CN101061762A - 内置电容器的多层基板及其制造方法、冷阴极管点灯装置 - Google Patents

内置电容器的多层基板及其制造方法、冷阴极管点灯装置 Download PDF

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Abstract

旨在利用使用了内置电容器的多层基板的冷阴极管点灯装置，在用共同的电源，以均匀的亮度，使多个冷阴极管点灯的同时，还实现冷阴极管点灯装置的小型化，至少层叠4个导体层的内置电容器的多层基板，对于两面形成导体层的电介体层的部件，通过粘接层(P1、P2)，从其两侧加热后挤压在一个面上形成导体层的电介体层，将它们互相压接后形成，利用在穿通孔的内壁形成的连接部，电连接特定的导体层。

Description

内置电容器的多层基板及其制造方法、冷阴极管点灯装置
技术领域
[0001]
本发明涉及内置电容器的多层基板及其制造方法和使用该内置电容器的多层基板的冷阴极管点灯装置，特别涉及旨在使多个冷阴极管点灯的冷阴极管点灯装置。
背景技术
[0002]
荧光管按照其电极的结构，大致可分为热阴极管和冷阴极管。热阴极管(以下简称为“HCFL”)，在电极中有灯丝，采用将该灯丝加热后使其释放热电子从而发光的结构。另一方面，冷阴极管(以下简称为“CCFL”)，采用由外加高电压后释放许多电子的物质构成电极的结构。就是说，CCFL和HCFL不同，采用电极不包含释放热电子的灯丝的结构。这样，与HCFL相比，CCFL具有管径非常细、寿命很长而且消耗电力较少的优点。由于这些优点，CCFL主要作为液晶显示器的背景灯装置及传真机、扫描器的光源等特别迫切要求薄型化、小型化及节能化的产品中的光源，被广泛使用。
[0003]
另外，与HCFL相比，CCFL还具有放电开始电压高、放电时流过电极之间的放电电流(以下简称“管电流”)小而且阻抗大的电气特性。CCFL还特别具有电极之间的电阻值伴随着管电流的增大急剧减少的负性电阻特性。考虑到CCFL的这些电气特性，人们在冷阴极管点灯装置的结构(以下简称为“CCFL点灯装置”)上绞尽脑汁。特别是在CCFL的用途中，由于重视装置的小型化、薄型化及节能化，所以在CCFL点灯装置中，也迫切要求小型化、薄型化及节能化。
[0004]
作为现有技术的CCFL点灯装置，例如有日本的特开平8-273862号公报公开的技术。图12是表示这种现有技术的CCFL点灯装置的结构的电路图。图12所示的现有技术的CCFL点灯装置，具有高频振荡电路200、升压变压器300及阻抗匹配部400。
[0005]
高频振荡电路200，将来自直流电源100的直流电压变换成高频的交流电压，并将该交流电压外加给升压变压器300的初级线圈L1。升压变压器300使次级线圈L2的两端产生远比外加给初级线圈L1的电压高的电压。该很高的次级电压V，在阻抗匹配部400中被阻抗匹配后，外加给CCFL500的两端。阻抗匹配部400，例如具备扼流线圈401和电容器402的串联电路。电容器402包含CCFL500周边的寄生电容。在阻抗匹配部400中，通过调节扼流线圈401的阻抗和电容器402的电容，使升压变压器300和CCFL500之间的阻抗匹配。
[0006]
CCFL500点灯时，电压外加给升压变压器300的初级线圈L1后，阻抗匹配部400的扼流线圈401和电容器402就产生共振，从而使CCFL500的两端电压VR急剧上升，超过放电开始电压。其结果，CCFL500开始放电，开始发光。然后，流入CCFL500的电极之间的管电流IR增加，伴随着该管电流IR的增加，在负性电阻特性的作用下，CCFL500的电阻值急剧减少。伴随着CCFL500的电阻值急剧减少，CCFL500的两端电压VR下降。这时，在阻抗匹配部400的作用下，与CCFL500的两端电压VR的变动无关，管电流IR被稳定地维持。就是说，使CCFL500的亮度维持稳定状态。
[0007]
在图12所示的电路图中，将升压变压器300的次级线圈L2和扼流线圈401作为不同的电路元件表示。可是，在实际的CCFL点灯装置中，由于一个漏泄磁通型变压器的次级线圈具备升压、扼流及阻抗匹配等三个作用，而被兼用。这样，具有漏泄磁通型变压器的CCFL点灯装置，就是能够使部件数量少、装置尺寸小的结构。就是说，在现有技术的CCFL点灯装置中，由于认为漏泄磁通型变压器特别有利于小型化，所以被大量使用。
专利文献1：JP特开平8-273862号公报
专利文献2：JP特开2003-218536号公报
专利文献3：JP特开2004-200263号公报
专利文献4：JP特开2002-204073号公报
[0008]
液晶显示器中的背景灯装置，特别要求高亮度。这样，作为该背景灯装置，使用棒状的CCFL(冷阴极管)时，最好设置多个CCFL。在这种背景灯装置中，多个CCFL的各自的亮度最好相同。另外，为了实现这种液晶显示器领域中的重要的课题——小型化，使CCFL点灯的点灯装置必须小型化。为了满足这些要求，最好使多个CCFL并联连接，以便能够用相同的电压进行驱动。
[0009]
可是，由于以下的理由，使多个CCFL并联连接，用相同的电压进行驱动却相当困难。
[0010]
如前所述，CCFL具有负性电阻特性。这样，只单纯地将多个CCFL并联连接，点灯时电流就有可能只集中到某一个CCFL中，电流集中时，往往会出现只有该电流集中的一个CCFL点灯的现象。进而，即使将多个CCFL和共同的电源并联连接，各自的CCFL和电源之间的布线特别是其长度也不同。所以，寄生电容会随着CCFL的不同而不同。因此，即使将多个CCFL并联连接、驱动后，也需要按照各CCFL控制管电流，需要旨在消除管电流的离差(不一致性)的控制电路。
[0011]
在现有技术的CCFL点灯装置中，难以使下述事项全部成立：将一个漏泄磁通型变压器，作为对于多个CCFL而言的共同的扼流线圈加以利用；在一个漏泄磁通型变压器和各CCFL之间，高精度地进行阻抗匹配；以及高精度地控制每个CCFL的管电流。另外，即使取代漏泄磁通型变压器，使用压电变压器时，也同样。因此，在现有技术的CCFL点灯装置中，给每个CCFL设置一个电源(特别是漏泄磁通型变压器)，用各自的电源控制各自的管电流。就是说，在现有技术的CCFL点灯装置中，需要和CCFL相同的数量电源。这样，在现有技术的CCFL点灯装置中，难以减少部件数量，无法实现装置整体的更加小型化。
发明内容
[0012]
本发明旨在提供能够用一个电源使多个冷阴极管(CCFL)以相同的亮度点灯的冷阴极管点灯装置。本发明还旨在提供在该冷阴极管点灯装置中，利用多层基板，构成多个安定电容器(Bsllast Capacitor)，从而在实现更加小型化的同时，还具有稳定的性能，而且适合于批量生产的冷阴极管点灯装置。
[0013]
本发明涉及的内置电容器的多层基板，是隔着电介体层至少层叠4个导体层的内置电容器的多层基板，至少具有
第1部件(该第1部件在第1电介体层的一个面上，层叠具有规定的导体图案的第1导体层)、
第2部件(该第2部件在第2电介体层的两个面上，分别层叠具有规定的导体图案的第2导体层和第3导体层)、
第3部件(该第3部件在第3电介体层的一个面上，层叠具有规定的导体图案的第4导体层)、
第1粘接层(该第1粘接层配置在所述第1电介体层的另一个面和所述第2部件的一个面之间，粘接彼此的面)及
第2粘接层(该第2粘接层配置在所述第3电介体层的另一个面和所述第2部件的另一个面之间，粘接彼此的面)，
利用在该内置电容器的多层基板中的规定位置形成的穿通孔的连接部，连接特定的导体图案，形成多个导体层间电容器的块。
[0014]
本发明涉及的内置电容器的多层基板的制造方法，是隔着电介体层至少层叠4个导体层的内置电容器的多层基板的制造方法，至少具有下列工序：
在第1电介体层的一个面上，制造层叠具有规定的导体图案的第1导体层的第1部件的工序；
在第2电介体层的两个面上，制造分别层叠具有规定的导体图案的第2导体层和第3导体层的第2部件的工序；
在第3电介体层的一个面上，制造层叠具有规定的导体图案的第4导体层的第3部件的工序；
在所述第1电介体层的另一个面和所述第2部件的一个面之间，配置第1粘接层的工序；
在所述第3电介体层的另一个面和所述第2部件的另一个面之间，配置第2粘接层的工序；
通过所述做第1粘接层和所述第2粘接层媒介，将所述第1电介体层、所述第2电介体层和所述第3电介体层相互粘接地朝着夹紧方向加热后加压的工序；
