JP3966400B2 - 光回折素子およびその製造方法、ならびにそれを用いた光ピックアップ装置 - Google Patents
光回折素子およびその製造方法、ならびにそれを用いた光ピックアップ装置 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光回折素子およびその製造方法、ならびにその光回折素子を用いた光ディスクを再生する光ピックアップ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在、光ディスクは、音楽、映像、データなどを記録するメディアとして一般に広く用いられている。この光ディスクを記録再生する装置は数多く開発されており、その中でも光ピックアップ装置は、その小型化、集積化、高性能化が望まれている。
【0003】
出願人らは、小型化、集積化を目指した、図9に示すような光ピックアップ装置300を提案している。光ピックアップ装置300は、ステム301と、ステム301上に設けられた光源である半導体レーザ302と、ステム301を覆うキャップ303と、キャップ303上に取付けられた光透過性基板304と、光透過性基板304の上に取付けられた半波長板305と、半波長板305の上に取付けられたビームスプリッタ306と、半導体レーザ302から出射される光ビームを平行光にするコリメートレンズ307と、コリメートレンズ307からの平行光を光磁気記録媒体309上に集光する対物レンズ308と、ステム301上に配置されておりビームスプリッタ306で分岐された光磁気記録媒体309からの反射光を検出する光検出器310から構成されている。
【0004】
ビームスプリッタ306は、ガラス材料から成る第1の部材315と、複屈折材料から成る第2の部材316から構成されており、第1の部材315および第2の部材316の境界面には、偏光分離膜が形成されている。
【0005】
光透過性基板304には、第1の回折素子312および第2の回折素子311が作製され、光回折素子317を形成している。
【0006】
半導体レーザ302から出射された光ビームは、第1の回折素子312を通過して、透過光(メインビーム)と±1次回折光(サブビーム)の3本の光ビームに分離され、半波長板305を通過し、ビームスプリッタ306の第1の面313および第2の面314で反射され、コリメートレンズ307および対物レンズ308を通過して、光磁気記録媒体309上に集光される。
【0007】
光磁気記録媒体309で反射された光ビームは、ビームスプリッタ306の第2の面314で、第1の部材315の屈折率と第2の部材316の常光および異常光屈折率との比によって定められる屈折角で、常光と異常光に分離され、その下に配置されている第2の回折素子311にその分離された6本のビームが入射する。
【0008】
図10は、光透過性基板304に第1の回折素子312および第2の回折素子311が形成されている光回折素子317の平面図である。図10に示すように、第2の回折素子311は、第1〜第3の領域311a〜311cに分割されており、第2の回折素子311に入射した6本のビームは、さらに透過光と回折光の18本のビームに分離され、光検出器310上に集光される。
【0009】
図11は、光検出器310上での集光スポットを示した図である。第2の回折素子311を透過した6本のビームのうち、メインビームの常光成分は光検出部310fに、メインビームの異常光成分は光検出部310eに、サブビームの常光成分および異常光成分は光検出部310g,310hにそれぞれ集光される。
【0010】
第2の回折素子311の第1の領域311aにより回折された6本のビームのうち、メインビームの常光成分および異常光成分の2本は、光検出部310cと光検出部310dの境界上にそれぞれ集光される。
【0011】
第2の回折素子311の第2の領域311bにより回折された6本のビームのうち、メインビームの常光成分および異常光成分の2本は光検出部310bにそれぞれ集光される。
【0012】
第2の回折素子311の第2の領域311cにより回折された6本のビームのうち、メインビームの常光成分および異常光成分の2本は、光検出部310aにそれぞれ集光される。
【0013】
