CN101138090A - 摄像装置以及电子器具 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及的摄像装置，包括：光学部件；半导体摄像元件，其中设有光电变换部和模拟回路部，所述光电变换部对所述光学部件所聚的光进行光电变换并蓄积电信号，具有配线层，所述模拟回路部与该当光电变换部邻接配置，具有配线层，用来输出蓄积在所述光电变换部的所述电信号；光侵入防止部，其防止光线从所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙侵入。
Description
技术领域
本发明涉及能够搭载于手机和便携电脑等电子器具的摄像装置，以及内藏该摄像装置的电子器具。
背景技术
从早些时期起，已经有能够搭载于手机和个人电脑等电子器具的小型高性能的摄像装置被开发。这种摄像装置中，有的备有CMOS(Complementary Metal-oxide Semiconductor)型影像传感等半导体摄像元件(例如参照专利文献1)。另外，还有一种摄像装置被建议，其中，将半导体摄像元件装配在基板上，使该基板和包括在半导体摄像元件上聚光用的镜头等光学部件一体化。
但是，CMOS型的影像传感中，是由分别设在每一像素中的晶体管等增幅部，对光电变换部的各像素中蓄积的信号电荷进行增幅之后，将其取出。所以，由于增幅部性能的参差等原因，发生固定模式(pattern)和噪声，而为了除去发生的固定模式和噪声再进行输出，在光电变换部的旁边配置CDS(Correlated Double Sampling)回路等。
但是，存在如下问题，即对被摄物体进行摄像等时，当有太阳光等光线入射到CDS回路等模拟回路时，模拟回路的电容器中蓄积的信号电荷将超过由光电变换部变换而成的信号电荷，这样导致摄像图像的图像质量降低。即存在如下问题，模拟回路的表面配设有铝层等配线，该配线层起到遮光作用，遮挡入射到模拟回路的光，但是，模拟回路与光电变换部之间，由于制造上的原因，模拟回路部设有的配线层和光电变换部设有的配线层之间，有出现间隙的情况，该间隙导致遮光不足。
[专利文献1]特开2003-60187号公报
发明内容
本发明的课题是提供一种能够防止摄像图像之图像质量下降的摄像装置，以及内藏了摄像装置的电子器具，其中，。
为了解决上述课题，本发明涉及的摄像装置备有：
光学部件；
半导体摄像元件，其中设有光电变换部和模拟回路部，所述光电变换部对由所述光学部件聚光的光信号进行光电变换并蓄积电信号，设有配线层，所述模拟回路部与所述光电变换部邻接配置，设有配线层，用来输出蓄积在所述光电变换部的所述电信号；
光侵入防止部，其防止光线从所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙侵入。
另外，上述摄像装置且备有基板，其上开有开口部，由所述光学部件所聚的光穿过该开口部，
所述半导体元件装配在所述基板的反面，
所述光电变换部对穿过所述开口部的光进行光电变换，作为电信号蓄积，
所述光侵入防止部也可以通过作如下配置构成，使所述光电变换部的所述模拟回路部侧的端部，与所述基板的所述开口部的端部，在入射到所述光学部件的光的光轴方向上几乎重叠，或位于比所述开口部来得外侧的位置。
另外，上述摄像装置且备有基板，其上开有开口部，由所述光学部件所聚的光穿过该开口部，
所述半导体摄像元件装配在所述基板的反面，
所述光电变换部对穿过所述开口部的光进行光电变换，作为电信号蓄积，
所述光侵入防止部也可以是具有遮光性的密封树脂，将其设置成覆盖所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙的至少一部分。
