO层62、67形成。因此，作为反射层，AlNd层61反射从发光层发出的光，从而形成顶部发射式OLED，其在与衬底10相反的方向上发出光线。
在OLED被制造后，端子焊盘65与外部模块结合起来，并传输从外部模块输入的电信号。从而，端子焊盘65易受外部湿气或者氧气侵害。如前面所述，端子焊盘65由AlNd层66和ITO层67形成。这些层可能同时暴露于湿气中，尤其是在端子焊盘65的侧面P。在此情况下，在AlNd层66和ITO层67之间可能产生原电池现象(galvanic phenomenon)。当具有不同电动势(EMF)的材料同时暴露于腐蚀溶液时就发生此现象。具有较高EMF的材料被腐蚀。
从而，当端子焊盘65腐蚀时，与外部模块结合后，其可靠性就可能降低。这导致OLED中的缺陷，并且使得产率下降。当焊盘电极具有由对外部湿气或氧气敏感的材料构成的单层结构时，焊盘可靠性的降低也可能产生。
发明内容
本发明提供一种具有提高的焊盘可靠性的OLED。
本发明的其他特征将在随后的说明中阐述，并且其一部分将因说明书而变得明显，或者可通过实施本发明来获知。
本发明提供一种OLED，其包括配置有显示区域和与该显示区域隔开的焊盘区域的衬底。至少一薄膜晶体管置于该衬底的显示区域上，该薄膜晶体管包括有源层、栅电极和源/漏电极。像素电极与该薄膜晶体管相邻，该像素电极与该薄膜晶体管电连接。至少一个焊盘电极置于该衬底的焊盘区域上，并且由与源/漏电极相同的层形成。焊盘电极与外部模块连接。
本发明还提供一种OLED，其包括配置有显示区域和与该显示区域隔开的焊盘区域的衬底。至少一薄膜晶体管置于该衬底的显示区域上，该薄膜晶体管包括有源层、栅电极和源/漏电极。像素电极与该薄膜晶体管相邻，该像素电极与该薄膜晶体管电连接并具有至少两个导电层的多层结构。焊盘电极被设置在焊盘区域上，该焊盘电极由与栅电极和源/漏电极中的任一个相同的层形成。端子焊盘置于该焊盘电极上并且与外部模块连接，该端子焊盘由与像素电极的导电层中的任一个相同的层形成。
应当理解的是，上面的概括说明和下面的详细说明都是示例性和解释性的，并为所要求保护的本发明提供进一步解释。
附图说明
附图示出本发明的实施例，并与文字说明一起用于阐述本发明的原理，该附图用于提供对本发明的进一步理解，并且被结合于此说明书中且构成其中的一部分，其中：
图1是示出具有多层结构的像素电极的传统有源矩阵OLED及其制造方法的剖视图；
图2是示出根据本发明示例性实施例的OLED的平面图；
图3A、3B、3C、3D、3E和3F是示出根据本发明第一示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图；
图4是示出根据本发明第二示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图；
图5是示出根据本发明第三示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图；
图6A和6B是示出根据本发明第四示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图；
图7是示出根据本发明第五示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图；
图8是示出根据本发明第六示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图；
图9A、9B和9C是示出根据本发明第七示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图；
图1O是示出根据本发明第八示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图；