光検出部310c,310dから出力される信号の差を演算することにより、ナイフエッジ法に基づくフォーカス誤差信号を、光検出部310g,310hから出力される信号の差を演算することにより、3ビーム法に基づくラジアル誤差信号を、光検出部310a,310bから出力される信号の差を演算することにより、いわゆるプッシュ・プル信号を得ることができる。このプッシュ・プル信号は、光磁気記録媒体309に蛇行して記録されているアドレス信号を検出するのに用いられる。光磁気信号は、光検出部310e,310fから出力される信号の差を演算することにより得られる。
【0014】
この光ピックアップ装置300は、半導体レーザ302から出射された光ビームが光磁気記録媒体309に至る光路中に、ビームスプリッタ306の第1の部材315および第1の回折素子312以外に、余分な光分岐素子がないので、光利用効率が良い。また、光磁気信号、フォーカス誤差信号、およびラジアル誤差信号を全て共通の光検出器310で検出するので、ステム301上での光検出器310の面積を縮小することができ、光ピックアップ装置300の小型化、低コスト化を実現することができる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、光透過性基板に回折素子を形成して光回折素子を作製する場合、リアクティブイオンエッチング装置(以下、RIE装置という)を用いる。
【0016】
図12は、一般的な回折素子の断面を示している。ピッチとは、回折素子の任意の凹部から隣接する凹部までの幅vをいい、溝幅とは、回折素子の凹部の幅wをいい、デューティとは、ピッチに対する溝幅の比w/vをいい、溝深さとは、凹部の深さdをいう。
【0017】
また図5は、デューティを0.5に設定した場合の溝幅の違いによるエッチング時間とエッチング深さの関係を示したグラフである。エッチング時間(t)が同じであっても、溝幅(w0>w1>w2)が大きくなるほど、よくエッチングされ、溝深さ(d0>d1>d2)は大きく形成される。
【0018】
さらに図6は、回折素子の溝深さと回折効率の関係を示したグラフである。このグラフより、デューティw/vをある一定の値、たとえばw/v=0.5とすると、溝深さが大きいほど0次回折効率が減少し、1次回折効率が増加することがわかる。
【0019】
一方、上述した光ピックアップ装置300の構成部品である光回折素子317の、第1の回折素子312および第2の回折素子311のピッチは、第2の回折素子311に比べて、第1の回折素子312の方が大きい。また、それぞれの回折素子のデューティは、0.5である。したがって、それぞれの回折素子の溝幅を比較すると、第1の回折素子312の方が大きい。また、それぞれに最適な溝深さを比較すると、第1の回折素子312の方が小さい。
【0020】
したがって、RIE装置を用いて、同じ時間だけエッチングを行うことで、光透過性基板304に同時に第1の回折素子312および第2の回折素子311を形成しようとすれば、溝幅が大きい第1の回折素子312の方が溝深さは大きく形成されてしまうため、それぞれの回折素子の最適な溝深さを両立することができない。
【0021】
具体的には、第2の回折素子311の溝深さが最適になるようにエッチング時間を調整した場合、第1の回折素子312の溝幅は第2の回折素子311の溝幅より大きいため、第1の回折素子312の溝深さが最適値よりも大きく形成される。したがって、第1の回折素子312の1次回折効率が設計値よりも高くなってしまう。すなわち、第1の回折素子312で回折された±1次回折光の光量が設計値よりも増加し、第1の回折素子312を透過して光ディスク309に導かれる透過光の光量が減少する。したがって、信号対雑音比が悪化するため、再生信号品質が悪くなる。
【0022】
また、逆に、第1の回折素子312の溝深さが最適になるようにエッチング時間を調整した場合、第2の回折素子311の溝幅は第1の回折素子312の溝幅より小さいため、第2の回折素子311の溝深さが最適値よりも小さく形成される。その結果、第2の回折素子の1次回折効率が設計値より小さくなってしまう。すなわち、第2の回折素子311で回折された±1次回折光の光量が設計値よりも減少し、第2の回折素子311を透過する光の光量が増加する。したがって、第2の回折素子311で回折され、光検出部310a〜310dに導かれる回折光の光量が減少するため、フォーカスサーボ信号およびアドレス信号の品質が悪化し、安定にフォーカシング、アドレッシングを行うことが困難になる。
【0023】
