JP2008081625A - 電子線励起青色蛍光体 - Google Patents
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Abstract
【課題】15kV以下程度の中低速加速電圧下において、十分に満足できる色純度を呈しつつ、高電流域において輝度の直線性が確保され、かつ電荷投入に対して安定に発光する青色蛍光体を提供する。
【解決手段】一般式M1xM22-xSi2OyS6-yRaz(M1,M2はアルカリ土類金属、RaはCe3+またはEu2+の希土類イオン、また0≦x≦2、0<y<6、z≧0.005)で示され、D65光源、2°視野での体色がa*>0かつb*<0の範囲にあり、更にL*a*b*表色系色度図にプロットした場合、その点と原点とを結ぶ直線がa*軸となす角度をφとした場合、39<φ<60の範囲にある希土類付活アルカリ土類チオシリケートを青色蛍光体として用いる。
【選択図】なし
【解決手段】一般式M1xM22-xSi2OyS6-yRaz(M1,M2はアルカリ土類金属、RaはCe3+またはEu2+の希土類イオン、また0≦x≦2、0<y<6、z≧0.005)で示され、D65光源、2°視野での体色がa*>0かつb*<0の範囲にあり、更にL*a*b*表色系色度図にプロットした場合、その点と原点とを結ぶ直線がa*軸となす角度をφとした場合、39<φ<60の範囲にある希土類付活アルカリ土類チオシリケートを青色蛍光体として用いる。
【選択図】なし
Description
本発明は電子線励起青色蛍光体に関する。
電子線励起による発光を利用した画像表示装置は、自己発光型で色再現性が良好であり、かつ高輝度で動画表示特性に優れた特徴を有する表示装置を提供するディスプレイデバイスであり、古くから陰極線管(以下CRT)として実用化されてきている。
一方、近年の画像情報の多様化、高密度化に伴い、画像表示装置には更なる高性能化,大型化と画像品位の一層の向上が求められてきている。また更に省エネ、省スペースといった時代の要請が高まる中で、フラットパネルディスプレイ(FPD)への要求は近年特に高まっている。
また既に薄膜トランジスタ駆動液晶表示素子(TFT−LCD)、プラズマによる真空紫外発光を利用したプラズマディスプレイモジュール(PDP)等が実用化され、従来CRTの占めていた市場の一部を置換するに至っている。しかしながら、TFT−LCDにおいては視野角の狭さ並びに応答性の悪さに起因する動画視認性の悪さという問題がある。また、PDPでは輝度の不足と応答性の悪さ及び消費電力が高いという問題がある。いずれも将来CRTの完全な代替ディスプレイとして幅広く普及するためには致命的となりうる。
一方電子線励起を利用した平面型画像表示装置である電界放出型ディスプレイ(以下FED)は高速応答が可能であり、また高輝度や消費電力の低さに優れているといった特徴があり、本格的なFPDの普及といった点で,その実用化に期待が集まっている。
このFEDの構造は概略以下に記す通りである。即ち背面側の基板に電子放出源となりうる素子が各画素に対応してマトリクス状に配置され、またこれら多数の素子を駆動させるために必要な配線がマトリクス状に形成されている。ここでいう電子源は所謂スピント型等の3次元的な構造を有するカソードチップに類するものや、平面状のもの、或いはカーボンナノチューブを用いたものなど多数の形態として提案されている。これら電子源には真空中にて、該配線を通じ画像情報に応じた電圧を印加することにより、該画像情報に応じた電子がビーム状に放出される。
また前面基板においては、加速された電子ビームを励起源として発光する蛍光体により形成された層が有る。この背面基板と前面基板の間に高電圧を印加させることにより該電子源から放出された電子ビームを加速させ該蛍光体に必要な励起エネルギーを与えることにより、該画像情報に応じた画像を形成させることが可能となる。