在特定的导体图案的规定位置，形成穿通孔的工序；及
在所述穿通孔的内壁形成连接部，将特定的导体图案电连接后，形成多个导体层间电容器的块的工序。
[0015]
本发明涉及的冷阴极管点灯装置，是具备内置电容器的多层基板(该内置电容器的多层基板具有多个隔着电介体层至少层叠4个导体层后构成的安定电容器)及
低阻抗电源(该低阻抗电源具有低输出阻抗，通过所述安定电容器，向所述冷阴极管供给电力)的冷阴极管点灯装置，
所述内置电容器的多层基板，
是隔着电介体层至少层叠4个导体层的内置电容器的多层基板，至少具有
第1部件(该第1部件在第1电介体层的一个面上，层叠具有规定的导体图案的第1导体层)、
第2部件(该第2部件在第2电介体层的两个面上，分别层叠具有规定的导体图案的第2导体层和第3导体层)、
第3部件(该第3部件在第3电介体层的一个面上，层叠具有规定的导体图案的第4导体层)、
第1粘接层(该第1粘接层配置在所述第1电介体层的另一个面和所述第2部件的一个面之间，粘接彼此的面)及
第2粘接层(该第2粘接层配置在所述第3电介体层的另一个面和所述第2部件的另一个面之间，粘接彼此的面)，
利用在该内置电容器的多层基板中的规定位置形成的穿通孔的连接部，连接特定的导体图案，形成多个构成所述安定电容器的导体层间电容器的块。
[0016]
在多个冷阴极管中，通常由于设置条件(例如布线的长度、布线的图案、冷阴极管的管壁和装置外部(例如液晶显示器的外壳)的距离等)的差异，使周边的寄生电容产生离差，特别是流入管壁和装置外部之间的泄漏电流产生离差。
[0017]
在采用本发明的上述冷阴极管点灯装置中，和现有技术的冷阴极管点灯装置的前提相反，抑制电源的输出阻抗。与此同时，对于冷阴极管的每一个，至少一个个地连接安定电容器。
[0018]
安定电容器的电容，最好按照冷阴极管进行调节。这样，能够使安定电容器之间的电容的离差和多个冷阴极管之间的寄生电容的离差高精度地一致。就是说，使安定电容器各自的阻抗，和冷阴极管各自的周边的寄生电容的合成阻抗匹配。其结果，能够在多个冷阴极管之间，与由于设置条件的差异而产生的泄漏电流的离差无关，维持管电流的均匀。如上所述，按照冷阴极管调整安定电容器的电容后，即使低阻抗电源和安定电容器的每一个之间的布线较长，进而即使各安定电容器的电容有很大差异时，也能够在多个冷阴极管之间，使管电流不产生离差。这样，能够在多个冷阴极管之间，与设置条件的差异无关，维持均匀的亮度。
[0019]
在本发明的冷阴极管点灯装置中，能够用共同的低阻抗电源，以相同的亮度，使多个冷阴极管一样地点灯。
[0020]
本发明的冷阴极管点灯装置，对于布线的布局而言的柔软性高，即使布线较长时也能够使用。这时，最好将低阻抗电源安装在和本发明涉及的内置电容器的多层基板不同的基板上。能够不损坏多个冷阴极管之间的亮度的均匀化地而且很容易地实现这种基板的分离。
[0021]
使用低阻抗电源后，通常能够使尺寸较小地构成安定电容器及电路元件。另外，伴随着电力消耗而发热时，安定电容器的温度低。因此，能够将搭载安定电容器的内置电容器的多层基板，与搭载低阻抗电源的基板分离，在各冷阴极管的附近设置。这样，容易使由搭载安定电容器的内置电容器的多层基板和冷阴极管构成的部分薄型化。
[0022]
例如，作为液晶显示器的背景灯装置使用冷阴极管时，容易实现该液晶显示器的薄型化。就是说，本发明的冷阴极管点灯装置，作为液晶显示器的背景灯装置的驱动装置利用时，非常有利。
[0023]
本发明的冷阴极管点灯装置，采用低阻抗电源，而且将安定电容器的阻抗设定得很高，和CCFL的阻抗同等程度。这样，能够将本发明的冷阴极管点灯装置使用的安定电容器的电容设定成很小。因此，在本发明中，作为导体层间的电容，能够实现安定电容器。这时，由于将安定电容器完全埋入基板内部。所以能够使该安定电容器的尺寸特别是厚度，与现有技术的元件相比，显著变小。其结果，即使并列驱动多个冷阴极管时，也能够使冷阴极管点灯装置和冷阴极管之间的连接部分变小，特别薄地构成。这样，使冷阴极管点灯装置和冷阴极管之间的连接部分薄型化后，作为液晶显示器的背景灯装置的驱动装置利用时，特别有利。
[0024]
如上所述，在本发明的冷阴极管点灯装置中，使用具有安定电容器的内置电容器的多层基板后，对于装置整体的小型化非常有效。
[0025]
另外，由于在本发明的内置电容器的多层基板的内部，精度地均匀地形成各层的厚度高，所以内置电容器的多层基板中的安定电容器的电容的离差非常小。
[0026]
进而，在本发明的内置电容器的多层基板中，即使导体层的形状相当复杂，也能很容易地形成，而且能够很容易地调整内置电容器的多层基板的数量。这样，能够使多个安定电容器串联或并联。因此，在本发明的内置电容器的多层基板中，安定电容器的耐压和电容的设定的自由度非常高。
[0027]
在本发明的内置电容器的多层基板中，导体层最好由蒸镀的导体的膜构成。这种导体层具有所谓自我恢复作用，即能够在发生过电流时熔断，从而抑制过电流。这样，使用本发明的内置电容器的多层基板后，冷阴极管和冷阴极管点灯装置就成为能够避免过电流造成的破坏的结构。
[0028]
在本发明的冷阴极管点灯装置中，最好使安定电容器的阻抗、冷阴极管周边的寄生电容的合成阻抗及冷阴极管点灯时的阻抗匹配地进行调整。特别是安定电容器，至少具有4个导体层，在这些导体层之间，介有具有绝缘性的厚度均匀的电介体层——板芯材料后，能够在导体层互相电气性分离的状态下，使它们互相贴紧地一体化。而且，由于作为内置电容器的多层基板的导体层间的电容，形成安定电容器，所以其电容的设定容易，而且电容的离差很小。这样，在本发明中，能够按照安定电容器和冷阴极管的组合，高精度地调整阻抗匹配。由于采用这种结构，所以在本发明的冷阴极管点灯装置中，能够与多个冷阴极管周边的寄生电容的离差无关，均匀地保持管电流，所以能够切实维持均匀的亮度。
[0029]
在本发明的冷阴极管点灯装置中，由于是将整个安定电容器埋入内置电容器的多层基板内部的结构，所以和现有技术的冷阴极管点灯装置不同，将该内置电容器的多层基板本身的表面和冷阴极管的表面的间隔调节成所需的距离后，能够避免高温引起的误动作及绝缘破坏带来的故障。本发明的内置电容器的多层基板，由于耐热性和耐电压性都高，所以能够将内置电容器的多层基板的表面和冷阴极管的表面的间隔设定成很短。这样，在本发明的冷阴极管点灯装置中，冷阴极管和内置电容器的多层基板的连接部分的薄型化，就容易实现。该连接部分进一步薄型化后，作为液晶显示器的背景灯装置的驱动装置利用时，非常有利。
[0030]
在本发明的冷阴极管点灯装置中，最好与冷阴极管的长度方向(中心轴方向)正交地设置搭载安定电容器的内置电容器的多层基板的表面。这样，能够在将内置电容器的多层基板的表面和冷阴极管的表面的距离保持在安全的范围内的状态下，使冷阴极管和内置电容器的多层基板的连接部分小型化。进而，在本发明的结构中，能够很容易地使冷阴极管的端部(一个电极)与内置电容器的多层基板连接，而且能够稳定地保持该连接状态。
[0031]
搭载安定电容器的内置电容器的多层基板，最好采用其表面与冷阴极管的长度方向(中心轴方向)正交地设置，构成安定电容器的导体层中，离冷阴极管最近的导体层，与冷阴极管的电极连接，离冷阴极管最远的导体层，与低阻抗电源连接的构成。采用这种结构后，能够进一步抑制多个冷阴极管之间电极电位的变化的离差，进一步提高管电流的均匀性即亮度的均匀性。
[0032]
在本发明的冷阴极管点灯装置中，低阻抗电源最好包含与安定电容器连接、具有比多个冷阴极管的合成阻抗还低的输出阻抗的变压器。在本发明的冷阴极管点灯装置中，和现有技术的冷阴极管点灯装置的前提相反，抑制变压器的输出阻抗，所以能够实现低输出阻抗的电源。
[0033]
在本发明中，作为降低变压器的输出阻抗的有效的单元，该变压器例如采用具有磁芯、缠绕在该磁芯上的初级线圈和在该初级线圈的内侧或外侧或内、外侧缠绕的次级线圈的结构。采用这种结构后，由于泄漏磁通得到减少，所以在本发明中，输出阻抗被抑制。进而，在本发明中，还能够抑制泄漏磁通对周边机器的不良影响(例如产生噪声)。
[0034]
在本发明的冷阴极管点灯装置的低阻抗电源中，还可以取代上述变压器，使用功率晶体管，使该功率晶体管与安定电容器连接。利用功率晶体管后，能够很容易而且有效地减少输出阻抗。这样，本发明的冷阴极管点灯装置能够使更多的冷阴极管一样地点灯。
