CN101256551A - 检查光掩模的方法与系统、计算机可读取的存储介质 - Google Patents

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Abstract

一种检查光掩模的方法与系统、计算机可读取的存储介质，该检查光掩模的方法包括将来自一发光源的光导入一光掩模的一第一面，使得该光的至少一部分透过该光掩模传送。从该光透过该光掩模被传送且从该光掩模的一第二面可观察的部分检测一第一光掩模图像。通过将一曝光模拟模型应用于一光掩模设计而产生一第二光掩模图像。并判定该第一光掩模图像及该第二光掩模图像之间的一差异。本发明可用以检查光掩模的缺陷。

Description

检查光掩模的方法与系统、计算机可读取的存储介质
技术领域
本发明涉及光掩模缺陷分析。
背景技术
半导体光刻程序使用光掩模来图案化。集成电路(IC)技术持续进展到具有微小特征线及增加密度的电路布局。由于此一持续的进展之故，即使是光掩模上非常小的缺陷也会对生产良率造成负面影响。
发明内容
为克服现有技术缺陷，本发明提供了一种检查光掩模的方法，其包括将来自一发光源的光导入一光掩模的一第一面，使得该光的至少一部分透过该光掩模传送。从该光的透过该光掩模被传送且从该光掩模的一第二面可观察的部分检测一第一光掩模图像。通过将一曝光模拟模型应用于一光掩模设计而产生一第二光掩模图像。并判定该第一光掩模图像及该第二光掩模图像之间的一差异。
本发明也提供一种检查光掩模的系统，其包括：一光刻模拟显微镜，用以产生一光掩模在类似晶片生产时的一第一图像；第一运算逻辑，其包含一曝光模拟模型，用以：接收一光掩模设计作为输入；模拟在该光掩模设计上光衍射的效果；产生一第二光掩模图像作为输出；第二运算逻辑，其包含一比较器，用以比较该第一光掩模图像及该第二光掩模图像。
本发明还提供一种检查光掩模的系统，其包括：一第一数据输入机制，用以接收一第一光掩模图像，其是由将一光掩模曝光于一光源所产生，并检测为穿透该光掩模的光的一图像图案；一第二数据输入机制，用以接收一第二光掩模图像，其通过将一曝光模拟模型应用于一光掩模设计所产生；以及一计算机，用以分别从该第一及第二数据输入机制接收该第一及第二光掩模图像，并判定该第一光掩模图像及该第二光掩模图像之间的一差异。
本发明还提供一种软件程序，其存储于一可存储介质，并包含指令，用以：将一第一光掩模图像载入一第一内存中；判定一第一值，其表示在该第一光掩模图像上一位置的曝光量；将一第二光掩模图像载入一第二内存中；判定一第二值，其表示对应于该第一光掩模图像的该位置的该第二光掩模图像上一位置的曝光量；及计算该第一值及该第二值的一差异。
本发明可用以检查光掩模的缺陷。
附图说明
图1显示依据本发明一实施例的用以分析半导体光掩模缺陷的系统。
图2显示用以产生一曝光基础的光掩模图像。
图3显示用以产生一模型基础的光掩模图像。
图4显示依据本发明一实施例的用以比较两个光掩模图像的方法的流程图。
图5显示依据本发明另一实施例的用以比较两个光掩模图像的方法的流程图。
图6显示3个示例性的光掩模图像。
图7显示依据本发明一实施例的显示一图像的方法的流程图。
图8显示依据图7所示本发明实施例方法所产生的一光掩模图像。
其中，附图标记说明如下：
100～系统；102～第一光掩模图像；104～缺口；106a-106b～线段；108～第二光掩模图像；110～线段；111～位置；112～比较器；113～结果图像；114～位置；200～系统；202～光源；204a～光束；208～光掩模；210～光掩模图案；204b～图案化光；300～系统；302～光掩模设计；304～模型；306～光掩模图像；602～第一光掩模图像；602a～像素；602b～像素；604～第二光掩模图像；604a～像素；604b～像素；606～结果图像；606a～像素；602b～像素。
具体实施方式
为了让本发明的目的、特征、及优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，做详细的说明。
本发明涉及光刻系统及用于一光刻系统的分析光掩模缺陷的方法。本发明说明书提供不同的实施例来说明本发明不同实施方式的技术特征。其中，实施例中的各元件的配置是为说明之用，并非用以限制本发明。且实施例中图式标号的部分重复，是为了简化说明，并非意指不同实施例之间的关联性。
