CN101235294A

CN101235294A - 液晶介质

Info

Publication number: CN101235294A
Application number: CNA2008100089787A
Authority: CN
Inventors: H·希尔施曼; M·韦特克; M·克赞塔; V·赖芬拉特
Original assignee: Merck Patent GmbH
Current assignee: Merck Patent GmbH
Priority date: 2007-02-02
Filing date: 2008-02-02
Publication date: 2008-08-06
Anticipated expiration: 2028-02-02
Also published as: JP2008189927A; EP2338953A3; EP2338951B1; KR101463990B1; EP2338952B1; US20080199635A1; EP2338953A2; EP2338951A3; ATE503817T1; TWI461511B; EP2338953B1; EP1956069B1; US7807236B2; TW200902687A; EP2338952A2; JP5615485B2; DE102008004062A1; EP2338952A3; CN101235294B; EP2338951A2

Abstract

本发明涉及液晶介质，其特征在于其包含一种或多种式I的化合物，其中R⁰、L¹、n、A和B具有权利要求1中给出的含义，还涉及式I的新型化合物，其制备方法，其在电子和电光学器件中，特别是在LC显示器中的用途，还涉及含有其的LC显示器。

Description

液晶介质

本发明涉及包含一种或多种含-O-CH＝CF₂-端基的化合物的液晶介质(LC介质)、涉及这种新型化合物、其制备方法、该LC介质和化合物用于电光学目的的用途，和含有这种LC介质和化合物的LC显示器。

液晶主要用作显示器中的电介质，这是因为外加电压可以改变这类物质的光学性能。基于液晶的电光学器件是本领域技术人员极其公知的，并可以基于各种效应。这类器件的实例是具有动态散射的液晶盒，DAP(配向相变形)液晶盒、宾/主型液晶盒、具有扭曲向列结构的TN液晶盒、STN(超扭曲向列)液晶盒、SBE(超双折射效应)液晶盒和OMI(光模干涉)液晶盒。最常见的显示器基于Schadt-Helfrich效应并具有扭曲向列结构。此外，还存在用平行于基板和液晶面的电场操作的液晶盒，例如IPS(面内切换)液晶盒。特别地，TN、STN和IPS液晶盒，尤其是TN、STN和IPS液晶盒是本发明的介质的目前具有商业意义的应用领域。

液晶材料必须具有良好的化学和热稳定性和良好的对电场和电磁辐射的稳定性。此外，液晶材料应该具有低粘度并在液晶盒内产生短寻址时间、低阈值电压和高对比度。

它们还应该在普通操作温度下，即在高于和低于室温的可能的最宽范围内，具有适用于上述液晶盒的介晶相，例如向列型或胆甾型介晶相。由于液晶通常作为多种组分的混合物使用，重要的是这些组分容易彼此混溶。其它性能，例如电导率、介电各向异性和光学各向异性必须根据液晶盒类型和应用领域而满足各种要求。例如，具有扭曲向列结构的液晶盒的材料应该具有正介电各向异性和低电导率。

例如，对于具有用于切换各个像素的集成非线性元件的矩阵液晶显示器(MLC显示器)，需要具有大的正介电各向异性、宽向列相、相对较低的双折射率、非常高的比电阻、良好的紫外线和温度稳定性和低蒸气压的介质。

这种类型的矩阵液晶显示器是已知的。可用于独立切换各个像素的非线性元件的实例是有源元件(即晶体管)。随之使用术语“有源矩阵”，其中可以分成两类：

1.在作为衬底的硅片上的MOS(金属氧化物半导体)或其它二极管。

2.在作为衬底的玻璃板上的薄膜晶体管(TFT)。

单晶硅作为衬底材料的应用限制了显示器尺寸，因为即便是多部件显示器的模块式装配也在接头处产生问题。

在优选的更有前景的类型2中，所用电光学效应通常是TN效应。分成两种技术：包含化合物半导体的TFT，例如CdSe，或基于多晶或非晶硅的TFT。在世界范围内正对后一技术进行密集的研究。

将TFT矩阵施加到显示器的一个玻璃板内侧，而另一玻璃板在其内部带有透明对电极。与像素电极的尺寸相比，TFT非常小并对图像几乎没有不利影响。这种技术也可以扩展到全彩色显示器，其中以滤光元件与每个可切换像素相对的方式布置红色、绿色和蓝色滤光片的镶嵌体(mosaic)。

TFT显示器通常作为在透射中带有交叉偏振器的TN液晶盒运行并且从背后照亮。

术语MLC显示器在此包括具有集成非线性元件的任何矩阵显示器，即，除了有源矩阵外，还包括带有无源元件，例如压敏电阻(varistor)或二极管的显示器(MIM＝金属-绝缘体-金属)。

这种类型的MLC显示器特别适用于TV用途(例如便携电视)或用于电脑用高信息显示器(膝上型电脑)，和用在汽车或飞机构造中。除了与对比度的角度依赖性和响应时间有关的问题外，在MLC显示器中还由于液晶混合物不够高的比电阻而出现困难[TOGASHI，S.，SEKIGUCHI，K.，TANABE，H.，YAMAMOTO，E.，SORIMACHI，K.，TAJIMA，E.，WATANABE，H.，SHIMIZU，H.，Proc.Eurodisplay 84，1984年9月：A 210-288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings(双级二极管环控制的210-288矩阵LCD)，第141页及其后几页，Paris；STROMER，M.，Proc.Eurodisplay 84，1984年9月：Designof Thin Film Transistors for Matrix Addressing of TelevisionLiquid Crystal Displays(用于电视液晶显示器的矩阵寻址的薄膜晶体管的设计)，第145页及其后各页，Paris]。随着电阻降低，MLC显示器的对比度变差，并可能产生余象消失问题。液晶混合物的比电阻通常由于与显示器内表面的相互作用而随着MLC显示器的使用期间降低，因此高的(初始)电阻对于获得可接受的寿命非常重要。特别是在低电压混合物的情况下，迄今不可能实现非常高的比电阻值。此外，重要的是，随着温度升高，和在加热和/或紫外线曝光后，比电阻表现出最小可能的提高。现有技术的混合物的低温性能也特别不利。需要即使在低温下也不出现结晶和/或近晶相，且粘度的温度依赖性尽可能低。现有技术的MLC显示器因此不满足目前的要求。