[0035]
本发明的内置电容器的多层基板，由于在该基板内部，由均匀的多层基板高精度地构成各层的厚度，所以能够非常小地设定形成的安定电容器的电容的离差。另外，在本发明的内置电容器的多层基板中，即使导体层的形状比较复杂，也能很容易地形成，而且能够比较容易地调整基板的层数。这样，在本发明的内置电容器的多层基板中，能够很容易地使多个安定电容器串联或并联，安定电容器的耐压和电容的设定的自由度非常高。
[0036]
另外，使用采用本发明的内置电容器的多层基板的冷阴极管点灯装置，利用与多个冷阴极管的每一个至少连接一个的多个安定电容器和共同的低阻抗电源，从而和现有技术的冷阴极管点灯装置不同，能够用共同的电源使多个冷阴极管均匀地点灯
[0037]
进而，本发明的内置电容器的多层基板，至少具有4个导体层，在这些导体层之间，介有具有绝缘性的厚度均匀的电介体层——板芯材料后，能够在导体层互相电气性分离的状态下，使它们互相贴紧地一体化。另外，在本发明中，由于构成具有内置电容器的多层基板中相对的多个导体层间的电容的安定电容器，所以能够切实制造具有均匀的电容的内置电容器的多层基板，作为可以批量生产的装置，能够很容易的实现具有内置电容器的多层基板的装置。
[0038]
在使用采用本发明的内置电容器的多层基板的冷阴极管点灯装置中，作为内置电容器的多层基板的导体层间的电容，形成安定电容器。这样，由于是将整个安定电容器埋入基板内部的结构，所以能够非常薄地形成的冷阴极管和冷阴极管点灯装置的连接部分。特别是将本发明的冷阴极管点灯装置，作为液晶显示器的背景灯装置的驱动装置利用时，利用上述结构的安定电容器，对液晶显示器的薄型化极其有效。
附图说明
[0039]
图1是表示搭载本发明涉及的实施例1的冷阴极管点灯装置的液晶显示器的背景灯装置的结构的立体图。
图2是沿着图1所示的II-II线进行切断后的液晶显示器的剖面图。
图3是表示本发明涉及的实施例1的CCFL点灯装置的结构的立体图。
图4是本发明涉及的实施例1的CCFL点灯装置包含的升压变压器的结构的分解组装示意图。
图5是沿着图4所示的V-V线进行切断后的升压变压器的剖面图。
图6是表示本发明的内置电容器的多层基板的各种结构的示意图。
图7是表示本发明涉及的实施例1的CCFL点灯装置中的第2基板和CCFL20的连接部附近的放大图。
图8是表示本发明涉及的实施例1的CCFL点灯装置中的第2块内的导体层的图案的平面图。
图9是表示本发明涉及的实施例1的CCFL点灯装置中的第2块的一部分的剖面图。
图10是为了讲述本发明涉及的实施例1的CCFL点灯装置中的第2块的内置电容器的多层基板的结构及其制造方法制造方法而绘制的图形。
图11是为了讲述本发明涉及的实施例1的CCFL点灯装置中的内置电容器的多层基板的各种理状态而绘制的图形。
图12是表示现有技术的CCFL点灯装置的结构的电路图。
图中：
[0040]
20冷阴极管(CCFL)
50第2多层基板
21A、21B导体图案
22A、22B导体图案
23A、23B导体图案
24A、24B导体图案
61第1穿通孔
62第2穿通孔
63第3穿通孔
64第4穿通孔
71第1连接部
72第2连接部
73第3连接部
74第4连接部
81第1导出线
82第2导出线
B1、B2、B3板芯材料
P1、P2预浸料坯(prepreg)
CB1、CB2及CB3安定电容器
X1第1导体层
X2第2导体层
X3第3导体层
X4第4导体层
具体实施方式
[0041]
下面，参照附图，讲述本发明涉及的冷阴极管点灯装置使用的内置电容器的多层基板及冷阴极管点灯装置的最佳的实施方式——实施例1。
实施例1
[0042]
图1是表示搭载本发明涉及的实施例1的冷阴极管点灯装置(以下简称为“CCFL点灯装置”)的液晶显示器的背景灯装置的结构的立体图。在图1中，在上侧描绘出液晶显示器的外壳10的背面。另外，为了表示出外壳10的内部，除去了外壳10的一部分背板和侧板。图2是沿着图1所示的II-II线进行切断后的剖面图。在图2的剖面图中，图1所示的箭头，表示视线方向。
[0043]
图1和图2所示的液晶显示器，具有外壳10、平行配置的多个冷阴极管(以下简称为“CCFL”)20、在CCFL20的背面侧配置的反射板30、在外壳10的背面(不和CCFL20相对的面)上设置的第1基板40、与CCFL20的一个电极20A连接的第2基板50、与CCFL20的另一个电极20B连接的第3基板60及在CCFL20的正面侧配置的液晶屏70(参照图2)。
[0044]
本发明涉及的实施例1的冷阴极管点灯装置中的电路构成，主要可以分为第1块A、第2块B及第3块C等三个块，各自的块A、B、C中的电路元件，被分别安装在第1基板40、第2基板50及第3基板60上。
[0045]
外壳10例如是金属制的小盒，被接地。这样，由于外壳10被接地，所以由CCFL20发射的电磁性的噪声及由外部射入的电磁性的噪声都被隔断。
[0046]
如图2所示，外壳10的正面侧(图2中的下侧)敞开。在外壳10的内侧，从其背面侧起，朝着正面侧的方向，依次配置反射板30、CCFL20及液晶屏70。
[0047]
细棒状的CCFL20，由多根(例如16根)构成，它们互相平行，而且实质上配置在同一个平面内。各CCFL20的两端，套着具有绝缘性、耐热性及收缩性的材料例如橡胶制的管(未图示)。这些管被由外壳10固定的托架(未图示)支承。这样，各CCFL20就利用托架互相平行，而且实质上保持在同一个平面内，各CCFL20的间隔被相等地配置。就是说，各CCFL20在液晶显示器的横向上平行，在纵向上以等间隔并列设置。
[0048]
与由各CCFL20的两端侧导出的电极20A、20B连接的第2基板50和第3基板60，例如在与CCFL20的长度方向(中心轴方向)正交的方向，设置在各CCFL20的两端侧。这样地配置第2基板50和第3基板60后，就能够将从第2基板50和第3基板60各自的表面到CCFL20的距离，维持成为安全的区域。所以，能够切实将从第2基板50和第3基板60到各CCFL20的距离配置成最佳最小距离，作为液晶显示器的背景灯装置，能够实现小型化。
[0049]
进而，如上所述地配置第2基板50和第3基板60后，易于安装CCFL20的两端的端子和第2基板50和第3基板60，而且能够用稳定的状态保持各CCFL20。
[0050]
在用实施例1的CCFL点灯装置构成的背景灯装置中，用多层印刷布线板构成第2基板50和第3基板60。此外，第2基板50和第3基板60也可以是柔软的多层印刷布线板。第2基板50和第3基板60，由具有耐热性及难燃性而且能够承受高电压的材料形成。因此，第2基板50和第3基板60成为耐热性及难燃性高、能够承受高电压的结构。
[0051]
第2基板50和第3基板60，分别层叠多个导电层(最好是铜箔)和多个绝缘层后构成。实施例1的绝缘层，用电介体层构成，例如由作为强化材料而包含玻璃纤维的环氧树脂基板构成。实施例1的CCFL点灯装置中的第2块B，是由第2基板50的半导体层的图案形状构成的电路。另外，第3块C是由第3基板60的半导体层的图案形状构成的电路。第2块B和第3块C，在各CCFL20中分别设置一个。第2块B和第3块C分别与CCFL20的两端的电极20A、20B(参照图2)(以下称作“第1电极20A及第2电极20B”)连接。在这里，在CCFL20的两端的电极20A、20B中，第1电极20A与第2块B中的导体图案连接，第2电极20B与第3块C中的导体图案连接。
[0052]
第2块B，其整体埋设在第2基板50的内部。另外，第3块C，其整体埋设在第3基板60的内部。这样，将第2基板50和第3基板60各自的表面与各CCFL20表面的间隔调节成所需的距离后，第2块B和第3块C就能够避免高温引起的误动作和绝缘破坏引起的故障。
[0053]
此外，由于实施例1中的第2基板50和第3基板60的耐热性及难燃性高，所以可以缩短第2基板50和第3基板60各自的表面与各CCFL20表面的间隔。特别是最好在外壳10的内部配置第2基板50和第3基板60，而且将其设置在CCFL20的两端侧的电极附近。这时，第2基板50和第3基板60的表面与CCFL20表面的间隔，取决于两者的温度差和电位差，例如是0.1～10[mm]。在本发明涉及的实施例1的CCFL点灯装置中，能够较小地设定CCFL20和各板(50、60的连接部分，而且能够很薄地设定CCFL点灯装置的厚度(正面和背面之间的距离)。
