CN101037334A - 一种致密Ti2AlC-TiB2复合材料及其制备方法 - Google Patents
一种致密Ti2AlC-TiB2复合材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101037334A CN101037334A CN 200710051989 CN200710051989A CN101037334A CN 101037334 A CN101037334 A CN 101037334A CN 200710051989 CN200710051989 CN 200710051989 CN 200710051989 A CN200710051989 A CN 200710051989A CN 101037334 A CN101037334 A CN 101037334A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- powder
- alc
- sintering
- tib
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
本发明公开了一种致密Ti2AlC-TiB2复合材料及其制备方法。所述材料的组成包括Ti粉、Al粉、TiC粉和B4C粉,四种原料的摩尔比为Ti∶Al∶B∶C=(2.35~9.45)∶(0.95~4.45)∶1∶(0.95~5.45)。所述材料的制备方法是:按配比称料;将称取的原料粉末混合均匀;将混合均匀的原料粉末置于石墨模具中,在放电等离子烧结系统中的真空环境下进行烧结,再自然冷却即可。本发明提供的复合材料结构致密,无界面污染。整个制备过程选用的原材料简单,充分利用了原位反应优点和放电等离子烧结工艺的特点,能快速合成性能优异的Ti2AlC-TiB2复合材料。
Description
技术领域
本发明涉及新型结构材料,特别是涉及一种利用原位技术结合放电等离子合成方法来制备致密Ti2AlC-TiB2复合材料。
背景技术
近年来,国内外对陶瓷-金属复合材料的研究虽然十分活跃,但普通陶瓷(如SiC,TiC,Al2O3等)引入金属中,往往由于两者结构、物理性能及化学键特性相差较大,很难形成理想的相界面,而且容易造成脆性破坏。
Ti2AlC是上世纪六十年代才被发现的新型层状三元化合物。它兼有金属和陶瓷的许多优点,如优异的导电、导热性,可加工性,良好的抗破坏能力,高熔点,高模量(杨氏模量304GPa,剪切模量124GPa),高强度和低密度(4.11g/cm3)等。这是一种能广泛应用于电子信息、新能源、航空航天等高技术领域的新型结构/功能材料。
Ti2AlC的硬度较低(3~5GPa),耐硝酸性能较差,极大地限制了其作为结构材料和功能材料使用范围。目前研究的重点是关于高纯、单相、块状致密的Ti2AlC陶瓷的制备[文献(1~5)],而有关提高此类材料硬度、耐磨性及耐腐蚀性的报道几乎未见公开的报道。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:为克服Ti2AlC的硬度较低,耐酸性较差的缺陷,提供一种以原位技术结合放电等离子合成方法来制备致密Ti2AlC-TiB2复合材料,以更好地拓宽Ti2AlC的实际应用领域。
本发明按下述技术方案解决其技术问题:
本发明提供的一种致密Ti2AlC-TiB2复合材料,其组成包括Ti粉、Al粉、TiC粉和B4C粉,四种原料的摩尔比为Ti∶Al∶B∶C=(2.35~9.45)∶(0.95~4.45)∶1∶(0.95~5.45)。
本发明提供的上述致密Ti2AlC-TiB2复合材料,是由原位技术结合放电等离子合成方法来制备的。制备步骤是:按配比称料;将称取的原料粉末混合均匀;将混合均匀的原料粉末置于石墨模具中,在放电等离子烧结系统中的真空环境下进行烧结,再随炉自然冷却即可。
本发明与现有技术相比,具有以下的主要优点:
现有的技术都是研究直接合成Ti2AlC材料,未见有报道来改善Ti2AlC材料的弱点,目前改性的研究工作大多集中在Ti3SiC2和Ti3AlC2材料上。本发明首次提出以原位反应并结合先进的放电等离子工艺引入TiB2来改善和提高Ti2AlC材料。之所以引入TiB2材料是它因为一种具有高熔点(2790℃),高硬度(34GPa),耐腐蚀、抗氧化的特点,同时具有良好的导电和导热性能,其在高温结构材料、耐磨、耐腐蚀以及电气材料中有着广泛的应用前景,更为重要的是它的晶体结构Ti2AlC一样,均为六方层状结构,热膨胀系数相近,因此在Ti2AlC中引入适量的TiB2颗粒将有助于改善Ti2AlC材料的性能,获得兼具两者优点的复合材料。由Archimedes法测得Ti2AlC-TiB2块体材料的致密度达到98%以上。
