KR20090001374A - 유기전계발광소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자는 발광영역 및 비발광영역을 포함하는 제 1 기판, 발광영역의 제 1 기판 상에 형성된 전원라인 및 제 1 박막트랜지스터부, 비발광영역의 제 1 기판 상에 형성된 게이트 패드전극 및 데이터 패드전극, 전원라인, 제 1 박막트랜지스터부, 게이트 패드전극 및 데이터 패드전극 상에 형성되며 다수의 비아홀을 구비하는 게이트 절연막, 게이트 패드전극, 데이터 패드전극, 전원라인 및 제 1 박막트랜지스터부 상에 형성되는 보조전극을 포함하며, 보조전극은 몰리티타늄(MoTi)으로 형성될 수 있다.
몰리티타늄, 보조전극
Description
도 1a 내지 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면도이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
125b : 제 1 드레인 전극 195a : 보조전극
100 : 제 1 기판 150 : 제 2 기판
본 발명은 디스플레이에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
평판표시장치(Flat Panel Display Device) 중 전계발광표시장치는 자발광형 표시장치로서 백라이트가 필요하지 않아 경량박형이 가능할 뿐만 아니라 공정을 단순화시킬 수 있으며, 저온 제작이 가능하고, 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 낮은 소비 전력, 넓은 시야각 및 높은 콘트라스트(Contrast) 등의 특성을 나타낸다.
특히, 유기전계발광표시장치는 애노드와 캐소드 사이에 유기물을 포함하는 발광층을 포함하고 있어 애노드로부터 공급받는 정공과 캐소드로부터 받은 전자가 유기발광층 내에서 결합하여 정공-전자쌍인 여기자(exciton)를 형성하고 여기자가 다시 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다.
유기전계발광소자, 특히 유기층이 있는 발광부와 박막트랜지스터가 기판에 따로 형성되는 구조의 유기전계발광소자는 하판과 상판 컨택 특성을 좋게 하기 위하여 전도성이 좋은 금속을 추가로 사용한다. 또한 상술한 금속 외에도 컨택 부분의 수분에 의한 부식 방지를 위해 ITO와 같은 부식 및 산화에 강한 물질을 사용한다.
따라서 두개의 레이어를 따로 형성하기 위해서 공정상의 효율이 떨어지게 된다. 또한, ITO(indium tin oxide)가 먼저 생성된후 상부에 전도성이 좋은 금속을 형성시키는 경우, 필요없는 부분에 에칭을 하게 되면 ITO 표면에 원하지 않는 부식이 일어나기도 한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 전기 전도성 및 부식에 강한 물질을 사용함으로써 마스크 수를 줄여 공정의 효율성을 높이고 기판의 합착되는 부분 및 패드 부분의 부식 및 산화를 방지함에 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자는 발광영역 및 비발광영역을 포함하는 제 1 기판, 발광영역의 제 1 기판 상에 형성된 전원라인 및 제 1 박막트랜지스터부, 비발광영역의 제 1 기판 상에 형성된 게이트 패드전극 및 데이터 패드전극, 전원라인, 제 1 박막트랜지스터부, 게이트 패드전극 및 데이터 패드전극 상에 형성되며 다수의 비아홀을 구비하는 게이트 절연막, 게이트 패드전극, 데이터 패드전극, 전원라인 및 제 1 박막트랜지스터부 상에 형성되는 보조전극을 포함하며, 보조전극은 몰리티타늄(MoTi)으로 형성될 수 있다.
또한, 제 1 박막트랜지스터부 상에 형성되는 보조전극은 제 1 박막트랜지스터의 드레인 전극 상부에 형성될 수 있다.
또한, 전원라인부 상에 형성되는 보조전극은 게이트 절연막에 형성된 비아홀을 통해 전원라인과 연결되는 컨택층 상부에 형성될 수 있다.
또한, 제 1 기판 상부에는 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
또한, 제 1 기판은 스페이서, 제 1 전극, 유기층 및 제 2 전극이 형성된 제 2 기판과 합착될 수 있다.
