JP4078374B2 - 蛍光面基板、画像表示装置、および映像受信表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は電子線励起を利用した電子ディスプレイデバイスに用いられる蛍光面基板に関する。また、本発明はかかる蛍光面基板を用いた画像表示装置および映像受信表示装置に関する。
従来知られている、電界の印加により電子が放出される電子放出素子を用いた画像表示装置(以下、FEDという。)では、ビーム収束上またはその他の理由により、電子源側のカソード基板とアノードである前面基板との間隔は、通常数mmに抑えられている。この狭ギャップのため、耐放電上の制約が大きく、陰極管(以下、CRTという。)のような25kV以上もの加速電圧を適用することはできず、一般的に高圧型といわれるタイプのFEDでも15kV以下程度の加速電圧が一般的である。このため、蛍光体層へ侵入する電子の拡散長はCRTに比較して小さくなり、同等の輝度を実現するためには高電流の電子ビーム線を順次駆動させるなど、高電荷密度での駆動が不可欠である。このため、蛍光体に対しては、高電荷密度投入時の輝度直線性確保が強く要求される。
現在実用域にある電子線励起用蛍光体には、CRTでの採用実績が長いP22と呼ばれる硫化亜鉛蛍光体の一群を用いることが一般的である。FEDでも、特許文献1に示すように、CRTで実績のあるP22型の蛍光体を用いることが一般的である。しかし、硫化亜鉛蛍光体は励起エネルギーにより母体中に生成したドナーアクセプターの再結合による発光機構をとるため、発光減衰時間が数十マイクロ秒と長い。また、濃度消光などの影響を考慮した最適な発光中心濃度は希土類内殻遷移発光蛍光体に比べ低い。これらのことから、高電荷密度領域では、励起状態にある発光中心の飽和が比較的発生し易く、輝度直線性が不十分になってしまい、十分な輝度が得られなくなるといった問題がある。
このような問題を解決するために様々な提案がなされている。特許文献2には、特性の異なる蛍光体の混合物を用いて青色の輝度を向上させる方法が開示されている。具体的には、混合蛍光体総量を基準として20重量%以下の、テルビウム賦活イットリウムアルミニウムガレート蛍光体Y3(Al、Ga)512:Tb、テルビウム賦活けい酸イットリウム蛍光体Y2SiO5:Tb、およびテルビウム賦活酸塩化ランタン蛍光体LaOCl:Tbからなる群から選択された少なくとも一つの蛍光体と、残り量の銀・アルミニウム共賦活硫化亜鉛蛍光体ZnS:Ag、Alからなる混合青色発光蛍光体が提案されている。
また、特許文献3には、六方晶系のZnS:Ag、Al、六方晶系のZnS:Cu、Al、および六方晶系のZnS:Tm、Liの中から選ばれる少なくとも2種の蛍光体の混合物を用いる方法が開示されている。
特公昭63−039982号公報 特開平06−248262号公報 特開2004−339293号公報
しかし、特許文献2で開示されているテルビウム付活蛍光体は、発光中心の濃度を高くさせることは可能であるが、禁則遷移に基づく発光を呈するため、発光減衰時間が数百マイクロ秒程度と極めて長い。したがって、高電荷密度域で励起発光中心飽和が発生し、十分な輝度の向上を望むことができない。テルビウム付活蛍光体は、必ず長波長側にも強い輝線を呈するために、良好な色純度が得られないといった解決困難な欠点もある。また、特許文献3に示される混合物は、本願発明者らの実験では、色純度の良い青色発光は得られるものの、輝度・寿命共に実用的なレベルに達していなかった。
本発明は、このような事情に鑑みて、高電流密度の電子ビームによる高電荷密度域において輝度飽和を抑制し、高輝度を得ることができる蛍光面基板を提供することを目的とする。また、本発明は、かかる蛍光面基板を用いた画像表示装置や映像受信表示装置を提供することを目的とする。
本発明の蛍光面基板は、電子が衝突することによって発光する蛍光体サブピクセルを備え、蛍光体サブピクセルは、第1の蛍光体が配置された第1の蛍光体領域と、前記第1の蛍光体のγ値よりも小さいγ値を有する第2の蛍光体が配置された第2の蛍光体領域と、を有している。そして、第1の蛍光体領域は第2の蛍光体領域よりも輝度が高くなる電流密度範囲を有し、第2の蛍光体領域は第1の蛍光体領域よりも輝度が高くなる電流密度範囲を有している。
本発明の蛍光面基板は、各蛍光体サブピクセルにおいて、輝度電流飽和特性値の異なる2種類の蛍光体領域を有している。電子放出源から放出される電子による電流密度は蛍光体サブピクセル内の部位ごとに異なるのが一般的である。したがって、蛍光体サブピクセル内の部位によってγ値を異ならせることによって、同じ電流密度の電子流を受けた場合でもより大きな輝度を得ることができ、蛍光体サブピクセル全体としての輝度を増加させることが容易となる。
以下、本発明の実施形態について詳しく説明する。本発明の蛍光面基板は、各蛍光体サブピクセルが、第1の蛍光体が配置された第1の蛍光体領域と、第1の蛍光体のγ値よりも小さいγ値を有する第2の蛍光体が配置された第2の蛍光体領域とを有することを特徴としている。γ値とは、輝度が電流密度のγ乗に比例するとしたときのγの数値をいう。