参见图1，其显示依据本发明一实施例的用以分析半导体光掩模缺陷的系统100。系统100组成并设计为用以比较2个光掩模图像，并产生一结果的光掩模比较图像，其细节如后述。
比较系统100包含一第一光掩模图像102，其可以通过后述的曝光基础模拟系统产生。在一实施例中，第一光掩模图像102为一灰阶点阵图图像，其中每一像素具有一介于0到255范围的值。图1中所示的第一光掩模图像102显示一缺口104。缺口104为在第一光掩模图像102中漏失的线段106a-106b的一部分。在第一光掩模图像102的缺口104可能是由用以产生第一光掩模图像102的光掩模的缺陷所造成。需了解，缺口104绘制得相对大些以利清楚的讨论，在某些实施例中其可以是非常小的缺陷。
比较系统100也包含一第二光掩模图像108，其可以通过后述的模型基础模拟系统产生。在一实施例中，第二光掩模图像108为一灰阶点阵图图像，其中每一像素具有一介于0到255范围的值。图1中所示的第二光掩模图像108具有一线段110。线段110是连续的，且在位置111并不具有缺口。在第二光掩模图像108的位置111对应于第一光掩模图像102的缺口104的位置。
再参见图1，系统100包含一比较器112，用以比较该第一光掩模图像102及该第二光掩模图像108。在本实施例中，比较器112为一计算机，其包含一处理单元、内存、及输出/输入，用以接收第一光掩模图像102及第二光掩模图像108，并提供一比较结果，其细节如后述。需了解的是，比较器可以由多个分离系统产生，或者可以为任何下述系统任意一个，如图2及图3所示。
比较器112产生一结果图像113。在一实施例中，结果图像113为一灰阶点阵图图像，其中每一像素具有一介于0到255范围的值。在另一实施例中，结果图像113包含的像素具有的值落在-255～255的范围。例如，在结果图像113中一像素的值可以为第一光掩模图像102的一像素的值和第二光掩模图像108中对应的像素的值的差异。在一实施例中，结果图像113中一像素的值为第一光掩模图像102的一像素的值和第二光掩模图像108中对应的像素的值的差异的绝对值。如图1所示，结果图像113包含在位置114的一标记，其中该像素值和结果图像113中其他像素的值有相当差异。在其他实施例中，第一光掩模图像102和第二光掩模图像108在位置114的差异可以在结果图像113中显示为黑色、白色、彩色、平行线相交的阴影，或任何其他可观察的方式来表示在位置114的不同。
位置114的标记对应于在第二光掩模图像108的位置111没有出现的第一光掩模图像102的缺口104。位置114的标记表示第一光掩模图像102在缺口104处和第二光掩模图像108的位置111有明显的不同。位置114的标记可以表示用以产生第一光掩模图像102的光掩模有缺陷。
参见图2，其显示用以产生第一光掩模图像102的一曝光基础光刻模拟系统200。在一实施例中，系统200为可购得的光刻模拟显微镜，例如CarlZeiss Microelectronics Systems的航空图像测量系统(Aerial ImageMeasurement System，AIMS)。系统200包含一光源202用以提供光束204a。光源202可以为适当的电磁能光源，例如紫外光(UV)、深紫外光(DUV)、或X光源。更详细说，光源202可以为波长为365nm(I-line)的水银灯；波长为248nm的氟化氪(KrF)准分子激光；波长为193nm的氟化氩(ArF)准分子激光。再者，可以使用浸入技术以降低光束204a的有效波长。