除了使用背面照明，即以透射方式且如果需要以透反方式(transflectively)运行的液晶显示器外，反射式液晶显示器也特别有意义。这些反射式液晶显示器使用环境光进行信息显示。它们因此与具有相应尺寸和分辨率的背光液晶显示器相比消耗明显更少的能量。由于TN效应以非常好的对比度为特征，这种类型的反射式显示器即使在明亮的环境状况下也可以很好地观看。简单的反射式TN显示器是已知的，如用在手表和便携式计算器中的那些显示器。但是，该原理也可用于高质量的更高分辨率有源矩阵寻址显示器，例如TFT显示器。在此，如在通常传统的透射式TFT-TN显示器中那样，必须使用具有低双折射率(Δn)的液晶以实现低光学延迟(d·Δn)。这种低光学延迟产生通常可接受地低的对比度视角依赖性(参见DE 30 22 818)。在反射式显示器中，具有低双折射率的液晶的使用比在透射式显示器中甚至更重要，这是因为光穿过的有效层厚度在反射式显示器中几乎是在具有相同层厚的透射式显示器中的两倍大。

对于TV和视频应用，需要具有短响应时间的显示器。特别地，如果使用具有低粘度值，特别是旋转粘度γ₁的液晶介质，可以实现这种短响应时间。但是，稀释用添加剂通常降低了澄清点并由此降低介质的工作温度范围。

因此，仍然极其需要没有表现出这些缺点或仅在较低程度上表现出这些缺点的具有极高比电阻、同时具有大工作温度范围、短响应时间(即使在低温下)和低阈值电压的MLC显示器。

在TN(Schadt-Helfrich)液晶盒的情况下，需要促成液晶盒中的下列优点的介质：

-扩大的向列相范围(特别是低至低温)

-在极低温度下的可切换性(室外应用、汽车、航空电子设备)

-提高的抗紫外线辐射性(更长的寿命)

-低阈值电压。

现有技术中可得的介质不能在同时保持其它参数的同时实现这些优点。

在超扭曲(STN)液晶盒的情况下，需要促进更大的多路传输性(multiplexability)和/或更低的阈值电压和/或更宽的向列相范围(特别是在低温下)的介质。为此，迫切需要进一步扩宽可用的参数范围(澄清点、近晶-向列转变或熔点、粘度、介电参数、弹性参数)。

特别是在用于TV和视频用途(例如LCD-TV、监视器、PDA、笔记本电脑、游戏控制台)的LC显示器的情况下，需要明显降低响应时间。这因此需要促进响应时间的降低同时无损LC介质的其它性能，例如澄清点、介电各向异性Δε或双折射率Δn的用于LC介质的化合物。对于此目的，低旋转粘度特别合意。

本发明的目的是提供特别用于这类MLC、TN、STN或IPS显示器的介质，其具有上述所需性能且没有表现出上述缺点或仅在较低程度上表现出上述缺点。特别地，该LC介质应该具有快速响应时间和低旋转粘度，同时具有高介电各向异性。此外，该LC介质应该具有高澄清点、宽向列相范围和低阈值电压。

现在已经发现，如果使用包含一种或多种式I的含-O-CH＝CF₂-端基的化合物的LC介质，可以实现该目的。式I的化合物产生具有上述所需性能的LC介质。

本发明涉及液晶介质，其特征在于其包含一种或多种式I的化合物

其中

R⁰表示具有1至15个C原子的烷基或烷氧基，其中，此外，这些基团中的一个或多个CH₂基团可以各自彼此独立地以O原子不直接彼此相连的方式被-C≡C-、-CF₂O-、-CH＝CH-、-◇-、-◇◇-、-O-、-CO-O-、或-O-CO-替代，且其中，此外，一个或多个H原子可以被卤素替代，

L¹表示H或F，

n表示1或2，且

和

各自彼此独立地表示

或

本发明进一步涉及本发明的LC介质在电子和电光学器件，特别是在LC显示器中的用途。

本发明进一步涉及含有本发明的LC介质的电光学显示器，特别是LC显示器，特别是MLC、TN、STN或IPS显示器。

令人惊讶地，已经发现，包含一种或多种式I的化合物的LC介质同时具有低旋转粘度γ₁和高的正介电各向异性，以及快速响应时间、高的弹性常数K11、K22和K33、低阈值电压、高澄清点和宽的向列相范围。

式I的化合物具有宽的应用范围。根据取代基的选择，它们可以充当主要构成液晶介质用的基础材料；但是，也可以在式I的化合物中添加来自其它化合物类型的液晶基础材料以例如改变这种类型的电介质的介电和/或光学各向异性和/或优化其阈值电压和/或其粘度。

特别优选的是其中L¹表示F的式I的化合物。

进一步优选的是其中R⁰表示具有1至8个C原子的直链烷基或烷氧基或具有2至7个C原子的直链链烯基或链烯氧基的式I的化合物。

进一步优选的是下述式I的化合物：其中，如果A不是环己基环，则B同样不是环己基环，

和/或下述式I的化合物：其中

表示

或

式I的其它优选化合物是选自下式的那些：

其中R⁰和L¹具有上述含义，L¹优选表示F，且R⁰优选表示具有1、2、3、4、5、6、7或8个C原子的直链烷基。

如果上式和下式中的R⁰表示烷基和/或烷氧基，其可以是直链或支链的。其优选是直链的，具有2、3、4、5、6或7个C原子，并相应地优选表示乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基或庚氧基，此外甲基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、甲氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十三烷氧基或十四烷氧基。

氧杂烷基(oxaalkyl)优选表示直链2-氧杂丙基(＝甲氧基甲基)、2-(＝乙氧基甲基)或3-氧杂丁基(＝2-甲氧基乙基)、2-、3-或4-氧杂戊基、2-、3-、4-或5-氧杂己基、2-、3-、4-、5-或6-氧杂庚基、2-、3-、4-、5-、6-或7-氧杂辛基、2-、3-、4-、5-、6-、7-或8-氧杂壬基、2-、3-、4-、5-、6-、7-、8-或9-氧杂癸基。