本发明的创新之处在于利用先进的放电等离子烧结的工艺特点,以价格较低的B4C来替代TiB2为原料,同时利用原位反应合成Ti2AlC-TiB2复合材料,所制备的复合材料结构致密,无界面污染。整个制备过程选用的原材料简单,充分利用了原位反应优点和放电等离子烧结工艺的特点,能快速合成性能优异的Ti2AlC-TiB2复合材料。
附图说明:
附图1为放电等离子烧结Ti2AlC-TiB2复合材料的X-射线衍射图谱。对照国际粉末衍射标准委员会制定的标准JCPDS标准卡片可知:Ti2AlC的标准卡片号是290095,以及TiB2的标准卡片号是751045号可以判断,合成产物中只有Ti2AlC和TiB2两种物质生成,没有其他物质形成。
具体实施方式
本发明提供了一种以先进的放电等离子烧结工艺,通过原位反应合成致密制备Ti2AlC-TiB2复合块体材料的方法,其特征在于:以Ti、TiC、B4C、Al为原料,四种原料的摩尔比为n(Ti)∶n(TiC)∶n(Al)∶n(B4C)=(6~10.4)∶(1.2~9.5)∶(1.5~9.8)∶1,或者四种原子摩尔比为Ti∶Al∶B∶C=(2.35~9.45)∶(0.95~4.45)∶1∶(0.95~5.45);混合均匀,装入石墨模具后,置于放电等离子烧结系统真空环境中,以100~300℃/min的升温速率升至1200~1400℃,在20~60MPa的轴向压力下保温5~20分钟。
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明,但不限定本发明。
实施例1
原料粉末按摩尔比为Ti∶Al∶B∶C=4.75∶2.15∶1∶2.15;混合均匀,放入石墨模具中,在热压烧结系统,氩气保护中进行烧结。升温速度为100℃/min,烧结温度为1250℃,压力为30MPa,保温5分钟。块体材料的致密度为99.5%,Ti2AlC含量为90%。在INSTRON-1195万能力学实验机上测得,材料的抗压强度≥800MPa,三点弯曲强度σb≥600MPa,KIC≥7MPa·m1/2,维氏显微硬度>8GPa。
实施例2
原料粉末按摩尔比为Ti∶Al∶B∶C=3.15∶1.35∶1∶1.35;混合均匀,放入石墨模具中,在放电等离子烧结的真空系统中进行烧结。升温速度为200℃/min,烧结温度为1250℃,压力为50MPa,保温10分钟。块体材料的致密度为99.2%,Ti2AlC含量为85%。在INSTRON-1195万能力学实验机上测得,材料的抗压强度≥800MPa,三点弯曲强度σb≥600MPa,KIC≥7MPa·m1/2,维氏显微硬度>8GPa。
实施例3
原料粉末按摩尔比为Ti∶Al∶B∶C=2.45∶1.05∶1∶1.05;混合均匀,放入石墨模具中,在放电等离子烧结的真空系统中进行烧结。升温速度为200℃/min,烧结温度为1200℃,压力为50MPa,保温13分钟。块体材料的致密度为99.2%,Ti2AlC含量为80%。在INSTRON-1195万能力学实验机上测得,材料的抗压强度≥800MPa,三点弯曲强度σb≥600MPa,KIC≥7MPa·m1/2,维氏显微硬度>8GPa。
实施例4
原料粉末按摩尔比为Ti∶Al∶B∶C=2.35∶0.95∶1∶0.95;混合均匀,放入石墨模具中,在放电等离子烧结的真空系统中进行烧结。升温速度为100℃/min,烧结温度为1300℃,压力为60MPa,保温20分钟。块体材料的致密度为99.2%,Ti2AlC含量为80%。在INSTRON-1195万能力学实验机上测得,材料的抗压强度≥800MPa,三点弯曲强度σb≥600MPa,KIC≥7MPa·m1/2,维氏显微硬度>8GPa。
实施例5
原料粉末按摩尔比为Ti∶Al∶B∶C=9.45∶4.45∶1∶5.45;混合均匀,放入石墨模具中,在放电等离子烧结的真空系统中进行烧结。升温速度为300℃/min,烧结温度为1400℃,压力为20MPa,保温5分钟。块体材料的致密度为99.2%,Ti2AlC含量为80%。在INSTRON-1195万能力学实验机上测得,材料的抗压强度≥800MPa,三点弯曲强度σb≥600MPa,KIC≥7MPa·m1/2,维氏显微硬度>8GPa。
实施例6
原料粉末按摩尔比为Ti∶Al∶B∶C=5.9∶2.7∶1∶2.7;混合均匀,放入石墨模具中,在放电等离子烧结的真空系统中进行烧结。升温速度为300℃/min,烧结温度为1300℃,压力为40MPa,保温5分钟。块体材料的致密度为99.2%,Ti2AlC含量为80%。在INSTRON-1195万能力学实验机上测得,材料的抗压强度≥800MPa,三点弯曲强度σb≥600MPa,KIC≥7MPa·m1/2,维氏显微硬度>8GPa。
参考文献
1.Barsoum M W.The Mn+1AXnPhases:A New Class of Solids;ThermodynamicallyStable Nanolaminates[J].Pro Solid Sta Chem,2000,28:201~206.