また前面基板においては、ほぼ絶縁物質である蛍光体層に堆積した電荷を効率よく除去する必要があり、また蛍光体の発光を効率よく反射させる必要がある。そのため、一般にメタルバックと呼ばれるアルミニウム等原子番号の小さい金属の皮膜を蛍光体層上に形成させることが一般的である。しかしながら、加速電圧の低い領域において用いられるFEDでは、この金属皮膜によるエネルギーロスが問題となるため、インジウムスズ酸化物等の導電性透明皮膜を前面板に形成する例もある。
またFEDでは上記機構により駆動させるためおおよそ10-4Pa程度以上の高真空容器とする必要がある。このため前面基板と背面基板との間に適当な厚みを有する枠を挿入した上で両基板を接着し、且つ大気圧に対して面内の基板を支持させる必要からスペーサーと呼ばれる部品を、前面基板と背面基板の間に複数個配置させる。そして、この容器を排気し真空容器とすることが一般的である。
またこのスペーサーは通常蛍光体隣接画素間、即ち、外光反射を抑制するために設けられた黒色非発光領域(ブラックマトリクス)上に配置され、大気圧に対する十分な支持を得るに十分な数を配置することが一般的である。
ところで、平面型であることを特徴とするFEDでは、電子源側のカソード基板とアノードである前面基板の間隔は通常数mmに抑えられ、従って耐圧上の観点からCRTの様に25kV以上もの加速電圧を適用することができない。そのため、高圧型といわれるタイプのものでも15kV以下程度の加速電圧が限界といわれている。
このため蛍光体層への励起電子の侵入深さがCRTに比べて浅くならざるを得なくなり、CRT同等の実用上必要な輝度を実現するためには高電流密度や線順次駆動などの採用が不可欠である。
このことは蛍光体に対して、高い発光効率の実現のみならず高電流域での輝度直線性の確保と、電荷投入に対する輝度の安定性を強く要求するものであり、更に高水準のディスプレイデバイス実現のためには、高い色純度の発光色を呈することが要求される。
ところで発光効率、色純度といった特性面で現在実用域にある電子線励起蛍光体は、殆どのCRTで採用されているEIA名称「P22」と呼ばれる硫化亜鉛蛍光体の1群があるのみである。
この硫化亜鉛を母体とした蛍光体は電荷投入に対する安定性が十分とはいえず、CRTに比べ高電流域で動作させるFEDでは輝度劣化が著しくなることが予想される。
また電荷投入による熱エネルギーにより解離したSを真空容器中に飛散せしめ、真空度を低下させ、更に電子源に悪影響を与えるといった様々な問題が指摘されてきている。
更に上記問題は、視感度的に発光効率が得られにくいために最も高電流を必要とする青色蛍光体ZnS:Ag蛍光体において特に顕著となる。
上記問題に対して、例えば特許文献1に開示されているような結晶欠陥が少ない硫化亜鉛蛍光体の製造方法、特許文献2に開示されているような硫化亜鉛蛍光体の結晶欠陥や表面歪み層を補正する工程などが提案されており、ある程度の改善効果が得られている。
しかし電荷投入に対する安定性欠如の問題以外にも硫化亜鉛蛍光体には高電流域にての輝度直線性が悪くなるといった問題がある。
これは硫化亜鉛蛍光体の発光機構がドナーアクセプターペアー発光型と呼ばれる二次反応であり、また濃度消光等の問題からドナーアクセプター濃度を十分に高めてやることができないなどの理由によるものである。
以上のように、硫化亜鉛蛍光体の代替となりうる電子線励起青色蛍光体の開発が強く望まれてきている。
一方で特許文献3に開示されているような表面保護膜などにより電荷投入による安定性を向上させるといった提案もなされている。この提案では燐酸塩などの表面保護膜を用いており、硫化亜鉛蛍光体に限らず用いることが可能であるが、本発明者の実験によるとその改善効果は十分に大きくはなく、真空容器中に吸着水をもたらすなどの問題が発生した。
またFED同様高電流を用いる陰極線管として投射管(PRT)が実用化されているが、色純度と発光効率の観点から青色では硫化亜鉛蛍光体が採用されている。電流輝度飽和の現象に対しては、例えば特許文献4,5に開示されているような駆動回路側で補正を行う方法などが提案されているものの、いずれも管面負荷を上げる方法であり、電荷投入に伴う安定性という点では好ましくない。
電荷投入に伴う輝度劣化と発熱によるスペクトル幅の広がり問題に関しては管面を冷却するなどの提案がなされ実用化されているものの十分な解決に至っていないのが現状である。