또한, 발광영역 상에 형성된 보조전극은 스페이서 상에 형성된 제 2 전극과 접속될 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기전계발광소자는 제 1 기판, 제 1 기판 상에 형성되며 제 1 게이트 전극, 제 1 소스 전극, 제 1 드레인 전극을 포함하는 제 1 박막트랜지스터부 및 제 1 기판 상에 형성되며 제 2 게이트 전극, 제 2 소스 전극, 제 2 드레인 전극을 포함하는 제 2 박막트랜지스터부를 포함하며, 제 1 드레인 전극은 몰리티타늄(MoTi)로 형성될 수 있다.
또한, 제 1 게이트 전극 및 제 2 게이트 전극 상부에 형성되며, 제 1 게이트 전극을 노출시키는 비아홀을 구비하는 게이트 절연막을 포함할 수 있다.
또한, 제 2 드레인 전극은 비아홀을 통해 제 1 게이트 전극과 연결될 수 있다.
또한, 제 1 박막트랜지스터부 및 제 2 박막트랜지스터부 상에는 제 1 드레인 전극부만 노출시키는 패시베이션막이 형성될 수 있다.
또한, 제 1 기판은 스페이서, 제 1 전극, 유기층 및 제 2 전극이 형성된 제 2 기판과 합착될 수 있다.
또한, 제 1 드레인 전극은 스페이서 상에 형성된 제 2 전극과 접속될 수 있다.
또한, 제 1 소스 전극, 제 2 소스 전극 및 제 2 드레인 전극은 몰리티타늄(MoTi)로 형성될 수 있다.
또한, 제 1 박막트랜지스터부는 구동 박막트랜지스터이고, 제 2 박막트랜지스터부는 스위칭 박막트랜지스터일 수 있다..
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
본 발명의 일 실시예에서는 전계발광소자 중 발광층을 유기물질로 하는 유기전계발광소자에 대하여 설명하기로 하나, 여기에 한정되는 것은 아니다. 즉, 무기전계발광소자 등의 기타 디스플레이 장치에도 적용이 가능한 것이다.
또한, 전계발광소자는 전면 발광형을 예로 들어 설명하나 이에 한정되지 않으며 배면 발광형 또는 양면 발광형 전계발광소자에도 적용이 가능하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광소자 및 그 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 1a 내지 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면도이다.
도 1a 내지 도 1b를 참조하면, 제 1 기판(100)은 컨택영역(A1) 및 화소영역(A2)을 포함하는 발광영역(A)과 후술하는 제 2 기판(150)에 의해 합착되지 않는 게이트 패드부 및 데이터 패드부를 포함하는 비발광영역(B)을 포함한다.
우선 발광영역(A)에 한해서 설명하면, 발광영역(A)의 제 1 기판(100) 상부에는 버퍼층(105)이 위치하며, 버퍼층(105) 상에 스캔라인(미도시), 제 1 전원라인(110a),제 1 게이트 전극(110b), 제 2 전원라인(110c)을 포함하는 신호선들이 위 치한다. 여기서 상기 기판은 투명한 유리 , 플라스틱 또는 금속을 포함할 수 있다.
게이트 절연막(115)의 화소영역(A2) 상에는제 1 게이트 전극(110b)과 일정 영역이 대응되도록 제 1 반도체층(120)이 위치하며, 제 1 반도체층(120)의 일정 영역 상에 제 1 드레인 전극(125b) 및 제 1 소스 전극(125c)이 위치한다. 게이트 절연막(115)은 산화실리콘 또는 질화실리콘 재질로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
한편, 게이트 절연막(115)의 컨택영역(A1) 상에 제 1 비아홀(135a)을 통하여 제 1 전원라인(110a)과 연결되는 컨택층(125a)이 위치한다. 컨택층(125a)은 제 1 드레인 전극(125b) 및 제 1 소스 전극(125c)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
게이트 전극, 제 1 소스 전극(125c), 제 1 드레인 전극(125b) 및 컨택층(125a)은 크롬, 알루미늄, 몰리브덴, 은, 구리, 티타늄, 탄탈륨 또는 이들의 합금 등의 재질로 적어도 1 층 이상의 적층 구조로 형성될 수 있다. 이 때 제 1 소스 전극(125c), 제 1 드레인 전극(125b) 및 컨택층(125a)은 동일 평면상에 형성될 수 있다.