另外，上述摄像装置中，所述光侵入防止部也可以是具有遮光性的遮光部件，将其设置在所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙的至少一部分上。
附图说明
图1：本发明实施方式1的摄像装置立体示意图。
图2：沿图1中II-II线的摄像装置一部分省略截面图。
图3：图1摄像装置所备半导体摄像元件的光电变换部与模拟回路部回路结构说明图。
图4：半导体摄像元件的截面构造说明图。
图5：图3的半导体摄像元件以及基板的配置状态说明图。
图6：搭载了本发明摄像装置的手机一例，其正面以及反面示意图。
图7：应用了本发明的实施方式2的摄像装置一部分省略截面示意图。
图8：图7摄像装置所备半导体摄像元件的截面构造说明图。
具体实施方式
为了达成上述目的，本发明的具体构成如下。
1.一种摄像装置，备有：
光学部件；
半导体摄像元件，其中设有光电变换部和模拟回路部，所述光电变换部对由所述光学部件聚光的光信号进行光电变换并作为电信号蓄积，所述模拟回路与光电变换部邻接配置，用来输出蓄积在所述光电变换部的所述电信号；
光侵入防止部，其防止光线从所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙侵入。
2.上述1中记载的摄像装置，备有：
光学部件；
基板，其上开有开口部，由所述光学部件所聚的光穿过该开口部；
半导体摄像元件，其装配在所述基板的反面；
其中，所述半导体摄像元件包括：光电变换部，其对穿过所述开口部的光进行光电变换并作为电信号蓄积；模拟回路部，其与该当光电变换部邻接配置，用来输出蓄积在所述光电变换部的所述电信号，
配置所述半导体摄像元件，使所述光电变换部的所述模拟回路部侧的端部与所述基板的所述开口部的端部，在入射到所述光学部件的光的光轴方向上几乎重叠，或位于比所述开口部来得外侧的位置。
3.上述1中记载的摄像装置，备有：
光学部件；
基板，其上开有开口部，由所述光学部件所聚的光穿过该开口部；
半导体摄像元件，其装配在所述基板的反面；
其中，所述半导体摄像元件包括：光电变换部，其对穿过所述开口部的光进行光电变换并蓄积电信号；模拟回路部，其与该当光电变换部邻接配置，用来输出蓄积在所述光电变换部的所述电信号，
所述半导体摄像元件中设有具有遮光性的密封树脂，其覆盖所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙的至少一部分。
4.上述1中记载的摄像装置，备有：
光学部件；
半导体摄像元件，其中设有光电变换部和模拟回路部，所述光电变换部对由所述光学部件聚光的光信号进行光电变换并蓄积电信号，所述模拟回路与光电变换部邻接配置，用来输出蓄积在所述光电变换部的所述电信号；
在所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙的至少一部分上，设置具有遮光性的遮光部件。
5.一种电子器具，备有上述1～4的任何一项中记载的摄像装置。
根据上述1中记载的结构，半导体摄像元件中设有光电变换部和与该光电变换部邻接配置的模拟回路，且备有光侵入防止手段，其防止光从模拟回路部设有的配线层与光电变换部设有的配线层之间隙侵入，所以，能够使穿过间于中间的光学部件，入射到半导体摄像元件的光，难于从模拟回路部的配线层与光电变换部的配线层之间隙入射到模拟回路。因此，能够抑制由于从间隙入射到模拟回路侧的光，而在该模拟回路部产生的电荷。即，能够防止有比光电变换部所作光电变换而得电信号还要大的电信号，蓄积在模拟回路部，能够防止摄像图像的图像质量低下。
根据上述2中记载的结构，半导体摄像元件备有光电变换部和与该光电变换部邻接配置的模拟回路，且被配置成使光电变换部的模拟回路部侧的端部与基板开口部的端部，在入射到光学部件的光的光轴方向上几乎重叠，或位于比所述开口部来得外侧的位置，所以，能够使穿过介于中间的基板开口部，入射到半导体摄像元件侧的光难于入射到模拟回路部。因此，能够抑制由于入射到模拟回路的光而在该模拟回路部产生电荷。即，能够防止有比光电变换部所作光电变换而得电信号还要大的电信号，在模拟回路部蓄积，能够防止摄像图像的图像质量低下。