光束204a被导向包含光掩模图案210的光掩模208。光掩模图案210依据期望在一半导体基底上形成的集成电路特征来设计。在一实施例中，光掩模图案210可以包含使用多个程序和物质形成的一吸收层，例如沉积铬(Cr)、氧化铁、构成的一金属膜，或由MoSi、ZrSiO、SiN、及/或TiN构成的无机膜。该吸收层图案化为具有一个或多个开口，其可让光束穿过而不会被吸收，并具有一个或多个吸收区，其中该光束可能被完全或部分阻挡。在另一实施例中，光掩模图案210可以包含形成于其上的相位转移特征，其通过蚀刻而形成于光掩模208的基底上及/或至少部分在基底中。光掩模图案210可以为一二元强度光掩模(BIM，或binary mask)，其包含铬区域及透明石英区域。在另一实施例中，光掩模图案210可以为一交替式相位转移光掩模(AltPSM)，使用交替的铬及180度位移石英区域。在另一实施例中，光掩模图案210可以为一减弱相位转移光掩模(AttPSM)，使用具有相对于该透明基底相位转移的一减弱特征。或者，光掩模图案210可以为一无铬相位转移图案。在另一实施例中，光掩模图案210可以包含一二元特征及各种相位转移特征的组合。再者，光掩模图案210可以包含数种设计用以修正一光学邻近效果的光学邻近修正(OPC)特征。
被导向光掩模208而穿过或透过光掩模208的光束204a的一部分被视为图案化光204b。图案化光204b可以和光束204a的相位、方向、振幅、及/或波长不同。图案化光204b被导向光检测器210。光检测器210可以为光反应性膜、粒子检测器、电荷耦合装置(CCD)图像传感器、互补金属氧化物半导体导体(CMOS)图像传感器，或任何其他可以检测由图案化光204b形成的图案的装置。光检测器210可以和一计算机(图未显示)耦接，以存储该传送的光图案的图像。在本实施例中，光检测器210所检测到的图像用以产生第一光掩模图像102。
图3显示用以产生第二光掩模图像104的系统300。系统300包含一光掩模设计302，其可以为一光掩模设计的向量或光栅图像。例如，光掩模设计302可以为一CAD图或GDSII格式的文件。光掩模设计302由一模型304所处理。模型304可以为一曝光模拟模型，例如计算将一光掩模在一光源下曝光时的放大、边界偏差、及边角钝化的效果的一模型。模型304可以计算在一光掩模曝光时的光衍射。在某些实施例中，模型304使用物理定律、经验模型、统计或其组合来计算效果。在特定实施例中，模型304可以实现为一计算机程序。模型304的输出为一模型基础光掩模图像306。在本实施例中，光掩模图像306用以产生第二光掩模图像108。
图4显示比较两个光掩模图像的方法400的流程图。方法400开始于步骤402，以接收一第一光掩模图像。该第一光掩模图像可以为从一曝光基础光掩模分析器而来的一图像。例如，比较系统200(图2)产生第一光掩模图像104(图1)。该第一光掩模图像可以为一光栅图像，例如一彩色或灰阶点阵图图像。在一实施例中，该第一光掩模图像为一8位灰阶点阵图图像，其中每一像素以1位字节表示，使得每一像素具有一介于0到255范围的值。一像素的值可以对应于对应于该像素的该第一光掩模的一部分所接收的光曝光量。
方法400继续执行步骤404，接收一第二光掩模图像。该第二光掩模图像可以为来自一模型基础光掩模分析器的一图像。例如，系统300(图3)产生该第二光掩模图像108(图1)。该第二光掩模图像可以为一光栅图像，例如一彩色或灰阶点阵图图像。在一实施例中，该第二光掩模图像为一8位灰阶点阵图图像，其中每一像素以1位字节表示，使得每一像素具有一介于0到255范围的值。一像素的值可以对应于对应于该像素的该第二光掩模的一部分所接收的光曝光量。
再参见图4，步骤406包括使该第一及第二光掩模图像对准，使得第一及第二光掩模图像中对应的部分位于相对应的坐标。该对准可以由一操作员以视觉方式完成，或由一计算机自动完成。该对准可以涉及旋转、缩放、变形、覆盖、转化或通过图示转换该光掩模图案中之一、两者或两者均不。当该第一光掩模图像由产生该第二光掩模图像的该部分的一光掩模或光掩模设计的同一相对部分所产生时，第一光掩模图像的一部分可以对应于该第二光掩模图像的一部分。对应的坐标为该第一光掩模图像的一部分的坐标及该第二光掩模图像的对应部分的坐标。在一实施例中，该对准由判定一对应坐标的补偿值来完成。在另一实施例中，该对准由旋转、缩放、变形、覆盖、转化或通过图示转换该光掩模图案中之一、两者或两者均不来完成，使得同样的坐标标示第一及第二光掩模图像的对应部分。
在步骤408，选取该第一光掩模图像的一部分。在特定实施例中，该第一光掩模的该部分为一或多个像素。例如，该第一光掩模的该部分可以为一像素，一3×3方块的像素矩阵，或5×5方块的像素矩阵。选取的部分也可以是不规则形状，例如为一加号的形状。在一实施例中，选取的部分为一3×3加号形状的像素矩阵，其包含一中央像素4个紧接着的连续像素，亦即，一个中央像素及在该中央像素之上、下、左、右各一个像素。