[0054]
第2块B和第3块C的各电路，与第1基板40上的第1块A连接。在图1中，没有绘出第1块A的电路和第2块B及第3块C之间的布线。在实施例1中，第1基板40设置在外壳10的背面侧的外侧。此外，该第1基板40并不局限于设置在外壳10的背面侧的外侧，可以根据装入该CCFL点灯装置的装置中的构造进行设定。第1块A与直流电源(未图示)连接。
[0055]
CCFL点灯装置，通过三个块A、B及C做媒件，将直流电源供给的电力分配给各CCFL20的每一个。其结果，CCFL20分别发光。CCFL20发出的光，直接或被反射板30反射，射入液晶屏70(参照图2所示的箭头)。液晶屏70，用规定的图案，隔断控制来自CCFL20的射入光，并且在液晶屏70的正面侧，映出该图案。
[0056]
图3是表示本发明涉及的实施例1的CCFL点灯装置的结构的立体图。如前所述，实施例1的CCFL点灯装置主要由三个块A、B及C构成。
[0057]
第1块A，具有高频振荡电路4和升压变压器5，作为并列共振型推挽变换器构成。高频振荡电路4，包含第1电容器41、振荡器42、第1晶体管43、变换器44、第2电容器45、第2晶体管46及电感器47。升压变压器5，包含用中性点M1分开的2个初级线圈51A和51B及次级线圈52。
[0058]
直流电源100的正极，与电感器47的一端连接，负极接地。第1电容器41，与直流电源100的两极间连接。电感器47的另一端，与升压变压器5的初级线圈51A、51B之间的中性点M1连接。在第1初级线圈51A的另一个端子53A和第2初级线圈51B的另一个端子53B之间，连接第2电容器C2。第1初级线圈51A的输入端子53A，进而和第1晶体管43的一端连接。第2初级线圈51B的端子53B，进而和第2晶体管46的一端连接。第1晶体管43和第2晶体管46各自的另一端，被共同接地。在实施例1中使用的2个晶体管43和46，最好是MOSFET。作为本发明的CCFL点灯装置中的第1晶体管43和第2晶体管46，除此之外，还可以是IGBT或双稳态晶体管。振荡器42，与第1晶体管43的控制端子直接连接，来自变换器44的输出信号，与第2晶体管46的控制端子直接连接。
[0059]
直流电源100，将输出电压Vi维持成恒定值(例如16[V])。第1晶体管43稳定地维持来自直流电源100的输入电压Vi。振荡器42，向两个晶体管43、46的控制端子发送恒定频率(例如45[kHz])的脉冲波。变换器44，使输入第2晶体管46的控制端子的脉冲波的极性和输入第1晶体管43的控制端子的脉冲波的极性相反。这样，两个晶体管43、46，以和振荡器42的频率相同的频率交替通断。其结果，向升压变压器5的初级线圈51A和51B交替外加输入电压Vi。每当外加该电压时，电感器47和第2电容器45就产生共振，升压变压器5的次级电压V的极性，就以和振荡器42的频率相同的频率反转。在这里，次级电压的有效值，实质上等于向初级线圈51A和51B外加的电压Vi和升压变压器5的升压比(即初级线圈51A和次级线圈52的匝数比)的积。在实施例1的冷阴极管点灯装置的结构中，最好将次级电压V的有效值设定成CCFL20的灯泡电压的1.5倍左右(例如1800[V])。
[0060]
如上所述，在第1块A中，将来自直流电源100的电压Vi变换成高频(例如45[kHz])的交流电压V。此外，作为本发明中的第1块A，并不局限于上述那种并列共振型推挽变换器，也可以是其它形式(包含变压器)的变换器。
[0061]
在本发明涉及的实施例1的CCFL点灯装置中，如后文所述，将升压变压器5的漏泄磁通控制得很小。这样，第1块A就作为输出阻抗低的电源、即低阻抗电源发挥作用。
[0062]
图4是实施例1的CCFL点灯装置使用的升压变压器5的结构的分解组装示意图。图5是沿着图4所示的V-V线进行切断后的升压变压器5的剖面图。在图5的剖面图中，图4所示的箭头，表示视线方向。
[0063]
如图4及图5所示，实施例1中的升压变压器5包含初级线圈51、次级线圈52、2个E型磁芯54和55、线轴56及绝缘带58。升压变压器5的初级线圈51，是将上述的在图3中所示的2个初级线圈51A和51B组合而成。线轴56例如用合成树脂制造，是具有中空部56A的圆筒形状。E型磁芯54和55各自的中央的突起54A和55A，从双方的开口部插入该中空部56A。在线轴56的外周面上，在轴方向上具有相同间隔地形成多个隔片57。
[0064]
升压变压器5的组装方法是：首先，在线轴56的隔片57之间，缠绕次级线圈52。接着，在次级线圈52的外侧，缠绕绝缘带58。最后，在绝缘带58的外侧，缠绕初级线圈51。这样将初级线圈51和次级线圈52重叠后，缠绕在线轴56的外周面上后，能够大大减少漏泄磁通。这样，能够使升压变压器5的损失较小，将输出阻抗设定得很低。该输出阻抗，特别设定得低于并联的多个CCFL20(参照图3)的所有的合成阻抗。在实施例1中，采用在次级线圈52的外侧缠绕初级线圈51的结构，但是也可以采用在初级线圈51的外侧缠绕次级线圈52的结构，或者采用在次级线圈52的内侧和外侧的两侧缠绕初级线圈51的结构。
[0065]
实施例1中的升压变压器5，对于线轴56而言，用分割缠绕的方式缠绕次级线圈52。此外，也可以采用象蜂巢形状那样，用六边形地缠绕次级线圈的蜂巢式缠绕的方式，缠绕到线轴56上的结构。采用这种结构后，能够防止线圈之间的放电，同时还能够减小线间电容。这样，能够非常高地设定升压变压器5中的次级线圈52自振频率。
[0066]
接着，讲述实施例1的CCFL点灯装置中的第2块B的具体的结构。
如图3所示，与各CCFL20的一个电极A连接的第2块B，分别例如由3个安定电容器CB1、CB2及CB3串联后构成。此外，在图3所示的实施例1的结构中，讲述了第2块B由CB1、CB2及CB3串联后构成的情况，但也可以是其它结构。例如可以使第2块B成为多个电容器的并联或串联和并联的组合。由多个电容器的并联构成第2块B时，能够将电容器的电容设定成很大。
[0067]
实施例1的CCFL点灯装置中的第2块B，由第2基板50中的导电层和绝缘层的多层结构的电容器构成。在第2块B中，通过电介体——绝缘层，形成被多个层叠的导体层，这样连接具有多个导体层的第2块B的一端侧后并联，构成与各CCFL20连接的电容器。采用这样的结构后，能够将第2块B的电容器的电容值设定成很大。
[0068]
以下讲述例如各第2块B形成的电容器是3个安定电容器CB1、CB2及CB3的情况。3个安定电容器CB1、CB2及CB3，利用层叠的4个导体层间的层间电容形成。在这些安定电容器CB1、CB2及CB3中，形成旨在使规定的导体层间导通的连接部分通过的穿通孔，将该穿通孔的内壁导体膜，作为表面电极。就是说，多个导体层被贯通穿通孔的连接部分连接成梳形结构。
[0069]
安定电容器CB1、CB2及CB3的电容，取决于第2基板50中的导体层的面积及电介体——绝缘层的大小。在实施例1中，讲述了3个安定电容器CB1、CB2及CB3的情况。但是由于安定电容器的数量取决于导体层间的耐压和电容器整体要求的耐压的关系，所以其数量不局限于3个。另外，如后文所述，变更安定电容器的数量非常容易。
[0070]
就是说，为了提高电容器整体要求的耐压，可以采用加大导体层间的距离及/或串联所需数量的电容器的方法。因此，使用多层基板后，能够很容易地形成具有适合于作为光源而设置的CCFL的耐压的电容器。
这样，使导体层间的距离和导体层间连接成为所需的结构后，就能够使为CCFL服务的电容器具有规定的容量和耐压。
[0071]
图6是CCFL点灯装置中的第2基板50形成的第2块B的内置电容器的多层基板的结构的示意图。在图6中，(A)所示的结构图表示实施例1的CCFL点灯装置中的内置电容器的多层基板。在图6的(A)中，用虚线包围的区域，从左边起依次是安定电容器CB1、CB2及CB3。
[0072]
如图6的(A)所示，在第2块B中，形成4层的导体层的图案。另外，在各层的导体层中，还按照该图案形状分成多个导体片。第1层的导体层，被电气性地分离成导体图案21A和21B。同样，第2层的导体层，被分离成导体图案22A和22B；第3层的导体层，被分离成导体图案23A和23B；第4层的导体层，被分离成导体图案24A和24B。在这些导体层间，形成电介体——绝缘层。
[0073]
