CN101124297A - 具有良好的亮度和色坐标维持能力的灯 - Google Patents
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Abstract
本发明公开的为一种包括特殊磷光体并具有良好的维持亮度和色坐标能力的灯。具体而言,本发明提供一种使用在具有β氧化铝相的磷光体表面上外延形成磁铅石相的磷光体的灯。
Description
技术领域
本发明涉及一种包含特殊磷光体并具有良好的维持亮度和色坐标能力的灯,并且具体而言,本发明提供一种使用磷光体的灯,其中,在具有β氧化铝相的磷光体上外延形成磁铅石(magnetoplumbite)相。本申请要求韩国专利申请号10-2005-0026517的申请目的权利,其于2005年3月30日在韩国知识产权局提交,本发明包含其全部公开作为参考。
背景技术
通常,铝酸钡镁(BAM;[(Ba,Eu2+)MgAl10O17])磷光体用于LCD的BLU(背光模组)的CCFL(冷阴极萤光灯)或EEFL(外电极荧光灯),或用于三波长荧光灯。
不同于其它用于三波长灯(CCFL或EEFL)的磷光体(红色-Y2O3:Eu或绿色-(La,Ce)PO4:Tb),在制造如荧光灯、CCFL或EEFL的实际应用产品进行热处理时,由于在700~750℃下燃烧一种用作粘合剂的有机材料的过程中(粘合剂烧尽步骤=BBO步骤)严重地发生如低发光性的劣化,所以BAM磷光体受损坏。已知在产品的使用过程中,BAM磷光体的劣化是引起在气体放电下产生的磷光体的发光性劣化的主要原因。尤其是,已知BAM磷光体的发光性的劣化(色坐标变化)极大影响三波长灯的色坐标的变化。
因此,由于磷光体的劣化,灯的亮度和色坐标与最初的光相比逐渐降低。而且,色坐标的变化导致不希望有的变化的灯色温,因此降低了显示产品的性能。
因此,为使BAM磷光体本身的劣化最小化,已进行如下深入研究。
日本专利公开号2003-82345公开了一种不使用额外化合物而将Eu2+部分氧化成Eu3+的方法,和一种通过加入Al、Si或La形成氧化物膜或氟化物膜的方法。日本专利公开号2003-82344公开了一种通过用四价元素(Ti、Zr、Hf、Si、Sn、Ge或Ce)代替Al或Mg来增加正电荷,以防止磷光体劣化的方法。另外,日本专利公开号2003-382343公开了一种用如SiO2、Al2O3、ZnO、MgAl2O4、Ln2O3、LaPO4或Zn2SiO4的氧化物,或者如Si(OF)4、La(OF)3或Al(OF)3的氟化物涂敷BAM,然后在空气中于300~600℃下将这种BAM热处理,从而防止由于BAM导电层缺氧而吸附水或二氧化碳的方法。
此外,日本专利公开号2002-348570公开了一种用于在空气中于500~800℃下将含有硅的BAM磷光体热处理,以防止真空UV光下磷光体的劣化的方法。韩国专利公开号2003-14919公开了一种只对磷光体表面的选择性部分表面处理,从而使由于涂敷而导致的性能降低最小化。韩国专利公开号2002-0025483公开了一种将BAM磷光体表面用SiO2连续涂敷至5~40mm的厚度以覆盖磷光体表面,从而使磷光体不劣化的方法。美国专利号5,998,047公开了一种用链状多磷酸盐涂敷BAM磷光体表面,以使磷光体不因UV光而劣化的方法。日本专利公开号2000-303065公开了一种用含有Ba或Sr作为阳离子的硼酸盐、磷酸盐、硅酸盐、卤化物、硝酸盐、硫酸盐和碳酸盐涂敷BAM磷光体(其为在真空UV光中使用的磷光体),以防止磷光体热降解的方法。此外,日本专利公开号2002-080843公开了一种用发出UV光的第二荧光粉涂敷第一BAM磷光体,以防止第一磷光体性能降低的方法。
另外,对用于提高作为特殊应用产品实例的灯的亮度的维持能力的磷光体的性能改善研究如下。
