CN101074375A - 蓝色荧光体和使用该蓝色荧光体的显示面板 - Google Patents

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Abstract

由通式M1xM22－xSi2O6Raz(1)表示的荧光体，其中，M1和M2是碱土金属，x＜2，Ra是Ce或Eu并且0.005≤z≤0.05，相对每单位面积所施加的电荷量，CIE色度的y值的变化是dy/dQ≤0.0001，CIE色度的y值是y≤0.080。

Description

蓝色荧光体和使用该蓝色荧光体的显示面板
技术领域
本发明涉及一种蓝色荧光体和使用该蓝色荧光体的显示面板。
背景技术
采用荧光体发光的图像显示装置是自发光类型、在色彩再现性方面极好、亮度高并且移动图像显示特性出色。已经在工业中实际广泛应用了这种图像显示装置作为阴极射线管(以下称作CRT)。近年来，随着图像信息多样化及密度增大，需要这种图像显示设备满足性能、尺寸、图像质量和能量及空间的节省的进一步提高的要求。在这种情况下，对图像显示设备作为诸如等离子体显示面板(以下称作PDP)和场致发光显示面板(以下称作FED)等自发光类型的平板显示器(以下称作FPD)的期望越来越高。
已经将薄膜晶体管驱动的液晶显示器件(以下称作TFT)实际用作FPD，并且由于其诸如宽的色彩再现性、高的亮度和长的寿命等出色的特性而代替了CRT迄今一直主导的部分市场。不是自发光类型的TFT可能产生诸如窄的视野角、劣质的移动图形的可视性和由于必须采用背光光源而引起的黑色的褪色等图像形成的性能的不可避免的问题。尽管TFT以低功耗以及尺寸小为特征，这与其它FPD不同，随着屏幕尺寸增大，FPD需要用于背光光源的大的功耗，从而产生了高功耗的问题。
如上所述，FPD存在难以解决的全尺寸散射问题。FED是作为用来解决上述问题FPD的引起人们注意的系统之一。
下面简单描述FED的结构。用作电子发射源的器件以与后板上的每个象素相应的矩阵排列。用于驱动多个这种器件的配线以矩阵形式排列。作为许多实施方式提出的电子源包括具有诸如Spindt类型，平面形状类型和碳纳米管类型等具有三维结构的阴极芯片。通过根据图像信息的配线在真空中对这些电子源施加电压，使得电子源根据图像信息发射电子束。
面板包括由通过加速电子束的激发源发光的荧光体形成的层。将高电压施加通过后板和面板，从而使从电子源发出的电子束加速，以便提供具有所需的激发能量的荧光体，从而能根据图像信息形成图形。
面板需要有效地去除基本上为绝缘材料的荧光层上累积的电荷，从而有效地反射从荧光体发出的光。因此，通常在荧光层上提供称作具有诸如铝等的小的原子量的金属背板的金属膜。顺便说一下，用在低加速电压区域的FED产生由金属膜引起的能量损耗的问题，从而可以在面板上形成诸如氧化锡铟等导电透明膜。
因为其由上述机构驱动，FED需要是具有至少约10-4Pa的高真空的容器。因此，一般来讲，具有足够厚度的框架插在面板和后板之间，称作隔板的多个元件位于各个板之间，以便相对大气压力保持容器的形状并将各个元件粘接。从容器中排出空气，从而形成真空容器。一般将隔板放置在荧光体的相邻象素之间，或者在用来抑制外部光的反射的不发光黑色区域(或者黑色矩阵)。一般来讲，必须设置足够个数的隔板，用来相对大气压力支撑容器。
在以平面类型为特征的FED中，一般将在电子源的阴极基板和前板(front plate)的阳极之间的空间限定为几毫米，从而由于电压耐受的限制，与CRT不同，不能采用高达25kV的加速电压。即使在高电压类型的FED中，也将加速电压限制为15kV或更低。因此，对荧光层的激发电子的渗透深度不可避免的低于CRT。采用高电流密度或线性顺次驱动来实现实际可用的与CRT的亮度等同的亮度通常是必要的。