一方これらの問題を解決するために硫化亜鉛以外の蛍光体に対する探査検討も行われている。たとえば特殊陰極線管に属するビームインデックス管用青色蛍光体としてはEIA名称でP47と称されているY2SiO5:Ce3+蛍光体が商品化され採用されている。
このP47蛍光体は酸化物母体であり一般的に電荷投入に対する安定性は硫化亜鉛蛍光体よりも高いと言われている。
またCe3+からの発光機構は4f5dの許容内殻遷移に伴う、早い1次減衰であり、発光中心のリサイクリング率が高いことから高電流域での輝度の直線性にも優れている。
実際に提案者らの評価ではこれらの特性優位性を確認できている。しかしながら、Y2SiO5結晶中のCe3+の5d分裂エネルギーが十分高くなく、またスピン−軌道相互作用に伴うf軌道の分裂が比較的大きいことなどから、発光スペクトルの幅を狭めることができない。従って青色の発光色が十分純粋なものでは、他の蛍光体母体の開発が必要である。
他方、真空紫外線励起で色純度の高い高輝度を呈することで知られている青色照明用のBaMgAl16O27:Eu蛍光体について電子線励起での発光特性を行い報告した例もある。しかしながら、これによると電子線照射により著しい黒化による劣化が発生し、実用上問題があるとされている。
また実際に本発明者の実験でも同様の結果が得られ、電子線照射と共に母体色の着色が進行し輝度が低下した。
一方同様に真空紫外線励起で色純度の高い高輝度を呈することで知られているCaMgSi2O6:Eu蛍光体についてはF.L.Zhangらが低電流域での電子線励起挙動を簡単に評価し、非特許文献1で報告している程度である。しかしながら、本発明者の実験では、色度がP22蛍光体よりも高い純度の青色が得られるものの、輝度、寿命はほぼ同等との結果が得られている。この寿命の問題に関しては硫化亜鉛と別の機構が提示されている。
即ち、蛍光体表面に酸素空孔が存在し、この空孔に、発光中心へエネルギーを伝達する役目を担っているバルク中の酸素原子が、励起エネルギー投与により移動をするといった機構である。
特許文献6はこの問題を解決するために酸素雰囲気の中での最熱処理による方法を開示しているが、この方法では発光中心金属イオンCe3+やEu2+の酸化による非発光化が起こりやすくなり好ましくなかった。
このようにFEDにおいては、15kV以下程度の中低速加速電圧下において、十分に満足できる色純度を呈しつつ、高電流域において輝度の直線性が確保され、かつ電荷投入に対して安定に発光する青色蛍光体が必要となる。
本発明はこのような問題に鑑みて提案されたもので、特に電子線励起用の青色蛍光体に関するものである。
本提案は上記問題点を解決するためになされたものである。
本発明は、一般式M1xM22-xSi2OyS6-yRaz(M1,M2はアルカリ土類金属、RaはCe3+またはEu2+の希土類イオン、また0≦x≦2、0<y<6、z≧0.005)で示される希土類付活アルカリ土類チオシリケートであることを特徴とする電子線励起青色蛍光体である。
本発明においては、D65光源、2°視野での体色がa*>0かつb*<0の範囲にあり、更にL*a*b*表色系色度図にプロットした場合、その点と原点とを結ぶ直線がa*軸となす角度をφとした場合、39<φ<60の範囲にあることが好ましい。
本発明の電子線励起青色蛍光体は、15kV以下程度の中低速加速電圧下において、十分に満足できる色純度を呈しつつ、高電流域において輝度の直線性が確保され、かつ電荷投入に対して安定に発光する。
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
本実施形態の電子線励起青色蛍光体は、一般式M1xM22-xSi2O6Razで表される希土類付活アルカリ土類シリケート蛍光体の酸素の一部をイオウで置換した形態M1xM22-xSi2OyS6-yRazで表される蛍光体である。この置換はH2SまたはSガス雰囲気での還元高温アニーリング処理により可能となるが、置換は主に蛍光体表面に存在するOならびにO空孔のキャッピングである。つまり蛍光体表面のO原子空孔を低減せしめる。このことが、バルク中の発光中心金属へのエネルギー供与体として寄与しているO原子の、非発光領域である蛍光体表面への拡散を抑制する効果に繋がり、結果電荷投入に対する輝度の経時劣化現象を低減させることが可能となるものである。
