CN101034667A - 通过将材料喷墨印刷到堤坝结构中的器件制造和压印设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电子器件的制造。本发明公开了一种用于制造电子器件的方法，所述方法包括：使用压印设备204压印工件200、202的表面，以在所述工件表面上形成具有至少两级厚度反差的微结构；和在所述微结构上沉积包含功能材料的流体208。在一个优选实施方案中，所述沉积流体208的步骤包括喷墨印刷。本发明还公开了一种用于在工件200、202上产生微结构的压印设备204，压印设备204包含第一表面和相对于第一表面的至少两种不同高度的阶梯。

Description

通过将材料喷墨印刷到堤坝结构中的器件制造和压印设备
背景技术
在过去几十年中，基于有机和无机溶液可加工材料的电子工业吸引了大量的研究兴趣。这些材料证明了它们在广泛的应用，例如发光二极管(LED)、光电池和薄膜晶体管(TFT)中的应用潜力。近来在图案形成技术方面的研究进一步证明它们对于在刚性和柔性衬底上制造大面积集成器件的潜力。可以使用各种制造技术，例如光刻、微压印、软接触印刷、丝网印刷、喷墨印刷和光学干涉平版印刷制造电子器件。尽管这些技术允许以相当高的分辨率形成图案，但是与以前在衬底上限定的结构匹配必需的设备面临困难。在大面积、柔性衬底的情况下，由于发生衬底的翘曲、热膨胀或收缩，精确的匹配特别难。此外，在辊对辊(roll-to-roll)制造技术的情况下，在转印过程中施加到衬底上的张力引起的不均匀变形可能进一步导致匹配困难。
喷墨印刷是很有前途的电子器件制造技术，但是现在可得到的自由格式印刷分辨率(约50μm)不足以满足电子工业的要求。为了使用喷墨印刷得到更高分辨率的结构，具有亲/疏反差的堤坝(bank)结构已用来限制印刷的液体，从而增加印刷分辨率。然而，即使使用这些堤坝结构，也难以制造分辨率足够高，没有缺陷产生的电子器件。
以前使用压印设备制造堤坝结构，并且还将这些压印的堤坝结构与喷墨印刷组合。然而，发现这些压印结构在许多重要的应用中有缺点。
图1显示了使用通过压印设备限定的堤坝结构，制造高分辨率喷墨印刷结构的常规方法。简而言之，在衬底100上沉积聚合物层102(图1a)。然后将系统加热至固定温度并且将坚硬的压印设备104压在聚合物上。在将系统冷却至室温后，将压印设备104移走，在聚合物102中留下压印结构(图1b)。然后进行O2等离子体蚀刻处理以完全除去在压印结构的压痕中保留的聚合物(图1c)。在适当的表面处理例如等离子体处理或者通过软接触印刷涂覆自组装分子单层(SAM)产生亲/疏反差(图1d)之后，将功能材料108喷墨印刷到压印结构上(图1e)。表述“亲/疏反差”指功能材料108与压印结构的表面的处理部分106和所述表面的未处理部分的相对吸引或排斥。例如，如果功能材料108是水基的，则通过处理所述结构使得某些部分亲水，而其它部分疏水，可以得到亲/疏反差。
在通过将材料印刷到常规的压印堤坝结构上制造的发光二极管(LED)器件中，难以确保电极隔离。另外，在薄膜晶体管(TFT)制造中，由于堤坝污染，即跨过堤坝在相邻电极之间的架桥，通过将材料印刷到压印堤坝结构上可靠地形成短沟道是难题。
本发明的一个目的是提供一种喷墨印刷及压印技术，所述技术能够制造具有良好的绝缘性能的电容器结构，并且还能够形成TFT制造用的短沟道。
发明内容
本发明基于如下发现：使用压印的制造方法具有的上述问题至少部分归因于在现有的制造技术中使用的压印堤坝结构具有单一的厚度反差的事实。本申请人发现通过使用多梯级压印设备形成至少具有两梯级厚度反差的压印堤坝结构，可以使上述问题得到缓和。
根据本发明的一个方面，提供用于制造电子器件的方法，所述方法包括：使用压印设备压印工件的表面，以在工件表面上形成至少具有两级厚度反差的微结构；和在所述微结构上沉积包含功能材料的流体。