根据日本专利公开号平11-172244和9-231944、日本专利公开号2002-348570、2003-147350、2003-226872和2004-244604,在用硝酸和如La2O3、Y2O3、SiO2或Gd2O3的金属氧化物处理磷光体表面,以在磷光体颗粒表面形成厚度为5~100mm的稀土金属氧化物膜时(日本专利公开号平11-172244),或在用稀土金属的碳酸盐涂敷磷光体表面时(日本专利公开号2003-147350、2003-226872、2004-244604)时,据报道由于真空UV光的亮度劣化降低。然而,上述专利只报道了亮度的降低程度,而不是由于涂敷引起的磷光体初始亮度的降低,且也未提及维持色坐标的能力。
在磷光体表面形成保护膜的情况下,发光效率随膜的厚度变化。当表面处理量较大时,效率的降低同样也较大,而维持亮度的能力较好。此外,表面处理材料可以由于其作为粘合剂来凝结磷光体颗粒而具有负面效果,以及作为保护膜而具有正面作用。在实际应用时如此凝结的磷光体表现出较差的分散性,因此不能形成均匀的涂层膜,从而导致不希望的不均匀色坐标或亮度。
发明内容
技术问题
因此,鉴于现有技术领域中出现的上述问题已完成本发明,本发明的目的是提供一种使用具有高初始亮度和良好的亮度和色坐标维持能力的磷光体的灯。
技术方案
本发明提供一种使用磷光体的灯,其中,在具有β氧化铝相的磷光体表面外延形成磁铅石相。
关于具有β氧化铝相的磷光体,可以使用BAM磷光体,具体为[(MII,Eu2+)MgAl10O17]或[(MII,Eu2+)(Mg,Mn)Al10O17],其中MII为Ba、Ca、Sr或其混合物,且部分或全部的Al被Ga取代。
磁铅石相可以不使用额外的化合物而形成,或通过与具有磁铅石相(MP)结构的物质化学成键而形成。
所述灯可用作BLU灯,例如,如萤光显示板、X-射线摄像管、LCD、PDP和CRT的显示装置中所用的CCFL或EEFL;或用作照明系统用灯。
磁铅石是一种具有与β氧化铝相十分类似的结构的物质,且作为例子,磁铅石可以是由下面化学式1表示的物质:
化学式1
M1 (II)M′(III) 12O19
化学式1中,M1 (II)为Ca、Sr、Pb或Eu,且M′(III)为Al、Ga或其混合物。
此外,作为例子,磁铅石可以由下面化学式2表示:
化学式2
M2 (III)M″(II)M′(III) 11O19
化学式2中,M2 (III)为包括La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu或Gd的镧系元素,M″(II)为Ni、Co、Fe、Mn或Mg,且M′(III)为Al、Ga或其混合物。
此外,作为例子,磁铅石可以由下面化学式3表示:
化学式3
M3 (III)M′(III) 11O18
化学式3中,M3 (III)为La、Ce或其混合物,且M′(III)为Al、Ga或其混合物。
磁铅石相只对具有β氧化铝相的磷光体(特别是BAM磷光体)的特定晶面,即平行于其晶体c轴的晶面选择性地进行化学表面改性。
根据常规技术,对具有改变的组成的BAM磷光体热处理以只增强维持亮度的能力,或用保护膜对具有原始组成和优选的发射颜色的BAM磷光体简单地涂覆,从而形成磷光体。然而,本发明的特征在于:使用一种磷光体,其中,用磁铅石晶体结构对具有β氧化铝相的磷光体的特定晶面,即平行于其晶体c轴的平面选择性地进行表面改性,所述磁铅石晶体结构与具有β氧化铝相的磷光体化学键合(特别是BAM磷光体)且与作为磷光体晶体结构的β氧化铝相的物理化学类似。本发明中使用的磷光体的优点和效果在下面描述。
第一,本发明中使用的磷光体具有当该磷光体应用到如CCFL的实际应用产品时,在制造灯过程中需要高温热处理时,其劣化较小的性质。例如,制造CCFL时,在高温(700~750℃)下由水渗入磷光体的晶体结构导致磷光体性质劣化而引起的发光效率或发射颜色纯度具有较少的降低。例如,根据本发明,发射颜色不会由深蓝色变为绿相蓝(C.I.E色坐标中的y值增大)。因此,可以制造具有高亮度并且色坐标较小改变的CCFL/EEFL。