図1は、本発明の蛍光面基板を備えた画像表示装置の内部構造を示す模式的な斜視図である。表示装置2は画像情報を表示する真空気密容器である。表示装置2は、蛍光面基板1と、カソードが設けられた背面基板4とを備えている。蛍光面基板1には、アノードであるメタルバック7と、蛍光体層6とが設けられている。蛍光面基板1と背面基板4の間には、これらの基板間の間隔を保持する絶縁枠10が挟み込まれている。蛍光面基板1、背面基板4、および絶縁枠10は密閉された内部空間を形成するとともに、薄型の平面型表示装置の主要部を構成している。表示装置2は、真空ポンプに連通された排気管(不図示)等を通じ高真空状態に排気され、適切な封止手段によって封止されて、真空状態が維持される。
図2は、蛍光体層の概念的平面図である。蛍光体層6には、赤、緑、青の各色に対応した多数の蛍光体サブピクセル17が典型的に形成される。このとき、各蛍光体サブピクセル17は、背面基板4に設けられた電子放出素子5から放出された電子が衝突することによって、赤、緑、青のいずれかの色光を発光する。蛍光体サブピクセル17は、蛍光体の発光により画像を形成するときの最小構成要素(絵素)である。本発明の蛍光体基板に用いられる蛍光体は上記の発光色を有するものに限られず、また、3色の蛍光体に限られない。
各蛍光体サブピクセル17は、蛍光体層6の各ドットを形成している。蛍光体層6には、蛍光体サブピクセル17を形成・区画するために、一般的にブラックマトリクスと呼ばれる黒色部16が形成されている。蛍光体サブピクセル17は後述する電子放出素子5の配置に対応して設けられる。即ち、電子放出素子5から放出された電子が、所望の蛍光体サブピクセル17に照射されるように、電子放出素子5と蛍光体サブピクセル17を配置する。
再び図1を参照すると、蛍光体層6の背面基板4側にはメタルバック7が設けられている。メタルバック7は、アノード(電極)としての機能だけでなく、蛍光面上の帯電除去や、発光を鏡面反射させることによって輝度を向上させる機能も有している。したがって、メタルバック7に用いられる材料としては、高い導電性を有する金属が好ましく、典型的にはアルミニウムが用いられる。メタルバック7に高電圧を印加するため、メタルバック7は高圧端子3に接続されている。また、メタルバック7の背面基板4側の面上には、画像表示装置2内のガスを吸着するゲッタ(不図示)を設けることが好ましい。ゲッタ7に用いられる材料としては、チタンやバリウムが好ましい。また、メタルバック7と背面基板4上の部材(電子放出素子5など)と、の間で放電が生じたときにそれらの部材の損傷を抑えるために、メタルバック7を各蛍光体サブピクセル17ごとに対応して分割して設けることが好ましい。この場合、分割されたメタルバック7間を抵抗膜で接続することで、メタルバック7に電位を供給することができる。
以上のように構成された気密容器を有する画像表示装置2では、背面基板4と蛍光面基板1との間に加速電圧をかけることにより、電子放出素子5から放出された電子が蛍光体サブピクセル17の蛍光面に衝突する。各蛍光体サブピクセル17は各々所定の色光を発光し、蛍光面基板1上に画像を表示する。一般にFEDでは、CRTと異なり、蛍光体サブピクセルごとに独立して設けられた電子放出素子5を線順次駆動させることによって画像が形成される。駆動される電子放出素子5は、信号配線8と走査配線9とによって選択される。本発明の蛍光面基板を用いた画像表示装置の電子放出素子としては、スピント型などの電界放出型や表面伝導型、CNTやグラファイトナノファイバ等のカーボンファイバを電子放出部材として用いたもの、などを用いることができる。これらのうち、表面伝導型の電子放出素子を用いることが、生産性や均一性などの点から好ましい。
尚、図2において、便宜上、X方向、Y方向およびZ方向を定めた。X方向は、走査配線9が延在する方向とする。Y方向は、信号配線8が延在する方向とする。Z方向は、蛍光面基板1と背面基板4とが対向する方向とする。またZ方向は、蛍光面基板1の背面基板4側の面の法線方向または背面基板4の蛍光面基板1側の面の法線方向とも言うことができる。以下の図2、6,7,8,9および10におけるX方向およびY方向は、図1のそれらの方向と対応するように記載される。
図2を参照すると、蛍光体サブピクセル17は、第1の蛍光体領域11と、第1の蛍光体領域11よりもγ値が小さい第2の蛍光体領域12と、を有している。第1の蛍光体領域11は蛍光体サブピクセル17の中心領域に形成され、第2の蛍光体領域12は蛍光体サブピクセル17の周辺領域に形成することができる。即ち、蛍光面基板1を背面基板4から見たときに、第2の蛍光体領域12が第1の蛍光体領域11の周辺に位置するように配置することができる。ここで、第2の蛍光体領域12が形成される第1の蛍光体領域11の周辺領域とは、図2に示すような第1の蛍光体領域11の周辺全体の領域だけでなく、図8(a)および(b)に示すような第1の蛍光体領域11に隣接する領域も含む。後述するように、蛍光体サブピクセル17内に、第1の蛍光体領域11を取り囲むように第2の蛍光体領域12を配置することが好ましい。また、図2に示す例においては、第1の蛍光体領域11は、蛍光体サブピクセル17の中心点Cを含む円形の形状を有している。尚、蛍光面基板1を背面基板4から見たときに、第1の蛍光体領域11と第2の蛍光体領域12の各々の一部どうしが重複してもよい。