本发明提供基于将材料沉积到压印堤坝结构中的快速和廉价的图案形成方法。本发明的技术还减少在印刷高分辨率结构时缺陷的产生。压印工件表面以形成至少具有两级厚度反差的微结构，使得在其上沉积不同的功能材料层的微结构的不同接受部分能够具有不同深度。结果，在制造方法的特别阶段可以赋予接受部分不同的特性，以确保只有正确的功能材料沉积在每个接受部分上，并且防止与常规的压印技术相关的缺陷形成。例如，可以在沉积提供的功能材料时，在不同的接受部分之间确立亲/疏反差，使得功能材料被吸引到需要的接受部分上并且排斥其它的接受部分。
优选地，所述沉积流体的步骤包括喷墨印刷。
在一个实施方案中，所述微结构包含在所述工件表面中形成的阶梯状压痕，所述压痕具有底表面和阶梯表面，其中在所述工件表面中将所述阶梯表面压印得比所述底表面浅，所述沉积流体的步骤包括：在所述底表面上沉积第一材料层；在所述压痕中沉积第二材料层；和在第二材料层上沉积第三材料层。
适宜地，所述工件包含衬底和在所述衬底上形成的压印层，其中所述微结构包含在所述压印层中形成的阶梯状压痕，所述压痕具有底表面和阶梯表面，其中在所述工件表面中将所述阶梯表面压印得比所述底表面浅，并且其中所述沉积流体的步骤包括：在压印步骤之后，蚀刻所述工件表面以除去在所述底表面的压印层，从而使衬底表面的一部分暴露；和在所述工件表面上进行第一处理以在所述衬底表面的暴露部分和所述工件表面的其它部分之间产生润湿反差。
优选地，所述方法还包括：在进行第一处理之后，在所述底表面上沉积第一材料层；在所述工件表面上进行第二处理以消除在第一材料层的表面和所述工件表面的其它部分之间的润湿反差；在所述工件表面上进行第三处理以在压痕中的工件表面的部分和所述工件表面的其它部分之间产生润湿反差；在所述压痕中沉积第二材料层；和在第二材料层上沉积第三材料层。
适宜地，第一和第二处理包括等离子体处理。合宜地，第三处理包含软接触印刷。优选地，第一材料层和第三材料层是电极。
在另一个实施方案中，所述工件包含衬底和在所述衬底上形成的压印层，并且微结构包含在所述压印层中的第一和第二压痕，第一压痕比第二压痕更深，所述沉积流体的步骤包括：将第一材料层沉积到第一压痕中；和将第二材料层沉积到第二压痕中。
优选地，所述方法还包括：在沉积第一材料层的步骤之前，蚀刻所述工件以除去在第一压痕的底部的压印层，从而使所述衬底表面的一部分暴露；和在沉积第二材料层的步骤之前，蚀刻所述工件以除去在第二压痕的底部的压印层的一部分，从而使所述衬底表面的另一部分暴露。
适宜地，所述方法还包括：在沉积第一材料层的步骤之前，在所述工件表面上进行第一处理以在所述工件表面的第一压痕和其它部分之间产生润湿反差；和在沉积第二材料层的步骤之前，在所述工件表面上进行第二处理以在所述工件表面的第二压痕和其它部分之间产生润湿反差。
适宜地，所述工件包含衬底和在所述衬底上形成的压印层，其中所述微结构包含在所述压印层中形成的第一和第二压痕，第一压痕比第二压痕更深，所述沉积流体的步骤包括：蚀刻所述工件以除去在第一压痕的底部的压印层，从而使衬底表面的一部分暴露；在所述工件表面上进行第一处理以在所述衬底表面的暴露部分和所述工件表面的其它部分之间产生润湿反差。
优选地，所述方法还包括：在进行第一处理之后，将第一材料层沉积到第一压痕中；蚀刻所述工件以除去在第二压痕的底部的压印层，从而使所述衬底表面的另一部分暴露；在所述工件表面上进行第二处理以在所述衬底表面的另一暴露部分和所述工件表面的其它部分之间产生润湿反差；和将第二材料层沉积到第二压痕中。
适宜地，通过喷墨印刷沉积第一和第二材料层。优选地，第一和第二材料层是电极。合宜地，第一和第二处理是等离子体处理。
优选地，所述方法还包括：从所述衬底上除去所述压印层的保留部分；在所述衬底上沉积半导体层；在所述半导体层上沉积绝缘层；和在所述绝缘层上沉积栅极电极。
在一个实施方案中，所述方法用于制造有机或无机薄膜晶体管。在另一个实施方案中，所述方法用于制造电容器结构。
适宜地，所述方法用于制造电容器。在又一个实施方案中，所述方法用于制造发光二极管。适宜地，所述方法用于制造铁电性存储器件。