第二,在使用上述磷光体制造的应用产品中,其性能与使用常规BAM磷光体制造的应用产品相比,例如,一段时间后,亮度较少降低且色坐标较少改变,因此可以增加使用上述磷光体制造的产品的寿命。
第三,因为,本发明中使用的磷光体在用作保护膜的磁铅石相与磷光体的β氧化铝相之间具有强的化学键合,所以不同于具有简单保护膜的常规BAM磷光体,其具有较高的机械破坏抵抗性。因此,伴随着该磷光体的使用,不存在与机械破坏相关的问题,从而能够制造具有高质量的应用产品。
根据下面的工艺制备本发明中使用的磷光体。为方便起见,尽管下面描述了制备M′(III)为Al的BAM磷光体的方法,但是这些方法可以应用于其它磷光体。
(制备工艺I)
本发明在不使用额外的物质的情况下,通过在氧化气氛中将具有β氧化铝相的BAM磷光体热处理制备磷光体,以在BAM磷光体上形成磁铅石相,提供一种制备磷光体的方法。
该工艺由下面的反应式1表示:
反应式1
在反应式1中,M为Ca、Sr、Ba或其混合物。O2/N2的比率为0.01~100%,优选为0.01~10%,且更优选为0.1~5%。加热温度(T)为800~1200℃,且优选为950~1050℃。加热时间(t)在1分钟~10小时,且优选0.5小时~3小时的范围内。加热温度(T)和加热时间(t)可以根据将要处理的β氧化铝相BAM的量、O2/N2的比率和加热温度最优化。如此形成的磁铅石相为0.5~5nm厚,且优选为0.5~2nm厚。
(制备工艺II)低温下磁铅石相的形成
(制备工艺II-1)
本工艺通过混合BAM磷光体与金属氟化物,然后在O2/N2的比率为0.01~100%的氧化气氛中、于650~850℃下将该混合物热处理0.5~2小时,以在BAM磷光体表面上形成磁铅石相,提供一种制备磷光体的方法。
金属氟化物的例子包括如MgF2,ZnF2或SnF2的二价金属氟化物,或如AlF3或GaF3的三价金属氟化物。基于1g的BAM磷光体,使用0.001~0.02g、且优选为0.001~0.01g的量的该金属氟化物。
(制备工艺II-2)
本发明提供一种制备磷光体的方法,用能够形成磁铅石相的阳离子(M)交换具有β氧化铝相的BAM磷光体的导电层中存在的Ba或Eu离子,然后将这种磷光体在氧化气氛中热处理,以在BAM磷光体表面上形成磁铅石相,所述β氧化铝相具有连续层叠有尖晶石层(spinellayer)(MgAl10O16)和导电层{(MII,Eu2+)O]的分层结构。氧化气氛中O2/N2的比率优选为0.01~100%,且优选在650~850℃下热处理0.5~2小时。在这种情况下,为降低热处理温度,在交换离子时,可以使用能够形成磁铅石相的阳离子氟化物。在使用阳离子氟化物的情况下,热处理温度可以降至650~750℃。
阳离子(M)的例子包括Ca2+、Sr2+、Eu3+、La3+或Gd3+,且基于1g的BAM磷光体,使用的该阳离子氟化物的量为0.001~0.02g。
根据本工艺,BAM磷光体与例子交换物质混合,其后在控制的氧分压下,以10℃/min的加热速度,于650~750℃将混合物热处理1~2小时,然后以10℃/min的速度冷却,由此制备具有防水性的磷光体。
本工艺由下面的反应式2表示:
反应式2
<使用离子交换步骤的制备工艺II-2>
1)以预定比将BAM磷光体与MFx混合,其后将混合物在650~750℃下热处理,同时维持预定的氧分压。
2)可以根据下面的步骤制备1)的MFx:
M(NO3)xyH2O+xNH4F→MFx+xNH4NO3+yH2O
(制备工艺II-3)
本工艺通过混合β氧化铝相BAM磷光体与金属氟化物和金属硝酸盐,然后在惰性气氛中,于650~750℃下将混合物热处理0.5~2小时,以在BAM磷光体表面上形成磁铅石相,提供一种制备磷光体的方法。
