CN101041904B - 镁制品镀膜方法 - Google Patents
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Abstract
一种镁制品镀膜方法,将基体材料作为阳极浸入含有基础液、发黑剂及络合剂的电解液中,其中所述发黑剂包括主发黑剂,所述主发黑剂为铜盐,将镁合金基体材料作为阳极浸入所述电解液中,在电解液中浸入另一种金属作为阴极,在两极间加电压放电直至在基体材料上形成黑色黑色镀膜。
Description
【技术领域】
本发明是关于一种镁制品镀膜方法。
【技术背景】
镁合金材料因其比重小、电磁屏蔽性能优良、适合压铸大批量生产等优点,在工业上已经得到了广泛的应用。但是,由于镁及镁合金材料的化学性质活泼,镁制品必须进行适当的表面保护处理,以提高镁合金材料表面的耐腐蚀性及耐磨性。
故而目前业界有采用镁合金微弧氧化技术对镁合金材料进行镀膜,如中国专利申请号86108405所揭示的一种镁制品的镀覆方法及所用的电解液,其采用碱金属硅酸盐(如硅酸钾)、碱金属氢氧化物(如氢氧化钾)及氟化物(如氟化钾)组成水溶液电解液,在浸于电解液中的镁制品与辅助阴极间加电压,通过火花放电,在镁合金表面形成覆层,使镁制品的耐蚀性、耐磨性有显著的提高。但是,该方法所形成的陶瓷质膜为氧化镁陶瓷膜,颜色为白色,对于外观要求为黑色的产品则需要再喷漆,在产品磨损掉漆后,白色陶瓷膜外露,破坏产品外观。
【发明内容】
有鉴于此,有必要提供一种镀膜为黑色的镁制品镀膜方法。
一种镁制品镀膜方法,包括以下步骤:提供电解液,电解液包括基础液、发黑剂及络合剂,其中所述发黑剂包括主发黑剂,所述主发黑剂为铜盐;将镁合金基体材料作为阳极浸入所述电解液中,在所述电解液中浸入另一种金属作为阴极;在两极间加电压放电直至在基体材料上形成黑色镀膜。
通过在电解液中加入发黑剂及络合剂,使在基体材料上生成的镀膜为黑色,满足镁制品黑色外观需求。
【附图说明】
图1是本发明镁制品镀膜方法的较佳实施方式的工艺流程图。
图2是本发明镁制品的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
请参照图1与图2,本发明镁制品镀膜方法应用于镁合金材料,将镁合金基体材料10作为阳极浸于电解液中,和浸于电解液中的阴极(如不锈钢或其它不溶性惰性金属)之间加电压直至金属表面产生电火花放电,在镁合金基体材料10上形成黑色镀膜20。镀膜电解液包括基础液、主发黑剂、辅助发黑剂、络合剂及缓蚀剂。电解液温度范围10~60℃。
基础液包括强碱、氟化物、硅酸盐及水。强碱为氢氧化钾、氢氧化钠的一种或其组合,其浓度为2~25g/l。氟化物可以是氟化钾、氟化钠、氟化铵等含氟离子的化合物的一种或几种的组合,其浓度为1~30g/l。硅酸盐为硅酸钾、硅酸钠、氟硅酸钾、氟硅酸钠等的一种或几种的组合,其含量为1~35g/l。
主发黑剂主要为铜盐,包括氢氧化铜、碱式碳酸铜、焦磷酸铜、柠檬酸铜及其它含铜的金属盐的一种或几种的组合,其含量在0.3~9g/l。
辅助发黑剂为硝酸镍、钼酸铵、偏钒酸铵的一种或几种的组合,其含量为0.1~8g/l。
络合剂由氨水、乙二胺四乙酸(EDTA)、柠檬酸、酒石酸、乙二胺、三乙醇胺或氨水、乙二胺四乙酸(EDTA)、柠檬酸、酒石酸、乙二胺、三乙醇胺的盐类的一种或几种组成,含量为0.5~20g/l。
缓蚀剂可增加黑度、防止腐蚀,其包括含-NH2、-OH、-NO3等吸附型基团的硫脲、间硝基苯磺酸钠、乌洛托品等的一种或几种的组合,含量为0~5g/l。
下列各实施例是实施本发明所使用的代表性电解液及温度:
实施例1
氢氧化钠 25g/l
硅酸钠 1g/l
氟化钾 10g/l
焦磷酸铜 4g/l
硝酸镍 0.1g/l
柠檬酸钠 8g/l
硫脲 1g/l
温度:35℃;
镁制品镀膜膜厚10μm,黑色。