컨택층(125a), 제 1 드레인 전극(125b) 및 제 1 소스 전극(125c)을 포함하는 기판 상에 층간 절연막(115)이 위치한다. 층간 절연막(115)은 컨택층(125a) 및 제 2 비아홀(135d)을 노출시키도록 형성된다. 또한 층간 절연막(115) 내에는 제 1 드레인 전극(125b) 및 제 1 소스 전극(125c)의 일부를 노출시키는 제 3 비아홀(135b) 및 제 4 비아홀(135c)이 위치한다.
그리고 제 1 소스 전극(125c) 상에 제 4 비아홀(135c) 및 제 2 비아홀(135d) 을 통하여 제 1 소스 전극(125c)과 제 2 전원라인(110c)을 전기적으로 연결시키는 제 1 연결배선(140)이 위치한다.
제 1 기판(100)과 대향되도록 위치한 제 2 기판(150) 상에는 제 1 전극(155)이 위치한다. 여기서 제 1 전극(155)은 애노드 전극일 수 있다.
제 1 전극(155) 상에 제 1 전극(155)의 일부를 노출시키는 제 1 비아홀(135a)과 개구부(165b)를 포함하는 화소정의막(160)이 위치한다. 제 1 비아홀(135a)은 컨택영역(A1) 상에 위치하며, 개구부(165b)는 화소영역(A2) 상에 위치한다.
화소정의막(160)의 컨택영역(A1) 및 화소영역(A2) 상에 각각 제 1 스페이서(175a) 및 제 2 스페이서(175b)가 위치한다. 그리고 제 1 스페이서(175a) 상에 제 1 비아홀(135a)을 통하여 제 1 전극(155)과 연결되는 제 2 연결배선(180a)이 위치하며 제 2 스페이서(175b) 및 발광층(170) 상에 제 2 전극(180b)이 위치한다. 여기서 제 2 전극(180b)은 캐소드 전극일 수 있다.
제 1 기판(100)과 제 2 기판(150)은 실런트(190)에 의해 합착되며, 합착시 제 2 연결배선(180a)과 제 2 전극(180b)은 각각 제 1 기판(100)에 위치한 컨택층(125a) 및 제 1 드레인 전극(125b)과 전기적으로 연결된다.
상기와 같은 구조를 갖는 유기전계발광소자는 제 1 기판(100)과 제 2 기판(150)을 각각 제조하여 이들을 합착하여 형성하기 때문에, 돌출된 스페이서들을 이용하여, 제 1 기판(100)에 위치한 박막트랜지스터들과 제 2 기판(150)에 위치한 전극들을 연결시키는 구조를 가진다.
상술한 구조를 가지는 유기전계발광소자는 제 1 기판(100)의 컨택층(125a) 및 제 1 드레인 전극(125b)에서 제 2 기판(150)의 제 2 연결배선(180a) 및 제 2 전극(180b)으로 전류가 흐르게 되는 경우, 접촉되는 부분의 컨택 특성, 특히 전기전도성을 좋게 하기 위하여 몰리티타늄(MoTi)로 형성된 보조전극(195a, 195b)을 형성할 수 있다.
보조전극(195a, 195b)은 제 1 드레인 전극(125b) 및 컨택층(125a)의 상부에 형성되어 제 2 기판(150)의 제 2 전극(180b) 및 제 2 연결배선(180a)과 서로 전기적으로 접속될 수 있다.
제 1 기판(100)과 제 2 기판(150)이 합착되는 부분은 수분 및 산화에 의한 부식이 잦기 때문에 이에 강한 물질을 사용해야 하며, 상술한 바대로 양 기판과의 전기전도성도 좋아야 한다.
따라서 몰리티타늄으로 형성된 보조전극(195a, 195b)을 형성하는 경우, 상술한 두가지를 모두 만족시키기 위하여 사용했던 ITO, 몰리브덴 등의 두 층의 레이어를 따로 형성하지 않아도 되기 때문에 마스크 수를 줄여 공정의 효율화를 도모할 수 있고 에칭 등에 대한 전극의 손상, 산화 등을 방지할 수 있다.
다음, 도 1b를 참조하면, 제 1 기판(100)의 비발광영역(B)은 실런트(190)에 의해 제 2 기판(150)과 합착되지 않은 부분으로서 소자의 외곽부에 해당한다.