换句话说,本工艺通过同时采用使用金属氟化物(制备工艺II-1)的工艺和用能够形成磁铅石相的阳离子交换BAM磷光体的导电层中存在的Ba或Eu离子的工艺(制备工艺II-2),提供一种制备具有优异的防水性(即发光性质的较低劣化)的磷光体。
所述金属氟化物以如MgF2,ZnF2或SnF2的二价金属氟化物或如AlF3或GaF3的三价金属氟化物为例。基于1g的BAM磷光体,优选以0.001~0.02g的量使用这种金属氟化物。在本工艺中,如MgF2或AlF3的MFx的量可以控制,从而改变热处理温度。
所述金属硝酸盐的金属(L)包括Ca2+、Sr2+、Eu3+、La3+或Gd3+,且基于1g的BAM磷光体,以0.001~0.02g的量使用该金属硝酸盐。
可以使用氮气、氩气或其气体混合物来维持惰性气氛。
根据本工艺,将BAM磷光体与添加剂均匀地混合,然后干燥以获得混合的磷光体,然后于控制的惰性气氛中、以10℃/min的加热速度在650~850℃下将混合的磷光体热处理0.5~2小时,其后以10℃/min的速度冷却,由此制备本发明中使用的磷光体。
用于促进磁铅石相形成的本工艺同时采用了工艺II-1和II-2,其由下面的反应式3表示:
反应式3
反应式3中,M为Mg2+或Al3+,L为Ca2+,Sr2+,或如Eu3+、La3+或Gd3+的三价镧系元素。
1)以预定比率将BAM磷光体与MFx(1~20mmol/g BAM,优选18mmol/g BAM)和L(NO3)xyH2O(1~10mmol/g BAM,优选6~9mmol/gBAM)混合,且在如氮气氛的惰性气氛中,于650~850℃下热处理该混合物。
2)可以使用下面的储备液制备1)的MFx和L(NO3)xyH2O:
M(NO3)xyH2O、x(NH4)F、L(NO3)wzH2O的储备液。
(制备工艺III)
本工艺通过混合BAM磷光体与具有磁铅石相的物质,然后在惰性气氛中热处理该混合物,提供一种制备磷光体的方法。
通过混合M1X3、M2(NO3)2和Al(OR)3制备具有磁铅石相的物质,其中,M1为如Eu3+、Ce3+或La3+的镧系元素,X为Cl-或NO3 -,M2为Mg2+,且OR为醇盐。基于1g的BAM磷光体,优选以0.002~0.05mmol的量使用M1。
所述惰性气氛包括氮气、氩气或其气体混合物,且热处理温度为800~1000℃。
如由下面的反应式4简单地表示的,本工艺包括向磷光体中加入具有磁铅石相的物质以及将该混合物热处理,以在β氧化铝相BAM磷光体的表面上形成磁铅石相保护膜:
反应式4
在具有β氧化铝相的BAM磷光体(尤其是BAM磷光体[(MII,Eu2+)MgAl10O17])上外延形成有磁铅石相的磷光体可用作蓝色磷光体或绿色磷光体。使用根据本发明的磷光体的灯可以是只使用上述磷光体的单色灯或另外使用一种或多种其它的磷光体的单色或多色灯。上述磷光体可以使用本领域已知的一般方法应用到灯中。
本发明的灯可为用于如荧光显示板、X-射线摄像管、LCD、PDP和CRT的显示装置的BLU灯,或用于照明系统的灯。所述BLU灯可以为CCFL或EEFL。
此外,本发明提供各自包括上述灯的如萤光显示板、X-射线摄像管、LCD、PDP和CRT的显示装置或照明系统。
有益效果
本发明的灯具有优于常规灯的初始亮度和机械性能。此外,在具有β氧化铝相的磷光体(尤其是BAM磷光体)表面上外延形成磁铅石相作为保护膜的磷光体对由灯的制造过程引起的热劣化和对由于水银放电产生的真空UV光引起的劣化有较高的抵抗性,因此可以在灯的制造过程和发光过程中防止灯的亮度降低和灯的色坐标改变。因此,使用上述磷光体制造的灯可以具有良好的维持亮度和色坐标的能力。
具体实施方式
通过下面的实施例可以获得对本发明更好的理解,下面的实施例用以说明本发明而不应解释为对发明的限制。
<制备例1>