如果R⁰表示其中一个CH₂基团已经被-CH＝CH-替代的烷基，其可以是直链或支链的。其优选是直链的并具有2至10个C原子。相应地，其特别表示，乙烯基、丙-1-或-2-烯基、丁-1-、-2-或-3-烯基、戊-1-、-2-、-3-或-4-烯基、己-1-、-2-、-3-、-4-或-5-烯基、庚-1-、-2-、-3-、-4-、-5-或-6-烯基、辛-1-、-2-、-3-、-4-、-5-、-6-或-7-烯基、壬-1-、-2-、-3-、-4-、-5-、-6-、-7-或-8-烯基、癸-1-、-2-、-3-、-4-、-5-、-6-、-7-、-8-或-9-烯基。这些基团也可以被单卤代或多卤代。

如果R⁰表示至少被卤素单取代的烷基或链烯基，该基团优选是直链的，且卤素优选为F或Cl。在多取代的情况下，卤素优选为F。所得基团还包括全氟化基团。在单取代的情况下，氟或氯取代基可以在任何所需位置，但优选在ω-位置。

本发明还涉及式I的化合物：其中R⁰、L¹、n、A和B具有上述含义，且其中环和

的至少一个表示

或

和/或n为2。

特别优选的是下述化合物：其中

表示

或

特别是L1同时表示F时的那些化合物。

进一步优选的是其中n为2时的化合物。

进一步优选的是子公式I3-I31的化合物。

本发明还涉及式I的化合物的制备方法，涉及其在电子和电光学器件中，特别是在LC显示器中的用途，并涉及含有该化合物的LC显示器。

在纯净状态下，式I的化合物是无色的并在对电光学用途而言有利的温度范围内形成液晶介晶相。它们对化学、热和对光稳定。

式I的化合物可以通过如文献(例如在标准著作中，例如Houben-Wey1，Methoden der Organischen Chemie(有机化学的方法)，Georg-Thieme-Verlag，Stuttgart)中所述的本身已知的方法制备，更确切地说在已知并适合所述反应的反应条件下制备。在此也可以使用本身已知的变异形式，在本文中不作更详细的提及。其中环A和B表示苯基或环己基的式I的化合物的合成描述在例如WO 1992/21734A1中。含有氟化苯基环A和B的式I的化合物可以与从文献中获知的方法类似地制备，并特别根据下列反应路线1或与其类似地制备(其中根据式I，X表示H或F，R表示R⁰或R⁰-A-)。

路线1

下面显示本发明的LC介质的特别优选的实施方案：

-该介质另外包含一种或多种式II和/或III的化合物

其中

环C表示1，4-亚苯基或反式-1，4-亚环己基，

a是0或1，且

R³表示具有2至9个C原子的链烯基，

且R⁴具有上文对式I中的R⁰给出的含义之一并优选表示具有1至12个C原子的烷基或具有2至9个C原子的链烯基。

-式II的化合物优选选自下式：

烷基，烷基，烷基，烷基，烷基，烷基，烷基，烷基，烷基，烷基，烷基，

其中R^3a和R^4a各自彼此独立地表示H、CH₃、C₂H₅或C₃H₇，“烷基”表示具有1至8个C原子的直链烷基。特别优选的是式IIa和IIf的化合物，特别地其中R^3a表示H或CH₃，和式IIc的化合物，特别地其中R^3a和R^4a表示H、CH₃或C₂H₅。

-式III的化合物优选选自下式：

其中“烷基”和R^3a具有上述含义且R^3a优选表示H或CH₃。特别优选的是式IIIb的化合物；

-该介质另外包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R⁰具有在式I中给出的含义，

Y^1-4各自彼此独立地表示H或F，

X⁰表示F、Cl、CN、SF₅、SCN、NCS、具有最多6个C原子的卤化烷基、卤化链烯基、卤化烷氧基或卤化链烯氧基，

Z⁰表示-C₂H₄-、-(CH₂)₄-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C₂F₄-、-CH₂CF₂-、-CF₂CH₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、-CF₂O-或-OCF₂-，在式V和VI中也表示单键，且

r表示0或1；

-式IV的化合物优选选自下式：

其中R⁰和X⁰具有上述含义。优选地，R⁰表示具有1至8个C原子的烷基，X⁰表示F或OCF₃；

-该介质包含一种或多种其中Z⁰表示单键的式V的化合物，特别优选为选自下式的那些：

其中R⁰和X⁰具有上述含义。优选地，R⁰表示具有1至8个C原子的烷基，X⁰表示F；

-该介质包含一种或多种其中Z⁰表示-COO-的式V的化合物，特别优选为选自下式的那些：

-该介质包含一种或多种式VI-1的化合物

特别优选为选自下式的那些：

-该介质包含一种或多种式VI-2的化合物

特别优选为选自下式的那些：

-该介质包含一种或多种其中Z⁰表示-CF₂O-的式VII的化合物，特别优选为选自下式的那些：

-该介质包含一种或多种其中Z⁰表示-COO-的式VII的化合物，特别优选为选自下式的那些：

-该介质另外包含一种或多种下式的化合物：

其中R⁰、X⁰、Y¹和Y²具有上述含义，且

和

各自彼此独立地表示

或

其中环D和E不同时表示亚环己基；

-式IX的化合物优选选自下式：

其中R⁰、Y¹和X⁰具有上述含义。优选地，R⁰表示具有1至8个C原子的烷基，X⁰表示F。特别优选的是式IXa的化合物；

-该介质另外包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R⁰、X⁰和Y^1-4具有在式I中给出的含义，且

和

各自彼此独立地表示

或

-式X和XI的化合物优选选自下式：

其中R⁰和X⁰具有上述含义。优选地，R⁰表示具有1至8个C原子的烷基，X⁰表示F。特别优选的化合物是其中Y¹表示F且Y²表示H或F，优选F时的那些；

-该介质另外包含一种或多种下式的化合物：

其中R¹和R²各自彼此独立地表示各具有最多9个C原子的正烷基、烷氧基、氧杂烷基、氟烷基或链烯基，并优选各自彼此独立地表示具有1至8个C原子的烷基，且Y¹表示H或F；