图11是示出根据本发明第九示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图。
具体实施方式
现在将参照示出本发明优选实施例的附图对本发明进行说明。然而，本发明可以按不同的形式来实施，并不应理解为局限于在此说明的示例性实施例。在说明和附图中，当一层置于其它层或者衬底“上”时，其可直接形成于该其它层或者衬底上，或者其可形成为在其间插入其他层或基板。在整个说明书中相同附图标记表示相同部件。
图2是示出根据本发明示例性实施例的OLED的平面图。
参照图2，显示区域A位于衬底100的预定区域上以显示图像。显示区域A具有单元像素阵列(未显示)和在该单元像素阵列周围的驱动电路(未显示)，其中该单元像素阵列具有按矩阵排列的单元像素，并且驱动电路驱动单元像素。每个单元像素包括至少一个薄膜晶体管(未显示)和与其电连接的一像素电极(未显示)。该薄膜晶体管包括一有源层(未显示)、栅电极(未显示)和源/漏电极(未显示)。该像素电极可具有导电层的至少一个多层结构(layeredstructure)。
封装区域C包围显示区域A，该封装区域C保护显示区域A中的单元像素免受外部湿气和氧气的影响。此外，在封装区域C处施加粘合衬底100和封装衬底(未显示)的密封剂。
焊盘区域B位于显示区域A和封装区域C的外侧，并且其是用于将施加电信号的外部模块(未显示)连接至显示区域A的区域。在显示区域A和焊盘区域B之间布置用于传输该电信号的各种布线(未显示)。
焊盘区域B具有与这些布线电连接的至少一个焊盘电极。焊盘电极可由与栅电极或源/漏电极相同的层形成。当焊盘电极由与源/漏电极相同的层形成时，栅极焊盘可置于焊盘电极之下并由与栅电极相同的层形成。焊盘电极或者栅极焊盘可与布线电连接。端子焊盘可置于焊盘电极上，并且由与像素电极的任一层相同的层形成。在此情况下，端子焊盘可与外部模块连接。然而，在没有端子焊盘的情况下，焊盘电极与外部模块连接。
图3A、3B、3C、3D、3E和3F是示出根据本发明第一示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图。图3A至3F限于图2中的显示区域A的单元像素和焊盘区域B。
参照图3A，衬底100具有显示区域A和焊盘区域B。该衬底100可以是绝缘衬底，例如玻璃或者塑料衬底。缓冲层150形成于衬底100的整个表面上以保护随后形成的薄膜晶体管免受诸如碱性离子的杂质的影响，并且其可由氧化硅层或者氮化硅层形成，其中该杂质自衬底100中流出。有源层200形成于衬底100的显示区域A上，该有源层200可由非晶硅或者多晶硅形成。然后在衬底100的整个表面上形成栅绝缘层250。
参照图3B，沉积并构图栅电极层以同时在显示区域A的栅绝缘层250上形成栅电极300和在焊盘区域B的栅绝缘层250上形成焊盘电极330。焊盘电极330与连接焊盘区域B和显示区域A的至少一个布线(未显示)电连接。该布线可以是公共电源布线或者数据布线。栅电极和焊盘电极300、330优选由对湿气不敏感并且具有优良导电性的材料形成。更加优选地，它们可由钼合金形成。最优选地，钼合金是钼-钨合金。
然后，可向有源层200中注入杂质，利用栅电极300作为掩模以形成源/漏区230并且在源/漏区230之间定义沟道区210。
参照图3C，中间层350形成为覆盖该栅电极300和焊盘电极330。暴露源/漏区230的源/漏接触孔370形成于中间层350和栅绝缘层250中。然后，于中间层350上沉积源/漏电极层并对其进行构图，以形成源/漏电极430，其中源/漏电极分别与由接触孔370暴露的源/漏区230相连。
参照图3D，平坦化层500形成于衬底100的整个表面上，然后光致抗蚀剂图案(未显示)形成于平坦化层500上，其中该光致抗蚀剂图案暴露显示区域A和焊盘区域B的预定区域。利用光致抗蚀剂作为蚀刻掩模，蚀刻所暴露的显示区域A的平坦化层500以形成通孔530，其暴露源/漏电极430中的任一个。同时，利用该光致抗蚀剂作为蚀刻掩模蚀刻所暴露的焊盘区域B的平坦化层500和中间层350，以形成焊盘接触孔550，其暴露该焊盘电极330。