优选地，所述压印设备包含第一表面和相对于第一表面的两种不同高度的阶梯。适宜地，所述压印设备包含第一表面和相对于第一表面的超过两种的不同高度的阶梯。优选地，所述压印设备由半导体、金属或陶瓷材料制成。适宜地，通过压印形成的微结构的特征具有在10nm和1mm之间的尺寸。优选地，在厚度反差级之间的厚度反差在10nm和10μm之间。合宜地，所述流体是溶液或胶体悬浮液。
适宜地，提供一种用于在辊对辊或板对板处理中在衬底上制造电子器件的方法，所述方法包括如上所述的方法。合宜地，提供一种用于制造电子电路的方法，所述方法包括如上所述的方法。
在本发明的另一个方面中，提供一种通过如上所述的方法制造的电子器件。合宜地，提供一种通过如上所述的方法制造的柔性显示器面板。适宜地，提供一种通过如上所述的方法制造的铁电性存储器件。
根据本发明的另一个方面，提供一种用于在衬底上产生微结构的压印设备，所述压印设备包含：第一表面；和相对于第一表面的至少两种不同高度的阶梯。可以在本发明的方法中使用这种压印设备以提供如上所述避免缺陷的快速和廉价的图案形成方法。
在一个实施方案中，所述压印设备包含：在第一表面上形成的第一阶梯；和在第一阶梯上形成的第二阶梯。在另一个实施方案中，所述压印设备包含：在第一表面的第一部分上形成的具有第一高度的第一阶梯；和在第一表面的第二部分上形成的具有与第一高度不同的第二高度的第二阶梯。
附图说明
现在将另外只经由实施例并且参考附图描述本发明的实施方案，其中：
图1显示了用于制造高分辨率喷墨印刷结构的常规方法。
图2显示了根据本发明的一个实施方案的使用多阶梯式压印设备的压印和蚀刻方法。
图3显示了根据本发明的一个实施方案的电容器结构制造方法。
图4显示了根据本发明的一个实施方案的短沟道TFT制造方法。
图5显示了通过现有技术的喷墨印刷技术形成的结构，所述结构具有由堤坝污染引起的缺陷。
图6说明了根据本发明的一个实施方案的用于制造压印设备的方法。
具体实施方式
在图2中显示了根据本发明的一个实施方案的多梯级设备204及其应用。图2说明了与图1a至1c中所示的方法类似的方法，包括压印和随后蚀刻在衬底200上形成的聚合物层202，但是图2中所示的方法使用两梯级压印设备204。如下所述，多梯级压印设备的使用提供了显著的优点。
图3显示了根据本发明的一个实施方案的电容器结构制造方法。将1μm厚的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)层202旋涂在玻璃衬底200上，并且在140℃预烘焙5分钟。然后使通过光刻制造的多梯级硅压印设备204在170℃压在PMMA层上。在将系统冷却至室温之后，释放压印设备204，从而在PMMA层202中保留阶梯状压痕(图3a)。压印设备204的尺寸根据具体的应用变化，但是典型的尺寸是(见图2b)：前板的长度f＝30μm，第一阶梯深度d1＝500nm，第二阶梯深度d2＝400nm，并且第二阶梯长度s＝5μm。用O2等离子体蚀刻通过压印限定的PMMA结构以使在压痕底部的玻璃衬底200暴露(图3b)。然后，使用CF4等离子体将样品处理30秒以使PMMA202的表面206疏水，而玻璃衬底200保持高度亲水(图3c)。然后将掺杂有聚(苯乙烯磺酸)的聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)(PEDOT-PSS)的水基溶液印刷到压痕的底部以形成第一电极208(图3d)。在100℃干燥5分钟之后，使用O2等离子体将样品处理1分钟以使样品的整个表面亲水。然后通过使用未结构化的聚二甲基硅氧烷(PDMS)压印器210的软接触印刷，限定H1，H1，H2，H2-全氟癸基三氯硅烷(0.01mol己烷溶液)的疏水SAM层212(图3e)。然后可以将功能材料214或几种功能材料印刷到在第一电极208上的压痕中。可以根据应用印刷各种材料。例如，可以印刷聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)异丙醇溶液以制造简易的电容器，并且可以印刷聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)以制造发光二极管(LED)器件。在将样品在60℃干燥5分钟之后，在功能材料214上印刷第二PEDOT-PSS电极216以完成所述结构。