-该介质另外包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R⁰、X⁰、Y¹和Y²具有上述含义。优选地，R⁰表示具有1至8个C原子的烷基，X⁰表示F或Cl；

-式XIII、XIV和XV的化合物优选选自下式：

其中R⁰和X⁰具有上述含义。优选地，R⁰表示具有1至8个C原子的烷基，X⁰表示Cl；

-该介质另外包含一种或多种下式的化合物：

其中Y¹、Y²、R⁰和X⁰具有上述含义且Y¹和Y²不同时表示H。优选地，R⁰表示具有1至8个C原子的烷基，X⁰表示F或Cl。特别优选的是下式的化合物：

其中R⁰和X⁰具有上述含义。优选地，R⁰表示具有1至8个C原子的烷基，X⁰表示F或Cl；

-该介质另外包含一种或多种下式的化合物：

其中Y¹、R¹和R²具有上述含义。R¹和R²优选各自彼此独立地表示具有1至8个C原子的烷基；

-该介质另外包含一种或多种下式的化合物：

链烯基

其中X⁰和Y¹具有上述含义，且“链烯基”是指C_2-7-链烯基。特别优选的是下式的化合物：

其中R^3a具有上述含义并优选表示H；

-该介质另外包含一种或多种选自下式的化合物：

其中Y^1-4、R⁰和X⁰各自彼此独立地具有上述含义之一。X⁰优选为F、Cl、CF₃、OCF₃或OCHF₂。R⁰优选表示各具有最多8个C原子的烷基、烷氧基、氧杂烷基、氟烷基或链烯基。

-式XXI的化合物优选选自下式：

其中R⁰和X⁰具有上述含义。优选地，R⁰表示具有1至8个C原子的烷基，X⁰表示F或OCF₃。

-式XXII的化合物优选选自下式：

-该介质另外包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R¹和R²具有上述含义并优选表示具有1至8个C原子的烷基或烷氧基；

-该介质另外包含一种或多种下式的化合物：

其中D、E、R⁰、X⁰和Y^1,2具有上述含义，其中D和E不同时表示亚环己基；

-式XXVII的化合物优选选自下式：

优选是

-R⁰是具有2至7个C原子的直链烷基或链烯基；

-X⁰是F；

-该介质包含一种、两种、三种、四种或五种式I的化合物；

-该介质包含选自式I、II、III、V、VI-2、VII、XI、XII、XIV、XV、XXI、XXII和XXVII的化合物；

-该介质包含1-55重量％，优选3-45重量％的式I的化合物；

-式II-XXVII的化合物在整个混合物中的比例为20-99重量％；

-该介质包含5-50重量％，特别优选10-40重量％的式II和/或III的化合物；

-该介质包含5-30重量％，特别优选8-25重量％的式VI-2的化合物；

-该介质包含5-40重量％，特别优选8-30重量％的式VII的化合物；

-该介质包含3-35重量％，特别优选5-20重量％的式XI的化合物；

-该介质包含2-25重量％，特别优选3-15重量％的式XIV的化合物；

-该介质包含1-15重量％，特别优选2-10重量％的式XV的化合物；

-该介质包含3-30重量％，特别优选6-20重量％的式XXI和/或XXII的化合物；

-该介质包含1-25重量％，特别优选2-20重量％的式XXVII的化合物。

已经发现，即使与传统的液晶材料，特别是与-种或多种式II至XXVII的化合物混合的相对较小比例的式I的化合物，也能明显提高光稳定性和产生低双折射值，同时观察到具有低的近晶-向列转变温度的宽向列相，改进了贮存寿命。同时，该混合物表现出非常低的阈值电压和在曝露在紫外线中时非常好的VHR值。

术语“烷基”或“烷基*”包括具有1-7个碳原子的直链和支链烷基，特别是直链基团，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基和庚基。具有1-6个碳原子的基团通常是优选的。

术语“链烯基*”包括具有2-7个碳原子的直链和支链链烯基，特别是直链基团。优选的链烯基是C₂-C₇-1E-链烯基、C₄-C₇-3E-链烯基、C₅-C₇-4-链烯基、C₆-C₇-5-链烯基和C₇-6-链烯基，特别是C₂-C₇-1E-链烯基、C₄-C₇-3E-链烯基和C₅-C₇-4-链烯基。特别优选的链烯基的实例是乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-戊烯基、3E-己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-庚烯基、5-己烯基、6-庚烯基和类似物。具有最多5个碳原子的基团通常是优选的。

术语“氟烷基”优选包括具有末端氟的直链基团，即氟甲基、2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基、5-氟戊基、6-氟己基和7-氟庚基。但是，不排除氟的其它位置。

术语“氧杂烷基”或“烷氧基”优选包括式C_nH_2n+1-O-(CH₂)_m的直链基团，其中n和m各自彼此独立地表示1至6。m还可以表示0。优选地，n＝1且m＝1-6或m＝0且n＝1-3。

在上式和下式中，X⁰优选为F、Cl或具有1、2或3个C原子的单-或多氟化烷基或烷氧基，或具有2或3个C原子的单-或多氟化链烯基。X⁰特别优选为F、Cl、CF₃、CHF₂、OCF₃、OCHF₂、OCFHCF₃、OCFHCHF₂、OCFHCH₂F、OCF₂CH₃、OCF₂CHF₂、OCF₂CH₂F、OCF₂CF₂CHF₂、OCF₂CF₂CH₂F、OCFHCF₂CF₃、OCFHCF₂CHF₂、OCF₂CF₂CF₃、OCF₂CF₂CClF₂、OCClFCF₂CF₃或CH＝CF₂，非常特别优选为F、Cl或OCF₃。

通过适当选择R⁰和X⁰的含义，可以以所需方式改变寻址时间、阈值电压和透射特性线的陡度等。例如，1E-链烯基、3E-链烯基、2E-链烯氧基和类似基团与烷基和烷氧基相比，通常产生较短的寻址时间、改进的向列趋势和更高的弹性常数k₃₃(弯曲)与k₁₁(展开)比率。4-链烯基、3-链烯基和类似基团与烷基和烷氧基相比，通常产生较低的阈值电压和较低的k₃₃/k₁₁值。本发明的混合物特别以高K₁值为特征并因此与现有技术的混合物相比具有明显更快的响应时间。