そのため現状では、両方の回折素子311,312を最適な溝深さにするために、2プロセスによるエッチングを行っている。すなわち、同時に光透過性基板304に回折素子311,312を形成するのではなく、まず、第1の回折素子312のみを形成し、その後、第2の回折素子311を形成することで、所望の光回折素子317を作製している。
【0024】
しかしながら、このような製造方法では、作製工程が2倍になり、かつ第1の回折素子312および第2の回折素子311の位置合わせを精密に行う必要があるので、コストを抑え、量産性を向上させることが困難となる。
【0025】
本発明の目的は、それぞれの回折素子において最適な回折効率比(1次回折効率:0次回折効率)が得られる光回折素子、およびその光回折素子を1プロセスで作製する光回折素子の製造方法、ならびにその光回折素子を用いた光ピックアップ装置を提供することである。
【0026】
本発明は、第1の回折素子、および第1の回折素子よりもピッチの小さい第2の回折素子を有する光回折素子であって、
第1の回折素子および第2の回折素子は、一つの光透過性基板に形成され、
デューティは、第2の回折素子よりも第1の回折素子のほうが小さいことを特徴とする光回折素子である。
【0027】
本発明に従えば、第1の回折素子、および第1回折素子よりもピッチの小さい第2の回折素子が、一つの光透過性基板に形成される。ピッチは、第1の回折素子よりも第2の回折素子のほうが小さい。これに対して、デューティは、第2の回折素子よりも第1回折素子のほうが小さい。したがって各回折素子において最適な回折効率比が得られる。
【0028】
また本発明は、フォトリソグラフィ技術によって、第1の回折素子および第1の回折素子よりもピッチの小さい第2の回折素子を、一つの光透過性基板に形成した光回折素子を製造する方法であって、
第2の回折素子よりも第1の回折素子のデューティが小さくなるようなフォトマスクを用いて、第1の回折素子および第2の回折素子を、一つの光透過性基板に同時に作製することを特徴とする光回折素子の製造方法である。
【0029】
本発明に従えば、第1の回折素子、および第1の回折素子よりもピッチの小さい第2の回折素子が、一つの光透過性基板に形成されて、光回折素子が構成される。このような光回折素子を、フォトリソグラフィ技術によって製造する。光回折素子を製造するにあたっては、第2の回折素子よりも第1の回折素子のデューティが小さくなるようなフォトマスクを用いる。そして、第1の回折素子および第2の回折素子を一つの光透過性基板に同時に作製する。したがって各回折素子を1プロセスで作製することができ、しかも各回折素子の溝深さが最適となり、各回折素子において最適な回折効率比が得られる。
【0030】
また本発明は、前記フォトマスクは、第1の回折素子のデューティが0.5より小さくなるようなフォトマスクであることを特徴とする。
【0031】
本発明に従えば、第1の回折素子のデューティが0.5より小さくなるようなフォトマスクを用いるので、第1の回折素子の溝深さが最適となる。
【0034】
また本発明は、光ビームを発生する光源と、
前記光源から放射された光ビームを複数の光ビームに分離する第1の回折素子と、
前記第1の回折素子を通過した光ビームを光記録媒体上に集光する集光手段と、
前記第1の回折素子と前記集光手段との間に配置されたビームスプリッタと、
前記光源と同一のパッケージに配置されている光検出器と、
前記ビームスプリッタにより導かれた前記光記録媒体からの反射光を回折させて前記光検出器へ導く第2の回折素子とを備えた光ピックアップ装置であって、
前記第1の回折素子および前記第2の回折素子が、一つの光透過性基板に形成され、ピッチは、第1の回折素子よりも第2の回折素子のほうが小さく、デューティは、第2の回折素子よりも第1回折素子のほうが小さいことを特徴とする光ピックアップ装置である。
【0035】
本発明に従えば、第1の回折素子および第2の回折素子は、一つの光透過性基板に形成される。ピッチは、第1の回折素子よりも第2の回折素子のほうが小さい。これに対して、デューティは、第2の回折素子よりも第1回折素子のほうが小さい。したがって各回折素子において最適な回折効率比が得られる。
【0036】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の実施の一形態である光ピックアップ装置18の概略図である。この光ピックアップ装置18は、光磁気記録媒体11上に記録されている信号を読み出す装置である。