一つの蛍光体サブピクセル17の中にγ値が異なる2つの領域を設けた理由を以下に述べる。一般に、上述したような線順次駆動方式においては、蛍光体サブピクセル17中に照射される電子による電流密度分布は一定のパターンを有している。例えば、スピント型の電界放出型電子放出素子を用いたときには、電子ビームの電流密度分布はガウス則やローレンツ則に従うことが知られている。また、一つのサブピクセルに対応する多数の電界放出源を有するカーボンファイバを用いた電子放出素子をもちいたときには、ほぼ中央をピークとした一定の分布を有するプロファイルとなることが知られている。表面伝導型電子放出素子を用いたときには、非対称の先鋭的な細長い形状の電子ビームプロファイルが得られる。
したがって、典型的な電子放出素子を用いる場合には、蛍光体サブピクセル17に照射される電子による電流密度に、不均一な分布が存在する。換言すれば、電子放出素子5から放出される電子によって蛍光体サブピクセル17に流れる電流密度は、蛍光体サブピクセル17の蛍光面と平行な面内において、一様ではない所定の分布を有している。この電流密度の大小にしたがって、蛍光体サブピクセル17の部位に応じてγ値の異なる適当な蛍光体を選択し、各々の領域を形成させることにより、輝度を向上させることが可能となるのである。
また、発光効率を最大限に高め、かつ、表示装置2内の不必要な帯電や発熱を防ぐためには、できるかぎり蛍光体サブピクセル17に電子が到達することが望ましい。そして、蛍光体サブピクセル17の最も電流密度の高い領域が、蛍光体サブピクセル17の中心部またはその近傍に位置することが好ましい。換言すると、蛍光体サブピクセル17に到達する電子の分布の中心に第1の蛍光体領域11を設ける構成が好ましい。
本実施形態では、2種類の蛍光体領域が蛍光体サブピクセルの中心領域とその周辺領域とに分かれて形成されており、電流密度の高い中心領域を形成する蛍光体のγ値が周辺領域を形成する蛍光体のγ値よりも大きく形成されている。これにより輝度がさらに向上した蛍光面基板を得ることが可能となる。この点について、以下にさらに説明する。
本実施形態では、緑色の蛍光体サブピクセル17は、その中心領域(第1の蛍光体領域11)に一般式SrGa24:Eu(ユーロピウム)で表わされる蛍光体が配置されている。また、蛍光体サブピクセル17の周辺領域(第2の蛍光体領域12)に、一般式ZnS:Cu、Al、またはZnS:Cu、Au、Alで表わされる蛍光体が配置されている。ここで、「:」の左側は蛍光体の母体、右側は付活剤を意味する。図3は、これらの蛍光体の電流密度−輝度特性の関係を示すグラフである。図3によると、SrGa24:Eu蛍光体は電流密度に対する輝度の直線性に優れており、γ値(図3の直線の傾きに相当する)は1であり、かつ高い電流密度領域において高い輝度を示している。これに対し、ZnS:Cu、Al蛍光体は電流密度に対する輝度の直線性は緩慢であり、γ値は0.61と低いが、低電流密度領域においてはSrGa24:Eu蛍光体と比べて高い輝度を示している。
図3に示すように、二つの蛍光体は電流密度に対するγ値が異なっており、かつ2つの蛍光体の輝度値が特定の電流密度(交点X)で交差し、各々が他方よりも輝度の高い電流密度範囲A,Bを有している。そこで、この交点Xの電流密度が生じる位置を第1の蛍光体領域11と第2の蛍光体領域12との境界として、境界の内側領域と外側領域に、より高い輝度を示す蛍光体各々形成する。これによって、蛍光体サブピクセル17全体として、同一の蛍光体材料を用いる場合に比してより高い輝度が得られる。即ち、図3を参照すると、電流密度範囲Aに対応する部位(境界の内側領域)にSrGa24:Eu蛍光体を、電流密度範囲Bに対応する部位(境界の外側領域)にZnS:Cu、Al蛍光体を形成する。このような配置にした蛍光体サブピクセル17において、図中Pで表示したような電流密度−輝度特性が得られることになる。なお、図示のため、Pは蛍光体を示すラインから離して表示している。蛍光体サブピクセル17をSrGa24:Eu蛍光体単独、またはZnS:Cu、Al蛍光体単独で形成する場合と比べてより高い輝度が得られることは明らかであろう。なお、交点Xの電流密度が生じる部位と二つの蛍光体の境界とが完全に一致していれば最大の効果が得られるが、厳密に一致している必要はない。その場合でも、単一の蛍光体で蛍光体サブピクセル17を形成した場合と比較して、より高い輝度が得られる。