参照图3E，借助于溅射或真空沉积，可将第一像素电极层610沉积于显示区域A中的平坦化层500上，并且利用同样的方式可将第二像素电极层620沉积于第一像素电极层上。利用高精度掩模沉积第一和第二像素电极层61O、620，从而显示区域A而不是焊盘区域B配置有像素电极层。由第一和第二像素电极层61O、620构成的像素电极600与源/漏电极430中被通孔530暴露的一个连接。
第一像素电极层图案610可由导电反射层形成，而第二像素电极层图案620可由导电透明层形成。因此，从随后形成的发射层发出的光可从导电反射层向与衬底100相反的方向反射。优选地，导电反射层由从包括具有至少60％的反射率的铝(Al)、铝合金、银(Ag)、银合金、以及它们的合金的组中选出的任一种形成。更为优选地，该导电反射层由铝-钕(AlNd)形成。导电透明层优选由ITO或氧化铟锌(IZO)形成，其具有允许空穴被容易地注入到随后形成的有机发射层内的功函数。
或者，像素电极600可由一个导电层形成。
参照图3F，像素定义层700形成于衬底100的整个表面上。随后，暴露像素电极600的表面的开口形成于显示区域A的像素定义层700内，且同时从焊盘区域B移除像素定义层700以暴露焊盘电极330。然后，至少具有发射层的有机功能层730形成于像素电极600的暴露在该开口内的部分上。该有机功能层730也可包括电荷注入层和/或电荷传输层。对电极(oppositeelectrode)780形成于有机功能层730上。当像素电极600用作阳极时，对电极780可用作阴极；当像素电极600用作阴极时，对电极780可用作阳极。
钝化绝缘层800形成于衬底的整个表面上，然后被从焊盘区域B移除以暴露焊盘电极330。
随后，用密封剂覆盖衬底的封装区域C(未显示)，并且借助于该密封剂将衬底和封装衬底粘合在一起。然后，固化密封剂以完成封装，其可防止外部氧气和/或湿气渗入显示区域A。从而，封装可防止有机功能层730和像素电极600与氧气和/或湿气反应，这样可改善OLED的特性，例如其使用寿命。
封装衬底没有封装焊盘区域B的任何部分，从而该焊盘区域B被暴露。所暴露的焊盘区域330与外部模块连接，该外部模块可以是覆晶玻璃(chip onglass)(COG)、柔性印电路(FPC)或其他类似模块。
与现有技术不同，在本示例性实施例中，焊盘区域B不具有端子焊盘(图1的65)。此结构可防止由于端子焊盘的腐蚀导致的焊盘可靠性的下降。由于该腐蚀是造成原电池现象的原因，从而焊盘可靠性的提高可降低OLED的故障率。此外，焊盘电极330可由对湿气不敏感的材料形成，这可防止焊盘电极330的腐蚀。
图4是示出根据本发明第二示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图。图4限于图2所示的显示区域A的单元像素和焊盘区域B。本实施例的OLED具有与第一示例性实施例不同的焊盘区域结构。下面将对与第一示例性实施例的不同之处进行说明。
在形成和蚀刻平坦化层500之后，利用高精度掩模通过溅射或者真空沉积在平坦化层500上沉积第一像素电极层，从而为显示区域A提供第一像素电极层图案610并为焊盘区域B提供端子焊盘570。随后，利用另一高精度掩模通过溅射或真空沉积在第一像素电极层图案610上沉积第二像素电极层，从而在第一像素电极层图案610上形成第二像素电极层图案620，但是不在端子焊盘570上形成图案。
端子焊盘570与通过焊盘接触孔550暴露的焊盘电极330接触。
然后，在衬底100的整个表面形成像素定义层700。接下来，在像素定义层700内形成开口以暴露像素电极600的表面。同时，从焊盘区域B移除像素定义层700以暴露端子焊盘570。接下来，至少具有发射层的有机功能层730形成于像素电极600的暴露在开口中的部分上。对电极780形成于有机发射层730上。