以0.9∶0.1∶1.0∶10的摩尔比将Ba、Eu、Mg和Al混合在一起,并向其中加入预定量的AlF3作为熔剂。使该混合物于1400℃下在包含以95∶5的体积比混合的氮气/氢气的气体混合物气氛中燃烧2小时。
燃烧过程完成后,将磷光体球磨研磨,用水洗涤,然后干燥,从而获得具有Ba0.9Eu0.1MgAl10O17(BAM:Eu2+)组成的磷光体。
<制备例2>
将200克制备例1中制备的BAM:Eu2+磷光体放入炉中,以5℃/min的加热速度在950℃保持2小时,同时供应N2+O2的气体混合物(99.9∶0.1的体积比),然后以5℃/min的速度冷却,从而获得所需磷光体。
<制备例3>
将500克制备例1中制备的BAM:Eu2+磷光体与1.25克AlF3混合,其后将该混合物放入炉中,以5℃/min的加热速度在750℃保持1小时,同时供应N2+空气的气体混合物(2.5wt%的空气/N2+空气的气体混合物),然后以5℃/min的速度冷却,从而获得所需磷光体。
<制备例4>
将1克制备例1中制备的BAM:Eu2+磷光体、0.2975mmol(0.0608g)异丙醇铝(Al(OiPr)3)、0.0035mmol(0.00152g)硝酸铈(Ce(NO3)3·(6H2O))和0.0215mmol(0.0093g)硝酸镧(La(NO3)3·(6H2O))与10ml蒸馏水一起搅拌,然后加热除去溶剂。在氮气氛中(加热速度:10℃/min)于900℃下将干燥的磷光体粉末热处理,从而获得所需磷光体。
<试验例1>
单色CCFL因真空UV光的劣化试验
将本发明的粉末状磷光体的色坐标和在通过BBO步骤制造CCFL后其色坐标与没有保护膜的常规BAM磷光体的色坐标的改变进行比较,并测量发光性能的降低程度(热劣化)。当改变程度(Δx、Δy)降低时,评价磷光体的色坐标的维持能力为优异。
制造灯时,使用制备例1和2中制备的磷光体。将500克蓝色磷光体与250ml包含以50∶50混合的IPA(异丙醇)和BA(乙酸丁酯)的溶液、40ml粘合剂淤浆以及2ml中和溶液混合,并用NC(硝酸纤维素)溶液将粘度调至10秒。将该混合物溶液摇晃72小时,然后涂敷于灯上。用于试验的灯的尺寸设为Φ=2.4mm和L=400mm。
使用制备例1和2中制备的磷光体制造蓝色单色CCFL,然后测量其发光特性。结果示于下面表1中。从这些结果可以看出,使用制备例2中制备的磷光体的灯具有优于使用常规BAM磷光体(制备例1)制造的灯的发光特性。
这些结果是通过将在灯制成之后立即测得的测量值与粉末状的磷光体的测量值进行比较而获得,其不包括在水银蒸气下因真空UV光引起的劣化。制备例2的磷光体对由灯的制造过程(BBO步骤)引起的热劣化的抵抗性比常规磷光体(制备例1)强。
表1
磷光体 | %亮度1 | 粉末 | 制造灯2时 | 色坐标的变化3 | |||
x | y | x | y | Δx | Δy | ||
制备例1 | 100 | 0.145 | 0.055 | 0.153 | 0.071 | 0.008 | 0.016 |
制备例2 | 100 | 0.146 | 0.054 | 0.154 | 0.061 | 0.008 | 0.007 |
[注]1.在600℃下热处理后的相对亮度作为100%
2.Φ=2.4mm,L=400mm,
3.在600℃下热处理后的粉末状磷光体的色坐标与在制成灯之后其色坐标的差值。
<试验例2>
单色CCFL的寿命试验
进行试验例1制造的CCFL的寿命试验(700小时)。结果示于下面的表2。色坐标的变化(Δx,Δy)由灯的初始色坐标与700小时后灯的色坐标的差值表示。因此,不同于试验例1,试验例2中观察到的色坐标的差值表示由水银蒸气下的真空UV光引起的磷光体的劣化。当上述差值降低时,评价维持色坐标的能力为良好。
与常规BAM磷光体(制备例1)相比,在制备例2中制备的磷光体的性质(维持亮度/色坐标的能力)中,亮度维持性增加了13%,色坐标的变化(Δx,Δy)分别为45%和50%。这些结果证明制备例2的磷光体对在真空UV光中的磷光体的劣化具有抵抗性。