2.Jeitschko W,Nowotny H,Benesosky F.Kohlenstoffhaltige ternareVerbindungen(H-Phase)[J].Monatash Chem.1963,94:672~677.
3.Schuster J C,Nowotny H,Vaccaro C.The Ternary Systems:Cr-Al-C,V-Al-C andthe Behavior of H-Phases(M2AlC)[J].J.Solid State Chemistry,1980,32:213~219.
4.Barsoum M W,Brodkin D,El-Raghy T.Layer Machinable Ceramics for HighTemperature Applications[J].Scripta Materialia,1997,36(5):535~541.
5.Barsoum M W,Ali M,El-Raghy T.Processing and Characterization of Ti2AlC,Ti2AlN and Ti2AlC0.5[J]..Met.Mat Trans A,2000,31(7):1857~1862.
Claims (4)
1.一种致密Ti2AlC-TiB2复合材料,其特征是一种利用原位技术结合放电等离子合成方法来制备致密Ti2AlC-TiB2复合材料,其组成包括Ti粉、Al粉、TiC粉和B4C粉,四种原料的摩尔比为Ti∶Al∶B∶C=(2.35~9.45)∶(0.95~4.45)∶1∶(0.95~5.45)。
2.一种致密Ti2AlC-TiB2复合材料的制备方法,其特征是采用以下步骤的方法:
(1)称料:称取Ti粉、Al粉、TiC粉和B4C粉,四种原料的摩尔比为Ti∶Al∶B∶C=(2.35~9.45)∶(0.95~4.45)∶1∶(0.95~5.45);
(2)将称取的原料粉末混合均匀;
(3)烧结:将混合均匀的原料粉末置于石墨模具中,在放电等离子烧结系统中的真空环境下进行烧结,再随炉自然冷却即可。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于烧结工艺条件为:以100~300℃/min的升温速率升至1200~1400℃,保温5~20分钟,施加的Z轴压力为20~60MPa。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:将混合均匀的原料粉末按一定配比置于石墨模具中,原料粉末的摩尔配比为:n(Ti)∶n(TiC)∶n(Al)∶n(B4C)=(6~10.4)∶(1.2~9.5)∶(1.5~9.8)∶1。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2007100519899A CN100418923C (zh) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 一种致密Ti2AlC-TiB2复合材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2007100519899A CN100418923C (zh) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 一种致密Ti2AlC-TiB2复合材料及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101037334A true CN101037334A (zh) | 2007-09-19 |
CN100418923C CN100418923C (zh) | 2008-09-17 |
Family
ID=38888536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2007100519899A Expired - Fee Related CN100418923C (zh) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 一种致密Ti2AlC-TiB2复合材料及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100418923C (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101531531B (zh) * | 2009-04-03 | 2011-09-07 | 红河学院 | 一种制备高性能Ti2AlC陶瓷粉体的方法 |
CN102719777A (zh) * | 2012-02-21 | 2012-10-10 | 山东科技大学 | 带有Fe基陶瓷过渡涂层的TiC+TiB2梯度涂层及其制备方法 |
CN104446499A (zh) * | 2014-11-26 | 2015-03-25 | 燕山大学 | 一种低温制备TiN-AlN-TiB2陶瓷复合材料的方法 |
CN104475732A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-04-01 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 含有双相陶瓷颗粒的Al热沉及其制备方法 |
CN106396688A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-02-15 | 北京理工大学 | 一种TiB‑TiC‑TiB2‑B4C复合陶瓷的快速制备方法 |
CN106518119A (zh) * | 2016-10-19 | 2017-03-22 | 西南交通大学 | 一种致密的Ti2AlC/Al2O3纤维复合材料及其制备方法 |
CN115353395A (zh) * | 2022-09-23 | 2022-11-18 | 哈尔滨新干线轨道交通科技有限公司 | 一种制备Ti2AlC/B4C复相陶瓷的方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7553564B2 (en) * | 2004-05-26 | 2009-06-30 | Honeywell International Inc. | Ternary carbide and nitride materials having tribological applications and methods of making same |