上式的化合物的最佳混合比基本取决于所需性能、取决于上式的组分的选择和取决于可能存在的任何其它组分的选择。

在上述范围内的合适的混合比可容易地根据情况确定。

本发明的混合物中上式的化合物的总量不重要。该混合物因此可以包含一种或多种用于优化各种性能的其它组分。但是，上式的化合物的总浓度就越高，观察到的对混合物性能的所需改进的影响通常越大。

在特别优选的实施方案中，本发明的介质包含式IV至VIII的化合物，其中X⁰表示F、OCF₃、OCHF₂、OCF＝CF₂或OCF₂-CF₂H。与式I的化合物的有利协同作用产生特别有利的性能。特别地，包含式I、V和VI的化合物的混合物以它们的低阈值电压为特征。

本发明的介质中可用的上式及其子公式的各种化合物是已知的或可以与已知化合物类似地制备。

本发明还涉及含有这种介质的电光显示器，例如TN、STN、IPS或MLC显示器，其具有与框架一起构成液晶盒的两个面平行外板、外板上的用于切换各个像素的集成非线性元件、和位于液晶盒中的具有正介电各向异性和高的比电阻的向列液晶混合物，还涉及这些介质用于电光学用途的应用。

本发明的液晶混合物能够明显扩宽可用的参数范围。澄清点、低温下的粘度、热和紫外线稳定性和高的光学各向异性的可实现的组合远优于之前来自现有技术的材料。

本发明的混合物特别适用于移动用途和高Δn TFT用途，例如PDA、笔记本电脑、LCD TV和监视器。

本发明的液晶混合物优选具有低至-20℃，优选低至-30℃，特别优选低至-40℃的向列相，并优选具有≥60℃，特别优选≥65℃，非常特别优选≥70℃的澄清点。

旋转粘度γ₁优选≤150mPa·s，特别优选≤90mPa·s。这能够获得具有快速响应时间的MLC显示器。

本发明的液晶混合物的介电各向异性Δε优选≥+1.5，特别优选≥+3。此外，该混合物以低工作电压为特征。本发明的液晶混合物的阈值电压优选≤2.0V。

本发明的液晶混合物的双折射率Δn优选≥0.07，特别优选≥0.08。

本发明的液晶混合物的向列相范围优选具有至少90°，特别是至少100°的宽度。该范围优选至少从-25℃延伸至+70℃。

不言而喻的是，通过适当选择本发明的混合物的组分，还可以在保持其它有利性能的同时在更高的阈值电压下实现更高的澄清点(例如高于100℃)或在更低的阈值电压下实现更低的澄清点。在相应地仅略微提高的粘度下，同样可以获得具有更高Δε并因此具有低阈值的混合物。本发明的MLC显示器优选在第一Gooch和Tarry透射(transmission)最小值下运行[C.H.Gooch和H.A.Tarry，Electron.Lett.10，2-4，1974；C.H.Gooch和H.A.Tarry，Appl.Phys.，卷8，1575-1584，1975]，其中，除了特别有利的电光学性能，例如，特性线的高陡度和对比度的低的角度依赖性(德国专利30 22818)外，在类似显示器中在第二最小值下相同的阈值电压下，较低的介电各向异性是足够的。这样与包含氰基化合物的混合物相比，使用本发明的混合物在该第一最小值下能够实现明显更高的比电阻值。通过适当选择各个组分及其重量比例，本领域技术人员能够使用简单常规方法设定MLC显示器的预定层厚度所必需的双折射率。

电压保持率(HR)的测量[S.Matsumoto等人，Liquid Crystals5，1320(1989)；K.Niwa等人，Proc.SID Conference，San Francisco，1984年6月，第304页(1984)；G.Weber等人，Liquid Crystals5，1381(1989)]已经表明，与包含式

的氰基苯基环己烷或式

的酯而非式I的化合物的类似混合物相比，包含式I的化合物的本发明的混合物在紫外线曝光下表现出明显更小的HR降低。

本发明的混合物的光稳定性和紫外线稳定性明显更好，即它们在曝露于光或紫外线下时表现出明显更小的HR降低。与现有技术的混合物相比，混合物中即使低浓度的式I的化合物(＜10重量％)也将HR提高了6％或更高。

由偏振器、电极基板和表面处理电极构成的本发明的MLC显示器的构造对应于这种类型的显示器的一般设计。术语一般设计在此作广义理解并还包含MLC显示器的所有衍生和变异形式，特别是包括基于poly-Si TFT或MIM的矩阵显示器元件。

然而，本发明的显示器与基于扭曲向列液晶盒的迄今传统显示器的显著区别在于液晶层中液晶参数的选择。

可以根据本发明使用的液晶混合物以本身传统的方式制备，例如将一种或多种式I的化合物与一种或多种式II-XXVII的化合物或与其它液晶化合物和/或添加剂混合。一般而言，有利地在升高的温度下，将以较少量使用的所需量的组分溶解在构成主要成分的组分中。还可以混合各组分在有机溶剂，例如在丙酮、氯仿或甲醇中的溶液，并在充分混合后例如通过蒸馏再除去溶剂。

电介质还可以包含本领域技术人员已知的和文献中描述的其它添加剂，例如紫外线稳定剂，例如来自Ciba的Tinuvin，抗氧化剂、自由基清除剂、纳米粒子，等等。例如，可以添加0-15％的多色性染料或手性掺杂剂。下面在表C和D中提到合适的掺杂剂和稳定剂。

在本申请和在下列实施例中，用首字母缩写词表示液晶化合物的结构，根据下表A和B转换成化学式。所有基团C_nH_2n+1和C_mH_2m+1是分别具有n和m个C原子的直链烷基；n和m是整数并优选表示0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12。表B中的编码是不言自明的。在表A中，只显示了母结构的首字母缩写词。在每种情况下，在母结构的首字母缩写词后带有用虚线隔开的取代基R^1*、R^2*、L^1*和L^2*的编码。