在步骤410，选取第二光掩模图像中对应的部分。该第二光掩模图像中选取的部分的尺寸和形状可以和该第一光掩模图像中选取部分相同或不同。在一实施例中，该第二光掩模中选取的部分的尺寸和形状和该第一光掩模中选取的部分相同。
方法400继而执行步骤412，其中从该第一光掩模中选取的部分判定一第一值。在一实施例中，该第一值为包含该第一光掩模中选取的部分的像素的值的算术平均。在另一实施例中，该第一光掩模中选取的部分包含一像素，该第一值为该像素的该值。在其他实施例中，该第一值可以是该第一光掩模中选取的部分的几何平均、加权平均或任何其他数学运算的结果。
在步骤414，从该第二光掩模中选取的部分判定一第二值。在一实施例中，该第二值为包含该第二光掩模中选取的部分的像素的值的算术平均。在另一实施例中，该第二光掩模中选取的部分包含一像素，该第二值为该像素的该值。另其他实施例中，该第二值可以是该第二光掩模中选取的部分的几何平均、加权平均或任何其他数学运算的结果。
方法400继而执行步骤416，其包括判定步骤412所判定的第一值及步骤414所判定的第二值的一差异。该差异可以为步骤412及414所判定的第一值及第二值之一个或多个算术运算的结果。在一实施例中，该差异为从该第一值减去该第二值的算术结果。在另一实施例中，该差异为从该第二值减去该第一值的算术结果。在另一实施例中，该差异为从该第二值减去该第一值的算术结果的绝对值。在另一实施例中，该差异为从该第二值的平方减去该第一值的平方的算术结果。在另一实施例中，该差异为该第一及第二值的平方的差的绝对值的平方根。
在步骤418，将步骤416所判定的该差异存储于一第一内存。例如，该差异可以存储于计算机内存中，在另一实施例中，该差异可以存储为一光栅图像的一像素的值，例如为一8位灰阶点阵图图像。在用以存储该差异的内存为一光栅图像的实施例中，该光栅图像的尺寸可以和该第一或第二图像相同或不同。
方法400继而执行步骤420，执行一逻辑运算以比较步骤416中判定的该差异及一预设临界值。该预设临界值可以表示一所期望的差异界线，超过的话就表示在该第一光掩模图像及该第二光掩模图像的曝光差异表示出一光掩模缺陷。在一实施例中，该预设临界值为50。例如，比较该差异和该预设临界值的该逻辑运算可以包含判定该差异是否大于该预设临界值。在另一实施例中，该比较运算包含判定该差异是否大于或等于该预设临界值。
若在步骤420中该逻辑运算判定为真，则方法400继而执行步骤422。若步骤420中该逻辑运算判定为伪，则方法400结束。
在步骤420中该逻辑运算判定为真时执行步骤422。例如，可以当判定步骤416的该差异大于步骤420的该预设临界值时，执行步骤422。在步骤422中，将一坐标位置存储于一第二内存中。该坐标位置可以是该第一光掩模中选取的部分的该坐标、该第二光掩模中选取的部分的该坐标、或在步骤418中存储的该差异值的坐标。例如，该第二内存可以为一计算机内存。例如，该第二内存可以为一个或多个在步骤416中判定了大差异的光掩模图像坐标的列表，其可能表示了光掩模缺陷。在一实施例中，该第二内存包含一阵列。在另一实施例中，该第二内存包含一链接列表。在步骤422之后，该方法400结束。
图5显示用以比较第一光掩模图像及第二光掩模图像的另一方法500的流程图。方法500开始于步骤502，以接收一第一光掩模图像。该第一光掩模图像可以为从一曝光基础光掩模分析器而来的一图像。例如，如图2所示的系统可以产生第一光掩模图像。该第一光掩模图像可以为一光栅图像，例如一彩色或灰阶点阵图图像。在一实施例中，该第一光掩模图像为一8位灰阶点阵图图像，其中每一像素以1位字节表示，使得每一像素具有一介于0到255范围的值。一像素的值可以对应于对应于该像素的该第一光掩模的一部分所接收的光曝光量。
方法500继续执行步骤504，接收一第二光掩模图像。该第二光掩模图像可以为来自一模型基础光掩模分析器的一图像。例如，图3所示的系统产生该第二光掩模图像。该第二光掩模图像可以为一光栅图像，例如一彩色或灰阶点阵图图像。在一实施例中，该第二光掩模图像为一8位灰阶点阵图图像，其中每一像素以1位字节表示，使得每一像素具有一介于0到255范围的值。一像素的值可以对应于对应于该像素的该第二光掩模的一部分所接收的光曝光量。