第1层的导体图案21A和第3层的导体图案23A，被第1穿通孔61内形成的第1连接部71电连接。第2层的导体图案22A和第4层的导体图案24A，被第2穿通孔62内形成的第2连接部72电连接。第1层的导体图案21B和第3层的导体图案23B，被第3穿通孔63内形成的第3连接部73电连接。第2层的导体图案22B和第4层的导体图案24B，被第4穿通孔64内形成的第4连接部74电连接。
[0074]
在上述结构的第2块B中，导体图案重叠的区域，形成导体层间电容器。就是说，导体图案21A和22A的重叠部分、导体图案22A和23A的重叠部分及导体图案23A和24A的重叠部分，构成导体层间电容器。将这些导体层间电容器并联后，构成安定电容器CB1。在图6(A)中，重叠部分——导体层间电容器，是用交叉斜线表示的区域。
[0075]
同样，安定电容器CB2，用导体图案21B、22A、23B和24A的重叠部分构成；安定电容器CB3，用导体图案21B、22B、23B和24B的重叠部分构成。
在第2块B中，将上述结构的安定电容器CB1、CB2及CB3串联后，能够获得规定的电容器耐压。
[0076]
在图6中，(B)及(C)是表示结构和(A)所示的实施例1的内置电容器的多层基板不同的安定电容器的示意图。
在图6(B)所示的内置电容器的多层基板中，第1层的导体层，由导体图案21A构成。第2层的导体层，被分离成导体图案22A和22B；第3层的导体层，被分离成导体图案23A和23B；第4层的导体层，由导体图案24A构成。在这些导体层间，形成电介体——绝缘层。
[0077]
第1层的导体图案21A和第3层的导体图案23A，被第1穿通孔61内形成的第1连接部71电连接。第2层的导体图案22A和第4层的导体图案24A，被第2穿通孔62内形成的第2连接部72电连接。第1层的导体图案21B和第3层的导体图案23B，被第3穿通孔63内形成的第3连接部73电连接。第2层的导体图案22B和第4层的导体图案24A，被第4穿通孔64内形成的第4连接部74电连接。
[0078]
在上述结构的图6(B)所示的第2块B中，安定电容器CB1，用导体图案21A、22A、23A和24A的重叠部分构成；安定电容器CB2，用导体图案21A、22A、23B和24A的重叠部分构成；安定电容器CB3，用导体图案21A、22B、23B和24A的重叠部分构成。图6(B)所示的安定电容器CB1、CB2及CB3并联后，能够获得规定的电容器耐压。
[0079]
此外，并联构成安定电容器CB1、CB2及CB3时，还能够不用多个图案形状构成导体图案，而使各层的导体图案大致相同，作为连接各层的导体图案的一端的梳形结构后构成。
[0080]
在图6(C)所示的内置电容器的多层基板中，第1层的导体层，由导体图案21A构成。第2层的导体层，被分离成导体图案22A、22B和22C；第3层的导体层，被分离成导体图案23A和23B；第4层的导体层，被分离成导体图案24A、24B和24C。在这些导体层间，形成电介体——绝缘层。中，第1层的导体层
[0081]
第1层的导体图案21A和第3层的导体图案23A，被第1穿通孔61内形成的第1连接部71电连接。第2层的导体图案22A和第4层的导体图案24A，被第2穿通孔62内形成的第2连接部72电连接。第2层的导体图案22B和第4层的导体图案24B，被第3穿通孔63内形成的第3连接部73电连接。第1层的导体图案21A和第3层的导体图案23B，被第4穿通孔64内形成的第4连接部74电连接。第2层的导体图案22C和第4层的导体图案24C，被第5穿通孔65内形成的第5连接部75电连接。
[0082]
在上述结构的图6(C)所示的第2块B中，安定电容器CB1，用导体图案21A、22A、23A和24A的重叠部分构成；安定电容器CB2，用导体图案21A、22B、23B和24B的重叠部分构成；安定电容器CB3，用导体图案21A、22C、23B和24C的重叠部分构成。图6(C)所示的安定电容器CB1、CB2及CB3分别独立构成，分别具有规定的电容器电容。
[0083]
在图6(C)所示的内置电容器的多层基板中，各安定电容器CB1、CB2及CB3的电容，成为各导电层间的电容的合成值。另外，在该内置电容器的多层基板中，各安定电容器CB1、CB2及CB3的每一个，都形成输出端子。这样，图6(C)所示的内置电容器的多层基板，还能够在考虑电容器耐压、电容值后，选择各安定电容器CB1、CB2及CB3的连接方法及结构。就是说，需要电容器耐压时，使多个安定电容器串联(例如图6(A)的连接状态)。另外，需要电容器电容时，则使多个安定电容器并联(例如图6(B)的连接状态)。
这样，为了构成具有所需的电容器耐压及电容器电容的内置电容器的多层基板，能够适当选择导体层的数量、导体层之间的连接方法及各导体层的导体图案的数量等。
[0084]
接着，讲述搭载实施例1的CCFL点灯装置的背景灯装置中设置的内置电容器的多层基板的具体结构。
图7是表示具有第2块B的第2基板50和CCFL20的连接部附近的立体图。
[0085]
第2基板50，与互相平行地设置的多个CCFL20的长度方向(中心轴方向)正交地直立设置，并且设置在CCFL20的一端侧。第2基板50，与连接的CCFL20对应，被分成多个区域，各自的区域成为第2块B。各第2块B，由4个导体层构成。此外，在实施例1中，讲述了4个导体层的情况。但如果是构成电容器的部件，只要具有夹着电介体层的2个导体层就可以构成。
[0086]
在实施例1的内置电容器的多层基板中，各第2块B中的导体层的图案形状是共同的。另外，在实施例1的内置电容器的多层基板的第2块B中，第1导体层和第3导体层具有同样的图案形状，第2导体层和第4导体层具有同样的图案形状。
在图7的立体图中，表示出第2基板50设置的第1导体层(21A、21B)和第4导体层(24A、24B)。第1导体层(21A、21B)，位于第2基板50的表面侧(不与CCFL20相对的面的一侧)；第4导体层(24A、24B)，位于第2基板50的背面侧(与CCFL20相对的面的一侧)。
[0087]
第1导体层由2个导体层21A和21B构成。第2基板50设置的各第2块B，在各自的第1导体层21A的作用下，被互相电连接。此外，在位于一个平面上并列设置的多个CCFL20中的一端的与CCFL20对应的第2块B中，形成穿通孔60。该穿通孔60，在第2块B的第1导体层21A上形成，在其内壁形成导电体——金属膜(铜薄膜)。这样，穿通孔60的内壁的金属膜，成为表面电极，成为所有的第2块B的共同的输入端子。与穿通孔60的表面电极连接的第1引出线81，与第1基板40形成的第1块A(参照图1)连接。此外，第1引出线81被形成表面电极的穿通孔60内的金属膜软钎焊。
[0088]
另一方面，向CCFL20供给电力的第2引出线82，与第4导体层连接。第4导体层由2个导体层24A和24B构成。在第2导体层24B上，形成穿通孔64，在该穿通孔64的内壁，形成导电体——金属膜。这样，穿通孔64内的金属膜，成为表面电极。第2引出线82的一端，被形成表面电极的穿通孔64内的金属膜软钎焊。在实施例1中，穿通孔64，成为第2块B在的输出端子。第2引出线82的另一端，与对应的CCFL20中的一个电极(第1电极20A)连接。
[0089]
如上所述，在实施例1的内置电容器的多层基板中，将在各第2块B中形成的多个安定电容器CB1、CB2及CB3串联后，再将各第2块B并联。然后，通过安定电容器CB1、CB2及CB3，向CCFL20供给所需的电力。
[0090]
图8是表示实施例1的内置电容器的多层基板中构成第2块B的导体层的图案的图形。图8是从表面侧观察第2基板50的图形。实施例1的内置电容器的多层基板中的第2块B的结构，是上述图6的(A)所示的结构，导体层成为4层。从第2基板50的表面侧(不与CCFL20相对的面侧、即与外壳10的侧面相对的面侧)起，依次将这些导体层作为第1导体层(21A、21B)、第2导体层(22A、22B)、第3导体层(23A、23B)及第4导体层(24A、24B)。
[0091]
在图8中，用实线表示第1导体层的2个导体图案21A和21B，用虚线分别表示第2导体层的2个导体图案22A和22B及第4导体层的2个导体图案24A和24B。另外，用点划线表示第3导体层中的导体图案23A。第3导体层中的导体图案23B，因为是和第1导体层中的导体图案21B相同的形状，所以没有绘出。
[0092]