这需要荧光体保持在高电流区域的亮度的线性以及高的发光效率，并对于所施加的电荷提供亮度的稳定性。另外，需要荧光体表现出色纯度高的发光，从而实现高级显示设备。只有在CRT中长期使用的称为EIA P22的一组硫化锌荧光体已知是作为已经实际使用的电子束激发荧光体。
硫化锌荧光体在对于施加的电荷的稳定性方面不总是足够的，并且亮度随着时间的衰减在工作在比CRT更高的电流区域的FED中更加显著。另外，由于由施加的电荷所产生的热能分离的硫扩散入真空容器中，从而降低了真空度并对电子源产生不利影响，导致了各种问题。
上述问题在需要最高电流来得到足够的视觉发光效率的蓝色荧光体ZnS:Ag中特别显著。
为了解决这些问题，日本专利申请待审公开No.2002-265942披露了一种产生具有小的晶体缺陷的硫化锌荧光体的方法，日本专利申请待审公开No.2004-307869披露了一种校正硫化锌荧光体的晶体缺陷和表面应变层的工艺。这些建议已经提供了某种程度的改进。
然而，除了对于所施加的电荷的不稳定性问题之外，硫化锌荧光体还具有在高电流区域亮度线性破坏的不可避免的问题。这是因为在硫化锌荧光体中的发光机理是被称作“给体-受体对发光类型”的二阶反应，并且由于浓度消光的问题，不能充分增大给体和受体的浓度。衰减时间慢的缺点对于适于HDTV的非常鲜明的垂直线驱动是不利的，所以需要解决该问题。
如上所述，对于电子束激发的蓝色荧光体的开发(有可能代替硫化锌荧光体)，特别是对具有非硫化物的荧光体作为宿主以及衰减时间更快的4f5d类型的容许跃迁的发光中心的发明的需求越来越强烈。到目前为止，已经研发了除了硫化锌荧光体之外的荧光体。例如，荧光体Y2SiO5:Ce3+在其用作诸如射束指引管(beam indexing tube)等特殊电子管的氧化宿主中具有4f5d类型容许跃迁的发光中心，用于电子束激发。然而，荧光体具有其波谱的半宽更宽的缺点，所以其不能充分的发射纯的蓝色。
另一方面，PDP是作为下一代FPD以及FED的未来的显示器。目前实际用在PDP中的蓝色荧光体只是碱土金属的铝酸盐荧光体，具体来讲，是荧光体BaMgAl16O27:Eu(BAM)。荧光体通过真空紫外线激发发射亮度高、色纯度好的蓝光，但是具有在PDP面板生产过程中劣化且驱动耐久性变劣等严重问题。因此，需要发明代替BAM的荧光体。日本专利申请待审公开No.2004-175786提出了BAM荧光体的晶体缺陷的降低的改进。日本专利申请待审公开No.2004-172091提出了BAM荧光体表面的带电特性的改变的改进。另外，例如，提出了向BAM荧光体添加添加剂的改进。但是，上述改进没有得到明显的效果。需要发明其它荧光体。
由通式(1)：M1xM22-xSi2O6Raz…(1)表示的荧光体(其中，M1和M2是碱土金属，x＜2，Ra是Ce或Eu并且0.005≤z≤0.05)，具体来讲，荧光体CaMgSi2O6:Eu发出中央峰值为449nm的窄半宽的光，发出色纯度好的蓝光，在耐处理性和驱动耐久性方面很好。因此，荧光体CaMgSi2O6:Eu作为能代替BAM荧光体的用于PDP面板的新的蓝色荧光体具有可用性。然而，相反，由于其高的色纯度，荧光体存在不能充分提高视觉亮度的问题，这促进了亮度方面的进一步改进。
日本专利申请待审公开No.2004-231930尝试通过优化粒度和具有熔剂效应的卤素成分来改进亮度。日本专利申请待审公开No.2004-352936也尝试通过改善焙烧工艺来提高亮度，日本专利申请待审公开No.2004-176010尝试通过优化化学计量成分来改进亮度。另外，已经尝试通过加感光剂来改进在VUV区域的吸收。这些尝试都没有得到足够的效果。