제 1 기판(100)의 상부에는 버퍼층(105)이 위치하며, 버퍼층(105)의 상부에는 게이트 패드전극(110d)과 데이터 패드전극(110e)이 위치한다. 상기 게이트 패드전극(110d)과 데이터 패드전극(110e)은 상술한제 1 게이트 전극(110b)과 동일한 물질 일 수 있으며, 동일 평면에 위치할 수 있다.
제 1 기판(100), 게이트 패드전극(110d) 및 데이터 패드전극(110e) 상부에는 게이트 패드전극(110d)과 데이터 패드전극(110e)을 일부 노출시키도록 제 5 비아홀(135e) 및 제 6 비아홀(135f)이 형성된 게이트 절연막(115)이 형성된다.
상술한 비발광영역(B)의 게이트 패드전극(110d) 및 데이터 패드전극(110e)의 상부에도 몰리티타늄으로 형성된 보조전극(195c, 195d)이 형성될 수 있다.
몰리티타늄으로 형성된 보조전극(195c, 195d)을 형성하는 경우, 상술한 두가지를 모두 만족시키기 위하여 사용했던 ITO, 몰리브덴 등의 두 층의 레이어를 따로 형성하지 않아도 되기 때문에 마스크 수를 줄여 공정의 효율화를 도모할 수 있고 에칭 등에 대한 전극의 손상, 산화 등을 방지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면을 나타낸 것이다.
도 2를 참조하면, 제 1 기판(200)상에 제 1 박막트랜지스터부 및 제 2 박막트랜지스터부가 형성된다.
구체적으로 보면, 제 1 기판(200)상에는 버퍼층(205)이 형성되고, 버퍼층(205) 상부에는 제 1 게이트 전극(220b) 및 제 2 게이트 전극(240b)이 형성된다. 제 1 게이트 전극(220b) 및 제 2 게이트 전극(240b)의 상부에는 제 1 게이트 전극(220b)의 일부를 노출시키는 제 3 비아홀(235b)을 구비하는 게이트 절연막이 형성된다.
제 2 반도체층(240)은 게이트 절연막의 상부에 제 2 게이트 전극(240b)과 대 응되어 형성되고, 제 2 소스 전극(245b)은 제 2 반도체층(240)과 일부 중첩되어 형성된다. 제 2 드레인 전극(245b)은 제 2 반도체층(220)(240)과 일부 중첩되어 형성되며 게이트 절연막에 형성된 비아홀을 통해 제 1 게이트 전극(220b)과 연결된다.
제 1 반도체층(220)은 게이트 절연막의 상부에 제 1 게이트 전극(220b)과 중첩되어 형성되며 제 1 소스 전극(225c) 및 제 1 드레인 전극(225b)은 상기 제 1 반도체층(220) 상에 형성된다.
상술한 구조를 가지는 제 1 기판(200)의 상부에는 제 1 드레인 전극(225b)의 일부를 노출시키는 제 7 비아홀(235g)이 형성된 층간절연막(230)이 형성될 수 있다. 제 1 드레인 전극(225b)의 노출 영역을 제외하고 제 1 기판(200)은 층간절연막(230)으로 덮여 있으므로 이물에 대한 불량을 방지할 수 있다.
상술한 구조를 가지는 제 1 기판은 스페이서, 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극과 합착될 수 있다. 특히, 제 2 기판의 제 2 전극은 제 1 기판의 제 1 드레인 전극과 전기적으로 서로 접속될 수 있다.
상술한 구조를 가지는 유기전계발광소자는 제 1 기판의 제 1 드레인 전극(225b)에서 제 2 기판의 제 2 전극으로 전류가 흐르게 되는 경우, 접촉되는 부분의 컨택 특성, 특히 전기전도성을 좋게 하기 위하여 몰리티타늄(MoTi)로 형성될 수 있다.
제 1 기판과 제 2 기판이 합착되는 부분은 수분 및 산화에 의한 부식이 잦기 때문에 이에 강한 물질을 사용해야 하며, 상술한 바대로 양 기판과의 전기전도성도 좋아야 한다.