根据上述3中记载的结构，半导体摄像元件备有光电变换部和与该光电变换部邻接配置的模拟回路，且设有具有遮光性的密封树脂，其覆盖模拟回路部设有的配线层与光电变换部设有的配线层之间隙的至少一部分，所以，能够使穿过介于中间的开口部入射到半导体摄像元件侧的光，难于从模拟回路部的配线层与光电变换部的配线层之间隙，入射到模拟回路。因此，能够抑制根据从间隙入射到模拟回路侧的光，而在该模拟回路部产生电荷。即，能够防止有比光电变换部所作光电变换而得电信号还要大的电信号，在模拟回路部蓄积，能够防止摄像图像的图像质量低下。
根据上述4中记载的结构，半导体摄像元件中设有光电变换部和与该光电变换部邻接配置的模拟回路，且在模拟回路部设有的配线层与光电变换部设有的配线层之间隙的至少一部分，设有具有遮光性的遮光部件，所以，能够使穿过介于中间的光学部件，入射到半导体摄像元件侧的光，难于从模拟回路部的配线层与光电变换部的配线层之间隙，入射到模拟回路。因此，能够抑制根据从间隙入射到模拟回路侧的光，而在该模拟回路部产生电荷。即，能够防止有比光电变换部所作光电变换而得电信号还要大的电信号，在模拟回路部蓄积，能够防止摄像图像的图像质量低下。
根据上述5中记载的结构，将上述1～4的任何一项中记载的摄像装置配装备于器具本体内，与上述1～4中记载的结构相同，能够防止有比光电变换部所作光电变换而得电信号还要大的电信号，在模拟回路部蓄积，能够防止摄像图像的图像质量低下。
以下，参照附图，对本发明涉及的构成的具体形态，进行说明。但本发明的范围不局限于图示例子。
(实施方式1)
图1是本发明涉及的实施方式1的摄像装置立体示意图，图2是沿图1中II-II线所截摄像装置一部分省略截面图。
如图1以及图2所示，实施方式1中的摄像装置100包括：基板PC；半导体摄像元件202，设在基板PC的光源侧；光学部件1，用来聚光于半导体摄像元件202；光圈板3，调节入射到光学部件1的光量；镜框4，作为外框部件，掩盖半导体摄像元件202；遮光板5，设在镜框4上，具有遮光性；过滤器6，由遮光板5支撑；推压部件7，设在遮光板5和光学部件1之间，将光学部件1推向基板PC侧；定位电器零部件8a，配置在基板PC上的所定位置，用来定位光学部件1；等。
基板PC例如由陶瓷基板等构成，外形平面视为略矩形状。
基板PC的表面设有柔性基板F，该柔性基板F经由一定的配线(图示省略)，与半导体摄像元件202电连接。
半导体摄像元件202经由一定的粘结剂B1装配在基板PC表面的一定位置，使其光电变换部2a(后述)配置在光源侧。然后，设在半导体摄像元件202一定位置的外部连接用端子(图示省略)与基板PC上一定的回路之间，经由金属线W电性连接。
半导体摄像元件202由例如CMOS(ComplementaryMetal-oxide Semiconductor)型影像传感，或CCD(Charge Coupled Device)型影像传感等构成，是外形呈略矩形薄板状的部件。具体如下，例如，半导体摄像元件202是在P型Si基板等半导体基板2c的表面略中央2维配列像素，配设作为摄像区域的矩形状的光电变换部2a，邻接该光电变换部2a配设模拟回路2b，用来输出该光电变换部2a中蓄积的信号电荷。
作为粘结剂B1，可以举出例如，在一定的环氧树脂中混合了银粉末的银糊，或含有具有遮光性的一定染料或颜料的一定的树脂混合物等。粘结剂B1是在充填到粘结部位之后，能够通过加热粘结部位、或向粘结部位照射紫外线、或其他手段、或复合型进行上述工序而得以硬化的树脂等，较适合采用一般性的热硬化型粘结剂、紫外线硬化型粘结剂、热/紫外线并用硬化型粘结剂、复合硬化型粘结剂等。
