CN101054722A - 一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法,首先将经还原处理的金属硅粉碎,再用王水、氢氟酸进行酸洗,酸洗后送入单晶硅提拉炉熔融后进行提拉,利用单晶硅提拉炉抽真空设施隔离空气提纯,经粗提后的多晶硅材料进入区熔炉,使区熔炉内形成区间温度梯度,运用热趋法排除硅渣杂质,即可得到高于99.9999%纯度的多晶硅原料。本发明的优点是:充分利用传统工艺设备如单晶硅提拉炉、区熔炉并无需进行改造,就能达到大幅度降低能耗和提升产能;其工艺步骤少,操作简单,适用于任何型式的单晶硅提拉炉。
Description
技术领域
本发明涉及一种利用单晶硅提拉炉做粗提,再用区熔炉做精纯处理的太阳能多晶硅原料提纯制备方法。
背景技术
国际上电子级高纯
多晶硅原料制备的主流技术是西门子法即三氯氢硅(SiHCl3)还原法和硅烷(SiH4)热分解法,该工艺利用干燥氯化氢在沸腾床中与冶金硅粉反应:Si(s)+3HCl(g)=SiHCI3(g)+H2(g)(放热)生成的SiHCI3与PCI3和BCl3在相对挥发度上有较大差异(它们的沸点分别为31.8℃,74℃和13℃,能有效地用精馏提纯。最后在1100℃用H2还原SiHCI3,事先氯化反应地逆过程:SiHCI3(g)+H2(g)Si(s)+3HCl(g)反应析出固态的硅,击碎后便成为块状多晶硅。这样就可以得到纯度为99.9999999%的多晶硅原料,换句话说,也就是平均十亿个硅原子中才有一个杂质原子。同时世界各国还有使用改良西门子法(即俄罗斯法)、硅烷法、流态化床法、冶金法,其中改良西门子法占全球产量的80%以上。但无一例外无论采用那一种工艺方法,平均提纯每公斤多晶硅原料耗电都在250---400度左右,高能耗,高投入低产出是多晶硅原料成本高居不下的主要原因,严重制约了太阳能电池的普及使用。
发明内容
本发明的目的是提供一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法,实现高效率低能耗的目的。
本发明是这样来实现的,其制备方法如下,首先将经还原处理的金属硅粉碎,再用王水、氢氟酸进行酸洗,酸洗后送入单晶硅提拉炉熔融后进行提拉,利用单晶硅提拉炉抽真空设施隔离空气,跳过单晶硅掺杂工序,提高提拉炉坩锅上升速度(提单晶硅为0---30mm/h,粗提多晶硅为20-50mm/h),同时利用单晶硅提拉炉的垂直温度梯度运用热趋法排除硅渣杂质,从而达到多晶硅原料粗提纯的目的,纯度达99.99%,并大幅降低能耗和大幅提升产能;经粗提后的多晶硅材料进入区熔炉,使区熔炉内形成区间温度梯度,运用热趋法排除硅渣杂质,即可得到高于99.9999%纯度的多晶硅原料。
本发明的优点是:充分利用传统工艺设备如单晶硅提拉炉、区熔炉并无需进行改造,就能达到大幅度降低能耗和提升产能;其工艺步骤少,操作简单,适用于任何型式的单晶硅提拉炉。
具体实施方式
本发明的制备方法如下,首先将经还原处理的金属硅粉碎,再用王水、氢氟酸进行酸洗,酸洗后送入单晶硅提拉炉熔融后进行提拉,利用单晶硅提拉炉抽真空设施隔离空气,跳过单晶硅掺杂工序,提高提拉炉坩锅上升速度(提单晶硅为0---30mm/h,粗提多晶硅为20-50mm/h),同时利用单晶硅提拉炉的垂直温度梯度运用热趋法排除硅渣杂质,从而达到多晶硅原料粗提纯的目的,纯度达99.99%,并大幅降低能耗和大幅提升产能;经粗提后的多晶硅材料进入区熔炉,使区熔炉内形成区间温度梯度,运用热趋法排除硅渣杂质,即可得到高于99.9999%纯度的多晶硅原料。
Claims (1)
1、一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法,其特征在天制备方法如下:首先将经还原处理的金属硅粉碎,再用王水、氢氟酸进行酸洗,酸洗后送入单晶硅提拉炉熔融后进行提拉,利用单晶硅提拉炉抽真空设施隔离空气,提高提拉炉坩锅上升速度,同时利用单晶硅提拉炉的垂直温度梯度运用热趋法排除硅渣杂质,从而达到多晶硅原料粗提纯的目的,经粗提后的多晶硅材料进入区熔炉,使区熔炉内形成区间温度梯度,运用热趋法排除硅渣杂质,即可得到高于99.9999%纯度的多晶硅原料。
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PB01 | Publication | ||
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