따라서 제 1 드레인 전극(225b)을 몰리티타늄으로 형성하는 경우, 상술한 두 가지를 모두 만족시키기 위하여 사용했던 ITO, 몰리브덴 등의 두 층의 레이어를 따로 형성하지 않아도 되기 때문에 마스크 수를 줄여 공정의 효율화를 도모할 수 있다. 또한, 유기전계발광소자를 더욱 경량박형하게 하면서 수분에 대한 내부식성 및 전기전도성을 좋게 할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자는 전기 전도성 및 부식에 강한 물질을 사용함으로써 마스크 수를 줄여 공정의 효율성을 높이고 기판의 합착되는 부분 및 패드 부분의 부식 및 산화를 방지하는 효과가 있다.
Claims (14)
- 발광영역 및 비발광영역을 포함하는 제 1 기판;상기 발광영역의 상기 제 1 기판 상에 형성된 전원라인 및 제 1 박막트랜지스터부;상기 비발광영역의 상기 제 1 기판 상에 형성된 게이트 패드전극 및 데이터 패드전극;상기 전원라인, 상기 제 1 박막트랜지스터부, 상기 게이트 패드전극 및 상기 데이터 패드전극 상에 형성되며 다수의 비아홀을 구비하는 게이트 절연막;상기 게이트 패드전극, 상기 데이터 패드전극, 상기 전원라인 및 상기 제 1 박막트랜지스터부 상에 형성되는 보조전극;을 포함하며, 상기 보조전극은 몰리티타늄(MoTi)으로 형성된 유기전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 박막트랜지스터부 상에 형성되는 상기 보조전극은 상기 제 1 박막트랜지스터의 제 1 드레인 전극 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 전원라인부 상에 형성되는 상기 보조전극은 상기 게이트 절연막에 형성된 상기 비아홀을 통해 상기 전원라인과 연결되는 컨택층 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 기판 상부에는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 기판은 스페이서, 제 1 전극, 유기층 및 제 2 전극이 형성된 제 2 기판과 합착되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 1 박막트랜진스터부 상에 형성된 상기 보조전극은 상기 스페이서 상에 형성된 상기 제 2 전극과 접속되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1 기판;상기 제 1 기판 상에 형성되며 제 1 게이트 전극, 제 1 소스 전극, 제 1 드레인 전극을 포함하는 제 1 박막트랜지스터부; 및상기 제 1 기판 상에 형성되며 제 2 게이트 전극, 제 2 소스 전극, 제 2 드레 인 전극을 포함하는 제 2 박막트랜지스터부;를 포함하며, 상기 제 1 드레인 전극은 몰리티타늄(MoTi)로 형성된 유기전계발광소자.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 게이트 전극 및 상기 제 2 게이트 전극 상부에 형성되며, 상기 제 1 게이트 전극을 노출시키는 비아홀을 구비하는 게이트 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 2 드레인 전극은 상기 비아홀을 통해 상기 제 1 게이트 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 박막트랜지스터부 및 상기 제 2 박막트랜지스터부 상에는 상기 제 1 드레인 전극만 노출시키는 비아홀을 포함하는 층간절연막이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 기판은 스페이서, 제 1 전극, 유기층 및 제 2 전극이 형성된 제 2 기판과 합착되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 드레인 전극은 상기 스페이서 상에 형성된 상기 제 2 전극과 접속되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 소스 전극, 상기 제 2 소스 전극 및 상기 제 2 드레인 전극은 몰리티타늄(MoTi)로 형성된 유기전계발광소자.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 박막트랜지스터부는 구동 박막트랜지스터이고, 상기 제 2 박막트랜지스터부는 스위칭 박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
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| KR20160031604A (ko) * | 2014-09-12 | 2016-03-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20160032330A (ko) * | 2014-09-15 | 2016-03-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20160054746A (ko) * | 2014-11-07 | 2016-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20220075207A (ko) * | 2015-06-26 | 2022-06-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20220150233A (ko) * | 2014-07-23 | 2022-11-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
-
2007
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130110987A (ko) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20220150233A (ko) * | 2014-07-23 | 2022-11-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR20160031604A (ko) * | 2014-09-12 | 2016-03-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20160032330A (ko) * | 2014-09-15 | 2016-03-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20160054746A (ko) * | 2014-11-07 | 2016-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
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