以下，参照图3，对半导体摄像元件202的光电变换部2a和模拟回路2b的回路结构进行说明。
图3是作为半导体摄像元件202、例如CMOS型影像传感的示例。CMOS型影像传感的光电变换部2a，其各像素中蓄积的信号电荷在输出之际，由于MOS(Metal Oxide Semiconductor)半导体等增幅部性能的参差等原因，产生固定模式(pattern)/噪声。在此，为了将产生的固定模式/噪声去除之后再进行输出，作为模拟回路2b，设置了CDS(Correlated Double Sampling)回路等。
如图3所示，入射到半导体摄像元件202光电变换部2a的光，经光电二极管光电变换，生成信号电荷，其被置换成作为等价电容器而工作的光电二极管的电压变化，并且，通过其栅与该光电二极管连接的MOS晶体管增幅，之后，根据来自于连接在行选择线n的行选择晶体管(转换元件)的输入脉冲，通过介于中间的列信号线，作为像素信号输出到CDS回路。
另外，行复位线n上连接着复位用晶体管(转换元件)，其输出一定的脉冲，用来复位光电二极管中蓄积的信号电荷，像素信号输出之后，根据来自于复位用晶体管的输入脉冲，光电二极管被复位，复位信号从该光电二极管通过介于中间的列信号线，输出到CDS回路。
列信号线上连接着负荷晶体管ML。
输入到CDS回路的像素信号以及复位信号，各自根据来自于连接在电容器CC上的、作为转换元件的一定晶体管MC所输入的脉冲φC，以及来自于连接在电容器CS2上的晶体管MS2所输入的脉冲φS2，对电容器CC进行嵌位(clamp)以及对电容器CS2进行取样。由此，抑制了固定模式/噪声的信号，蓄积到电容器CS2。根据来自于列选择用晶体管的输入脉冲i，输出蓄积的信号。
这样，光学部件1所聚的光，通过半导体摄像元件202的光电变换部2
a进行光电变换，并作为电信号被蓄积，被蓄积的电信号经模拟回路2b被输出。
接下去，对半导体摄像元件202相对基板PC的装配状态作说明，参照图4以及图5作详细说明。
图4是半导体摄像元件202的截面构造说明图，图5是半导体摄像元件202以及基板PC的配设状态说明图。图4以及图5模式表示半导体摄像元件202的截面结构，仅在配线层20a、20b中加入剖面线作图示。
首先，如图4所示，半导体摄像元件202的光电变换部2a以及构成模拟回路部2b的MOS半导体区域上，设置了由铝层组成的配线层20a、20b。该配线层20a、20b起到作为遮光手段的功能，防止光直接入射到MOS晶体管，但是，由于制造上的原因，在光电变换部2a以及模拟回路部2b的中间则不能设置，所以，模拟回路部2b设有的配线层20b与光电变换部2a设有的配线层20a之间出现间隙20c。因此，以一定角度入射到间隙20c的光，在模拟回路部2b的MOS晶体管CS2产生电荷，成为问题。
在此，本实施方式1的半导体摄像元件202如图5所示，设置具有遮光性材料构成的遮光膜(遮光部件)2d，其掩盖模拟回路部2b的配线层20b与光电变换部2a的配线层20a之间隙20c之全部。更具体如下，从光电变换部2a的端部到模拟回路部2b的一定位置，横跨设置遮光膜2d。由遮光膜2d构成光侵入防止部，防止光从半导体摄像元件202的模拟回路部2b的配线层20b与光电变换部2a的配线层20a之间隙20c侵入。
遮光膜2d例如也可以由银糊构成。即，通过用与粘结剂B1相同的组成来构成遮光膜2d，半导体摄像元件202装配于基板PC时所用的粘结剂B1的涂布和遮光膜2d的涂布，可以用相同工序来进行，能够实现简略该摄像装置100的制造工序。