钝化层800形成于衬底的整个表面上，然后被从焊盘区域B移除以暴露端子焊盘570。
然后，利用密封剂和封装衬底(未显示)封装衬底。焊盘区域B没有被封装衬底封装，并且所暴露的端子焊盘570与外部模块连接。
在此示例性实施例中，端子焊盘570由与第一像素电极层61O相同的单一层形成，其可防止由空气中的湿气导致的原电池现象。从而，可防止由端子焊盘(图1的65)的腐蚀导致的焊盘可靠性的下降。焊盘可靠性的改善可降低OLED的故障率。
图5是示出根据本发明第三示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图。图5限于图2所示的显示区域A的单元像素和焊盘区域B。本实施例的OLED具有与第二示例性实施例不同的端子焊盘结构。下面将对与第二示例性实施例的不同之处进行说明。
在形成和蚀刻平坦化层500之后，利用高精度掩模通过溅射或者真空沉积在平坦化层500上沉积第一像素电极层，从而为显示区域A提供第一像素电极层图案610，但不在焊盘区域B上形成图案。接下来，利用另一高精度掩模通过溅射或真空沉积在包括第一像素电极层图案610的平坦化层500上沉积第二像素电极层，从而在第一像素电极层图案610上形成第二像素电极层图案620，并在焊盘电极330上形成端子焊盘575。
端子焊盘575与通过焊盘接触孔550暴露的焊盘电极330接触。
除了上述情况外，本实施例的OLED与参照图4所述的OLED相同。
图6A和6B是示出根据本发明第四示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图。图6A和6B限于图2中所示的显示区域A的单元像素和焊盘区域B。本实施例的OLED具有与第一实施例不同的焊盘区域结构。下面将对与第一示例性实施例的不同之处进行说明。
参照图6A，为衬底100配置有源层200和栅绝缘层250，其是通过与参照图3A所述方法相同的方法形成的。在栅绝缘层250上沉积栅电极层并对其进行构图以在显示区域A的栅绝缘层250上形成栅电极300。
接下来，在衬底100的整个表面上形成中间层350。该中间层350具有暴露源/漏区230的源/漏接触孔370。然后，在中间层350上沉积源/漏电极层并对其构图，以同时形成源/漏电极430和焊盘区域B上的焊盘电极470，其中该源/漏电极430分别与源/漏极区230相连接。焊盘电极470与连接焊盘区域B和显示区域A的布线(wiring)(未显示)连接。该布线可以是公共电源布线或者数据布线。源/漏电极430和焊盘电极470优选由对湿气不敏感并具有优良导电性的材料形成。更为优选地，它们由钼合金形成。最优选地，该钼合金为钼-钨合金。
参照图6B，平坦化层500形成于衬底100的整个表面上并且被蚀刻以形成通孔530和焊盘接触孔550，其中该通孔530暴露源/漏电极430中的任一个，该焊盘接触孔550暴露该焊盘电极470。
接下来，OLED通过与参照图3E和3F所述方法相同的方法制造。与现有技术不同，根据本实施例的OLED没有端子焊盘(图1的65)，这可防止由于端子焊盘的腐蚀而导致的焊盘可靠性的下降。由于该腐蚀是造成原电池现象的原因，从而提高焊盘的可靠性可降低OLED的故障率。此外，焊盘电极470可由对湿气不敏感的材料形成，这可防止焊盘电极470的腐蚀。
图7是示出根据本发明第五示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图。图7限于图2中所示的显示区域A的单元像素和焊盘区域B。本实施例的OLED具有与第四示例性实施例不同的焊盘区域结构。下面将对与第四示例性实施例的不同之处进行说明。