【0037】
光ピックアップ装置18は、ステム8と、ステム8の上に配置された光ビームを発生する光源1と、ステム8を覆うキャップ19と、キャップ19上に配置され、光透過性基板4に第1の回折素子5および第1の回折素子5と並置して同時に作製されている第2の回折素子6を有する光回折素子17と、光源1から放射された光ビームを平行光にするコリメートレンズ9と、コリメートレンズ9からの平行光を光磁気記録媒体11上に集光する対物レンズ10と、光源1とコリメートレンズ9との間に配置され、等方性材料から成る第1の部材13と異方性材料から成る第2の部材12により構成され、第1の部材13および第2の部材12を貼合わせた面14に偏光分離膜を有しているビームスプリッタ2と、ビームスプリッタ2と光源1の間に配置された半波長板3と、ビームスプリッタ2とコリメートレンズ9の間に配置された半波長板16と、光源1と同一のパッケージに構成されている光検出器7とを含む。
【0038】
光源1から放射された光ビームは第1の回折素子5を通過して、3本の光ビームに分離され、さらに半波長板3を通過してs偏光に変換される。半波長板3を通過した光ビームは、第2の面15、および第1の面14で反射され、半波長板16を通過しp偏光に変換され、コリメートレンズ9、対物レンズ10を通過して光ディスク11上に集光される。光ディスク11で反射された光ビームは、対物レンズ10、コリメートレンズ9、半波長板16を通過し、第1の面14で2つの直交する偏光に分離され、さらに半波長板3を通過する。半波長板3を透過した合計6本の光ビームは、上述したように、光透過性基板4上に第1の回折素子5と並置して作製された第2の回折素子6に入射する。
【0039】
図2は、光回折素子17の平面図である。光回折素子17は、一つの光透過性基板4に第1の回折素子5および第2の回折素子6を形成して成る。第1の回折素子5のピッチと第2の回折素子6のピッチを比べると、第1の回折素子5の方が大きく、デューティーは、第2の回折素子6よりも第1の回折素子5の方が小さい。また、第2の回折素子6は、図2に示すように、第1〜第3の領域6a〜6cに3分割されている。
【0040】
光検出器7は、第2の回折素子6を透過、回折した光を利用して信号を検出する。図3は、光検出器7上での集光スポットを示した図である。
【0041】
第2の回折素子6を透過した6本のビームのうち、メインビームの常光成分は光検出部7fに、メインビームの異常光成分は光検出部7eに、サブビームの常光成分および異常光成分は光検出部7g,7hに、それぞれ集光される。
【0042】
第2の回折素子6の第1の領域6cにより回折された6本のビームのうち、メインビームの常光成分は、光検出部7cと光検出部7dの境界上にそれぞれ集光される。
【0043】
第2の回折素子6の第2の領域6bにより回折された6本のビームのうち、メインビームの常光成分は、光検出部7bにそれぞれ集光される。
【0044】
第2の回折素子6の第3の領域6aにより回折された6本のビームのうち、メインビームの常光成分は、光検出部7aにそれぞれ集光される。
【0045】
光検出器7の光検出部7cと7dの差を取ることにより、フーコー法に基づくフォーカス誤差信号を、光検出器7の光検出部7aと7bの差を取ることによりアドレス信号を、光検出器7の光検出部7eと7fの差を取ることにより光磁気信号を、光検出器7の光検出部7gと7hの差を取ることにより3ビーム法に基づくラジアル誤差信号を、それぞれ検出することができる。
【0046】
第1の回折素子5は最適なデューティを有するので、最適な回折効率比を得ることができる。したがって、良好な信号対雑音比が得られ、再生信号品質が高い。また、第2の回折素子6も最適なデューティを有するので、最適な回折効率比を得ることができる。したがって、良好なフォーカスサーボ信号およびアドレス信号が得られ、安定にフォーカシング、アドレッシングを行うことができる。
【0047】
このように、デューティが異なる第1の回折素子5および第2の回折素子6を有する光回折素子17を光ピックアップ装置18に使用すれば、光利用効率が良く、かつ量産性に優れ、さらに光ディスクに記録された信号を安定に再生することが可能な光ピックアップ装置18を提供できる。
【0048】
次に、光回折素子17の製造方法について説明する。