光学部件1以透明塑料材料为原材料，如图2所示，管状的脚部1c和由该脚部1c支撑着的凸透镜形状的透镜部1a被形成为一体。脚部1c备有形成在下端的4个碰接部(图2中仅图示了2个)1d和、形成在上端周围的上脚部1e和、形成在碰接部1d与上脚部1e之间的下脚部1f。另外，在堵住脚部1c上端的板状上部1b的中央，形成了透镜部1a。碰接部1d与半导体摄像元件202表面的一定位置碰接。
图示作了省略，下脚部1f的水平截面的形状如下，由圆周上2点的连接线(弦)切成略D字形状，且形成了被嵌合部。
在上部1b上面的透镜部1a周围，粘结固定着光圈板3，其由遮光性材料形成，作为规制凸透镜部1a的F数的第1光圈，具有开口3a。
在光学部件1的外侧，配置了由遮光性材料构成的镜框4，构成外框部件。如图1所示，镜框4设有方柱状的下部4a和圆筒状的上部4b。镜框4上部4b的上端，用粘结剂B2粘结着遮光板5。遮光板5的中央，开有作为第2光圈的开口5a。遮光板5的中央的开口5a的下方，用粘结剂粘结着过滤器6，其由具有红外线吸收特性的材料形成。该遮光板5和过滤器6构成外盖部件11。
下部4a的下端部4aa是镜框4装在基板PC上时的粘结部位，镜框4的下部4a碰接且装在基板PC上时，是在下部4a下端部4aa与基板PC之间充填粘结剂B3进行胶固。
这样，基板PC与镜框4以及外盖部件11紧紧接合，因此，由基板PC和镜框4以及外盖部件11等覆盖光学部件1和半导体摄像元件202表面，防止其上附着大气中的灰尘等垃圾或湿气等，或给与保护以免损伤等。
也就是说，通过用由镜框4和外盖部件11构成的外框部件覆盖光学部件1和半导体摄像元件202的表面，摄像装置100具备了防尘防湿构造和对光学部件1等的保护构造。
另外，图示作了省略，隔在镜框4下部4a与上部4b之间的壁4c，其内周面上形成了作为嵌合部的D槽，其与光学部件1的被嵌合部之下脚部1f相应，下脚部1f紧紧嵌合在D槽内。由此，下脚部1f与D槽镶嵌，规定限制了光学部件1在镜框4中的位置，防止光学部件1发生例如以其透镜部1a的光轴为中心的旋转。
另外，因为光学部件1在镜框4中的位置被固定，所以，在基板PC的一定位置上，比如根据后述定位电器零件8a，定位镜框4进行装配，由此能够使光学部件1配置在基板PC上的一定位置，例如，可以使基板PC上所备的半导体摄像元件202的光电变换部2a的中心，与镜框4中所镶嵌的光学部件1之镜头部1a的光轴一致。
另外，因为光学部件1在镜框4中的位置被固定，所以，在基板PC的一定位置上配置镜框4，在此固定状态下，光学部件1不易偏离该所定位置，容易维持例如，光学部件1的透镜部1a的光轴中心与半导体摄像元件202的光电变换部2a的中心一致之状态。
图2中，光学部件1和遮光板5之间，配置了由例如卷弹簧等弹性部件构成的推压部件7。通过将遮光板5装在镜框4上，遮光板5便推压推压部件7，该推压部件7发生弹性形变。该推压部件7用一定的推压力向图2中下方推压光学部件1，将光学部件1靠压于半导体摄像元件202。在此，当遮光板5施加向下方向的作用力时，推压部件7通过弹性形变吸收该作用力，起到缓冲作用，所以，作用力不直接传递到摄像元件2，具有防止摄像元件2破损的效果。
定位电器零件8a是例如电容器、电阻、二极管等电器元件，如图2所示，在基板PC上接近镜框4，且对应镜框4之4角进行配置。该定位电器零件8a在将镜框4固定于基板PC上时的固定位置的附近，成为镜框4的定位指标。
定位电器零件8a不局限于电容器、电阻、二极管等，只要是摄像装置100所必需的电器零件，都可以采用。
另外，也可以在基板PC上设置使摄像装置100工作和进行图像处理所必需的电器零件(图示省略)，这样，能够将摄像装置100作为一个单元，方便地搭载于各种电子器具。
接下去，以上述摄像装置100为例，对搭载了本发明涉及的摄像装置的电子器具进行说明。
如图6所示，电子器具例如折叠式手机T(以下称为手机T)，备有显示画面D且作为外壳的上筐体71和备有操作按钮P的下筐体72，通过铰链73连结。摄像装置内藏在上筐体71之内表面侧(备有显示画面D的一侧)的显示画面D的下方，摄像装置100能够从上筐体71的外表面采光。