这种方法的一个重要特征是它在第一印刷电极208和在第一电极208上沉积的功能材料214之间引入了一级阶梯。这防止了在第一电极208和第二电极216之间的电流泄漏，否则这可能由于跨过功能材料层214的架桥而发生，并且在常规技术中是一个难题。
本发明的另一个实施方案是短沟道薄膜晶体管(TFT)制造方法。以前尝试通过将导电材料喷墨印刷到堤坝结构中来限定TFT的源极-漏极沟道。然而，发现难以限定很短的沟道(从几微米至亚微米)，因为印刷的液滴大得足以跨过源极电极和漏极电极之间狭窄的堤坝，以致常常将得到的电极架桥。图5显示了通过将银胶体印刷到堤坝宽度为10μm的PMMA堤坝结构中形成的结构中的这种缺陷。
在图4中显示了根据本发明的给上述问题提供解决方案的一种方法。首先，将1μm厚的PMMA膜302旋涂在玻璃衬底300上(图4a)。然后使用由具有两梯级厚度反差的硅模具组成的压印设备304在170℃压印PMMA层302(图4b)。模具结构304(参见图4b)的典型尺寸是：f～30-40μm，d1～600nm，d2～900nm，L～2-5μm。在本实施方案中两级阶梯具有相同的长度f，但未必是这种情况。在本实施例中通过光刻的分辨率限制尺寸L，并且通过使用更高分辨率的技术，例如电子束平版印刷和纳米印刷(nano-imprinting)，可以使其为亚微米。
使用O2等离子体蚀刻通过压印限定的PMMA结构，以使在所述结构中较深压痕下面的玻璃衬底300暴露(图4c)。然后用CF4等离子体将样品处理30秒以使PMMA表面306疏水，而玻璃保持高度亲水(图4d)。将PEDOT-PSS溶液印刷到在所述较深压痕的底部的玻璃衬底300上，以形成第一源极/漏极电极308(图4e)。在100℃干燥5分钟之后，再次使用O2等离子体蚀刻样品以使在所述结构中的较浅压痕下面的玻璃衬底300暴露(图4f)。再一次使用CF4等离子体处理，以使PMMA表面312和印刷的PEDOT-PSS表面疏水(图4g)。然后将PEDOT溶液印刷到由较浅压痕限定的开口(图4h)中，以形成第二源极/漏极电极316。因此，始终将水基PEDOT溶液印刷到具有高度疏水的相邻区域的亲水压痕中，从而防止堤坝污染。
在以丙酮除去PMMA堤坝(图4i)之后，在样品上相继旋涂40nm厚的聚3-己基噻吩(P3HT)半导体层318和600nm厚的聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)介电层320。最后，在介电层320上印刷PEDOT栅极电极322，以完成TFT制造方法(图4j)。
上述方法特别适用于制造喷墨印刷电子电路和柔性面板显示器。
图6显示了根据本发明的一个实施方案的压印设备制造方法。使用光刻在Si衬底400上首先限定光致抗蚀剂结构402(图6a)。然后，使用由SF6(或CF4)和O2的混合物组成的等离子体蚀刻衬底400，起着掩模作用的光致抗蚀剂402(图6b)。使用商业化的抗蚀剂去除剂除去保留的光致抗蚀剂402，并且在结构化的Si衬底401上涂覆另一种光致抗蚀剂层404。在适于使用的光致抗蚀剂材料的条件下烘焙之后，使用另一种具有需要的结构的掩模406进行第二光刻步骤，以形成第二光致抗蚀剂结构408(图6d和6e)。然后通过使用第二光致抗蚀剂结构408作为掩模进行等离子体蚀刻(图6f)。最后，除去保留的光致抗蚀剂408(图6g)。
在上述实施方案中，在制造过程中，使用O2、CF4和SF6等离子体蚀刻并且处理样品的表面。然而，应该理解可以使用选择性的表面处理技术。这些包括其它的等离子体蚀刻技术，电晕放电处理，UV-臭氧处理和湿法化学处理(例如SAM形成)。