図4は、フォトリソグラフィ技術を用いて、光透過性基板4であるガラス基板上に第1の回折素子5および第2の回折素子6を同時に形成し、光回折素子17を作製する工程を示した図である。
【0049】
まず工程(a)において、スピンコーターにより、ガラス基板上に感光性レジストを均一に塗布した後、プリベークを行う。
【0050】
次に工程(b)において、それぞれの回折素子5,6のデューティが最適化されたパターンを有するフォトマスクを用いて、ガラス基板上のレジストを露光する。このフォトマスクは、第2の回折素子6については、デューティが0.5になるように設定されている。また、第1の回折素子5については、第2の回折素子6を作製するのに最適な時間でエッチングすれば、第1の回折素子5が最適な回折効率比を得られるようにデューティが設定されている。
【0051】
次に工程(c)において、露光されたレジストを現像し、ポストベークを行う。ここまでの工程で、ガラス基板上には第1の回折素子5および第2の回折素子6のレジストパターンが形成されている。
【0052】
次に工程(d)において、RIE装置を用いて、第1の回折素子5および第2の回折素子6のレジストパターンが形成されているガラス基板をエッチングする。このエッチング時間は、第2の回折素子6を形成するのに最適なエッチング時間である。
【0053】
次に工程(e)において、ガラス基板上に残ったレジストを除去、洗浄して、第1の回折素子5および第2の回折素子6を形成する。
【0054】
上述した図4の工程(b)における、第1の回折素子5のデューティを最適化する方法について以下に説明する。
【0055】
ここで、デューティ、溝幅、溝深さおよび回折効率の関係を述べると以下のようになる。上述した図5で示すように、同じ時間エッチングした場合、溝幅が小さいほど、溝深さは小さく形成される。また、上述した図6で示すように、デューティが一定、すなわち同一の溝幅である場合には、溝深さが小さいほど0次回折効率は上昇し、1次回折効率は減少する。さらに、同じく上述した図6で示すように、同じ溝深さであっても、デューティを小さくする、すなわち溝幅を小さくすれば、0次回折効率は上昇する。
【0056】
したがって、このようなデューティ、溝幅、溝深さおよび回折効率の関係に基づいて、最適な回折効率比を得るために、第1の回折素子5のデューティを0.5よりも小さく設定する。
【0057】
図7は、ピッチがv0である回折素子のデューティが0.5である場合(a)と、デューティを調整し、0.5未満とした場合(b)に、同じ時間だけエッチングしたときの各回折素子の断面図である。回折素子のデューティを変え、溝幅をw0からw1に小さくすると、エッチング時間tで形成される溝深さは、d0からd1へ小さくなる。
【0058】
このとき、図6に示されるような、デューティが小さくなることによる0次回折効率の上昇と、溝深さが小さくなることによる0次回折効率の上昇との相乗効果によって、デューティを0.5未満に調整した回折素子は、デューティが0.5である回折素子と比べて、0次回折効率は上昇、1次回折効率は低下することになる。
【0059】
図8(a)は、図2の光回折素子17が有する第1の回折素子5の断面図(▲1▼−▲1▼´)であり、図8(b)は、図2の光回折素子17が有する第2の回折素子6の断面図(▲2▼−▲2▼´)である。第1の回折素子5のピッチはv3、第2の回折素子6のピッチはv4である。
【0060】
第2の回折素子6の溝幅をw4とし、デューティw4/v4を0.5と設定する。一方、第1の回折素子5については、第2の回折素子6を作製するのに最適な時間だけエッチングを行った場合に、第1の回折素子5が最適な回折効率比を得られるように、上述したような関係に基づいてデューティを調整する。この調整に従って、第1の回折素子5の溝幅をw3とし、デューティw3/v3を0.5より小さく設定する。
【0061】
このように第2の回折素子のデューティよりも、第1の回折素子のデューティを小さく設定し、これに基づいて作製されたフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィ技術により第1の回折素子5および第2の回折素子6を同時に形成する。形成された第1の回折素子5の溝深さはd3、第2の回折素子6の溝深さはd4となる。第1の回折素子5の溝深さd3は、従来の方法によって得られる溝深さと比べて、小さくなっている。
【0062】