また、例えば大気中でのアニーリングを行うとO空孔の減少は認められるものの、一般式中でRaと記された発光中心金属であるCe3+,Eu2+の酸化が発生し蛍光体の輝度が著しく低下してしまう問題が発生する。よってアニーリングには還元雰囲気が必要不可欠であるが、CO,H2などの還元雰囲気中では表面の酸素を奪うことになり結果O空孔の増大を招いてしまい好ましくない。
また上記O空孔のS原子による置換またはキャッピングの程度により蛍光体母体色が青方向から赤方向へ変化する。この体色の程度をD65光源を用い2°の視野で観測した場合、b*<0かつa*>0の領域にあり、かつその座標点と原点とを結ぶ直線がa*軸となす角度をφとした場合、寿命に効果が認められるのはφ<60°からである。またφ<39°の場合寿命には十分な効果が見られるものの、母体色によるフィルター効果が強すぎることにより輝度が下がり好ましくない。従って39<φ<60の範囲にあることが望ましい。
ここで元素M1、M2は夫々マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属であり、M1とM2は異なる元素である。
またSiはシリコン元素、Oは酸素元素、Sはイオウ元素を指し、Raはセリウムまたはユーロピウムの希土類元素を指すものである。一般式中のモル比を表すx,yのより好適な範囲は、各々、0≦x≦2、0<y<6である。
またz≧0.005が望ましい。Z<0.005の場合、比較的低い電流密度より電流飽和が発生し好ましくない。
これらの定量的な情報も含めた組成はICP、グロー放電マススペクトルまたは燃焼−電量滴定法、燃焼−赤外線吸収法等の組み合わせにより確認することができる。
元素M1として最も好ましいものはCa、元素M2として最も好ましいのはMgである。
このような構成の希土類付活アルカリ土類シリケート蛍光体に電子線を照射し励起すると、色純度の良いかつ発光効率の高い青色の発光を呈する。
特に酸素の一部をイオウで置換する構造をもたせることで、蛍光体表面の酸素空孔をイオウ元素のキャッピングにより減少せしめる。よって発光のためのエネルギーを発光中心金属に与えているバルク中の酸素元素が、励起エネルギーの投入により、表面の酸素空孔に移動することを抑制し、結果、寿命の長い、換言すれば電荷投入に対して安定な蛍光体とすることが可能となる。
一方上記酸素の一部をイオウで置換した構造は、上記一般式におけるy=6の構造、即ちM1,M2の2種類をx=1の組成でアルカリ土類金属として有するシリケート蛍光体を合成する。更にこの蛍光体をH2SまたはSの雰囲気にて高温にてアニーリングしてやることが必要となるが、この際青みを帯びた母体色が赤みを帯びたものに変化する。この変色の程度はアニーリング時の温度に依存し、温度が高いほど変色の程度は大きくなる。
この変色の程度は蛍光体の拡散反射率の測定により定量的に見積もることが可能である。即ちD65光源やC光源を用いて2°または10°の視野にて拡散反射率を測定する方法が利用できる。測定された拡散反射率のスペクトルよりL*a*b*表色系に表すことが可能である。
本提案で提示している希土類付活アルカリ土類チオシリケート蛍光体はa*>0かつb*<0の範囲にある。またD65光源、2°の視野にて測定した拡散反射率からL*a*b*を計算し、L*a*b*表色系色度図にプロットする。その際、その点と原点とを結ぶ直線がa*軸となす角度をφとすると、輝度の電荷投入に対する安定性向上の効果が見られるのはφ<60の場合である。
一方φ≦39の場合は、蛍光体の発光が母体に吸収される効果が強くなり、この結果、輝度が低減するためこのましくない。
従って39<φ<60であることが必要である。
以下、比較例と具体的な実施例を挙げて本発明を詳しく説明する。
(比較例1)
炭酸カルシウム(キシダ化学製、特級試薬)8.01g
酸化マグネシウム(キシダ化学製、特級試薬)3.23g
酸化珪素(IV)(高純度化学製)10.03g