R^1、R^2、L^1、L^2、L^3*的编码	R^1*	R^2*	L^1*	L^2*
R^1、R^2、L^1、L^2、L^3*的编码	R^1*	R^2*	L^1*	L^2*	nmnOmnO.mnnN.FnN.F.FnFnClnOFnF.FnF.F.FnOCF₃nOCF₃.Fn-VmnV-Vm	C_nH_2n+1C_nH_2n+1OC_nH_2n+1C_nH_2n+1C_nH_2n+1C_nH_2n+1C_nH_2n+1C_nH_2n+1OC_nH_2n+1C_nH_2n+1C_nH_2n+1C_nH_2n+1C_nH_2n+1C_nH_2n+1C_nH_2n+1-CH＝CH-	C_mH_2m+1OC_mH_2m+1C_mH_2m+1CNCNCNFClFFFOCF₃OCF₃-CH＝CH-C_mH_2m+1-CH＝CH-C_mH_2m+1	HHHHFFHHHFFHFHH	HHHHHFHHHHFHHHH

优选的混合物组分显示在表A和B中。

表A

表B

特别优选的是除了式I的化合物外还包含至少一种、两种、三种、四种或更多来自表B的化合物的液晶混合物。

表C

表C显示了通常添加到本发明的混合物中的可能的掺杂剂。该混合物优选包含0-10重量％，特别是0.01-5重量％，特别优选0.01-3重量％的掺杂剂。

表D

下面提到可以在本发明的混合物中以0-10重量％的量添加的稳定剂。

下列实施例旨在解释本发明而非对其进行限制。

在全文中，百分比数据是指重量百分比。所有温度都以℃表示。m.p.表示熔点，c1.p.＝澄清点。此外，C＝结晶态，C＝向列相，S＝近晶相，I＝各向同性相。这些符号之间的数据代表转变温度。此外，

-Δn是指在589纳米和20℃下的光学各向异性，

-γ₁是指在20℃下的旋转粘度(mPa·s)，

-V₁₀是指10％透射(transmission)(与板表面垂直的视角)的电压(V)，(阈值电压)，

-Δε是指在20℃和1kHz下的介电各向异性(Δε＝ε_‖-ε_⊥，其中ε_‖是指与分子纵轴平行的介电常数，ε_⊥是指与其垂直的介电常数)。

除非明确地另行规定，电光学数据在TN液晶盒中在第一最小值(即在0.5微米的d·Δn值)下在20℃测量。除非明确地另行规定，光学数据在20℃下测量。除非明确地另行规定，所有物理性能均根据“Merck Liquid Crystals，Physical Properties of LiquidCrystals”，Status 1997年11月，Merck KGaA，Germany测定，并适用20℃的温度。