在形成和蚀刻平坦化层500之后，利用高精度掩模通过溅射或者真空沉积在平坦化层500上沉积第一像素电极层，从而为显示区域A提供第一像素电极层图案610并为焊盘区域B提供端子焊盘570。随后，利用另一高精度掩模通过溅射或真空沉积在第一像素电极层图案610上沉积第二像素电极层，从而在第一像素电极层图案610上形成第二像素电极层图案620，但是不在端子焊盘570上形成图案。
端子焊盘570与通过焊盘接触孔550暴露的焊盘电极470接触。
然后，在衬底100的整个表面形成像素定义层700。接下来，像素定义层700内的开口得以形成以暴露像素电极600的表面。同时，从焊盘区域B移除像素定义层700以暴露端子焊盘570。接下来，至少具有发射层的有机功能层730形成于暴露在开口中的像素电极600上。对电极780形成于有机发射层730上。
钝化层800形成于衬底的整个表面上，然后被从焊盘区域B移除以暴露端子焊盘570。
利用密封剂和封装衬底(未显示)封装衬底的显示区域A，但是使焊盘区域B保持暴露。所暴露的端子焊盘570可与外部模块连接。
在此示例性实施例中，端子衬底570由与第一像素电极层610相同的单一层形成，其可防止由空气中的湿气导致的原电池现象。这可防止由端子焊盘(图1的65)的腐蚀导致的焊盘可靠性的下降，这可降低OLED的故障率。
图8是示出根据本发明第六示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图。图8限于图2中所示的显示区域A的单元像素和焊盘区域B。本实施例的OLED具有与第五示例性实施例不同的端子焊盘结构。下面将对与第五示例性实施例的不同之处进行说明。
在形成和蚀刻平坦化层500之后，利用高精度掩模通过溅射或者真空沉积在平坦化层500上沉积第一像素电极层，从而为显示区域A提供第一像素电极层图案610，但不为焊盘区域B配置附加图案。接下来，利用另一高精度掩模通过溅射或真空沉积在包括第一像素电极层图案610的平坦化层500上沉积第二像素电极层，从而在第一像素电极层图案610上形成第二像素电极层图案620，并在焊盘电极470上形成端子焊盘575。
端子焊盘575与通过焊盘接触孔550暴露的焊盘电极470接触。
除了上述情况外，本实施例的OLED与参照图7所述的OLED相同。
图9A、9B和9C是示出根据本发明第七示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图。图9A至9C限于图2中所示的显示区域A中的单元像素和焊盘区域B。本实施例的OLED具有与前面示例性实施例不同的焊盘区域结构。
参照图9A，为衬底100配置有源层200和栅绝缘层250，它们通过与参照图3A所述方法相同的方法形成。
在栅绝缘层250上沉积栅电极层并对其构图，以同时在显示区域A的栅绝缘层250上形成栅电极300并且在焊盘区域B的栅绝缘层250上形成栅焊盘(gate pad)335。然后利用栅电极300作为掩模向有源层200中注入杂质，从而形成源/漏区230并定义源/漏区230之间的沟道区210。
中间层350形成为覆盖栅电极300和栅焊盘335。同时为中间层350配置源/漏接触孔370和栅焊盘接触孔390，其中源/漏接触孔370暴露源/漏区230，栅极焊盘接触孔390暴露栅焊盘335。
参照图9B，然后在中间层350上沉积源/漏电极层并对其构图，以形成源/漏电极430，该源/漏电极430分别与源/漏区230连接。同时，焊盘电极470形成于通过栅焊盘接触孔390暴露的栅焊盘335上。焊盘电极470或者栅焊盘335可与连接焊盘区域B和显示区域A的布线(未显示)电连接。该布线可以是公共电源布线或者数据布线。焊盘电极470和源/漏电极430优选由对湿气不敏感并具有优良导电性的材料形成。更为优选地，它们由钼合金形成。最优选地，该钼合金为钼-钨合金。
参照图9C，平坦化层500形成于衬底100的整个表面上，并且被蚀刻以形成通孔530和焊盘接触孔550，其中该通孔530暴露源/漏电极430中任一个，该焊盘接触孔550暴露该焊盘电极470。