塩化ユーロピウム(III)(高純度化学製)0.21g
炭酸カルシウム(キシダ化学製、特級試薬)8.01g
酸化マグネシウム(キシダ化学製、特級試薬)3.23g
酸化珪素(IV)(高純度化学製)10.03g
塩化ユーロピウム(III)(高純度化学製)0.21g
上記化合物を化学天秤を用いてそれぞれ計量し、これらをバグミクスの後、メノウの乳鉢を用いアセトンを混合した状態で十分にすり潰し、次いで140℃、1hの条件で乾燥することにより焼成前前駆体を調製した。
この前駆体3gを30ccのアルミナ坩堝に充填し、5%H2/N2混合ガスを0.3L/minの流量でフローした高温雰囲気炉中に入れ、1250℃で約90分焼成を行い、そのまま450℃以下になるまでガスを流し続け、常温まで除冷した後取り出した。
焼成後の蛍光体はナイロン100メッシュを介して坩堝剥離物が混入することのないように100ccの純水中に取り出した。
純水中に取り出した蛍光体懸濁液をマグネチックスターラーを用い十分に攪拌し、次いで静置沈降させ、上澄みを除去した。この洗浄工程を5回繰り返し行うことにより不要な焼成残物を除去した。
洗浄後の蛍光体はブフナー漏斗とアスピレーターを用い濾過し、140℃、5h乾燥させた。
最後にSUS400メッシュを用い振動篩別を行うことにより、希土類付活アルカリ土類シリケート蛍光体CaMgSi2O6Eu0.01を得た。
以上の工程のフローを図1に示す。
このようにして得られた蛍光体を図3に示すデマンタブル反射CL輝度評価装置内のサンプル室に入れ、サンプル室内で1×10-5Paの高真空まで真空引きを行い、次いで1×10-7Paの評価室内に移送した。電子銃にて加速電圧10000V、電流密度0.01A/cm2、周波数500Hz,半値幅0.00002sの矩形電流パルスを与え励起することにより発光させた。
この発光は、コバールの観測窓を通し、トプコン製BM7輝度計により1°視野にて輝度、色度を測定した。尚、色度はコバールの透過率を考慮し補正を行った。
測定した輝度は3.9×10-3cd/m2、色度は(x,y)=(0.150,0.042)であった。
また同様の励起条件で発光させ、測定している輝度が初期の70%に低減するまで要した時間をtとし、投入した電荷量τ70を計算したところ101(C/cm2)であった。尚投入電荷量は電子線照射時間tを用いて、下記の式にて計算した。
Q=Ie・t・Pw/f
Q=Ie・t・Pw/f
ここでQは投入電荷量(C/cm2)、Ieは電流密度(A/cm2)、tは時間(s)、Pwは与えた電流パルスの半値幅(s)、fは周波数(Hz)である。
一方この蛍光体0.5gを加圧成形によりペレット化した。このペレットを図4に示す構造の拡散反射測定ユニットに設置し、大塚電子製MCPD−2000を用いて拡散反射率を測定した。次いでこの拡散反射率のデータを用い、D65光源、2°視野条件に換算した際のL*a*b*の値を求めたところ(a*,b*)=(1.487,−6.057)であり、このプロット点がa*軸となす角度φはφ=76.2°であった。
(比較例2)
ZnS:Ag,Cl蛍光体(化成オプトニクス社製、P22−B1タイプ)を比較例1と同様のデマンタブル反射CL輝度評価装置内に入れた。電子銃にて加速電圧10000V、電流密度0.01A/cm2、周波数500Hz、半値幅0.00002sの矩形電流パルスを与え励起することにより発光させ、輝度、色度を測定した。その結果、輝度が3.9×10-3cd/m2、色度は(x,y)=(0.151,0.052)であった。
ZnS:Ag,Cl蛍光体(化成オプトニクス社製、P22−B1タイプ)を比較例1と同様のデマンタブル反射CL輝度評価装置内に入れた。電子銃にて加速電圧10000V、電流密度0.01A/cm2、周波数500Hz、半値幅0.00002sの矩形電流パルスを与え励起することにより発光させ、輝度、色度を測定した。その結果、輝度が3.9×10-3cd/m2、色度は(x,y)=(0.151,0.052)であった。
また比較例1と同様の方法で、測定している輝度が初期の70%に低減するまで要した時間をtとし、投入した電荷量τ70を計算したところ99(C/cm2)であった。