图9是表示沿着图8中的IX-IX线进行切断后的第2基板50中的第2块B的一部分的剖面图。图8所示的IX-IX线的箭头，表示图9的剖面图中的视线方向。为了使以下的讲述从视觉上容易进行，在图9中，将第2基板50的厚度方向(图9中的上下方向)比长度方向(图9中的左右方向)放大后表示。
[0093]
在图9中，从第2基板50的表面侧(图9的上侧)起，依次放大后表示第1导体层(21A、21B)、第2导体层(22A)、第3导体层(23A、23B)及第4导体层(24A)。
[0094]
如图8及图9所示，在第2块B中，2个第1导体层(21A、21B)，和2个第3导体层(23A、23B)具有大致相同的图案，特别是第1导体层的导体图案21B和第3导体层的导体图案23B，具有相同的形状。就是说，在与第2基板50的表面正交的方向重叠地形成第1导体层的导体图案21B和第3导体层的导体图案23B。另外，虽然第3导体层的导体图案23A和第1导体层的导体图案21A重叠地形成，但是因为第1导体层的导体图案21A具有和邻接的第2块B中的第1导体层的导体图案21A的连接部分，所以和第3导体层的导体图案23A不同。这是由于第3导体层的导体图案23A和邻接的第2块B的第3导体层的导体图案23A分离，没有连接部分的缘故。
[0095]
如图8所示，第1导体层的导体图案21A和第3导体层的导体图案23A，被第1穿通孔61的内壁形成的第1连接部71电连接。第1导体层的导体图案21B和第3导体层的导体图案23B，被第3穿通孔63的内壁形成的第3连接部73电连接。
[0096]
同样，2个第2导体层(22A、22B)，和2个第4导体层(24A、24B)具有相同的图案，第2导体层(22A、22B)和第4导体层(24A、24B)具有相同的形状，以便在与第2基板50的表面正交的方向重叠。第2导体层的导体图案22A和第4导体层的导体图案24A，被第2穿通孔62的内壁形成的第2连接部72连接(参照图9)。第2导体层的导体图案22B和第4导体层的导体图案24B，被第4穿通孔64的内壁形成的第4连接部74连接。
关于上述的连接状态，参照上文讲述的图6所示的第1导体层(21A、21B)、第2导体层(22A、22B)、第3导体层(23A、23B)及第4导体层(24A、24B)的示意图。
[0097]
图10是表示第2基板50中的第2块B的制造方法的结构剖面图。如图10所示，第2基板50在第1导体层(21A、21B)、第2导体层(22A、22B)、第3导体层(23A、23B)及第4导体层(24A)之间，层叠电介体——绝缘层例如3枚板芯材料B1、B2及B3地配置后形成。作为实施例1中的3枚板芯材料B1、B2及B3，例如是作为强化材料而包含玻璃纤维的环氧树脂制造的板材，厚度最好在0.1～1.6[mm]的范围内。
[0098]
在图10中，最上面的第1导体层X1，具有前文讲述的第1导体层(21A、21B)的图案形状；第2个的第2导体层X2，具有第1导体层(22A、22B)的图案形状；第3个的第3导体层X3，具有第3导体层(23A、23B)的图案形状；第4个的第4导体层X4，具有第4导体层(24A、24B)的图案形状。此外，在实施例1中使用的3枚板芯材料B1、B2及B3，是均匀的，具有相同的厚度。
[0099]
第1导体层X1，被固定在第1板芯材料B1的上面，形成第1部件Y1。第2导体层X2和第3导体层X3，被分别固定在第2板芯材料B2的上面和下面，形成第2部件Y2。而第4导体层X4，被固定在第3板芯材料B3的下面，形成第3部件Y3。各导体层X1、X2、X3及X4，厚度例如分别为12～70[μm]，最好是35[μm]的铜箔膜，通过蒸镀后形成。进而，各导体层X1、X2、X3及X4的图案形状，最好通过腐蚀后形成。
[0100]
在第1部件Y1、第2部件Y2和第3部件Y3之间，分别配置预浸料坯(使碳素纤维等强化材料浸渍到环氧树脂等的合成树脂中的模塑用中间材料)P1、P2，而被互相粘接。预浸料坯P1、P2的厚度，例如最好在20～400[μm]的范围内。另外，预浸料坯P1和P2的厚度，最好大致相等。
[0101]
第2基板50的多层基板的制造方法，例如批量生产时，如图10所示，预先在它们之间，夹着预浸料坯P1、P2，配置具备具有规定的导体图案(21A、21B)的第1导体层X1的第1部件Y1、在两面具备具有规定的导体图案(22A、22B)的第1导体层X2和具有规定的导体图案(23A、23B)的第3导体层X3的第2部件Y2、具备具有规定的导体图案(24A、24B)的第4导体层X4的第3部件Y3，将其整体加热后从上下挤压，从而使互相邻接的层压接。这样加热压接后，就制造出内置电容器的多层基板。这时，具有导体层的3枚板芯材料B1、B2及B3被挤压、压接，其内部不会产生空隙。
此外，该制造方法中的加热温度，在融化预浸料坯树脂的温度区域——80℃～140℃的范围中，用1℃/分——5℃/分的升温速度，将其加热，然后在170℃～200℃中保持20分钟以上，使预浸料坯树脂硬化。挤压力，作为初始压力，以0.5MPa左右的压力，加压5～10分钟，然后用2.0MPa～4MPa进行挤压加工。
[0102]
如上所述，在实施例1的第2基板50的制造中，在规定的温度条件下，单纯地加压后使它们互相压接，从而能够使层间的厚度一定，形成稳定的多层基板结构。另外，采用第2基板50的制造方法后，因为是对其整体进行挤压压接的方法，所以能够切实防止粘接层——预浸料坯P1、P2内产生空隙。
[0103]
这样，采用实施例1的多层基板的制造方法后，各导体层间的电容大致相等、均匀，能够很容易地而且切实地制造可靠性高的高精度的内置电容器的多层基板。
[0104]
下面，使用图11，讲述采用实施例1中讲述过的制造方法制造的内置电容器的多层基板的层间电容。图11是表示本发明的内置电容器的多层基板的各种结构例的示意图。
如前所述，实施例1中的导体层X1、X2、X3及X4，是4层构造，各导体层间的电气性的连接，通过穿通孔61～64内的连接部71～74做媒介后进行(参照图8)。
[0105]
在图11中，用符号T和符号U表示穿通孔内的连接部。图11的(A)，表示在4层的导体层中，利用第1连接部T和第2连接部U，每隔一层梳形连接导体层的情况。就是说，用第2连接部U连接第1导体层X1和第3导体层X3，用第1连接部T连接第2导体层X2和第4导体层X4。
[0106]
图11(B)所示的内置电容器的多层基板，将第1导体层X1作为一方的表面电极，与第2连接部U连接；将第4导体层X4作为另一方的表面电极，与第1连接部T连接。这样，在图11(B)所示的内置电容器的多层基板中，对于表面电极而言，第2导体层X2及第3导体层X3就是电容结合。
[0107]
图11(C)表示将导体层作为5层时的情况。图11(C)所示的内置电容器的多层基板，用第2连接部U连接第1导体层X1和第3导体层X3；用第1连接部T连接第2导体层X2和第5导体层X5。
[0108]
在图11(A)～(C)所示的结构中，将具有第1导体层X1和第2导体层X2的层间电容的电容器，作为安定电容器CX1；将具有第2导体层X2和第3导体层X3的层间电容的电容器，作为安定电容器CX2；将具有第3导体层X3和第4导体层X4的层间电容的电容器，作为安定电容器CX3。另外，在图11(C)中，还将具有第4导体层X4和第5导体层X5的层间电容的电容器，作为安定电容器CX4。在图11中，实际上除了表示的安定电容器CX1、CX2、CX3、CX4以外，在各导体层的重叠部分还存在层间电容。但为了简单起见，以下使用图11所示的安定电容器CX1、CX2、CX3及CX4，进行讲述。
[0109]
在图11(A)所示的内置电容器的多层基板的结构中，由于各导体层被梳形连接，所以各层间形成的安定电容器CX1、CX2及CX3成为并联，能够将其电容值设定得很大。
在图11(B)所示的内置电容器的多层基板的结构中，由于是第2导体层X2和第3导体层X3不与连接部T、U连接的电容结合构造，所以安定电容器CX1、CX2及CX3成为串联，能够提高作为整体的电容器的耐压。
[0110]
在图11(C)所示的内置电容器的多层基板的结构中，导体层是5层结构，安定电容器CX1和CX2并联，安定电容器CX3和CX4串联。而且是各自的合成电容进而并联的结构。这样，图11(C)所示的内置电容器的多层基板，在能够将其电容值设定得很大的同时，还能够提高作为整体的电容器的耐压。另外，在图11(C)所示的内置电容器的多层基板的结构中，还可以通过第2连接部U，使安定电容器CX3和CX4的共同导电层——第4导体层X4与作为表面电极的第1导体层X1连接。