这样，在FED和PDP等FPD中，需要发明色纯度好、亮度高并且耐久性好的蓝色荧光体。
发明内容
本发明的目的是提供一种荧光体，适于应用到用于各个领域的自发光图像显示装置的蓝色荧光体，尤其是用于FED和PDP。
本发明提供一种由通式M1xM22-xSi2O6Raz…(1)表示的荧光体，其中，M1和M2是碱土金属，x＜2，Ra是Ce或Eu并且0.005≤z≤0.05，并且，其中，相对每单位面积所施加的电荷量，CIE色度的y值的变化是dy/dQ≤0.0001，CIE色度的y值是y≤0.080。
另外，根据参考附图的以下对示例性实施例的描述，本发明的特征将变得明显。
附图说明
图1是部分剖开的平板显示器的一个示例的结构的透视图。
图2A和2B分别是表面传导型电子发射器件的结构的顶视图和横截面图。
图3A、3B和3C是说明面板的荧光体布局的顶视图。
图4是说明等离子体显示器的一个示例的结构的部分横截面图。
图5是表示荧光体的形成过程的流程图。
图6是表示荧光体基板的形成过程的流程图。
具体实施方式
根据本发明的荧光体特征在于：包括由通式(1)：M1xM22-xSi2O6Raz...(1)(其中，M1和M2是碱土金属，x＜2，Ra是Ce或Eu并且0.005≤z≤0.05)表示的荧光体，并且相对于每单位面积施加的电荷量，CIE色度的y-值的变化是dy/dQ≤0.0001和CIE色度的y-值是y≤0.080。
本发明的场致发光显示面板和等离子体显示面板是以包括上述荧光体为特征的。
本发明能提供一种能稳定发射色纯度好的蓝光的荧光体。
采用诸如Eu2+或Ce3+等稀土元素作为发光中心的4f5d类型容许跃迁的荧光体表现出由旋转轨道交互作用而引起的内壳的轨道f的弱分裂导致的重合在两个最近级别上的发光光谱。因为在短波长侧(或者，在高能量侧)的峰是强的，因此该光谱表示具有向长波长侧拖拉的尾部的不对称形状。
对具有稀土元素Eu2+或Ce3+作为发光中心的荧光体提供诸如紫外线或电子束等激发源的能量，使得荧光体发射快速衰减并高亮度的光，但是，在光谱的长波长侧的尾部倾向于随着时间的过去而增大。出现该倾向的原因理论上尚未得到支持。通过对粉末X-射线衍射的结构分析和通过对发光光谱学的定性和定量分析，不能识别出差别。原因看来是在作为杂质存在的发光中心的晶格中的微小结构稳定状态的改变。
当光发射的中心峰值存在于发光度高的区域或者在500nm到600nm或者更大附近时，因为在长波长侧的增量是发光度弱的区域，所以不能观察到色度亮度的变化。但是，具有峰值波长为480nm或更小的蓝色或蓝绿发光的中央峰值的位置是相对不易受发光度影响的。相反，长波长侧上的增量重合在发光度的峰值位置，从而增大贡献。这增大了y值。在这一点上，具有标准发光效率曲线的重叠积分也增大，从而自然提高了亮度。
另一方面，由通式(1)表示的荧光体发射亮度高并且色纯度极好的光。如上所述，采用紫外线或者电子束照射荧光体，以便根据照射量提高色度的y值，从而提高亮度。该提高在适当时候倾向于饱和。当在施加电子束时相对所施加的电荷量的y值变化饱和为dy/dQ≤0.0001时，在该饱和点的CIE色度的y值是y≤0.080，这证明了甚至该提高后得到的y值表现出足够接近NTSC色彩的色纯度好的蓝色。在这一点上，光谱与标准发光效率曲线的乘积的积分增大，从而提高亮度约1.5倍。
也就是说，如上所述，预先采用紫外线或电子束照射荧光体，从而能提供亮度高并且色彩纯的蓝色荧光体。