在上述实施方案中，将PEDOT溶液印刷到样品上以形成电极。然而，应该理解在上述方法中可以使用其它墨材，包括可溶性有机和无机材料，水基胶体悬浮液和基于其它有机和无机溶液的胶体悬浮液。这种墨材可以包括绝缘体、半导体和导体材料，使得通过喷墨印刷可以形成任何需要的电子器件的部件。
在上述实施方案中，使用旋涂将PMMA层沉积在衬底上。类似地，在上述TFT制造方法中，通过旋涂沉积半导体和介电层。然而，可以使用选择性膜沉积技术以沉积这些层的任何一个或全部，所述技术包括刮涂、印刷(例如丝网印刷、胶版印刷、柔性版印刷、凹版移印或喷墨印刷)、浸涂和喷涂。特别是，可以使用喷墨印刷以形成所有上述层。
在上述实施方案中的衬底不但可以由刚性材料，例如玻璃、木材和硬的有机材料形成，而且可以由塑料材料例如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。
所述压印设备可以由任何适于将图案印刷到样品的顶层上的任何材料，包括半导体、金属、陶瓷和聚合物制成。
通过将根据本发明的一个或多个实施方案的方法重复用于工件，可以制造包含多个TFT，具有电容器结构的元件和/或其它类型的元件的电子电路。本发明的电容器结构制造方法和TFT制造方法均可以在单个工件上实施。可以使用本发明的电容器结构制造方法以在工件上形成单个或多个电容器和发光二极管。还可以使用本发明的电容器结构制造方法以通过形成如上所述的电容器的阵列制造铁电性存储器件，其中所述功能材料是用于每一个电容器的介电层的铁电性材料。
上述描述只是经由实施例给出的，并且本领域技术人员应该理解在不偏离本发明的范围的情况下可以进行修改。

Claims (36)

1.一种用于制造电子器件的方法，所述方法包括：
使用压印设备压印工件的表面，以在所述工件表面上形成至少具有两级厚度反差的微结构；和
在所述微结构上沉积包含功能材料的流体。
2.根据权利要求1的方法，其中所述沉积流体的步骤包括喷墨印刷。
3.根据权利要求1或权利要求2的方法，其中所述微结构包含在所述工件表面中形成的阶梯状压痕，所述压痕具有底表面和阶梯表面，其中在所述工件表面中将所述阶梯表面压印得比所述底表面浅，所述沉积流体的步骤包括：
在所述底表面上沉积第一材料层；
在所述压痕中沉积第二材料层；和
在第二材料层上沉积第三材料层。
4.根据权利要求1或权利要求2的方法，其中所述工件包含衬底和在所述衬底上形成的压印层，并且其中所述微结构包含在所述压印层中形成的阶梯状压痕，所述压痕具有底表面和阶梯表面，其中在所述工件表面中将所述阶梯表面压印得比所述底表面浅，并且其中所述沉积流体的步骤包括：
在所述压印步骤之后，蚀刻所述工件表面以除去在所述底表面的所述压印层，从而使所述衬底表面的一部分暴露；和
在所述工件表面上进行第一处理，以在所述衬底表面的暴露部分和所述工件表面的其它部分之间产生润湿反差。
5.根据权利要求4的方法，所述方法还包括：
在进行第一处理之后，在所述底表面上沉积第一材料层；
在所述工件表面上进行第二处理，以消除在第一材料层的表面和所述工件表面的其它部分之间的润湿反差；
在所述工件表面上进行第三处理，以在所述压痕中的所述工件表面的部分和所述工件表面的其它部分之间产生润湿反差；
在所述压痕中沉积第二材料层；和
在第二材料层上沉积第三材料层。
6.根据权利要求5的方法，其中第一和第二处理包括等离子体处理。
7.根据权利要求5或权利要求6的方法，其中第三处理包括软接触印刷。
8.根据权利要求3和5至7中之一的方法，其中第一和第三材料层是电极。
9.根据权利要求1或权利要求2的方法，其中所述工件包含衬底和在所述衬底上形成的压印层，并且其中所述微结构包含在所述压印层中的第一和第二压痕，第一压痕比第二压痕更深，所述沉积流体的步骤包括：
将第一材料层沉积到第一压痕中；和
将第二材料层沉积到第二压痕中。
10.根据权利要求9的方法，所述方法还包括：
在沉积第一材料层的步骤之前，蚀刻所述工件以除去在第一压痕的底部的压印层，从而使所述衬底表面的一部分暴露；和
在沉积第二材料层的步骤之前，蚀刻所述工件以除去在第二压痕的底部的压印层的一部分，从而使所述衬底表面的另一部分暴露。