[0111]
此外，在本发明的内置电容器的多层基板中，可以形成比5层还多的导体层，构成更多的安定电容器。这样地形成多个导体层后，能够切实获得内置电容器的多层基板必要的所需的电容器电容值和耐压。
[0112]
接着，具体讲述本发明涉及的实施例1的CCFL点灯装置中上述结构的内置电容器的多层基板。
在实施例1的CCFL点灯装置中使用的内置电容器的多层基板，如前所述，各层的导体层具有电气性分离的多个导体图案，这些导体图案的重叠部分，被作为安定电容器使用。下面，各具体地讲述连接这样构成的多个电容器后构成的实施例1的内置电容器的多层基板。
[0113]
如上文讲述的图8和图9中所示，在各导体层X1、X2、X3及X4中，形成电气性分离的多个导体图案(21A和21B、22A和22B、23A和23B、24A和24B)。就是说，在第1导体层X1中，形成导体图案(21A和21B)；在第2导体层X2中，形成导体图案(22A和22B)；在第3导体层X3中，形成导体图案(23A和23B)；在第4导体层X4中，形成导体图案(24A和24B)。如前所述，在第1导体层X1和第3导体层X3中形成的导体图案，除了和邻接的安定电容器的连接部分的导体部分以外，具有大致相同的导体图案。另外，形成的导体图案具有相同的形状。就是说，第1导体层X1的导体图案(21A)，除了和邻接的安定电容器的连接部分的导体部分以外，和第3导体层X3的导体图案(23A)大致相同。而且，第1导体层X1的导体图案(21B)和第3导体层X3的导体图案(23B)是相同的形状；第2导体层X2的导体图案(22A)和第4导体层X43的导体图案(24A)是相同的形状；第2导体层X2的导体图案(22B)和第4导体层X4的导体图案(24B)是相同的形状。各导体层X1、X2、X3及X4，被以所谓梳形结构连接，上述导体图案的重叠部分，构成安定电容器CB1、CB2、CB3。在实施例1的结构中，这些安定电容器CB1、CB2、CB3被串联，其一端与CCFL(冷阴极管)20连接。
[0114]
在与图8所示的CCFL20连接的第2块B中，在第1～第4导体层X1、X2、X3及X4中的各导体图案21A、22A、23A及24A重叠的区域，构成合成这些层间电容的第1安定电容器CB1。例如在图8中，用斜线表示的重叠区域，用符号CB1表示的斜线区域，大致成为第1安定电容器CB1的形成区域。该第1安定电容器CB1，实质上和主要的3个层间电容即第1导体层X1的导体图案(21A)和第2导体层X2的导体图案(22A)之间的层间电容、第2导体层X2的导体图案(22A)和第3导体层X3的导体图案(23A)之间的层间电容及第3导体层X3的导体图案(23A)和第4导体层X4的导体图案(24A)之间的层间电容的并联等值。
[0115]
同样，第2安定电容器CB2的电容，成为第1导体层X1的导体图案(21B)和第2导体层X2的导体图案(22A)、第2导体层X2的导体图案(22A)和第3导体层X3的导体图案(23B)及第3导体层X3的导体图案(23B)和第4导体层X4的导体图案(24A)之间的层间电容的合成值。例如在图8中，用符号CB2表示的斜线区域，大致成为第2安定电容器CB2的形成区域。
另外，第3安定电容器CB3的电容，成为第1导体层X1的导体图案(21B)和第2导体层X2的导体图案(22B)、第2导体层X2的导体图案(22B)和第3导体层X3的导体图案(23B)及第3导体层X3的导体图案(23B)和第4导体层X4的导体图案(24B)之间的层间电容的合成值。例如在图8中，用符号CB3表示的斜线区域，大致成为第3安定电容器CB3的形成区域。
[0116]
如上所述，在实施例1的CCFL点灯装置中使用的内置电容器的多层基板中，3个安定电容器CB1、CB2及CB3，作为所谓梳形连接的电容器构成。
[0117]
实施例1的内置电容器的多层基板中的安定电容器CB1、CB2及CB3，其各自的电容是数[pF]左右。该电容例如可以通过适当调整导体图案的重叠面积、板芯材料B1、B2及B3的厚度、预浸料坯P1、P2的厚度进行调节。另外，内置电容器的多层基板中的安定电容器的电容，可以通过增加层叠结构中的层数，大幅度地变更各安定电容器的电容。
[0118]
在实施例1的CCFL点灯装置的第2基板50的第2块B中，构成第1安定电容器CB1的一端侧的第1导体层X1的导体图案(21A)和第3导体层X3的导体图案(23A)，与电源侧——第1块A连接。另一方面，在第2块B中，构成第3安定电容器CB3的一端侧的第2导体层X2的导体图案(22B)和第4导体层X4的导体图案(24B)，与CCFL20的一个电极20A连接。
[0119]
在实施例1的CCFL点灯装置的第2基板50中，到外壳10的侧面越远的导体层，与装置外部(例如外壳10等)之间的寄生电容越小。就是说，在实施例1中，第4导体层X4与装置外部之间的寄生电容最小，是几乎没有的状态。这样，在实施例1的连接第2基板50的第2块B中的第4导体层X4和CCFL20的第1电极20A的结构中，成为第1电极20A的电位不容易受到导体层和装置外部之间的寄生电容带来的影响的结构。
[0120]
另一方面，向第2块B供给电源的第1块A的输出，与第2块B中的导体层和装置外部之间的寄生电容的大小无关，非常稳定。这样，在中，多个之间的电位变化不容易产生离差的结构，所以能够提高管电流的均匀性即亮度的均匀性。
[0121]
在实施例1的CCFL点灯装置的结构中，在与各CCFL20的第2电极20B连接的第3块C中，形成连接CCFL20的第2电极20B和接地的连接部分(参照图3)。例如在第3基板60内部形成的导体层，连接CCFL20的第2电极20B和装置外部的接地导体。这样，各CCFL20的第2电极20B，就通过第3块C接地。
[0122]
另外，在实施例1的CCFL点灯装置的结构中，与各CCFL20的第1电极20A连接的第2块B，如图3所示，与次级线圈52的一端连接。次级线圈52的另一端被接地。
[0123]
在CCFL20的周边，存在着各种各样的寄生电容(未图示)。在该寄生电容中，例如包含CCFL20和外壳10之间的寄生电容SC(参照图2)及连接第2块A、第2块B、CCFL20、第3块C及接地导体的布线的寄生电容。这样，CCFL20的周边的寄生电容，就随着CCFL20的不同而不同。这些寄生电容的合计例如是数[pF]左右。
[0124]
在实施例1的CCFL点灯装置的结构中，安定电容器CB1、CB2及CB3的整体的电容，被按照各第2块B进行调整。就是说，按照并列设置的多个CCFL20进行调节。例如：增加第1～第4导体层X1、X2、X3及X4中各自的导体图案(21A、22A、23A及24A)重叠区域的面积，能够使该安定电容器CB1的电容增加。图8中用斜线表示的安定电容器CB1、CB2及CB3，可以考虑和对应的CCFL20之间的设置条件(例如布线的长度、导体图案的形状、CCFL20的管壁和外壳10的距离、各CCFL20之间的距离等)后，调整其电容。
[0125]
例如并列设置的多个CCFL20中，到外壳10的侧面最近的CCFL20，其管壁和外壳10的侧面之间的寄生电容SC大。这样，与该CCFL20连接的安定电容器CB1、CB2及CB3整体的电容就被设定得很大。
[0126]
如上所述，在实施例1的CCFL点灯装置的结构中，按照各自的CCFL20和第2块B的组合调整电容，使安定电容器CB1、CB2及CB3整体的电容和CCFL20的周边的寄生电容实质上一致。就是说，使安定电容器CB1、CB2及CB3整体的阻抗，和CCFL20的周边的寄生电容的合成阻抗匹配。
[0127]
在实施例1的CCFL点灯装置的结构中，由于第1块A的输出阻抗低，所以能够很容易地实现上述阻抗匹配。
[0128]
此外，最好将安定电容器CB1、CB2及CB3整体的阻抗，设定成和各CCFL20的每一个点灯时的阻抗匹配。
[0129]
在本发明涉及的实施例1的CCFL点灯装置中，如上所述，和现有技术的CCFL点灯装置的前提相反，抑制升压变压器5的输出阻抗。与此同时，对于CCFL20的每一个，一组一组地连接安定电容器CB1、CB2及CB3的串联体。此外，还可以考虑与CCFL连接的电容器应该具有的电容值和耐压，选择安定电容器CB1、CB2及CB3的连接方法，例如用并联连接体或串联和并联的混合连接体构成。