这样，相对所施加的电荷量的y值的增加是饱和的并且其色纯度在上述范围内的荧光体的使用可以提供色纯度好、并且色彩变化小的蓝色以及色彩可再现范围宽、亮度高的FED面板。另外，荧光体的使用可以提供色纯度好、亮度高并且色彩长期变化小的蓝色以及色彩可再现范围宽、亮度高的PDP面板。
按照上述观点，由通式(1)表示的荧光体具有作为能代替BAM荧光体的PDP面板的新的蓝色荧光体的实用性。
但是，相反，荧光体问题在于：由于其高的色纯度，视觉亮度不能足够的提高。本发明人的试验揭示了采用紫外线或电子束照射并激发的荧光体根据照射量增大了色度的y值，从而提高了亮度。y值的增大是由发射光谱的长波长侧的尾部的增大引起的，并且也是由于增大的部分靠近具有460nm或更小的峰值波长的蓝色荧光体中的标准发光效率曲线的峰值部分而引起的。该增大倾向于逐步饱和。
当采用电子束照射并激发荧光体时，和甚至当相对所施加的电荷量的y值的变化饱和为dy/dQ≤0.0001时，由通式(1)表示的荧光体特别是荧光体CaMgSi2O6:Eu初始色纯度好并且CIE色度的y值足够低为0.040到0.044。在饱和点CIE色度的y值位于0.055≤y≤0.080。另外，发现达到dy/dQ≤0.0001的y值是色纯度好并且足够接近NTSC色彩的蓝色发光。在这点上，增大光谱和标准发光效率曲线的乘积的积分，以便将亮度提高1.3倍～1.5倍，从而能提供亮度高的蓝色荧光体。
如果通式(1)中的z小于0.005，亮度降低。如果z大于0.05，造成浓度消光使亮度降低，这不是优选的。
如果dy/dQ大于0.0001，则相对之后施加的激发能量的y值的变化非常大，导致色彩长期改变，这不是优选的。dy/dQ≤0.0001的y值需要是0.080或更小。
y值增大直到其超过0.055的区域而不饱和，但是，这没有满足y＞0.080的NTSC蓝色的y-值，从而使色纯度恶化，这不是优选的。
如上所述，对于本发明的通式(1)表示的荧光体中的碱土金属M1和M2，当分别使用Ca和Mg作为M1和M2并且M1∶M2＝1∶1或者x＝1时，得到电子束激发中的最高亮度。另外，上述实施方案提供具有中央峰值在449nm、色纯度极好并且半宽窄的蓝色发光，这是最优选的实施方案。然而，如果x不是1，电子束激发中的亮度降低，可以得到本发明说明书中所描述的相同的效果。
另一方面，如果M1＝M2＝Ca，发射颜色改变为绿色。在这种情况下，y值超过0.008，这不能产生本发明的目标效果。如果M1＝M2＝Mg，不能得到电子束激发中的足够的亮度，这不是优选的。因此，需要x小于2。
如果M1＝Ba，和M2＝Mg，可以得到具有中央峰值在450nm附近的蓝色发光，这可能产生本发明的目标效果，但是，与M1＝Ca的情况相比，电子束激发中的亮度降低。如果M1＝Sr，可以得到中央峰值在470nm到480nm左右的蓝-绿发光，在色纯度方面M1＝Ca的情况是更优选的。
通过使具有由通式(1)表示的组成的原材料荧光体受到活性能量束的照射的激发过程，从而得到预定的“dy/dQ”和“CIE色度的y值”，可以得到本发明的荧光体。可以采用各种方法作为激发过程。
可以以如下的方式实施本发明的最佳激发过程：将粉末状态的原材料荧光体置于氧化铝或氮化硅的盘上并引入提供有大电流电子枪的真空室，空气从真空室充分地抽出并且通过大电流电子枪对荧光体施加电子束。
当在合理的时间内完成该过程时，电子枪需要具有大约2mm或更大射束点直径、0.1mA/cm2或更大的射束电流密度和能扫描相对较宽的区域的静电偏转系统。
在处理室中的真空度需要是10-6Pa或更小，以便防止炭在荧光体上由于施加电子束而被蒸发。
采用在日本专利申请待审公开No.H10-195428所提出的已知方法来从腔室中取出这样处理过的荧光粉并放入PDP中，从而采用根据本发明的荧光体来生产PDP。