方法500继而执行步骤506，从该第一光掩模中判定一第一值。在一实施例中，该第一值为该第一光掩模中一像素的值。在另一实施例中，该第一值为该第一光掩模中多个像素的算术平均值。在其他实施例中，该第一值可以是该第一光掩模中一个或多个像素的值的几何平均、加权平均或任何其他数学运算的结果。
继而，步骤508包括从该第二光掩模判定一第二值。例如，该第二值为该第二光掩模中一像素的值。在另一实施例中，该第二值为该第二光掩模中多个像素的算术平均值。在其他实施例中，该第二值可以是该第二光掩模中一个或多个像素的值的几何平均、加权平均或任何其他数学运算的结果。
方法500继而执行步骤510，其包括判定步骤506所判定的第一值及步骤508所判定的第二值的一差异。该差异可以为该第一值及第二值之一或多个算术运算的结果。在一实施例中，该差异为从该第一值减去该第二值的算术结果。在另一实施例中，该差异为从该第二值减去该第一值的算术结果。在另一实施例中，该差异为从该第二值减去该第一值的算术结果的绝对值。在另一实施例中，该差异为从该第二值的平方减去该第一值的平方的算术结果。在另一实施例中，该差异为该第一及第二值的平方的差的绝对值的平方根。
在步骤510判定了该差异之后，该方法500执行步骤512，以存储该差异。例如，该差异可以存储于计算机内存中，在另一实施例中，该差异可以存储为一光栅图像的一像素的值，例如为一8位灰阶点阵图图像。在用以存储该差异的内存为一光栅图像的实施例中，该光栅图像的尺寸可以和该第一或第二图像相同或不同。在步骤510之后，该方法500结束。
图6显示3个示例性的光掩模图像。图6示例性的光掩模图像用以表示在图5的方法500的一实施例。图6中所示的例子并非用以限定权利要求。图6显示一第一光掩模图像602，其可以为从一曝光基础光掩模分析器而来的一图像，例如图2所示的系统。第一光掩模图像602为方法500中在步骤502接收的图像的一例。第一光掩模图像602包含3×3像素矩阵，其中每一像素具有一介于0到9的值。第一光掩模图像602为第一光掩模图像的一实施例的例子，并非用以限制权利要求。第一光掩模图像602包含像素602a，其具有的值为7。像素602a的值7为一方法500中步骤506所判定的第一值的一例。
图6中也显示第二光掩模图像604，其可以为来自一模型基础光掩模分析器的一图像，如图3的系统。第二光掩模图像604为方法500中在步骤504接收的图像的一例。第二光掩模图像604包含3×3像素矩阵，其中每一像素具有一介于0到9的值。第二光掩模图像604为第二光掩模图像的一实施例的例子，并非用以限制权利要求。第二光掩模图像604包含像素604a，其具有的值为8。像素604a的值8为一方法500中步骤508所判定的第二值的一例。
图6中也显示结果图像606，其可以由方法500的步骤512的特定实施例所产生。结果图像606包含3×3像素矩阵，其中每一像素具有一介于-9到9的值。结果图像606为可用于存储于方法500的步骤512中判定的差异的内存的一实施例的例子，并非用以限制权利要求。结果图像606包含像素606a，其具有的值为-1。像素606a的值-1为一方法500中步骤510所判定的差异值的一例。更详细地说，像素606a的值-1为从像素602a的值7减去像素604a的值8的结果。
以下讨论的图5的方法500的一实施例可以应用到图6示例性的光掩模图像602和604的一例。首先，在步骤502中接收第一光掩模图像602。继而，在步骤504中，接收第二光掩模图像604。在步骤506中，判定一第一值。在此例子中，该第一值判定为像素602b的值4。继而，在步骤508中判定一第二值。依据此例，该第二值判定为像素604b的值0。在步骤510中，从第一值及第二值判定一差异。依据此例，该差异判定为从该第一值4减去该第二值0。该差异结果为4。最后，在步骤512中，将该差异结果存储于内存606b。
图7显示显示一图像的方法700的流程图。例如，方法700可以用以图示如结果图像606的一差异结果。方法700也可以用于显示如第一光掩模图像102或第二光掩模图像108的一光掩模图像。方法700开始于步骤702以接收一图像。如前所述，接收的图像可以为一光掩模图像或由比较如方法400及500的方法所产生的一图像。一般，该接收的图像可以为一光栅图像，例如一彩色或灰阶点阵图。