实施例2
氢氧化钠 13g/l
硅酸钠 8g/l
氟化钾 13g/l
焦磷酸铜 1.8g/l
硝酸镍 0.1g/l
柠檬酸钠 5g/l
硫脲 0.1g/l
温度:25℃;
镁制品镀膜膜厚14μm,黑色。
实施例3
氢氧化钾 2g/l
硅酸钠 35g/l
氟化钾 1g/l
焦磷酸铜 6g/l
硝酸镍 0.1g/l
乙二胺四乙酸二钠 3g/l
乌洛托品 0.1g/l
温度:60℃;
镁制品镀膜膜厚14μm,黑色略偏红。
实施例4
氢氧化钠 15g/l
硅酸钠 21g/l
氟化钾 10g/l
氢氧化铜 0.3g/l
钼酸铵 1g/l
乙二胺 0.5g/l
硫脲 1g/l
温度:35℃;
镁制品镀膜膜厚8μm,黑色。
实施例5
氢氧化钠 3g/l
硅酸钠 4g/l
氟化钾 30g/l
氢氧化铜 4.5g/l
钼酸铵 0.6g/l
乙二胺 0.5g/l
柠檬酸钠 8g/l
硫脲 1.5g/l
温度:35℃;
镁制品镀膜膜厚12μm,黑色。
实施例6
氢氧化钾 15g/l
硅酸钠 21g/l
氟化钾 10g/l
氢氧化铜 1g/l
焦磷酸铜 8g/l
偏钒酸铵 4g/l
乙二胺 5g/l
柠檬酸钠 15g/l
硫脲 1g/l
温度:35℃;
镁制品镀膜膜厚18μm,黑色偏蓝。
实施例7
氢氧化钾 15g/l
硅酸钠 3g/l
氟化钾 15g/l
焦磷酸铜 1g/l
偏钒酸铵 8g/l
乙二胺 2g/l
酒石酸钾钠 12g/l
温度:35℃;
镁制品镀膜膜厚11μm,黑色。
实施例8
氢氧化钾 25g/l
硅酸钠 11g/l
氟化钾 10g/l
氢氧化铜 1g/l
焦磷酸铜 2g/l
偏钒酸铵 2g/l
乙二胺 1g/l
柠檬酸钠 8g/l
硫脲 1g/l
乌洛托品 4g/l
温度:10℃;
镁制品镀膜膜厚5μm,黑色。
Claims (10)
1.一种镁制品镀膜方法,包括以下步骤:提供电解液,电解液包括基础液、发黑剂及络合剂,其中所述基础液包括强碱、氟化物及硅酸盐,所述发黑剂包括主发黑剂,所述主发黑剂为铜盐,所述络合剂包括氨水、乙二胺四乙酸、柠檬酸、酒石酸、乙二胺、三乙醇胺或氨水、乙二胺四乙酸、柠檬酸、酒石酸、乙二胺、三乙醇胺的盐类的一种或几种;将镁合金基体材料作为阳极浸入所述电解液中,在所述电解液中浸入另一种金属作为阴极;在两极间加电压放电直至在基体材料上形成黑色镀膜。
2.如权利要求1所述的镁制品镀膜方法,其特征在于:所述强碱包括氢氧化钾、氢氧化钠的一种或其组合,其浓度为2~25g/l。
3.如权利要求1所述的镁制品镀膜方法,其特征在于:所述氟化物包括氟化钾、氟化钠、氟化铵的一种或几种的组合,其浓度为1~30g/l。
4.如权利要求1所述的镁制品镀膜方法,其特征在于:所述硅酸盐包括硅酸钾、硅酸钠、氟硅酸钾、氟硅酸钠中的一种或几种的组合,其含量为1~35g/l。
5.如权利要求1所述的镁制品镀膜方法,其特征在于:所述铜盐含量为0.3~9g/l。
6.如权利要求5所述的镁制品镀膜方法,其特征在于:所述铜盐包括氢氧化铜、碱式碳酸铜、焦磷酸铜、柠檬酸铜的一种或几种的组合。
7.如权利要求1所述的镁制品镀膜方法,其特征在于:所述发黑剂还包括辅助发黑剂,所述辅助发黑剂为硝酸镍、钼酸铵、偏钒酸铵的一种或其几种的组合,其含量为0.1~8g/l。
8.如权利要求1所述的镁制品镀膜方法,其特征在于:所述络合剂含量为0.5~20g/l。
9.如权利要求1所述的镁制品镀膜方法,其特征在于:所述电解液还包括缓蚀剂,所述缓蚀剂包括含-NH2、-OH、-NO3吸附型基团的硫脲、间硝基苯磺酸钠、乌洛托品的一种或几种的组合,含量为0.1~5g/l。
10.如权利要求1所述的镁制品镀膜方法,其特征在于:所述电解液温度范围为10~60℃。
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