然后，OLED通过与参照图3E和3F所述方法相同的方法制造。与现有技术不同，根据第七示例性实施例的OLED没有端子焊盘(图1的65)，这可防止由于端子焊盘的腐蚀而导致的焊盘可靠性的下降。由于该腐蚀是造成原电池现象的原因，从而提高焊盘的可靠性可降低OLED的故障率。此外，焊盘电极470可由对湿气不敏感的材料形成，这可防止焊盘电极470的腐蚀。
图10是示出根据本发明第八示例性实施例的OLED及其制造方法的剖视图。图10限于图2中所示的显示区域A的单元像素和焊盘区域B。根据第八示例性实施例的OLED具有与第七示例性实施例不同的焊盘区域结构。下面将对与第七示例性实施例的不同之处进行说明。
在形成和蚀刻平坦化层500之后，利用高精度掩模通过溅射或者真空沉积在平坦化层500上沉积第一像素电极层，从而为显示区域A提供第一像素电极层图案610并为焊盘区域B提供端子焊盘570。随后，利用另一高精度掩模通过溅射或真空沉积在第一像素电极层图案610上沉积第二像素电极层，从而在第一像素电极层图案610上形成第二像素电极层图案620，但是不在端子焊盘570上形成图案。
在衬底100的整个表面形成像素定义层700。然后，像素定义层700内的开口得以形成以暴露像素电极600的表面。同时，从焊盘区域B移除像素定义层700以暴露端子焊盘570。接下来，至少具有发射层的有机功能层730形成于暴露在开口中的像素电极600上。对电极780形成于有机发射层730上。
然后，钝化层800形成于衬底的整个表面上，然后被从焊盘区域B移除以暴露端子焊盘570。
利用密封剂和封装衬底(未显示)封装衬底，但是使焊盘区域B保持暴露。所暴露的端子焊盘570与外部模块连接。
在此示例性实施例中，端子焊盘570由与第一像素电极层610相同的单一层形成，其可防止由空气中的湿气导致的原电池现象。这可防止由端子焊盘(图1的65)的腐蚀导致的焊盘可靠性的下降。焊盘可靠性的提高可降低OLED的故障率。
图11是示出根据本发明第九实施例的OLED及其制造方法的剖视图。图11限于图2中所示的显示区域A的单元像素和焊盘区域B。本实施例的OLED具有与第八示例性实施例不同的端子焊盘结构。下面将对与第八示例性实施例的不同之处进行说明。
在形成和蚀刻平坦化层500之后，利用高精度掩模通过溅射或者真空沉积在平坦化层500上沉积第一像素电极层，从而为显示区域A提供第一像素电极层图案610，但在焊盘区域B上不附加图案。接下来，利用另一高精度掩模通过溅射或真空沉积在包括第一像素电极层图案610的平坦化层500上沉积第二像素电极层，从而在第一像素电极层图案610上形成第二像素电极层图案620，并在焊盘电极470上形成端子焊盘575。
端子焊盘575与通过焊盘接触孔550暴露的焊盘电极470接触。
除了上述情况外，本实施例的OLED与参照图10所述的OLED相同。
为了有助于理解本发明，下文对一示例进行说明。
示例
与第四实施例相同地制备OLED。焊盘电极(图6B的470)由钼钨合金形成，并通过焊盘接触孔(图6B的550)暴露。
比较例
除了在由AlNd层和ITO层形成像素电极(图6B的600)的同时，在焊盘电极(图6B的470)上形成具有相同的AlNd层和ITO层的端子焊盘之外，与该示例相同地制备OLED。
以下的表1显示出10个OLED的故障率。5个基于该示例，5个基于该比较例。这些OLED在85℃、95％的相对湿度下保持100小时。
表1
  示例   比较例
  故障率   0％(0/5)   100％(5/5)
参见表1，5个该示例的OLED在其焊盘中未产生任何缺陷。另一方面，全部5个比较例的OLED在其焊盘中均产生了缺陷。于是，示例的OLED相对于比较例的OLED在故障率方面具有100％的改善。