采用已知方法将以相同方法得到的荧光体放入FED，从而生产FED。
可以采用紫外线照射方法来进行荧光体的激发过程。在该方法中，采用大功率Xe闪光灯来对荧光粉直接进行紫外线照射。具体来讲，采用具有大的能量密度10J/cm2或更大的能量密度的大功率Xe闪光灯，其上部采用反射板覆盖，从而提高照射效率。将包括粉状荧光体的氧化铝或氮化硅盘放置在照射侧，从而采用紫外线对其进行照射。在这种情况下，必须注意由连续紫外线照射引起的温度突然上升。因此，例如，要求在60Hz频率产生100μs到1ms的脉冲紫外线，并一边注意温度的上升一边以相对小的占空比(duty ratio)进行照射。
以下描述可以应用本发明的荧光体的PDP和FED的一个示例。
图1是作为FED的平板显示器的透视图。破坏显示面板的一部分，以便显示其内部结构。在该图中，平板显示器包括后板1005、侧壁1006和面板1007。这些元件形成密封容器，从而保持显示面板内的真空。不限制平板显示器的电子源，只要在平板显示器中采用表面传导电子发射器件、Spindt场致发光器件、MIM电子发射器件等等作为电子源。优选电子源是制造简单、亮度高并适合大面积的表面传导电子发射器件。图1所示的设备采用表面传导电子发射器件。
将基板1001固定到后板1005。在基板1001上形成N×M表面传导电子发射器件1002(其中N和M是2或更大的整数并根据目标的显示象素的数量进行适当的选择)。通过采用M行方向配线1003和N列方向配线1004的无源矩阵配线来对N×M表面传导电子发射器件布线。将包括1001到1004的部分称作“多电子源”。
在本发明的实施方案中，尽管将用于多电子源的基板1001固定到后板1005，用于密封的容器，但是可以采用用于多电子源的基板1001本身作为后板1005。
以下描述表面传导电子发射器件的结构。图2A和2B分别是用来描述表面传导电子发射器件的结构的顶视图和横截面图。表面传导电子发射器件包括基板1101、器件电极1102和1103、导电薄膜1104、通过激发成型处理形成的电子发射区域1105和通过激发活化处理形成的薄膜1113。
在面板1007的表面上形成透明导电膜(未示出)。通过粘接层(未示出)将具有抗静电膜1012的保护板1013固定在透明导电膜上。当对器件施加高电压时，这些组件用来防止电气化，如果提供了该功能，则这些组件不总限于上述配置。在面板的另一侧提供荧光体1008和金属背板1009。通过高电压输入端1021由高电压源1020向面板1007的金属背板1009施加高电压。金属背板1009可以包括吸气材料。
在面板1007的另一侧提供荧光体1008。将三原色(红色、绿色、蓝色)荧光体独立地施加到部分的荧光体1008上。每种颜色的荧光体是通过图3A、3B和3C所示的黑色条纹分开施加的。
在形成在面板上的荧光体(层)的预定部分采用本发明的荧光体，从而产生根据本发明的平板显示器。
图4是表示PDP的结构的一个示例的部分横截面图。PDP具有在前基板20和后基板12之间的真空区域。在后基板上配置后介电层13、地址电极14和荧光体层15。在前基板下配置黑色矩阵层17、透明电极18和透明介电层19。采用肋(rib)16分割象素。在荧光层的预定部分采用本发明的荧光体，从而得到根据本发明的PDP。
实施方案
以下参考对比示例和具体实施例来详细描述本发明。
对比示例