同様に、青色の蛍光体サブピクセル17は、その中心領域(第1の蛍光体領域11)に一般式CaMgSi26:Euで表わされる蛍光体が配置されている。また、蛍光体サブピクセル17の周辺領域(第2の蛍光体領域12)に、一般式ZnS:Ag、Cl、またはZnS:Ag、Alで表わされる蛍光体が配置されている。図4に、これらの蛍光体の電流密度-輝度特性の関係を示す。図4によると、二つの蛍光体は電流密度に対するγ値が異なっており、かつ2つの蛍光体が輝度値が特定の電流密度(交点Y)で交差しており、各々が他方よりも輝度の高い電流密度範囲D,Eを有している。したがって、上述したのと同様に、この交点Yの電流密度が生じる部位を第1の蛍光体領域11と第2の蛍光体領域12との境界として、境界の内側領域と外側領域に、より高い輝度を示す蛍光体を各々形成する。これによって、同一の蛍光体材料を用いる場合に比して蛍光体サブピクセル17全体としてより高い輝度が得られることになる。具体的には、電流密度範囲Dに対応する部位(境界の内側部分)にCaMgSi26:Eu蛍光体を、電流密度範囲Eに対応する部位(境界の外側部分)にZnS:Ag、Cl蛍光体を形成すれば、良好な結果が得られる。この場合も、交点Yの電流密度が生じる部位と二つの蛍光体の境界とが完全に一致していれば最大の効果が得られるが、厳密に一致している必要はない。
このような構成の蛍光面基板を用いることにより、従来技術と比べてより高輝度な画像表示が可能となる。また、このような蛍光面基板を用いることで、より高輝度な画像表示装置を実現することができる。
また、図1を用いて説明した本発明の画像表示装置を用いて、映像受信表示装置を構成することができる。
図11は、本発明の画像表示装置を用いた映像受信表示装置の概略構成を示す図である。図11において、61は映像情報受信装置、62は画像信号生成回路、63は駆動回路を示す。まず、映像情報受信装置61で選局して受信された映像信号を画像信号生成回路62に入力し、画像信号を生成する。映像情報受信装置61としては、例えば、無線放送、有線放送、インターネットを介した映像放送等を選局し受信できるチューナーのような受信機を挙げることが出来る。また、映像情報受信装置61に音響装置等を接続し、更に画像信号生成回路62、駆動回路63、および画像表示装置2を含めてテレビセットを構成することが出来る。画像信号生成回路62では、映像情報から画像表示装置2の各画素に対応した画像信号を生成し、駆動回路63に入力する。そして、入力された画像信号に基づいて駆動回路63で画像表示装置2に印加する電圧を制御し、画像表示装置2に画像を表示させる。
以上の説明では、蛍光体サブピクセル17の中心領域が蛍光体サブピクセル17の中心点を含む円状により形成されていたが、中心領域は蛍光体サブピクセル17の中心点を含むまたは楕円形状、長方形状、または正方形状であってもよい。円、楕円形、長方形、または正方形といった中心領域の形状は、実プロセス上も形成が容易であり好ましい。また、多数の電子ビームプロファイルのバラつきに対しても最適な領域を形成することが容易である。さらに、本実施形態では一つの蛍光体サブピクセル17の中にγ値が異なる2つの領域を設けたが、γ値が異なる3つ以上の領域を設けることもできる。
また、蛍光体サブピクセル17の形状は、典型的には、図2に示すように、X方向が短辺、Y方向が長辺となる長方形状であるが、これに限られない。例えば、X方向が長辺、Y方向が短辺となる長方形状、楕円形状、または正方形状などの形状の蛍光体サブピクセル17を蛍光面基板に設けることもできる。
(実施例)
以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳しく説明する。
(実施例1−5)
蛍光面基板を図5に示すフロー図にしたがって作成した。まず、ソーダライムガラス基板を大気雰囲気中で823K(550℃)で1時間焼成した。冷却後中性洗剤の水溶液でスクライブ洗浄し、さらに純水超音波リンス等を十分に行った後、乾燥させることにより、清浄な基板面を有するガラス基板を得た(ステップS1,S2)。
次に、このガラス基板をスクリーン印刷機にセットし、Cr/CrO2等を含む黒色顔料ペーストを用い、パターニングされたエマルジョン版を介してスクリーン印刷をおこない、乾燥、焼成を経て黒色部16を形成した(ステップS3、S4)。この結果、図6に示すように、蛍光体サブピクセル17が形成される面積0.155mm×0.275mの開口部21(ドット)が、黒色部16を境界部として、x方向にピッチ0.29mmで100個、y方向にピッチ0.6mmで10個、合計1000個形成された。
次に、このブラックマトリクス付ガラス基板に、以下に記す方法により蛍光体を形成した。まず第1の蛍光体として、青色発光を呈するCaMgSi26:Eu蛍光体を準備した。この蛍光体のγ値は約1.0であった。この蛍光体100gを計量し(ステップS5)、純水160gの入った500mlガラスビーカー中に攪拌分散させた(ステップS6)。次に、この分散液にポリビニルアルコール8.6g、重クロム酸アンモニウム0.43g、アニオン性界面活性剤0.01g、エーテル系中性界面活性剤0.025gを加え、24時間暗所にて撹拌した(ステップS7)。その後、ステンレス200メッシュを通過させることにより、凝集物を除去した感光性蛍光体スラリーを調製した(ステップS8)。