11.根据权利要求9或权利要求10的方法，所述方法还包括：
在沉积第一材料层的步骤之前，在所述工件表面上进行第一处理，以在所述工件表面的第一压痕和其它部分之间产生润湿反差；和
在沉积第二材料层的步骤之前，在所述工件表面上进行第二处理以在所述工件表面的第二压痕和其它部分之间产生润湿反差。
12.根据权利要求1或权利要求2的方法，其中所述工件包含衬底和在所述衬底上形成的压印层，并且其中所述微结构包含在所述压印层中的第一和第二压痕，第一压痕比第二压痕更深，所述沉积流体的步骤包括：
蚀刻所述工件表面以除去在第一压痕的底部的压印层，从而使所述衬底表面的一部分暴露；
在所述工件表面上进行第一处理，以在所述衬底表面的暴露部分和所述工件表面的其它部分之间产生润湿反差。
13.根据权利要求12的方法，所述方法还包括：
在进行第一处理之后，将第一材料层沉积到第一压痕中；
蚀刻所述工件以除去在第二压痕的底部的压印层，从而使所述衬底表面的另一部分暴露；
在所述工件表面上进行第二处理，以在所述衬底表面的另一暴露部分和所述工件表面的其它部分之间产生润湿反差；和
将第二材料层沉积到第二压痕中。
14.根据权利要求9至11和13中之一的方法，其中通过喷墨印刷沉积第一和第二材料层。
15.根据权利要求9至11、13和14中之一的方法，其中第一和第二材料层是电极。
16.根据权利要求13至15中之一的方法，其中第一和第二处理是等离子体处理。
17.根据权利要求13至16中之一的方法，所述方法还包括：
从所述衬底上除去所述压印层的保留部分；
在所述衬底上沉积半导体层；
在所述半导体层上沉积绝缘层；和
在所述绝缘层上沉积栅极电极。
18.根据权利要求1、2和9至17中之一的方法，所述方法用于制造有机或无机薄膜晶体管。
19.根据权利要求1至8中之一的方法，所述方法用于制造电容器结构。
20.根据权利要求1至8中之一的方法，所述方法用于制造电容器。
21.根据权利要求1至8中之一的方法，所述方法用于制造发光二极管。
22.根据权利要求1至8中之一的方法，所述方法用于制造铁电性存储器件。
23.权利要求1至22中之一所述的方法，其中所述压印设备包含第一表面和相对于第一表面的两种不同高度的阶梯。
24.权利要求1至22中之一所述的方法，其中所述压印设备包含第一表面和相对于第一表面的超过两种的不同高度的阶梯。
25.权利要求1至24中之一所述的方法，其中所述压印设备由半导体、金属或陶瓷材料制成。
26.权利要求1至25中之一所述的方法，其中通过压印形成的所述微结构的特征具有在10nm和1mm之间的尺寸。
27.权利要求1至26中之一所述的方法，其中在厚度反差级之间的厚度差在10nm和10μm之间。
28.权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述流体是溶液或胶体悬浮液。
29.一种用于在辊对辊或板对板处理中在衬底上制造电子器件的方法，所述方法包括根据权利要求1至28中之一的方法。
30.一种用于制造电子电路的方法，所述方法包括根据权利要求1至29中之一的方法。
31.一种通过根据权利要求1至29中之一的方法制造的电子器件。
32.一种通过根据权利要求1至30中之一的方法制造的柔性显示器面板。
33.一种通过根据权利要求1至30中之一的方法制造的铁电性存储器件。
34.一种用于在衬底上产生微结构的压印设备，所述压印设备包含：
第一表面；和
相对于第一表面的至少两种不同高度的阶梯。
35.根据权利要求34所述的压印设备，所述压印设备包含：
在第一表面上形成的第一阶梯；和
在第一阶梯上形成的第二阶梯。
36.根据权利要求34所述的压印设备，所述压印设备包含：
在第一表面的第一部分上形成的、具有第一高度的第一阶梯；和
在第一表面的第二部分上形成的、具有与第一高度不同的第二高度的第二阶梯。
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