また比較例1と同様の方法で拡散反射率を測定した。次いでこの拡散反射率のデータを用い、D65光源、2°視野条件に換算した際のL*a*b*の値を求めたところ(a*,b*)=(1.001,−7.039)であり、このプロット点がa*軸となす角度φはφ=81.9°であった。
(実施例1)
比較例1と同様の方法により得たCaMgSi2O6Eu0.01蛍光体2gを50ccの石英ボード上に載せた。次いで石英環状炉中に封入し、真空ポンプで10-2Pa程度まで減圧した後、約0.1L/minの流量で5%H2S/Ar混合ガスをフローし、600℃の温度にて0.5時間アニーリングを行った。これによりCaMgSi2O5.98S0.02Eu0.01の組成を有する蛍光体が得られた。
比較例1と同様の方法により得たCaMgSi2O6Eu0.01蛍光体2gを50ccの石英ボード上に載せた。次いで石英環状炉中に封入し、真空ポンプで10-2Pa程度まで減圧した後、約0.1L/minの流量で5%H2S/Ar混合ガスをフローし、600℃の温度にて0.5時間アニーリングを行った。これによりCaMgSi2O5.98S0.02Eu0.01の組成を有する蛍光体が得られた。
この工程のフローを図2に示す。
またこの蛍光体を比較例1と同様のデマンタブル反射CL輝度評価装置内に入れた。電子銃にて加速電圧10000V、電流密度0.01A/cm2、周波数500Hz、半値幅0.00002sの矩形電流パルスを与え励起することにより発光させ、輝度、色度を測定した。その結果、輝度が3.9×10-3cd/m2、色度は(x,y)=(0.151,0.041)であった。
また比較例1と同様の方法で、測定している輝度が初期の70%に低減するまで要した時間をtとし、投入した電荷量τ70を計算したところ151(C/cm2)であった。
また比較例1と同様の方法で拡散反射率を測定した。次いでこの拡散反射率のデータを用い、D65光源、2°視野条件に換算した際のL*a*b*の値を求めたところ(a*,b*)=(2.851,−4.900)であり、このプロット点がa*軸となす角度φはφ=59.8°であった。
(実施例2)
比較例1と同様の方法により得たCaMgSi2O6Eu0.01蛍光体2gを50ccの石英ボード上に載せた。次いで石英環状炉中に封入し、真空ポンプで10-2Pa程度まで減圧した後、約0.1L/minの流量で5%H2S/Ar混合ガスをフローし、700℃の温度にて1.0時間アニーリングを行った。これによりCaMgSi2O5.0S1.0Eu0.01の組成を有する蛍光体が得られた。
比較例1と同様の方法により得たCaMgSi2O6Eu0.01蛍光体2gを50ccの石英ボード上に載せた。次いで石英環状炉中に封入し、真空ポンプで10-2Pa程度まで減圧した後、約0.1L/minの流量で5%H2S/Ar混合ガスをフローし、700℃の温度にて1.0時間アニーリングを行った。これによりCaMgSi2O5.0S1.0Eu0.01の組成を有する蛍光体が得られた。
またこの蛍光体を比較例1と同様のデマンタブル反射CL輝度評価装置内に入れた。電子銃にて加速電圧10000V、電流密度0.01A/cm2、周波数500Hz、半値幅0.00002sの矩形電流パルスを与え励起することにより発光させ、輝度、色度を測定した。その結果、輝度が3.9×10-3cd/m2、色度は(x,y)=(0.151,0.041)であった。
また比較例1と同様の方法で、測定している輝度が初期の70%に低減するまで要した時間をtとし、投入した電荷量τ70を計算したところ175(C/cm2)であった。
また比較例1と同様の方法で拡散反射率を測定した。次いでこの拡散反射率のデータを用い、D65光源、2°視野条件に換算した際のL*a*b*の値を求めたところ(a*,b*)=(3.321,−4.521)であり、このプロット点がa*軸となす角度φはφ=53.7°であった。
(実施例3)
比較例1と同様の方法により得たCaMgSi2O6Eu0.01蛍光体2gを50ccの石英ボード上に載せた。次いで石英環状炉中に封入し、真空ポンプで10-2Pa程度まで減圧した後、約0.1L/minの流量で5%H2S/Ar混合ガスをフローし、800℃の温度にて1.0時間アニーリングを行った。これによりCaMgSi2O3.4S2.6Eu0.01の組成を有する蛍光体が得られた。