次に、ガラス基板をスピンコーター上に設置し、20〜30rpmの低速で回転させながら上記スラリーを基板中央部に滴下した。さらに100〜150rpmまで回転させることにより、ガラス基板上に、感光性を有する第1の蛍光体の膜を形成した(ステップS9)。
次に、第1の蛍光体の膜の形成されたガラス基板をスピンコーターより取り外し、所定のパターンが形成されたメタルマスクを密着配置し、高圧水銀灯による露光機に設置し露光を行った(ステップS10)。露光後、メタルマスクをガラス基板から取り外し、ガラス基板を現像機にセットし、323K(50℃)の温水を10kg/cm2の圧力で噴霧することにより現像をおこなった。さらに、ガラス基板をエアーナイフと温風とにより十分に乾燥させた。これにより、黒色部で区画された各ドット(開口部21)内に所定のパターンで、第1の蛍光体領域11となる、第1の蛍光体の蛍光面を形成した。
次に、第2の蛍光体として青色発光を呈するZnS:Ag蛍光体を用い、第1の蛍光体と同様の方法で、黒色部で区画された各ドット内に所定のパターンの蛍光面を形成した。以上により、各ドット内に、第1の蛍光体と第2の蛍光体とが所定のパターンで塗り分けられた蛍光面を備えた蛍光体層6が形成された。第2の蛍光体のγ値は約0.8であった。
このようにして形成された蛍光体サブピクセル17の蛍光体の塗り分けパターン(第1の蛍光体領域11と第2の蛍光体領域12の配置)は、図2に示したとおりである。第1の蛍光体(第1の蛍光体領域11)はドットの中心部に形成され、第2の蛍光体(第2の蛍光体領域12)はその周辺部に形成された。第1の蛍光体領域11は直径140μmの円状であった。
この金属膜を形成するために基板を再びスピンコーター上に設置し、基板表面を湿潤させた(ステップS11)。次に、同時に蛍光体粉末間、蛍光体−ガラス基板間を接着させる目的で、コロイダルシリカ水溶液を散布し、続いてアクリルラッカーのトルエン溶液を噴霧した。その後十分に乾燥させることにより樹脂中間層を形成した(ステップS12)。さらにこの基板をEB蒸着機内にセットし、80nm厚のAlを蒸着したのち蒸着機より取り出し、723K(450℃)、1時間の焼成を行うことにより樹脂中間層を除去した(ステップS13〜S15)。
以上の工程により、2種類の蛍光体がドット内で塗り分けられた蛍光面基板を得ることができた。
一方、電子放出素子が形成された背面基板は下記に示す方法にて作製した。まず、蛍光面基板と同様の方法にて洗浄したガラス基板上に、Agペーストと絶縁ペーストのスクリーン印刷、乾燥、焼成を繰り返すことにより、有効信号線数100本、有効走査線数10本のマトリクス状配線を形成した。
次に、上記配線の形成後、配線の各交点位置に電子放出素子5が位置するように形成した。電子放出素子5は蛍光面基板1の各蛍光体サブピクセル17に対応する位置に各々形成した。本実施例においては、電子放出素子5として所謂スピント型と呼ばれるものを用いた。
本実施例の蛍光体サブピクセル17に電子が照射されたときの電流密度分布を図7に示す。電流密度分布は、X方向、Y方向共に、ほぼガウス則に従った円状の電流密度分布を呈するものであり、X方向およびY方向各々の電流密度の半値幅は約30μmであった。
次に、形成した蛍光面基板1と背面基板4とを、鉛フリットの塗布された1.6tのガラス製の周辺支持枠材を介して対向させ、加圧しながら加温処理を行うなどして密閉容器を形成した。さらに、排気管等を通じ適当な排気系に接続して十分な排気を行ったのち、封止処理し、真空容器である画像表示装置を作成した。また、比較例として、同様の方法にて、蛍光体サブピクセル17に第1の蛍光体のみが形成された(実施例1において第2の蛍光体が形成された部位にも第1の蛍光体が形成された)蛍光面基板1を用いた画像表示装置を作成した。
これらの画像表示装置の各電子放出素子5に素子電圧を印加し、輝度を測定した。具体的には、対向する蛍光体サブピクセル17上での平均電流密度が30mA/cm2、ビーム半径が33μmとなるように、20μsのパルスにて素子電圧を印加し、加速電圧10kV、フレーム周波数60Hzで動作させて、輝度を測定した。測定は放射分光輝度系(トプコンSR-3)をパネルに対して垂直に配置し、0.40mの距離から1°の視度で観測することにより実施した。本実施例の画像表示装置では、比較例と同一の駆動、評価条件で測定したところ、比較例に対して1.03倍の輝度が得られた。