采用化学天平来称量重量为6.7克的碳酸钙(由KishidaChemical有限公司生产的保证试剂)、重量为2.7克的氧化镁(由Kishida Chemical有限公司生产的保证试剂)、重量为9.7克的氧化硅(IV)(由Kojundo Chemical Laboratory有限公司生产)和重量为0.87克的氧化铕(III)(由Kojundo Chemical Laboratory有限公司生产)。这些材料是足够bug-mixed的，随后采用具有与这些材料混合的丙酮的玛瑙研钵来充分的粉碎，然后在140℃温度干燥一小时，从而在焙烧前产生前体。
30-cc氧化铝坩锅充满5克前体，放入5％H2/N2混合气体以0.3L/min的流动速率流动的高温气氛熔炉中，并且在1250℃焙烧大约90分钟。使气体继续流动直到温度降到450℃或者更低，冷却到正常温度，随后从熔炉中取出坩锅。通过尼龙100网将从坩锅取出的焙烧后的荧光体放到100cc纯水中，防止坩锅的剥离物混入荧光体中。
采用磁力搅拌器充分搅拌纯水中的荧光体悬浮体并且沉淀从而除去浮在表面上的物质。重复该清洁过程五次，从而除去不需要的焙烧残渣。采用毕希纳漏斗和吸出器过滤清洁后的荧光体，并且在温度140℃温度下干燥五小时。
最后，使荧光体通过具有SUS400网孔的振动筛，从而得到具有合适的粒度的稀土激活的碱土硅酸盐荧光体CaMgSi2O6:Eu0.04。
图5是上述过程的流程图。
将这样得到的荧光体分散到萜品油和丁基卡必醇乙酸酯的液体混合物中，得到荧光体糊。在萜品油中，将诸如乙基纤维素的树脂溶解，以便保持适当的触变性。随后，采用荧光体糊和325网孔乳剂印刷来在100mm×100mm×2.8mm玻璃基板上印刷并施加80mm×80mm荧光体层。在施加后静置该层适当的时间，以便使印刷表面变平并干燥，从而得到荧光体层。其上形成了荧光体层的基板与旋涂机相连接，旋涂丙烯酸树脂溶解到甲苯和丁基卡必醇乙酸酯的混合溶液中的树脂溶液，从而形成薄膜层，以便保持适当的粘性。在完成干燥过程后，通过电子束蒸发在薄膜层上的1000埃铝并最后在450℃温度焙烧一小时，从而得到具有铝背层的荧光体基板。图6是上述荧光体基板的生产过程的流程图。
采用玻璃料(frit)围绕荧光体基板粘接2mm厚玻璃架，并且采用玻璃料将排列在矩阵中的多个电子源和具有用来驱动该源的配线电极的后基板以及排气管粘接，从而得到密封容器。密封容器通过其排气管与真空量规连接，并且加热到300℃的温度，然后排出空气到10-7Pa或更低。在这种状态下，熔合排气管，从而得到真空容器的FED面板。
将适当的驱动电压施加到这样得到的FED面板。采用60Hz、20μs的矩形波驱动电流密度为0.02A/cm2的电子束。另外，施加10000V的加速电压使得荧光体发射光。采用辐射仪表TOPCON SR-3测量亮度和色度。在这点上，亮度是100，色度的测量y值是0.042。
当在相同条件下使荧光体继续发光116小时时，施加给荧光体的电荷量是Q＝10C/cm2，y-值是0.055，所以相对初始值的y值的差是Δy＝0.013，从而提供dy/dQ＝0.0013。
第一实施方案
将采用与比较示例中相同的方法得到的25g荧光体放置在氧化铝盘上并设置在与比较示例前的本发明实施方案详细描述中相同的具有大电流电子枪的真空室内。将腔室内的压力减小到1×10-7Pa或更小。通过电子枪和荧光体基板的铝背板施加40-kV加速电压，使小电流流入细丝中。将3mm直径的会聚电子束施加到应用荧光体的部分。将扫描信号施加到射束的偏转电极，以便执行光栅应用，从而覆盖应用荧光体的所有区域。最后，细丝电流逐渐增大到使荧光体基板的电流密度达到0.05A/cm2的程度。在这种状态下，施加电子束80小时。此后，采用N2气净化腔室，并且从腔室中取出包括荧光体的氧化铝盘。
在与比较示例相同的条件下，照亮通过与比较示例相同的方法、采用荧光体得到的FED面板。亮度是比较示例的亮度的1.437倍。色度的y-值是0.058。