比較例1と同様の方法により得たCaMgSi2O6Eu0.01蛍光体2gを50ccの石英ボード上に載せた。次いで石英環状炉中に封入し、真空ポンプで10-2Pa程度まで減圧した後、約0.1L/minの流量で5%H2S/Ar混合ガスをフローし、800℃の温度にて1.0時間アニーリングを行った。これによりCaMgSi2O3.4S2.6Eu0.01の組成を有する蛍光体が得られた。
またこの蛍光体を比較例1と同様のデマンタブル反射CL輝度評価装置内に入れた。電子銃にて加速電圧10000V、電流密度0.01A/cm2、周波数500Hz、半値幅0.00002sの矩形電流パルスを与え励起することにより発光させ、輝度、色度を測定した。その結果、輝度が3.9×10-3cd/m2、色度は(x,y)=(0.151,0.041)であった。
また比較例1と同様の方法で、測定している輝度が初期の70%に低減するまで要した時間をtとし、投入した電荷量τ70を計算したところ191(C/cm2)であった。
また比較例1と同様の方法で拡散反射率を測定した。次いでこの拡散反射率のデータを用い、D65光源、2°視野条件に換算した際のL*a*b*の値を求めたところ(a*,b*)=(3.670,−4.234)であり、このプロット点がa*軸となす角度φはφ=49.1°であった。
(実施例4)
比較例1と同様の方法により得たCaMgSi2O6Eu0.01蛍光体2gを50ccの石英ボード上に載せた。次いで石英環状炉中に封入し、真空ポンプで10-2Pa程度まで減圧した後、約0.1L/minの流量で5%H2S/Ar混合ガスをフローし、900℃の温度にて1.0時間アニーリングを行った。これによりCaMgSi2O2.2S3.8Eu0.01の組成を有する蛍光体が得られた。
比較例1と同様の方法により得たCaMgSi2O6Eu0.01蛍光体2gを50ccの石英ボード上に載せた。次いで石英環状炉中に封入し、真空ポンプで10-2Pa程度まで減圧した後、約0.1L/minの流量で5%H2S/Ar混合ガスをフローし、900℃の温度にて1.0時間アニーリングを行った。これによりCaMgSi2O2.2S3.8Eu0.01の組成を有する蛍光体が得られた。
またこの蛍光体を比較例1と同様のデマンタブル反射CL輝度評価装置内に入れた。電子銃にて加速電圧10000V、電流密度0.01A/cm2、周波数500Hz、半値幅0.00002sの矩形電流パルスを与え励起することにより発光させ、輝度、色度を測定した。その結果、輝度が3.9×10-3cd/m2、色度は(x,y)=(0.151,0.041)であった。
また比較例1と同様の方法で、測定している輝度が初期の70%に低減するまで要した時間をtとし、投入した電荷量τ70を計算したところ205(C/cm2)であった。
また比較例1と同様の方法で拡散反射率を測定した。次いでこの拡散反射率のデータを用い、D65光源、2°視野条件に換算した際のL*a*b*の値を求めたところ(a*,b*)=(4.060,−3.915)であり、このプロット点がa*軸となす角度φはφ=44.0°であった。
(実施例5)
比較例1と同様の方法により得たCaMgSi2O6Eu0.01蛍光体2gを50ccの石英ボード上に載せた。次いで石英環状炉中に封入し、真空ポンプで10-2Pa程度まで減圧した後、約0.1L/minの流量で5%H2S/Ar混合ガスをフローし、900℃の温度にて2.5時間アニーリングを行った。これによりCaMgSi2O1.0S5.0Eu0.01の組成を有する蛍光体が得られた。
比較例1と同様の方法により得たCaMgSi2O6Eu0.01蛍光体2gを50ccの石英ボード上に載せた。次いで石英環状炉中に封入し、真空ポンプで10-2Pa程度まで減圧した後、約0.1L/minの流量で5%H2S/Ar混合ガスをフローし、900℃の温度にて2.5時間アニーリングを行った。これによりCaMgSi2O1.0S5.0Eu0.01の組成を有する蛍光体が得られた。