[0130]
在本发明涉及的实施例1的CCFL点灯装置中，特别单独设定与CCFL20连接的连接体的阻抗，以便抵消多个CCFL20之间的周边的寄生电容之差。这样，能够在多个CCFL20之间，使管电流不产生离差地维持各CCFL20中的均匀的亮度。
[0131]
上述本发明涉及的实施例1的CCFL点灯装置，能够利用共同的低阻抗电源(第1块A)，使多个CCFL20均匀地点灯。进而，在实施例1的CCFL点灯装置中，采用即使第1块A、第2块B及第3块C中各自之间的布线较长也能够适合的结构。另外，实施例1的CCFL点灯装置，即使电容随着CCFL20的不同而有很大差异时，也能够利用安定电容器CB1、CB2及CB3进行调整，所以成为布线的布局的柔软性高的结构。这样，本发明涉及的实施例1的CCFL点灯装置，是能够很容易地实现装置整体的小型化的通用性高的装置。
[0132]
进而，在本发明涉及的实施例1的CCFL点灯装置中，安定电容器CB1、CB2及CB3的每一个，采用合成第2基板50内的导体层间的电容的结构。由于采用这种结构，所以实施例1的CCFL点灯装置能够将安定电容器CB1、CB2及CB3的整体埋入第2基板50的内部。其结果，能够使CCFL20和第2基板50的表面的距离非常短，成为有利于使整个装置小型化的结构。
[0133]
由在上述实施例1的CCFL点灯装置中的讲述可知：在本发明的CCFL点灯装置中，安定电容器CB1、CB2及CB3的利用，例如对于液晶显示器等电子机器的薄型化极其有效，而且第2基板50使用厚度几乎是均匀的板芯材料，通过挤压、压接而易于制造，所以能够很容易地而且切实地批量生产电容均匀的、可靠性高的内置电容器的多层基板。
[0134]
本发明在旨在使作为光源而使用的冷阴极管点灯的冷阴极管点灯装置中大有用处。

Claims (24)

1、一种内置电容器的基板，是隔着电介体层至少层叠4个导体层的内置电容器的多层基板，至少具有：
第1部件，该第1部件在第1电介体层的一个面上，层叠具有规定的导体图案的第1导体层；
第2部件，该第2部件在第2电介体层的两个面上，分别层叠具有规定的导体图案的第2导体层和第3导体层；
第3部件，该第3部件在第3电介体层的一个面上，层叠具有规定的导体图案的第4导体层；
第1粘接层，该第1粘接层配置在所述第1电介体层的另一个面与所述第2部件的一个面之间，粘接彼此的面；以及
第2粘接层，该第2粘接层配置在所述第3电介体层的另一个面与所述第2部件的另一个面之间，粘接彼此的面，
利用在该内置电容器的多层基板中的规定位置形成的穿通孔的连接部，连接特定的导体图案后，形成多个导体层间电容器的块。
2、如权利要求1所述的内置电容器的多层基板，其特征在于：所述多个块，经穿通孔的连接部，由导体图案串联连接。
3、如权利要求1所述的内置电容器的多层基板，其特征在于：所述多个块，经穿通孔的连接部，由导体图案并联连接。
4、如权利要求1所述的内置电容器的多层基板，其特征在于：在所述块中层叠的导体图案，每隔1层，具有实质上相同的形状。
5、如权利要求1所述的内置电容器的多层基板，其特征在于：在所述块中层叠的导体图案，每隔1层，具有实质上相同的形状；特定的导体图案，每隔1层由穿通孔的连接部连接后形成梳状构造；多个导体层间电容器串联连接。
6、如权利要求1所述的内置电容器的多层基板，其特征在于：各粘接层，由含有碳素纤维的强化材料的环氧树脂类的合成树脂构成。
7、如权利要求6所述的内置电容器的多层基板，其特征在于：各电介体层的材料，由包含了作为强化材料的玻璃纤维的环氧树脂基板构成。
8、如权利要求1所述的内置电容器的多层基板，其特征在于：被用于并列设置的多个冷阴极管的点灯装置，并与所述冷阴极管的中心轴正交地配置。
9、一种内置电容器的多层基板的制造方法，是隔着电介体层至少层叠4个导体层的内置电容器的多层基板的制造方法，至少具有下列工序：
制造第1部件的工序，该第1部件在第1电介体层的一个面上，层叠具有规定的导体图案的第1导体层；
制造第2部件的工序，该第2部件在第2电介体层的两个面上，分别层叠具有规定的导体图案的第2导体层和第3导体层；
制造第3部件的工序，该第3部件在第3电介体层的一个面上，层叠具有规定的导体图案的第4导体层；
在所述第1电介体层的另一个面与所述第2部件的一个面之间，配置第1粘接层的工序；
在所述第3电介体层的另一个面与所述第2部件的另一个面之间，配置第2粘接层的工序；
通过所述第1粘接层和所述第2粘接层，使所述第1电介体层、所述第2电介体层和所述第3电介体层相互粘接地朝着夹紧方向加热并加压的工序；
在特定的导体图案的规定位置，形成穿通孔的工序；以及
在所述穿通孔的内壁形成连接部，将特定的导体图案电连接后，形成多个导体层间电容器的块的工序。
10、如权利要求8所述的内置电容器的多层基板的制造方法，其特征在于：所述多个块，经穿通孔的连接部，由导体图案串联连接。
11、如权利要求8所述的内置电容器的多层基板的制造方法，其特征在于：所述多个块，经穿通孔的连接部，由导体图案并联连接。
12、如权利要求8所述的内置电容器的多层基板的制造方法，其特征在于：在所述块中层叠的导体图案，每隔1层，具有实质上相同的形状。
13、如权利要求8所述的内置电容器的多层基板的制造方法，其特征在于：导电层由金属薄膜的蒸镀后形成。
14、如权利要求8所述的内置电容器的多层基板的制造方法，其特征在于：各粘接层，由含有碳素纤维的强化材料的环氧树脂类的合成树脂构成。
15、如权利要求13所述的内置电容器的多层基板的制造方法，其特征在于：各电介体层的材料，由包含作为强化材料的玻璃纤维的环氧树脂基板构成。
16、一种冷阴极管点灯装置，具备：
内置电容器的多层基板，该内置电容器的多层基板具有多个隔着电介体层至少层叠4个导体层后构成的安定电容器；和
低阻抗电源，该低阻抗电源具有低输出阻抗，通过所述安定电容器，向所述冷阴极管供给电力，
所述内置电容器的多层基板，隔着电介体层至少层叠4个导体层，
至少具有：
第1部件，该第1部件在第1电介体层的一个面上，层叠具有规定的导体图案的第1导体层；
第2部件，该第2部件在第2电介体层的两个面上，分别层叠具有规定的导体图案的第2导体层和第3导体层；
第3部件，该第3部件在第3电介体层的一个面上，层叠具有规定的导体图案的第4导体层；
第1粘接层，该第1粘接层配置在所述第1电介体层的另一个面与所述第2部件的一个面之间，粘接彼此的面；以及
第2粘接层，该第2粘接层配置在所述第3电介体层的另一个面与所述第2部件的另一个面之间，粘接彼此的面，
使用了利用在该内置电容器的多层基板中的规定位置形成的穿通孔的连接部，连接特定的导体图案后，形成多个构成所述安定电容器的导体层间电容器的块的内置电容器的多层基板。
17、如权利要求15所述的冷阴极管点灯装置，其特征在于：使用了所述多个块，经穿通孔的连接部，由导体图案串联的内置电容器的多层基板。
18、如权利要求15所述的冷阴极管点灯装置，其特征在于：使用了所述多个块，经穿通孔的连接部，由导体图案并联的内置电容器的多层基板。
19、如权利要求15所述的冷阴极管点灯装置，其特征在于：使用了在所述块中层叠的导体图案，每隔1层，具有实质上相同的形状的内置电容器的多层基板。
20、如权利要求15所述的冷阴极管点灯装置，其特征在于：将低阻抗电源安装在与所述内置电容器的多层基板不同的基板上。
21、如权利要求15所述的冷阴极管点灯装置，其特征在于：是并列设置的多个冷阴极管的点灯装置，在与所述冷阴极管的中心轴正交地配置的内置电容器的多层基板中，在不同的区域形成各冷阴极管的电源供给电路。
22、如权利要求15所述的冷阴极管点灯装置，其特征在于：在所述内置电容器的多层基板中的多个导体层中，离冷阴极管最近的导体层，与冷阴极管的电极连接，离冷阴极管最远的导体层，与低阻抗电源连接。
23、如权利要求15所述的冷阴极管点灯装置，其特征在于：所述低阻抗电源，包含变压器；所述变压器，具有磁芯、绕在该磁芯上的初级线圈、和绕在该初级线圈的内侧或外侧或内外两侧的次级线圈。
24、如权利要求15所述的冷阴极管点灯装置，其特征在于：所述低阻抗电源，具有功率晶体管。
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