在相同的条件下，对于连续对荧光体施加电荷量Q＝10C/cm2116小时的情况，y值是0.0583，这提供了比NTSC更好的蓝色。另外，得到的Δy是0.00087，dy/dQ是0.000087，其几乎没有产生由驱动引起的色彩偏移。
第二实施方案
将采用与比较示例中相同的方法得到的25g荧光体放置在氧化铝盘上并设置在与比较示例前的本发明实施方案详细描述中相同的具有大电流电子枪的真空室内。将腔室内的压力减小到1×10-7Pa或更小。通过电子枪和荧光体基板的铝背板施加40kV加速电压，使小电流流入细丝中。将3mm直径的会聚电子束施加到应用荧光体的部分。将扫描信号施加到射束的偏转电极，以便执行光栅应用，从而覆盖应用荧光体的所有区域。最后，细丝电流逐渐增大到使荧光体基板的电流密度达到0.05A/cm2的程度。在这种状态下，施加电子束约107小时。此后，采用N2气净化腔室，并且从腔室中取出包括荧光体的氧化铝盘。
在与比较示例相同的条件下，照亮通过与比较示例相同的方法、采用荧光体得到的FED面板。亮度是比较示例的亮度的1.458倍。色度的y-值是0.0592。
在相同的条件下，对于连续对荧光体施加电荷量Q＝10C/cm2116小时的情况，y值是0.0598，这提供了比NTSC更好的蓝色。另外，得到的Δy是0.00067，dy/dQ是0.000067，几乎没有产生由驱动引起的色彩偏移。
第三实施方案
将采用与比较示例中相同的方法得到的25g荧光体放置在氧化铝盘上并设置在与比较示例前的本发明实施方案详细描述中相同的具有大电流电子枪的真空室内。将腔室内的压力减小到1×10-7Pa或更小。通过电子枪和荧光体基板的铝背板施加40kV加速电压，使小电流流入细丝中。将3mm直径的会聚电子束施加到应用荧光体的部分。将扫描信号施加到射束的偏转电极，以便执行光栅应用，从而覆盖应用荧光体的所有区域。最后，细丝电流逐渐增大到使荧光体基板的电流密度达到0.05A/cm2的程度。在这种状态下，施加电子束约133小时。此后，采用N2气净化腔室，并且从腔室中取出包括荧光体的氧化铝盘。
在与比较示例相同的条件下，照亮通过与比较示例相同的方法、采用荧光体得到的FED面板。亮度是比较示例的亮度的1.477倍。色度的y-值是0.0598。
在相同的条件下，对于连续对荧光体施加电荷量Q＝10C/cm2116小时的情况，y值是0.0600，这提供了比NTSC更好的蓝色。另外，得到的Δy是0.00017，dy/dQ是0.000017，几乎没有产生由驱动引起的色彩移位。
表1列出了从比较示例和第一到第三实施方案得到的结果。从表1中可以看出，根据本发明的荧光体在NTSC范围内的色纯度良好，亮度高，并且具有由驱动引起的小的色彩移位。收集在比较示例和第一到第三实施方案中评估的荧光体基板，并根据需要收集荧光粉，从而通过发射光谱分析来执行其元素分析。表2列出了元素分析的结果。从表2中清晰可见，在结果之间几乎不存在显著的差别。
收集在比较示例和第一到第三实施方案中评估的荧光体基板，并根据需要收集荧光粉，从而执行粉末X射线衍射。表3列出了粉末X射线衍射的结果。从表3可以看出，在比较示例和第一到第三实施方案中的主要的衍射峰强度和半宽上几乎不存在显著差别。
表1
  时间(h)   电荷量(C/cm2)   亮度(％) y dy/dQ
  比较示例   0   0   100.0   0.0420   --------
  116   10   0.0550   0.001300
  示例1   0   0   143.7   0.0580   --------
  116   10   0.0583   0.000087