またこの蛍光体を比較例1と同様のデマンタブル反射CL輝度評価装置内に入れた。電子銃にて加速電圧10000V、電流密度0.01A/cm2、周波数500Hz、半値幅0.00002sの矩形電流パルスを与え励起することにより発光させ、輝度、色度を測定した。その結果輝度が3.9×10-3cd/m2、色度は(x,y)=(0.151,0.041)であった。
また比較例1と同様の方法で、測定している輝度が初期の70%に低減するまで要した時間をtとし、投入した電荷量τ70を計算したところ211(C/cm2)であった。
また比較例1と同様の方法で拡散反射率を測定した。次いでこの拡散反射率のデータを用い、D65光源、2°視野条件に換算した際のL*a*b*の値を求めたところ(a*,b*)=(4.360,−3.670)であり、このプロット点がa*軸となす角度φはφ=40.1°であった。
(比較例3)
比較例1と同様の方法により得たCaMgSi2O6Eu0.01蛍光体2gを50ccの石英ボード上に載せた。次いで石英環状炉中に封入し、真空ポンプで10-2Pa程度まで減圧した後、約0.1L/minの流量で5%H2S/Ar混合ガスをフローし、950℃の温度にて4.0時間アニーリングを行った。これによりCaMgSi2S6Eu0.01の組成を有する蛍光体が得られた。
比較例1と同様の方法により得たCaMgSi2O6Eu0.01蛍光体2gを50ccの石英ボード上に載せた。次いで石英環状炉中に封入し、真空ポンプで10-2Pa程度まで減圧した後、約0.1L/minの流量で5%H2S/Ar混合ガスをフローし、950℃の温度にて4.0時間アニーリングを行った。これによりCaMgSi2S6Eu0.01の組成を有する蛍光体が得られた。
またこの蛍光体を比較例1と同様のデマンタブル反射CL輝度評価装置内に入れた。電子銃にて加速電圧10000V、電流密度0.01A/cm2、周波数500Hz、半値幅0.00002sの矩形電流パルスを与え励起することにより発光させ、輝度、色度を測定した。その結果、輝度が3.4×10-3cd/m2、色度は(x,y)=(0.150,0.040)であった。
また比較例1と同様の方法で、測定している輝度が初期の70%に低減するまで要した時間をtとし、投入した電荷量τ70を計算したところ239(C/cm2)であった。
また比較例1と同様の方法で拡散反射率を測定した。次いでこの拡散反射率のデータを用い、D65光源、2°視野条件に換算した際のL*a*b*の値を求めたところ(a*,b*)=(4.520,−3.540)であり、このプロット点がa*軸となす角度φはφ=38.1°であった。
以上の比較例1〜3と実施例1〜5の結果を表1にまとめる。表1によると39<φ<60の範囲で輝度が同等であり、且つτ70が高いことがわかる。またこの時のy値は0<y<6の範囲にある。
1 試料室
2 評価室
3 コバール観察窓
4 トプコンBM7
5 電子銃
6 電子ビーム
7 発光
8 試料
9 光源側ファイバーホルダ
10 光源側レンズ
11 光源
12 ペレット試料
13 反射光
14 反射側レンズ
15 反射側ファイバーホルダ
2 評価室
3 コバール観察窓
4 トプコンBM7
5 電子銃
6 電子ビーム
7 発光
8 試料
9 光源側ファイバーホルダ
10 光源側レンズ
11 光源
12 ペレット試料
13 反射光
14 反射側レンズ
15 反射側ファイバーホルダ
Claims (2)
- 一般式M1xM22-xSi2OyS6-yRaz(M1,M2はアルカリ土類金属、RaはCe3+またはEu2+の希土類イオン、また0≦x≦2、0<y<6、z≧0.005)で示される希土類付活アルカリ土類チオシリケートであることを特徴とする電子線励起青色蛍光体。
- D65光源、2°視野での体色がa*>0かつb*<0の範囲にあり、更にL*a*b*表色系色度図にプロットした場合、その点と原点とを結ぶ直線がa*軸となす角度をφとした場合、39<φ<60の範囲にあることを特徴とする請求項1に記載された電子線励起青色蛍光体。
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