以上のように、第1の回折素子5のデューティを適切に設定し、図6で示されるような、溝幅を小さくしたことによる0次回折効率の上昇と、その溝幅を小さくしたことによって溝深さが小さくなったことによる0次回折効率の上昇との相乗効果を用いることで、回折効率比がともに所定の値であり、ピッチの異なる第1の回折素子5および第2の回折素子6を1プロセスで製造できる。
【0063】
(実施例)
本発明の製造方法によって、ガラス基板上に第1の回折素子と、第1の回折素子と比べピッチの小さい第2の回折素子を作製した。
【0064】
第1の回折素子のピッチは20μm、第2の回折素子のピッチは5μmとし、デューティはそれぞれ0.45および0.5となるようにフォトマスクを作製した。ガラス基板上にスピンコーターによってレジストを塗布し、このフォトマスクを用いて密着露光し、現像し、ベークした後、エッチングを行った。このようにして、1回のプロセスで作製した第1および第2の回折素子の平均の溝深さを測定したところ、第1の回折素子は0.259μm、第2の回折素子は0.254μmであった。また、それぞれの回折効率を測定し、回折効率比を算出すると、第1の回折素子は1:10.5、第2の回折素子は1:9.9であり、ともに最適な回折効率比が得られた。
【0065】
(比較例)
従来の方法によって、ガラス基板上に第1の回折素子と、第1の回折素子と比べピッチの小さい第2の回折素子を作製した。
【0066】
第1の回折素子のピッチは20μm、第2の回折素子のピッチは5μmとし、デューティはそれぞれ0.5となるようにフォトマスクを作製した。実施例と同様に、回折素子を作製し、かかる回折素子の溝深さを測定したところ、第1の回折素子は0.261μm、第2の回折素子は0.254μmであった。また、それぞれの回折効率を測定し、回折効率比を算出したところ、第1の回折素子は1:8.2、第2の回折素子は1:9.9であり、第2の回折素子は最適な回折効率比が得られたが、第1の回折素子は最適な回折効率比が得られなかった。
【0067】
上述した方法では、第1の回折素子のデューティを変更することで、第2の回折素子を作製するのに最適な時間でエッチングした場合でも、第1の回折素子の回折効率比が最適になるようにフォトマスクを設計しているが、第1の回折素子の露光にハーフトーンフォトマスクを用い、第2の回折素子の露光には通常のフォトマスクを用いることで、それぞれの回折素子が最適な回折効率比を有するように作製することもできる。
【0068】
ガラス基板上に形成されたフォトレジストを露光する際、第2の回折素子には光透過部の透過率が100%である通常のフォトマスクを、第1の回折素子には光透過部の透過率が100%よりも小さいフォトマスクを用いる。このようなフォトマスクを用いて露光し、その後現像すれば、第2の回折素子の露光された部分のフォトレジストは全て剥離されるが、第1の回折素子の露光された部分のフォトレジストは全て剥離されず、残存する。この状態で、第1の回折素子および第2の回折素子のパターンがフォトレジストに転写された光透過性基板をエッチングすると、残存しているフォトレジストにより、第1の回折素子の溝深さは、通常のフォトマスクを用いて露光し、エッチングしたときの溝深さよりも小さくなる。
【0069】
したがって、それぞれのフォトレジストのエッチングレートと基板のエッチングレートを予め測定しておき、それらのレートから第1の回折素子の露光に使用するフォトマスクの光透過部の透過率を100%より小さく設定する。このように光透過部の透過率を100%より小さく設定したフォトマスクを、第1の回折素子の作製に用いれば、第2の回折素子に最適な溝深さを与える時間でエッチングを行っても、第1の回折素子の溝深さは最適値となり、回折効率比も所定の値にすることができる。
【0070】
上述したハーフトーンフォトマスクを用いた光回折素子の製造方法によって、第1の回折素子および第2の回折素子を作製すれば、ガラス基板上に、最適な回折効率比を有する複数の回折素子を1プロセスで作製することが可能となる。
【0071】
なお、透過型の光回折素子を例にとり、本発明の光回折素子の製造方法を説明したが、反射型の光回折素子にも適用できる。
【0072】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、各回折素子のデューティを、ピッチに対応して最適となるようにすることができる。したがって各回折素子において最適な回折効率比を得ることができる。
【0073】