通过将薄型化的摄像装置100内藏于手机T，能够实现手机T的进一步薄型化，根据摄像距离和摄像环境，分别使用摄像装置100的各种功能，由此能够实现附加价值较高的手机T。
有关手机T的其他结构要素，已为公开，省略说明。
如上所述，根据实施方式1中的摄像装置100，因为半导体摄像元件202设置了遮光膜2d，由其掩盖模拟回路部2b设有的配线层20b与光电变换部2a设有的配线层20a之间隙20c，所以，能够使穿过介于中间的光学部件1入射到半导体摄像元件202的光，难于从模拟回路部2b设有的配线层20b与光电变换部2a设有的配线层20a之间隙20c，入射到模拟回路2b。由此，能够抑制由于从间隙20c入射到半导体基板2c之模拟回路部2b的太阳光等，而在该模拟回路部2b发生的电荷。即，能够防止有比光电变换部2a所作光电变换而得电信号还要大的电信号，蓄积在模拟回路2b，能够防止摄像图像的画质降低。
本实施方式1的摄像装置100，其中，示例了作为掩盖半导体摄像元件202中之间隙20c整体的遮光膜2d，但并不局限于此，也可以是掩盖间隙20c之至少一部分的遮盖部件。即，可以在间隙20c的一定位置上，设置例如宽0.5mm左右的遮光膜2d。也就是说，模拟回路部2b产生的不需要电荷，是因为一定角度的太阳光等入射到该模拟回路部2b而引起的，所以，只要是能够防止该一定角度中的光入射之程度的遮光膜2d，便足够。
(实施方式2)
图7是本发明涉及的实施方式2的摄像装置200的一部分省略截面示意图，图8是摄像装置200所备半导体摄像元件2的截面结构说明图。
如图7以及图8所示，实施方式2的摄像装置200，是在基板PC上形成了略矩形状的开口部10，从基板PC的反面装备半导体摄像元件2，使其堵住开口部10。
在基板PC的反面装配半导体摄像元件2，使其光电变换部2a从基板PC表面的开口部10露出。具体如下，在基板PC的反面，空开一定间隔地设置多个凸块(bump)20，使这些凸块20介于中间，装配半导体摄像元件2。借助于凸块20，半导体摄像元件2与基板PC背面一定位置上形成的配线(省略图示)电连接。这里，入射到光学部件1并由其所聚的光，穿过开口部10，由光电变换部2a光电变换为电信号并被蓄积。
凸块20由例如铜、镍、金、钯和它们的合金，或这些金属构成。另外，作为凸块20，可以举出例如轴柱凸块(stud bump)、电镀凸块、蒸镀凸块等。
另外，本实施方式的半导体摄像元件2如图8所示装在基板PC的背面，其中，使光电变换部2a的靠近模拟回路部2b侧的端部，与基板PC的开口部10的端部，在光学部件1之入射光的光轴方向几乎重叠。在此，由基板PC和半导体摄像元件2构成光侵入防止部，防止光从该半导体摄像元件2的模拟回路部2b的配线层20b与光电变换部2a的配线层20a之间隙20c侵入。
另外，半导体摄像元件2通过介于中间的粘结剂B1粘合于基板PC，该粘结剂B1具有遮光性，作为密封树脂(光侵入防止部)，掩盖模拟回路部2b设有的配线层20b与光电变换部2a设有的配线层20a之间隙20c。更具体如下，例如，在基板PC的背面与半导体摄像元件2的从间隙20c到端部侧的部分中，充填粘结剂B1，使半导体摄像元件2与基板PC的间隙密封。
光学部件1所聚的光，其入射到的基板PC一面，为基板PC的表面，其相反面为背面(反面)。
另外，为了防止电极与电极发生短路，粘结剂B1可以应用具有非导电性的物质。