示例2   0   0   145.8   0.0592
  116   10   --------   0.0598   0.000067
  示例3   0   0   147.7   0.0598
  116   10   --------   0.0600   0.000017
注：每个实施方案的亮度百分比是以基于比较示例的亮度百分数取为100％时表示的。
表2
  时间(h)   电荷量(C/cm2)                      元素分析结果(wt％)
  Ca   Mg   Si   Eu
  比较例   0   0   17.2   10.5   24.2   2.6
  116   10   17.2   10.4   24.3   2.6
  示例1   0   0   17.1   10.4   24.1   2.6
  116   10   17.1   10.4   24.2   2.6
  示例2   0   0   17.2   10.3   24.2   2.6
  116   10   17.2   10.6   24.2   2.6
  示例3   0   0   17.3   10.4   24.2   2.6
  116   10   17.2   10.4   24.3   2.6
表3
  时间(h)   电荷量(C/cm2)         θ＝27.5       θ＝29.8          θ＝30.8           θ＝35.7
  峰值   半宽   峰值   半宽   峰值   半宽   峰值   半宽
  比较例   0   0   3662   4.0   11037   4.1   4504   3.7   6188   3.4
116 10 3657 4.1   10935   4.1   4509   3.6   6188   3.6
示例1   0   0   3644   4.2   10952   4.1   4516   3.5   6124   3.6
  116   10   3651   3.9   11051   3.9   4508   3.6   6122   3.6
示例2   0   0   3657   4.1   11001   4.0   4499   3.5   6121   3.6
  116   10   3654   4.0   10909   3.9   4503   3.7   6188   3.7
示例3   0   0   3653   4.0   10959   4.0   4502   3.5   6187   3.5
  116   10   3645   3.9   11012   3.9   4506   3.5   6122   3.4
尽管参考示例性实施方案描述了本发明，但是应理解，本发明不限于所公开的示例性实施方案。对权利要求的范围应作最大范围的解释，从而包含所有的这样的改进和等同结构以及功能。

Claims (3)

1.由通式(1)表示的荧光体：
M1xM22-xSi2O6Raz…(1)
其中，M1和M2是碱土金属，x＜2，Ra是Ce或Eu并且0.005≤z≤0.05，并且
其中，相对每单位面积施加的电荷量，CIE色度的y值的变量是dy/dQ≤0.0001，CIE色度的y值是y≤0.080。
2.场致发光显示面板，包括根据权利要求1的荧光体。
3.等离子体显示面板，包括根据权利要求1的荧光体。
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