表2
磷光体 | %亮度1 | 色坐标的变化2 | |
Δx | Δy | ||
制备例1 | 87.1 | 0.0011 | 0.004 |
制备例2 | 101 | 0.0005 | 0.002 |
[注]1.在0小时的灯的亮度作为100%(Φ=2.4mm,L=400mm,)
2.在0小时的灯的色坐标(x,y)与700小时后灯的色坐标的差值
<试验例3>
三色CCFL的寿命试验
为评价根据本发明的磷光体和常规BAM磷光体对三色灯(CCFL)的劣化的影响,使用相同的红色-Y2O3:Eu和绿色-(La,Ce)PO4:Tb磷光体制造三色灯,并进行寿命试验(2000小时)。
使用制备例1和2的磷光体作为制造灯的蓝色磷光体。使用常规磷光体(红色-Y2O3:Eu和绿色-(La,Ce)PO4:Tb)作为红色和绿色磷光体。三色磷光体的混合比为:红色:43.60wt%、绿色:33.20wt%和蓝色:23.20wt%。通过将500克磷光体与250ml包含IPA+BA的溶液、40ml粘合剂淤浆以及2ml中和溶液混合制备淤浆,并用NC(硝酸纤维素)溶液将该混合物的粘度调至10秒。将该混合物溶液摇晃72小时,然后涂敷于灯上。用于试验的灯的尺寸设为Φ=2.4mm和L=400mm,且灯的平均色坐标为x=0.3,且y=0.3。
在所有试验中,灯的初始色坐标设为(x,y=0.3)。使用相同的红色/绿色磷光体。因此,基于使用的蓝色磷光体性质的劣化评价灯的性质的劣化。色坐标的变化由灯的初始色坐标与2000小时后灯的色坐标的差值表示。同样,当差值降低时,评价维持色坐标的能力为良好。
分别使用制备例2的磷光体和常规BAM磷光体(制备例1)制备的三色CCFL的寿命试验(2000小时)的结果示于下面表3中。与常规BAM磷光体(制备例1)相比,在制备例2中制备的磷光体的性质(维持亮度/色坐标的能力)中,亮度维持性增加了4%,色坐标的变化(Δx,Δy)分别为31%和36%。从这些结果可以证明使用制备例2的磷光体制造的三色CCFL的性质(维持亮度/色坐标的能力)优于使用常规BAM磷光体制造的灯的性质。
表3
磷光体 | %亮度1 | 色坐标的变化2 | |
Δx | Δy | ||
制备例1 | 88 | 0.008 | 0.011 |
制备例2 | 92 | 0.0025 | 0.004 |
[注]1.在0小时的灯的亮度作为100%(Φ=2.4mm,L=400mm,)
2.在0小时的灯的色坐标(x,y)与2000小时后灯的色坐标的差值
<试验例4>
三色EEFL的寿命试验
为评价本发明的磷光体和常规BAM磷光体对三色灯(EEFL)的劣化的影响,进行类似于试验例3的对比试验。
使用制备例1和2的磷光体作为制造灯的蓝色磷光体。使用常规磷光体(红色-Y2O3:Eu和绿色-(La,Ce)PO4:Tb)作为红色和绿色磷光体。三色磷光体的混合比为:红色:25.8wt%、绿色:27.7wt%和蓝色:45.5wt%。通过将500克磷光体与250ml包含以50∶50混合的IPA+BA的溶液、40ml粘合剂淤浆以及2ml中和溶液混合制备淤浆,并用NC溶液将该混合物的粘度调至9.6秒。将该混合物溶液摇晃72小时,然后涂敷于灯上。用于试验的灯的尺寸设为Φ=4.0mm和L=600mm,且灯的平均色坐标为x=0.248,且y=0.224。
因为使用相同的红色/绿色磷光体,所以可以基于使用的蓝色磷光体性质的劣化评价灯的性质的劣化。色坐标的变化由灯的初始色坐标与1000小时后灯的色坐标的差值表示。同样,当差值降低时,评价维持色坐标的能力为良好。