如上所述，根据实施方式2的摄像装置200，配置半导体摄像元件2，使其光电变换部2a的模拟回路部2b侧的端部，与基板PC的开口部10的端部，在光学部件1的入射光的光轴方向几乎重叠。并且，半导体摄像元件2通过介于中间的粘结剂B1装在基板PC上，而该粘结剂B1从模拟回路部2b设有的配线层20b与光电变换部2a设有的配线层20a之间隙20c掩盖端部部分。因此，能够使穿过介于中间的基板PC上的开口部10，入射到半导体摄像元件2的光，难于从模拟回路部2b的配线层20b与光电变换部2a的配线层20a之间隙20c，入射到模拟回路部2b。由此，能够抑制由于从间隙20c入射到半导体基板2c之模拟回路部2b侧的太阳光等，而在该模拟回路部2b发生的电荷。即，能够防止有比光电变换部2a所作光电变换而得电信号还要大的电信号，蓄积在模拟回路2b中，能够防止摄像图像的画质降低。
本实施方式的摄像装置200，其中，用来密封半导体摄像元件2与基板PC之间隔的粘结剂B1，是从半导体摄像元件2的间隙20c，设在端部部分，但是，不局限于此，也可以使其掩盖间隙20c的至少一部分。
另外，上述实施方式2中，作为半导体摄像元件2，例示了其光电变换部2a的模拟回路2b侧的端部，与基板PC的开口部10的端部，在光学部件1的入射光的光轴方向几乎重叠配设的情况，但是，不局限于此，也可以配设成光电变换部2a的模拟回路2b侧的端部，位于比开口部10来得外侧。这样，能够使穿过介于中间的基板PC之开口部10，入射到半导体摄像元件2的光，难于从间隙20c入射到模拟回路部2b。
本发明不局限于上述实施方式，在不逸出本发明宗旨的范围内，可以进行各种改良以及设计的变更。
例如，作为模拟回路部2b，例示了CDS回路，但不局限于此，只要是用来输出蓄积在光电变换部2a中之电信号的模拟回路，任何一种都适用。另外，模拟回路部2b和光电变换部2a的回路结构，也不局限于上述内容。
另外，上述实施方式1以及2中，作为密封树脂，例示了粘结剂B1，但不局限于此，至少只要是具有遮光性的部件，也可以是其他的物质。
另外，上述实施方式中，作为电子器具，例示了手机T，但不局限于此，只要是能够内藏摄像装置100、200的电子器具，当然任何一种都可以。
Claims (5)
1.一种摄像装置，其特征在于，备有：
光学部件；
半导体摄像元件，其中设有光电变换部和模拟回路部，所述光电变换部对所述光学部件所聚的光进行光电变换并蓄积电信号，具有配线层，所述模拟回路部与该当光电变换部邻接配置，具有配线层，用来输出蓄积在所述光电变换部的所述电信号；
光侵入防止部，其防止光线从所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙侵入。
2.权利要求1中记载的摄像装置，其特征在于，
且备有基板，其上开有开口部，所述光学部件所聚的光穿过该开口部，
所述半导体元件装配在所述基板的反面，
所述光电变换部对穿过所述开口部的光进行光电变换，作为电信号蓄积，
所述光侵入防止部的结构如下，配置成使所述光电变换部的所述模拟回路部侧的端部，与所述基板的所述开口部的端部，在入射到所述光学部件之光的光轴方向上几乎重叠；或位于所述开口部的外侧。
3.权利要求1中记载的摄像装置，其特征在于，
且备有基板，其上开有开口部，所述光学部件所聚的光穿过该开口部，
所述半导体摄像元件装配在所述基板的反面，
所述光电变换部对穿过所述开口部的光进行光电变换，作为电信号蓄积，
所述光侵入防止部是具有遮光性的密封树脂，其设置成覆盖所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙的至少一部分。
4.权利要求1中记载的摄像装置，其特征在于，
所述光侵入防止部是具有遮光性的遮光部件，其设置在所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙的至少一部分上。
5.一种电子器具，其特征在于，在器具本体内备有权利要求1～4的任一项中记载的摄像装置。
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