实施例1

如上所述制备化合物(1)。

相性能：C 21 N 90.4 I，Δn＝0.1510，Δε＝+14.0。

类似地制备下列化合物：

R-A¹-A²-A³-A⁴-O-CH＝CF₂

对比例1

如下配制LC混合物：

GGP-3-Cl 6.00％澄清点[℃]： 77.0

BCH-3F.F.F 15.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1309

BCH-5F.F.F 10.00％ Δε[kHz，20℃]： +13.7

CCQU-2-F 10.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 147

CCQU-3-F 10.00％ V₁₀[V]： 1.05

CCQU-5-F 3.00％

CGU-3-F 8.00％

CCGU-3-F 2.00％

PUQU-3-F 10.00％

CPGU-3-OT 8.00％

CC-3-V 7.00％

PP-1-2V1 4.00％

CCP-V-1 4.00％

PGP-2-4 3.00％

混合物实施例1

如下配制LC混合物：

GGP-3-Cl 6.00％澄清点[℃]： 78.0

BCH-3F.F.F 15.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1307

BCH-5F.F.F 10.00％ Δε[kHz，20℃]： +13.9

CCQU-2-F 10.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 141

CCQU-3-F 10.00％ V₁₀[V]： 1.07

CCQU-5-F 3.00％

CGU-3-OXF 9.00％

CCGU-3-F 2.00％

PUQU-3-F 10.00％

CPGU-3-OT 8.00％

CC-3-V 7.50％

PP-1-2V1 5.50％

CCP-V-1 4.00％

该混合物与对比例1相比，具有较低的粘度，其它性能基本不变。

混合物实施例2

如下配制LC混合物：

PGU-4-OXF 5.00％澄清点[℃]： 76.0

BCH-3F.F.F 15.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1303

BCH-5F.F.F 10.00％ Δε[kHz，20℃]： +14.0

CCQU-2-F 10.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 141

CCQU-3-F 10.00％ V₁₀[V]： 1.04

CCQU-5-F 3.00％

CGU-3-F 8.00％

CCGU-3-F 2.00％

PUQU-3-F 10.00％

CPGU-3-OT 8.00％

CC-3-V 6.00％

PP-1-2V1 4.00％

CCP-V-1 4.00％

PGP-2-4 5.00％

混合物实施例3

如下配制LC混合物：

GGP-3-Cl 6.00％澄清点[℃]： 76.0

CPU-3-OXF 25.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1314

CCQU-2-F 10.00％ Δε[kHz，20℃]： +14.9

CCQU-3-F 10.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 119

CCQU-5-F 3.00％ V₁₀[V]： 1.02

CGU-3-F 8.00％

PUQU-3-F 14.00％

CPGU-3-OT 8.00％

CC-3-V 11.50％

PP-1-2V1 3.50％

CCP-V-1 1.00％

混合物实施例4

如下配制LC混合物：

GGP-3-Cl 6.00％澄清点[℃]： 78.0

CPU-3-OXF 25.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1321

CCQU-2-F 10.00％ Δε[kHz，20℃]： +14.9

CCQU-3-F 11.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 113

CGU-3-OXF 9.00％ V₁₀[V]： 1.07

PUQU-3-F 14.50％

CPGU-3-OT 8.00％

CC-3-V 14.50％

PP-1-2V1 2.00％

混合物实施例5

如下配制LC混合物：

GGP-3-Cl 4.00％澄清点[℃]： 79.5

CPU-3-OXF 25.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1305

CCQU-2-F 5.00％ Δε[kHz，20℃]： +15.1

CCQU-3-F 6.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 108

CCU-3-OXF 10.00％ V₁₀[V]： 1.04

CGU-3-OXF 9.00％

PUQU-3-F 17.00％

CPGU-3-OT 8.00％

CC-3-V 16.00％

该混合物与对比例1相比，具有较低的粘度和较高的澄清点，其它性能基本不变。

对比例2

如下配制LC混合物：

GGP-3-Cl 8.00％澄清点[℃]： 76.0

BCH-3F.F.F 17.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1302

BCH-5F.F.F 9.00％ Δε[kHz，20℃]： +14.4

CCQU-2-F 10.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 132

CCQU-3-F 10.00％ V₁₀[V]： 1.05

APUQU-3-F 11.00％

PUQU-3-F 11.00％

PGP-2-4 5.00％

PP-1-2V1 2.00％

CC-3-V 9.00％

CCP-V-1 8.00％

混合物实施例6

如下配制LC混合物：

GGP-3-Cl 8.00％澄清点[℃]： 77.0

CPU-3-OXF 17.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1327

CPU-5-OXF 9.00％ Δε[kHz，20℃]： +16.3

CCQU-2-F 10.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 118

CCQU-3-F 10.00％ V₁₀[V]： 1.03

APUQU-3-F 11.00％

PUQU-3-F 15.00％

PP-1-2V1 4.00％

CC-3-V 11.00％

CCP-V-1 5.00％

该混合物与对比例2相比，具有较低的粘度和较高的双折射率，其它性能基本不变。

对比例3

如下配制LC混合物：

CDU-2-F 4.00％澄清点[℃]： 73.5

PGU-3-F 8.50％ Δn[589nm，20℃]： 0.0995

PUQU-3-F 15.50％ Δε[kHz，20℃]： +8.6

CCP-V-1 13.50％ γ₁[mPa·s，20℃]： 62

CCP-V2-1 10.00％

CC-3-V1 12.00％

CC-3-V 28.50％

APUQU-2-F 8.00％

混合物实施例7

如下配制LC混合物：

CDU-2-F 5.00％澄清点[℃]： 73.5

PGU-2-OXF 9.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.0989

PUQU-3-F 15.00％ ΔεkHz，20℃]： +8.5

CCP-V-1 14.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 59

CCP-V2-1 7.00％

CC-3-V1 12.00％

CC-3-V 30.00％

APUQU-2-F 8.00％

该混合物与对比例3相比，具有较低的粘度，其它性能基本不变。

混合物实施例8

如下配制LC混合物：

PUQU-2-F 8.00％澄清点[℃]： 75.0

PUQU-3-F 8.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1001

CCP-V-1 15.00％ Δε[kHz，20℃]： +8.1

CCP-V2-1 5.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 57

CC-3-V1 10.00％

CC-3-V 30.00％

APUQU-2-F 9.00％

CPU-2-OXF 8.00％

CPU-3-OXF 7.00％

对比例4

如下配制LC混合物：

CCP-20CF3 2.00％澄清点[℃]： 79.0

CCP-30CF3 8.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1105

PGU-2-F 9.00％ Δε[kHz，20℃]： +10.9

PGU-3-F 2.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 76

PUQU-3-F 19.00％

CC-3-V1 12.00％

CC-3-V 18.00％

CCP-V-1 11.00％

CCP-V2-1 10.00％

APUQU-2-F 9.00％

混合物实施例9

如下配制LC混合物：

CCP-20CF3 3.50％澄清点[℃]： 79.5

CCP-30CF3 8.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1110

PGU-4-OXF 11.00％ Δε[kHz，20℃]： +10.8

PUQU-3-F 20.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 74

CC-3-V1 11.50％

CC-3-V 19.00％

CCP-V-1 10.00％

CCP-V2-1 8.00％

APUQU-2-F 9.00％

该混合物与对比例4相比，具有较低的粘度，其它性能基本不变。

混合物实施例10

如下配制LC混合物：

CCP-20CF3 4.00％澄清点[℃]： 79.0

CCP-30CF3 8.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1115

PGU-4-OXF 11.00％ Δε[kHz，20℃]： +11.1