また本発明によれば、各回折素子を1プロセスで作製することができ、しかも各回折素子の溝深さが最適となり、各回折素子において最適な回折効率比が得られる。各回折素子を1プロセスで作製できるので、精度よく、かつ安価に各回折素子を作製できる。
【0074】
また本発明によれば、第1の回折素子のデューティが0.5より小さくなるようなフォトマスクを用いるので、第1の回折素子の溝深さが最適となる。したがって、第1の回折素子において最適な回折効率比が得られる。
【0076】
また本発明によれば、第1の回折素子および第2の回折素子は、一つの光透過性基板に形成される。各回折素子のデューティは、ピッチに対応して最適となるようにすることができる。したがって各回折素子において最適な回折効率比を得ることができる。このような各回折素子を用いることによって、光の利用効率がよく、かつ光ディスクに記録された信号を安定に再生することができる光ピックアップ装置を提供できる。また、1プロセスで第1および第2の回折素子を作製できるので、量産性に優れ、安価な光ピックアップ装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態である光ピックアップ装置18の構成を示す図である。
【図2】光回折素子17の平面図である。
【図3】本発明の実施の一形態である光ピックアップ装置18の光検出器7上での集光スポットを示した図である。
【図4】光回折素子17の作製工程を示した図である。
【図5】回折素子の溝幅の違いによるエッチング時間とエッチング深さの関係を示したグラフである。
【図6】回折素子の溝深さと回折効率の関係を示したグラフである。
【図7】回折素子のデューティ調整前後の断面を示した図である。
【図8】光回折素子17に形成されている第1の回折素子5および第2の回折素子6の断面図である。
【図9】従来の光ピックアップ装置300の構成を示す図である。
【図10】従来の光ピックアップ装置300が有する光回折素子317の平面図である。
【図11】従来の光ピックアップ装置300の光検出器310上での集光スポットを示した図である。
【図12】一般的な回折素子の断面図である。
【符号の説明】
1 光源
2 ビームスプリッタ
3 半波長板
4 光透過性基板
5 第1の回折素子
6 第2の回折素子
7 光検出器
8 ステム
9 コリメートレンズ
10 対物レンズ
11 光磁気記録媒体
12 第2の部材
13 第1の部材
14 第1の部材と第2の部材の接合面
15 反射面
16 半波長板
17 光回折素子
18 光ピックアップ装置
19 キャップ
Claims (4)
- 第1の回折素子、および第1の回折素子よりもピッチの小さい第2の回折素子を有する光回折素子であって、
第1の回折素子および第2の回折素子は、一つの光透過性基板に形成され、
デューティは、第2の回折素子よりも第1の回折素子のほうが小さいことを特徴とする光回折素子。 - フォトリソグラフィ技術によって、第1の回折素子および第1の回折素子よりもピッチの小さい第2の回折素子を、一つの光透過性基板に形成した光回折素子を製造する方法であって、
第2の回折素子よりも第1の回折素子のデューティが小さくなるようなフォトマスクを用いて、第1の回折素子および第2の回折素子を、一つの光透過性基板に同時に作製することを特徴とする光回折素子の製造方法。 - 前記フォトマスクは、第1の回折素子のデューティが0.5より小さくなるようなフォトマスクであることを特徴とする請求項2記載の光回折素子の製造方法。
- 光ビームを発生する光源と、
前記光源から放射された光ビームを複数の光ビームに分離する第1の回折素子と、
前記第1の回折素子を通過した光ビームを光記録媒体上に集光する集光手段と、
前記第1の回折素子と前記集光手段との間に配置されたビームスプリッタと、
前記光源と同一のパッケージに配置されている光検出器と、
前記ビームスプリッタにより導かれた前記光記録媒体からの反射光を回折させて前記光検出器へ導く第2の回折素子とを備えた光ピックアップ装置であって、
前記第1の回折素子および前記第2の回折素子が、一つの光透過性基板に形成され、ピッチは、第1の回折素子よりも第2の回折素子のほうが小さく、デューティは、第2の回折素子よりも第1回折素子のほうが小さいことを特徴とする光ピックアップ装置。
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