さらに、実施例2−5として、実施例1と同様の方法により、蛍光体サブピクセル内で塗り分けられた蛍光面基板1を作成した。第1の蛍光体領域11は円形とし、第1の蛍光体領域11の直径を表1に示すように変えた試料を作成した。そして、それぞれについて実施例1と同様の方法により輝度を測定した。結果を表1に示す。以上より、γ値の異なる2種類の蛍光体を用いて蛍光体サブピクセル17を塗り分けることにより、比較例に対して3%から10%の輝度向上効果が認められた。
Figure 0004078374
(実施例6−10)
実施例1−5と同様の方法により、蛍光体サブピクセル17内で蛍光体が塗り分けられた蛍光面基板1を作成した。形成された蛍光体サブピクセル17の蛍光体の塗り分けパターンを図8(a)に示す。第1の蛍光体領域11は蛍光体サブピクセル17の中心部に縦ストライプ状に形成され、第2の蛍光体領域12はその周辺の左右部に形成された。即ち、第1の蛍光体領域11が第2の蛍光体領域12に挟まれるように、第1の蛍光体領域11と第2の蛍光体領域12とがX方向に並んで設けられた。第1の蛍光体領域11の縦ストライプの幅Lを表2に示すように変えた試料を作成した。これらの蛍光面基板1を用いて、実施例1−5と同様の方法により画像表示装置を作成し、実施例1−5と同様の方法にて輝度を測定した。結果を表2に示す。γ値の異なる2種類の蛍光体を縦ストライプ状に塗り分けることにより、比較例に対して3%から6%の輝度向上効果が認められた。
Figure 0004078374
(実施例11−15)
実施例1−5と同様の方法により、蛍光体サブピクセル17内で塗り分けられた蛍光面基板1を作成した。形成された蛍光体サブピクセル17の蛍光体の塗り分けパターンを図8(b)に示す。第1の蛍光体領域11は蛍光体サブピクセル17の中心部に横ストライプ状に形成され、第2の蛍光体領域12はその周辺の上下部に形成された。即ち、第1の蛍光体領域11が第2の蛍光体領域12に挟まれるように、第1の蛍光体領域11と第2の蛍光体領域12とがY方向に並んで設けられた。第1の蛍光体領域11の横ストライプの幅Sを表3に示すように変えた試料を作成した。これらの蛍光面基板1を用いて、実施例1−5と同様の方法により画像表示装置を作成し、実施例1−5と同様の方法にて輝度を測定した。結果を表3に示す。γ値の異なる2種類の蛍光体を横ストライプ状に塗り分けることにより、比較例に対して2%から7%の輝度向上効果が認められた。
Figure 0004078374
(実施例16)
実施例1−5と同様の方法により蛍光面基板を作成した。ただし、第1の蛍光体として、緑色発光を呈するSrGa24:Eu蛍光体を用いた。この蛍光体のγ値は約1.0であった。この蛍光体100gを計量し、純水135gの入った500mlガラスビーカー中に攪拌分散させた。次に、この分散液にポリビニルアルコール8.2g、重クロム酸アンモニウム0.37g、アニオン性界面活性剤0.01g、エーテル系中性界面活性剤0.021gを加え、24時間暗所にて撹拌した。その後、ステンレス200メッシュを通過させることにより、凝集物を除去した感光性蛍光体スラリーを調製した。
次に、ガラス基板をスピンコーター上に設置し、20〜30rpmの低速で回転させながら上記スラリーを基板中央部に滴下した。さらに100〜150rpmまで回転させることにより、ガラス基板上に、感光性を有する第1の蛍光体の膜を形成した。
次に、第1の蛍光体の膜の形成されたガラス基板を実施例1−5と同様の方法により露光、現像し、黒色部で区画された各ドットに所定のパターンで第1の蛍光体の蛍光面を形成した。
次に、第2の蛍光体として、緑色発光を呈するZnS:Cu蛍光体を用い、第1の蛍光体と同様の方法で、黒色部で区画された各ドット内に所定のパターンの蛍光面を形成した。以上により、各ドット内に、第1の蛍光体と第2の蛍光体とが所定のパターンで塗り分けられた蛍光面を備えた蛍光体層6が形成された。第2の蛍光体のγ値は約0.62であった。
このようにして形成された蛍光体サブピクセル17の蛍光体の塗り分けパターンは図2のとおりである。第1の蛍光体(第1の蛍光体領域11)は蛍光体サブピクセル17の中心部に形成され、第2の蛍光体(第2の蛍光体領域12)はその周辺部に形成された。第1の蛍光体領域11は直径115μmの円状であった。
さらに実施例1と同様の方法により蛍光面上に樹脂中間層、メタルバック7を形成し、723K(450℃)、1時間の焼成を行うことにより樹脂中間層を除去し、2種類の蛍光体がドット内で塗り分けられた蛍光面基板1を作成した。さらに、この蛍光面基板1を用い、実施例1−5と同様の方法にて画像表示装置を作成した。また、比較例として、同様の方法にて、第1の蛍光体のみが形成された(実施例16において第2の蛍光体が形成された部位にも第1の蛍光体が形成された)蛍光面基板を用いた画像表示装置を作成した。本実施例の画像表示装置では、比較例と同一の駆動、評価条件で測定したところ、比較例に対して1.05倍の輝度が得られた。