如上所述，根据本发明的示例性实施例，焊盘区域B可不具有端子焊盘，或者如果其具有端子焊盘(图4、7和10的570，图5、8和11的575)，则其可由与构成像素电极600的导电薄层中的任一个相同的单一层形成。从而，其可防止由空气中的湿气导致的原电池现象，这可防止由于端子焊盘的腐蚀导致的焊盘可靠性的下降。端子可靠性的提高可降低OLED的故障率。此外，当不形成端子焊盘时，焊盘电极可由对湿气不敏感的材料形成，这可防止焊盘电极的腐蚀。
对于本领域技术人员来说明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可对本发明进行各种改进和变化。从而，本发明将涵盖落入所附权利要求及其同等结构范围内的本发明的改进和变化。

Claims (18)

1.一种有机发光显示器，包括：
一衬底；
一显示区域，其位于该衬底上；
一焊盘区域，其位于该衬底上并与该显示区域隔开；
至少一薄膜晶体管，其被置于该显示区域上并具有有源层、栅电极、源电极和漏电极；
一像素电极，其与该薄膜晶体管电连接，并由至少两导电层形成；
一焊盘电极，其被置于该焊盘区域上；以及
一端子焊盘，其被置于该焊盘电极上，
其中，该焊盘电极由与栅电极层或者源/漏电极层相同的层形成，
其中，该端子焊盘由与所述至少两导电层中的任一层相同的层形成，
其中，该端子焊盘与外部模块连接。
2.如权利要求1的有机发光显示器，其中所述两导电层是一导电反射层和一导电透明层。
3.如权利要求2的有机发光显示器，其中该导电反射层由从铝(Al)、铝合金、银(Ag)、银合金、以及它们的合金的组中选出的任一种形成。
4.如权利要求3的有机发光显示器，其中该导电反射层由铝-钕(AlNd)形成。
5.如权利要求2的有机发光显示器，其中该导电透明层由氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)形成。
6.如权利要求2的有机发光显示器，其中该端子焊盘由该导电反射层或者该导电透明层形成。
7.如权利要求6的有机发光显示器，其中该导电透明层由ITO或IZO形成。
8.如权利要求1的有机发光显示器，其中该焊盘电极由钼合金形成。
9.如权利要求8的有机发光显示器，其中该钼合金是钼-钨合金。
10.如权利要求1的有机发光显示器，还包括：
一栅焊盘，其由与该栅电极层相同的层形成并形成于该焊盘电极之下，
其中该焊盘电极由与该源/漏电极层相同的层形成。
11.如权利要求1的有机发光显示器，其中该外部模块是覆晶玻璃或柔性印刷电路。
12.一种有机发光显示器的制造方法，包括：
提供具有显示区域和与该显示区域隔开的焊盘区域的衬底；
在该显示区域上形成具有有源层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管；
随着形成该栅电极或该源/漏电极而在该焊盘区域上形成焊盘电极；
形成具有至少两导电层并且与该薄膜晶体管电连接的像素电极；以及
随着所述至少两导电层中的任一层的形成而在该焊盘电极上形成端子焊盘。
13.如权利要求12的方法，其中所述两导电层是一导电反射层和一导电透明层。
14.如权利要求13的方法，其中该导电反射层由从铝(Al)、铝合金、银(Ag)、银合金、以及它们的合金的组中选出的任一种形成。
15.如权利要求13的方法，其中该导电透明层由氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IXO)形成。
16.如权利要求13的方法，其中该端子焊盘由该导电反射层或者该导电透明层形成。
17.如权利要求12的方法，其中该焊盘电极由钼合金形成。
18.如权利要求12的方法，还包括：
在形成该焊盘电极之前，随该栅电极的形成而形成栅焊盘，
其中在该栅焊盘上随着形成该源/漏电极而形成该焊盘电极。
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