分别使用制备例2的磷光体和常规BAM磷光体(制备例1)制备的三色EEFL的寿命试验(1000小时)的结果示于下面表4中。与常规BAM磷光体(制备例1)相比,在制备例2中制备的磷光体的性质(维持亮度/色坐标的能力)中,亮度维持性增加了1.6%,且色坐标的变化(Δx,Δy)分别为41.7%和36.4%。从这些结果可以证明使用制备例2的磷光体制造的三色EEFL的性质(维持亮度/色坐标的能力)优于使用常规BAM磷光体制造的灯的性质。
表4
磷光体 | %亮度1 | 色坐标的变化2 | |
Δx | Δy | ||
制备例1 | 93 | 0.005 | 0.0075 |
制备例2 | 96 | 0.0035 | 0.005 |
[注]1.在0小时的灯的亮度作为100%(Φ=4.0mm,L=600mm,)
2.在0小时的灯的色坐标(x,y)与1000小时后灯的色坐标的差值
工业应用性
本发明的灯具有优于常规灯的初始亮度和机械性能。此外,在具有β氧化铝相的磷光体(尤其是BAM磷光体)表面上外延形成有磁铅石相作为保护膜的磷光体对由灯的制造过程引起的热劣化,和对由于水银放电引起的真空UV光导致的劣化有较高的抵抗性,因此可以在灯的制造过程和发光过程中防止灯的亮度降低和灯的色坐标改变。因此,使用上述磷光体制造的灯可以具有良好的维持亮度和色坐标的能力。这种结果大大影响了维持使用相同的红色/绿色磷光体制造的三色CCFL/EEFL的亮度和色坐标的能力。因此,使用所述磷光体的CCFL/EEFL可以具有较高的维持亮度和色坐标的的能力。
虽然已公开了本发明的优选实施方式用于说明性目的,但本领域的技术人员应该理解,不偏离如所附权利要求书中所公开的本发明的范围和精神的各种修改、添加和替换是可行的。
Claims (14)
1.一种灯,该灯使用在具有β氧化铝相的磷光体表面上外延形成磁铅石相的磷光体。
2.根据权利要求1所述的灯,其中,所述具有β氧化铝相的磷光体包括BAM磷光体[(MII,Eu2+)MgAl10O17]或[(MII,Eu2+)(Mg,Mn)Al10O17],其中MII为Ba、Ca、Sr或其混合物,且部分或全部的Al被Ga取代。
3.根据权利要求1所述的灯,其中,所述具有β氧化铝相的磷光体为蓝色磷光体或绿色磷光体。
4.根据权利要求1所述的灯,其为单色灯或多色灯。
5.根据权利要求1所述的灯,其用于显示装置的背光模组。
6.根据权利要求5所述的灯,其中,所述显示装置选自包括荧光显示板、X-射线摄像管、LCD、PDP和CRT的组。
7.根据权利要求5所述的灯,其为冷阴极荧光灯或外电极荧光灯。
8.根据权利要求1所述的灯,其用于照明系统。
9.根据权利要求1所述的灯,其中,所述磁铅石相包括由下面化学式1、2或3表示的物质:
化学式1
M1 (II)M′(III) 12O19
化学式2
M2 (III)M″(II)M′(III) 11O19
化学式3
M3 (III)M′(III) 11O18
其中,M1 (II)为Ca、Sr、Pb或Eu,
M′(III)为Al、Ga或其混合物,
M2 (III)为包括La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu或Gd的镧系元素,
M″(II)为Ni、Co、Fe、Mn或Mg,以及
M3 (III)为La、Ce或其混合物。
10.根据权利要求1所述的灯,其中,所述磁铅石相的厚度为0.5~5nm。
11.根据权利要求1所述的灯,其中,所述磁铅石相选择性地化学表面改性平行于具有β氧化铝相的磷光体晶体的c轴的晶面。
12.一种显示装置,该显示装置包括如权利要求1~11中任一项所述的灯。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其选自包括荧光显示板、X-射线摄像管、LCD、PDP和CRT的组。
14.一种照明系统,该照明系统包括如权利要求1~4和权利要求9~11中任一项所述的灯。
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