CN1298675C (zh) * | 2004-10-28 | 2007-02-07 | 中国科学院金属研究所 | 一种氧化铝颗粒增强铝碳化钛基复合材料及其制备方法 |
CN1317228C (zh) * | 2004-12-15 | 2007-05-23 | 中国科学院金属研究所 | 一种铝碳化钛/硅化钛复合材料及其制备方法 |
-
2007
- 2007-04-27 CN CNB2007100519899A patent/CN100418923C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101531531B (zh) * | 2009-04-03 | 2011-09-07 | 红河学院 | 一种制备高性能Ti2AlC陶瓷粉体的方法 |
CN102719777A (zh) * | 2012-02-21 | 2012-10-10 | 山东科技大学 | 带有Fe基陶瓷过渡涂层的TiC+TiB2梯度涂层及其制备方法 |
CN104446499A (zh) * | 2014-11-26 | 2015-03-25 | 燕山大学 | 一种低温制备TiN-AlN-TiB2陶瓷复合材料的方法 |
CN104446499B (zh) * | 2014-11-26 | 2016-05-04 | 燕山大学 | 一种低温制备TiN-AlN-TiB2陶瓷复合材料的方法 |
CN104475732A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-04-01 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 含有双相陶瓷颗粒的Al热沉及其制备方法 |
CN106396688A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-02-15 | 北京理工大学 | 一种TiB‑TiC‑TiB2‑B4C复合陶瓷的快速制备方法 |
CN106396688B (zh) * | 2016-09-14 | 2019-07-12 | 北京理工大学 | 一种TiB-TiC-TiB2-B4C复合陶瓷的快速制备方法 |
CN106518119A (zh) * | 2016-10-19 | 2017-03-22 | 西南交通大学 | 一种致密的Ti2AlC/Al2O3纤维复合材料及其制备方法 |
CN106518119B (zh) * | 2016-10-19 | 2019-05-10 | 西南交通大学 | 一种致密的Ti2AlC/Al2O3纤维复合材料及其制备方法 |
CN115353395A (zh) * | 2022-09-23 | 2022-11-18 | 哈尔滨新干线轨道交通科技有限公司 | 一种制备Ti2AlC/B4C复相陶瓷的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100418923C (zh) | 2008-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100506692C (zh) | 一种高纯Ti2AlC粉体材料的制备方法 | |
CN100418923C (zh) | 一种致密Ti2AlC-TiB2复合材料及其制备方法 | |
Barsoum et al. | Synthesis and characterization of a remarkable ceramic: Ti3SiC2 | |
CN101555137B (zh) | (TiB2+TiC)/Ti3SiC2复相陶瓷材料及其制备方法 | |
CN1908214A (zh) | 碳硅化钛基梯度材料及原位反应的制备方法 | |
CN101269967A (zh) | 一种制备碳化硼陶瓷的方法 | |
CN102701773B (zh) | 自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料及其制备方法 | |
CN101152979A (zh) | 一种原位热压/固液相反应制备Ti2AlN块体材料的方法 | |
CN1793042A (zh) | 一种原位增韧氮化硅基陶瓷及其超快速烧结方法 | |
CN101269966A (zh) | 原位置换反应热压制备SiC/Ti3SiC2材料的方法 | |
CN101824576B (zh) | 一种锆铝硅碳-碳化硅复合材料及其制备方法 | |
Carrillo‐Heian et al. | Dense layered molybdenum disilicide–silicon carbide functionally graded composites formed by field‐activated synthesis | |
CN1793008A (zh) | 一种导电氧化铝基纳米陶瓷材料的制备方法 | |
CN100519477C (zh) | 一种原位热压/固液相反应制备钽铝碳陶瓷的方法 | |
CN101024576A (zh) | 一种原位反应热压制备锆铝碳陶瓷块体材料的方法 | |
CN1948220A (zh) | 热压制备高纯度碳化铝钛块体材料的方法 | |
CN1296501C (zh) | 原位热压工艺合成致密碳化硅钛—二硼化钛复合块体材料 | |
Wang et al. | Beneficial effects of B4C addition on the microstructure and mechanical properties of SiC ceramic joints diffusion bonded with Ti3SiC2 | |
CN1944339A (zh) | 放电等离子烧结工艺合成氮化铝钛-氮化钛复合块体材料 | |
CN102863218A (zh) | 含氧化锆颗粒与氮化硅晶须的碳化钨复合材料及制备方法 | |
CN1919793A (zh) | 放电等离子烧结工艺合成高纯致密块体氮化铝钛陶瓷材料 | |
CN1022478C (zh) | 晶须增韧强化碳陶瓷复合材料 | |
CN1944338A (zh) | 原位热压工艺合成致密氮化铝钛-氮化钛复合块体材料 | |
CN1919794A (zh) | 高纯致密氮化铝钛块体材料及其制备方法 | |
CN1300359C (zh) | 致密钛硅化碳—二硼化钛复合块体材料的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20080917 Termination date: 20120427 |