さらに、実施例17−20として、実施例16と同様の方法により、蛍光体サブピクセル17で蛍光体が塗り分けられた蛍光面基板1を作成した。第1の蛍光体領域11は円形とし、第1の蛍光体領域11の直径を表4に示すように変えた試料を作成した。そして、それぞれについて実施例16と同様の方法により輝度を測定した。結果を表4に示す。以上より、γ値の異なる2種類の蛍光体を用いて蛍光体サブピクセル17を塗り分けることにより、比較例に対して3%から6%の輝度向上効果が認められた。
Figure 0004078374
(実施例21−25)
実施例16−20と同様の方法により、蛍光体サブピクセル17内で塗り分けられた蛍光面基板1を作成した。形成された蛍光体サブピクセル17の蛍光体の塗り分けパターンを図8(a)に示す。第1の蛍光体領域11は蛍光体サブピクセル17の中心部に縦ストライプ状に形成され、第2の蛍光体領域12はその周辺の左右部に形成された。即ち、第1の蛍光体領域11が第2の蛍光体領域12に挟まれるように、第1の蛍光体領域11と第2の蛍光体領域12とがX方向に並んで設けられた。第1の蛍光体領域11の縦ストライプの幅Lを表5に示すように変えた試料を作成した。これらの蛍光面基板1を用いて、実施例16−20と同様の方法により画像表示装置を作成し、実施例16−20と同様の方法にて輝度を測定した。結果を表5に示す。γ値の異なる2種類の蛍光体を縦ストライプ状に塗り分けることにより、比較例に対して1%から3%の輝度向上効果が認められた。
Figure 0004078374
(実施例26−30)
実施例16−20と同様の方法により、蛍光体サブピクセル17内で蛍光体が塗り分けられた蛍光面基板1を作成した。形成された蛍光体サブピクセル17の蛍光体の塗り分けパターンを図8(b)に示す。第1の蛍光体領域11は蛍光体サブピクセル17の中心部に横ストライプ状に形成され、第2の蛍光体領域12はその周辺の上下部に形成された。即ち、第1の蛍光体領域11が第2の蛍光体領域12に挟まれるように、第1の蛍光体領域11と第2の蛍光体領域12とがY方向に並んで設けられた。第1の蛍光体領域11の横ストライプの幅Sを表6に示すように変えた。これらの蛍光面基板1を用いて、実施例16−20と同様の方法により画像表示装置を作成し、実施例16−20と同様の方法にて輝度を測定した。結果を表6に示す。γ値の異なる2種類の蛍光体を横ストライプ状に塗り分けることにより、比較例に対して1%から4%の輝度向上効果が認められた。
Figure 0004078374
(実施例31−35)
実施例1−5と同様の方法により、蛍光体サブピクセル17内で塗り分けられた蛍光面基板1を作成した。形成された蛍光体サブピクセル17の蛍光体の塗り分けパターンを図8(c)に示す。第1の蛍光体領域11は蛍光体サブピクセル17の中心部に形成され、第2の蛍光体領域12はその周辺部に形成された。第1の蛍光体領域11はx方向(Lx)165μm、y方向(Ly)281μmの楕円状であった。
電子放出素子5が形成された背面基板4は実施例1−5と同様の方法により作成された。ただし、本実施例ではCNTを電子放出部材として用いた電子放出素子を用いた。具体的には、市販のバルクカーボンナノチューブをセルロース系有機バインダー中に分散させ、ペースト化し、これを信号配線8、走査配線9交点部に円状にスクリーン印刷し、その後バインダー成分を焼成除去した。
本実施例の蛍光体サブピクセル17に電子が照射されたときの電流密度分布を図9に示す。電流密度分布はX方向半値幅が約65μm、Y方向半値幅が約110μmの楕円形状を呈しており、比較的均質的なビームとなっていた。
この背面基板4と蛍光面基板1とを用いて、実施例1−5と同様の方法により画像表示装置2を作成した。また、比較例として、同様の方法にて、第1の蛍光体のみが形成された(実施例1において第2の蛍光体が形成された部位にも第1の蛍光体が形成された)蛍光面基板1を用いた画像表示装置2を作成した。実施例1−5と同様の方法にて、比較例と同一の駆動、評価条件で測定したところ、比較例に対して1.004倍の輝度が得られた。
さらに、実施例32−35として、実施例31と同様の方法により、蛍光体サブピクセル内で塗り分けられた蛍光面基板1を作成した。第1の蛍光体領域11は楕円形とし、第1の蛍光体領域11の直径を表7に示すように変えた試料を作成した。そして、それぞれについて実施例31と同様の方法により輝度を測定した。結果を表7に示す。以上より、γ値の異なる2種類の蛍光体を用いて蛍光体サブピクセルを塗り分けることにより、比較例に対し0.1%から0.4%の輝度向上効果が認められた。
Figure 0004078374
(実施例36−40)
実施例1と同様の方法により、蛍光体サブピクセル17内で蛍光体が塗り分けられた蛍光面基板1を作成した。形成された蛍光体サブピクセル17の蛍光体の塗り分けパターンは図8(b)に示したとおりである。第1の蛍光体領域11は蛍光体サブピクセルの中心部に横ストライプ状に形成され、第2の蛍光体領域12はその周辺の上下部に形成された。即ち、第1の蛍光体領域11が第2の蛍光体領域12に挟まれるように、第1の蛍光体領域11と第2の蛍光体領域12とがY方向に並んで設けられた。