PUQU-3-F 20.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 72

CC-3-V1 8.50％

CC-3-V 21.50％

CCP-V-1 9.00％

CCP-V2-1 9.00％

APUQU-2-F 9.00％

对比例5

如下配制LC混合物：

APUQU-2-F 7.50％澄清点[℃]： 89.9

PUQU-3-F 5.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1302

PGU-2-F 7.00％ Δε[kHz，20℃]： +6.9

PGU-3-F 7.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 86

GGP-3-Cl 5.50％

CP-3-Cl 3.00％

CC-3-V 28.50％

CCP-V-1 15.00％

CCP-V2-1 13.00％

PGP-2-3 7.50％

CBC-33F 1.00％

混合物实施例11

如下配制LC混合物：

APUQU-2-F 9.00％澄清点[℃]： 89.0

PUQU-3-F 4.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1285

PGU-2-F 9.00％ Δε[kHz，20℃]： +7.0

PGU-3-F 4.50％ γ₁[mPa·s，20℃]： 76

CP-3-Cl 3.50％

CC-3-V 30.50％

CCP-V-1 18.00％

CCP-V2-1 7.00％

PGP-2-3 6.00％

PGP-2-4 5.00％

CPGU-3-OXF 3.50％

该混合物与对比例5相比，具有较低的粘度，其它性能基本不变。

对比例6

如下配制LC混合物：

GGP-3-Cl 7.00％澄清点[℃]： 76.5

BCH-3F.F.F 5.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1078

PUQU-2-F 5.00％ Δε[kHz，20℃]： +4.7

PUQU-3-F 10.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 56

CC-3-V1 8.00％ V₁₀[V]： 1.95

CCP-V-1 14.00％

CCP-V2-1 9.00％

PGP-2-3 6.50％

CC-3-V 35.50％

混合物实施例12

如下配制LC混合物：

C-3-V 44.00％澄清点[℃]： 75.5

CC-3-V1 6.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1063

CCP-V-1 6.00％ Δε[kHz，20℃]： +4.4

PGP-2-3 4.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 47

PGP-2-4 5.00％ V₁₀[V]： 1.96

PUQU-2-F 5.00％

CPU-3-OXF 30.00％

该混合物与对比例6相比，具有较低的粘度，其它性能基本不变。

对比例7

如下配制LC混合物：

GGP-3-Cl 5.00％澄清点[℃]： 75.5

CC-3-V1 35.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1174

CCP-V-1 19.00％ Δε[kHz，20℃]： +5.3

BCH-3F.F.F 18.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 63

PUQU-3-F 11.00％ V₁₀[V]： 1.75

PGP-2-4 6.00％

PGP-2-5 6.00％

混合物实施例13

如下配制LC混合物：

GGP-3-Cl 2.00％澄清点[℃]： 76.0

CC-3-V1 36.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1162

CCP-V-1 14.50％ Δε[kHz，20℃]： +5.4

CPU-3-OXF 30.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 55

PUQU-3-F 8.00％ V₁₀[V]： 1.76

PGP-2-4 4.00％

PP-1-2V1 5.50％

该混合物与对比例7相比，具有较低的粘度，其它性能基本不变。

对比例8

如下配制LC混合物：

GGP-3-Cl 9.00％澄清点[℃]： 72.5

GGP-5-Cl 7.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1450

CGU-3-F 4.50％ Δε[kHz，20℃]： +4.5

PUQU-3-F 9.50％ γ₁[mPa·s，20℃]： 68

CCP-V-1 11.00％ V₁₀[V]： 1.94

PGP-2-3 5.00％

PGP-2-4 7.00％

PGP-2-5 8.00％

PP-1-2V1 6.00％

CC-3-V 33.00％

混合物实施例14

如下配制LC混合物：

GGP-3-Cl 8.00％澄清点[℃]： 75.5

PUQU-3-F 9.00％ Δn[589nm，20℃]： 0.1455

CPU-3-OXF 15.00％ Δε[kHz，20℃]： +4.8

CCP-V-1 9.00％ γ₁[mPa·s，20℃]： 63

PGP-2-3 4.00％ V₁₀[V]： 2.01

PGP-2-4 8.00％

PGP-2-5 8.00％

PP-1-2V1 8.00％

CC-3-V 31.00％

该混合物与对比例8相比，具有较低的粘度和较高的澄清点，其它性能基本不变。

Claims

1.液晶介质，其特征在于其包含一种或多种式I的化合物

其中

L¹表示H或F，

n表示1或2，且

和

各自彼此独立地表示

或

2.根据权利要求1的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R⁰和L¹具有权利要求1中所示的含义。

3.根据权利要求1或2的液晶介质，其特征在于其另外包含一种或多种选自式II和/或III的化合物：

其中

环C表示1，4-亚苯基或反式-1，4-亚环己基，

a是0或1，且

R³表示具有2至9个C原子的链烯基，且R⁴具有权利要求1中对R⁰给出的含义。

4.根据权利要求1至3的一项或多项的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R^3a和R^4a各自彼此独立地表示H、CH₃、C₂H₅或C₃H₇，“烷基”表示具有1至8个C原子的直链烷基。

5.根据权利要求1至4的一项或多项的液晶介质，其特征在于其另外包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R⁰具有权利要求1中给出的含义，

Y^1-4各自彼此独立地表示H或F，

r表示0或1。

6.根据权利要求1至5的一项或多项的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R⁰和X⁰具有权利要求5中给出的含义。

7.根据权利要求1至6的一项或多项的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R⁰和X⁰具有权利要求5中给出的含义。

8.根据权利要求1至7的一项或多项的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R⁰和X⁰具有权利要求5中给出的含义。

9.根据权利要求1至8的一项或多项的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R⁰和X⁰具有权利要求5中给出的含义。

10.根据权利要求1至9的一项或多项的液晶介质，其特征在于其另外包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R⁰、X⁰和Y^1-4具有权利要求5中给出的含义，且

和

各自彼此独立地表示

或

11.根据权利要求1至10的一项或多项的液晶介质，其特征在于其另外包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R¹和R²各自彼此独立地表示各具有最多9个C原子的正烷基、烷氧基、氧杂烷基、氟烷基或链烯基。

12.根据权利要求1至11的一项或多项的液晶介质，其特征在于其另外包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R⁰、X⁰、Y¹和Y²具有权利要求5中给出的含义。

13.根据权利要求1至12的一项或多项的液晶介质，其特征在于其另外包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R⁰和X⁰具有权利要求5中给出的含义。

14.根据权利要求1至13的一项或多项的液晶介质，其特征在于其另外包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R⁰和X⁰具有权利要求5中给出的含义。

15.根据权利要求1至14的一项或多项的液晶介质，其特征在于其另外包含一种或多种选自下式的化合物：

其中D和E具有权利要求10中给出的含义，R⁰、X⁰和Y^1，2具有权利要求5中给出的含义，且D和E不同时表示亚环己基。

16.根据权利要求15的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自下式的化合物：

其中R⁰和X⁰具有权利要求5中给出的含义。

17.根据权利要求1至16的一项或多项的液晶介质，其特征在于其包含

1-25重量％的式I的化合物，

25-80重量％的式II和/或III的化合物，

5-30重量％的式VI-2的化合物。

18.式I的化合物

其中R⁰、n、A、B和L¹具有权利要求1中给出的含义，且环

和

的至少一个

表示

或

和/或n为2。

19.根据权利要求18的化合物，其中

表示

或

20.根据权利要求18或19的化合物，其中L¹表示F。

21.根据权利要求18至20的一项或多项的化合物，选自下式：

其中R⁰和L¹具有权利要求18中给出的含义。

22.根据权利要求1至21的一项或多项的液晶介质或化合物用于电光学目的的用途。

23.含有根据权利要求1至21一项或多项的液晶介质或化合物的电光学液晶显示器。

24.制备根据权利要求1至17的一项或多项的液晶介质的方法，其特征在于将一种或多种如权利要求1或2所述的式I的化合物与一种或多种根据权利要求3至16一项或多项的化合物或与其它液晶化合物和/或添加剂混合。