在步骤704，输出该接收的图像。可以输出所有或一部分的该接收的图像。该接收的图像可以输出至一监视器、一显示器、一打印机、一绘图机、一投影机、一内存或任何其他的输出装置。在步骤704输出该图像之后，在步骤706中输出一像素值。该像素值输出为重叠在该图像输出之上。该像素值可以用任何字形输出，包含一固定宽度字形或可变宽度字形。在一实施例中，该固定宽度字形Courier被用以输出该像素值。该像素值可以用二进位、八进位、十进位、16进位、或任何其他数值基础。在一实施例中，该像素值输出为16进位，也称之为基础16。
在用以输出一灰阶图像的该方法700的一实施例中，该像素值可以为该图像的一像素的值。在用以输出一彩色图像的该方法700的一另一实施例中，该像素值可以为该图像的一颜色的一像素的该值，或为在多个颜色的一像素的该值的平均值。在一实施例中，该像素值输出于该图像，大致在该图像输出的对应像素的该位置。在特定实施例中，步骤706可以重复，使得输出多个像素值。在一实施例中，重复步骤706，以使得在重复的水平及垂直间隔周期性输出多个像素值，例如每隔20个像素。当步骤706完成之后，该方法结束。
图8显示图7所示方法700所产生的一图像输出的一例。图像800显示一光掩模图像的一部分的一灰阶图像。重叠在该灰阶图像上的，就是于重复的间隔周期性输出的16进位的像素值。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视随附的权利要求所界定的范围为准。

Claims (13)

1.一种检查光掩模的方法，其包括：
将来自一发光源的光导入一光掩模的一第一面，使得该光的至少一部分穿透该光掩模；
从该部分穿透过该光掩模的光且从该光掩模的一第二面可观察的部分检测一第一光掩模图像；
通过将一曝光模拟模型应用于一光掩模设计而产生一第二光掩模图像；以及
判定该第一光掩模图像及该第二光掩模图像之间的一差异。
2.如权利要求1所述的检查光掩模的方法，其中该光掩模设计为一GDSII文件。
3.如权利要求1所述的检查光掩模的方法，其中该检测的步骤由一航空图像测量系统进行。
4.如权利要求1所述的检查光掩模的方法，其中判定一差异包括：
从该第一光掩模图像的一部分判定一第一值；
从该第二光掩模图像的一部分判定一第二值；以及
从该第一值及该第二值判定一差异。
5.如权利要求4所述的检查光掩模的方法，其中从该第一值及该第二值判定的该差异为该第一值及该第二值判定的算术差。
6.如权利要求4所述的检查光掩模的方法，其中该第一光掩模图像的该部分包含该第一光掩模图像的一像素。
7.如权利要求4所述的检查光掩模的方法，其中该第一光掩模图像的该部分包含该第一光掩模图像的一像素矩阵。
8.如权利要求7所述的检查光掩模的方法，其中该像素矩阵包含该第一光掩模图像的一方形像素矩阵。
9.如权利要求1所述的检查光掩模的方法，其中该光掩模包含非二元特征。
10.如权利要求1所述的检查光掩模的方法，其中该光的波长小于或等于193nm。
11.如权利要求1所述的检查光掩模的方法，其中该曝光模拟模型用以模拟放大、边界偏差、及边角钝化的效果。
12.一种检查光掩模的系统，其包括：
一光刻模拟显微镜，用以产生一光掩模在类似晶片生产时的一第一图像；
第一运算逻辑，其包含一曝光模拟模型，用以：
接收一光掩模设计作为输入；
模拟在该光掩模设计上光衍射的效果；
产生一第二光掩模图像作为输出；以及
第二运算逻辑，其包含一比较器，用以比较该第一光掩模图像及该第二光掩模图像。
13.一种检查光掩模的系统，其包括：
一第一数据输入机制，用以接收一第一光掩模图像，其是由将一光掩模曝光于一光源所产生，并检测为穿透该光掩模的光的一图像图案；
一第二数据输入机制，用以接收一第二光掩模图像，其是通过将一曝光模拟模型应用于一光掩模设计所产生；以及
一计算机，用以分别从该第一及第二数据输入机制接收该第一及第二光掩模图像，并判定该第一光掩模图像及该第二光掩模图像之间的一差异。
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