電子放出素子5が形成された背面基板4は実施例1−5と同様の方法により作成された。ただし、本実施例では表面伝導型電子放出素子を用いた。具体的には、信号配線8、走査配線9交差部に表面伝導型電子放出素子の膜をインクジェット法により成膜し、素子電極、導電性薄膜を形成し、通電により電子放出部となるスリット領域を形成した後、活性化処理を行って電子放出素子5を形成した。第1の蛍光体領域11の横ストライプの幅は200μmであった。
本実施例の蛍光体サブピクセル17に電子が照射されたときの電流密度分布を図10に示す。電流密度分布は非対称な縦長形状を呈しており、先鋭的なビーム形状となっていた。
この背面基板4と蛍光面基板1とを用いて、実施例1−5と同様の方法により画像表示装置を作成した。また、比較例として、同様の方法にて、第1の蛍光体のみが形成された(実施例1において第2の蛍光体が形成された部位にも第1の蛍光体が形成された)蛍光面基板1を用いた画像表示装置を作成した。実施例1−5と同様の方法にて、比較例と同一の駆動、評価条件で測定したところ、比較例に対して1.03倍の輝度が得られた。
さらに、実施例37−40として、実施例36と同様の方法により、蛍光体サブピクセル17内で蛍光体が塗り分けられた蛍光面基板1を作成した。第1の蛍光体領域11の横ストライプの幅Sを表8に示すように変えた試料を作成した。これらの蛍光体基板1を用いて、実施例36と同様の方法により輝度を測定した。結果を表8に示す。γ値の異なる2種類の蛍光体を横ストライプ状に塗り分けることにより、比較例に対して3%から7%の輝度向上効果が認められた。
Figure 0004078374
本発明の蛍光面基板を備えた画像表示装置の内部構造を示す斜視図である。 図1に示す蛍光体層の概念的平面図である。 緑色蛍光体の電流密度−輝度特性の関係を示す図である。 青色蛍光体の電流密度−輝度特性の関係を示す図である。 蛍光面基板の作成方法を示すフロー図である。 蛍光体サブピクセル内の蛍光体の塗り分けパターンを示す概略図である。 実施例1−30で用いたスピント型の電子放出素子を用いたときの電流密度分布を示す概略図である。 蛍光体サブピクセル内の蛍光体の他の塗り分けパターンをを示す概略図である。 実施例31−35で用いたCNTを電子放出部材とした電子放出素子を用いたときの電流密度分布を示す概略図である。 実施例36−40で用いた表面伝導型の電子放出素子を用いたときの電流密度分布を示す概略図である。 映像受信表示装置の構成を示すブロック図である。
符号の説明
1 蛍光面基板
11 第1の蛍光体領域
12 第2の蛍光体領域
17 蛍光体サブピクセル

Claims (9)

  1. 電子が衝突することによって発光する蛍光体サブピクセルを備え、
    前記蛍光体サブピクセルは、第1の蛍光体が配置された第1の蛍光体領域と、前記第1の蛍光体のγ値よりも小さいγ値を有する第2の蛍光体が配置された第2の蛍光体領域と、を有し、
    前記第1の蛍光体領域は前記第2の蛍光体領域よりも輝度が高くなる電流密度範囲を有し、前記第2の蛍光体領域は前記第1の蛍光体領域よりも輝度が高くなる電流密度範囲を有していることを特徴とする蛍光面基板。
  2. 前記第1の蛍光体領域は前記蛍光体サブピクセルの中心領域に形成され、
    前記第2の蛍光体領域は前記蛍光体サブピクセルの周辺領域に形成されている、
    請求項1に記載の蛍光面基板。
  3. 前記第1の蛍光体領域は、前記蛍光体サブピクセルの中心点を含む円形または楕円形の形状を有している、請求項に記載の蛍光面基板。
  4. 前記第1の蛍光体領域は、前記蛍光体サブピクセルの中心点を含む長方形または正方形の形状を有している、請求項に記載の蛍光面基板。
  5. 前記第1の蛍光体は一般式SrGa24:Euで表わされる蛍光体を有し、
    前記第2の蛍光体は一般式ZnS:Cu、Al、またはZnS:Cu、Au、Alで表わされる蛍光体を有している、
    請求項1から4のいずれか1項に記載の蛍光面基板。
  6. 前記第1の蛍光体は一般式CaMgSi26:Euで表わされる蛍光体を有し、
    前記第2の蛍光体は一般式ZnS:Ag、Cl、またはZnS:Ag、Alで表わされる蛍光体を有している、
    請求項1から4のいずれか1項に記載の蛍光面基板。
  7. 請求項1からのいずれか1項に記載の蛍光面基板と、該蛍光面基板と対向して電子放出素子を設けた背面基板と、を備えた画像表示装置。
  8. 前記電子放出素子が表面伝導型であることを特徴とする請求項に記載の画像表示装置。
  9. 請求項またはに記載の画像表示装置と、
    映像信号を選択して受信する受信回路と、
    該受信回路で受信する映像信号から、前記画像表示装置に出力する画像信号を生成する出力回路と、
    を有することを特徴とする映像受信表示装置。
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