TWI386761B - 多階式接觸轉印製程 - Google Patents

Description

多階式接觸轉印製程

本發明是有關於一種轉印製程，且特別是有關於一種多階式接觸轉印製程。

在一般的接觸式圖案轉印技術中，通常係提供一模仁，其中此模仁之表面設有圖案結構。圖案結構的圖案為待轉印之圖案，圖案結構具有頂部與底部。在模仁之表面沉積轉印材料層，接著將模仁與待轉印之基板、或基板上之阻劑層微接觸，此時模仁表面的頂部所沉積的轉印材料層會黏附至待轉印之基板、或基板上之阻劑層。然後進行脫模，此時模仁表面的頂部所沉積的轉印材料層會轉印至至基板或基板上的阻劑層上。然後，利用蝕刻方式移除沒有轉印材料層作為蝕刻遮罩的阻劑殘餘層，並進行舉離製程或是直接蝕刻基板，而完成接觸式轉印製程。

然而，在目前的接觸式轉印技術中，一個模仁只轉印出與模仁相同圖案的轉印圖形，若欲產生互補的轉印圖形，則需翻印出互補模仁後，再進行轉印，大致上一個模仁僅利用其表面頂部沉積的轉印材料層進行轉印。因此，無法達到利用單一模仁進行多次轉印的效果。故，傳統接觸式轉印製程的生產效率不佳，也無法製作出多樣化的轉印圖案，不僅增加製程的複雜度，更影響製程良率。

此外，除了一般的接觸式圖案轉印技術中有上述缺點外，傳統的奈米壓印製程，如熱壓印或是紫外光(UV)壓印亦具有待克服的缺點。傳統的奈米壓印製程，通常係提供一模仁，其中此模仁之表面設有圖案結構。圖案結構的圖案為待轉印之圖案。接下來，將圖案結構壓入待轉印之基板、或基板上之阻劑層上。再進行脫模，而將模仁自基板上移開，即可將模仁之圖案結構轉印至基板或基板上的阻劑層上。然後，利用蝕刻方式移除阻劑殘餘層，而完成壓印製程。

然而，由上述的製程可知，傳統奈米壓印製程有光阻殘餘層可能過厚的問題。

因此，本發明之一態樣就是在提供一種多階式接觸轉印製程，其利用多階層式的立體模仁來進行轉印。故，僅利用單一模仁，即可達到多次轉印的效果。

本發明之另一態樣是在提供一種多階式接觸轉印製程，藉由多階層式立體模仁的採用，可產生數量與模仁之圖案結構的階數相同的具轉印圖案的基板。因此，不僅可降低製程成本，更可達到高量產、高效率、以及轉印圖案多樣化的目標。

本發明之又一態樣是在提供一種多階式接觸轉印製程，其轉印完成之圖案具有多重互補性。因此，應用在光罩製作上，可直接形成高精準度的對準記號，有利於光罩的製作。

本發明之再一態樣是在提供一種多階式接觸轉印製程，其在轉印過程中可以轉印材料層作為蝕刻遮罩，因此可避免光阻殘餘層厚度過大的問題。

根據本發明之上述目的，提出一種多階式接觸轉印製程，其包含下列步驟。提供模仁，其中模仁之一表面設有一圖案結構。此圖案結構係一階梯狀結構，且此圖案結構包含複數個階梯面，這些階梯面之一最高者位於前述模仁之表面。形成複數個轉印材料層分別覆蓋在前述之階梯面上。提供複數個基板，其中每一基板之一表面上覆蓋有一接觸黏附層。進行複數個轉印步驟，以使前述階梯面上之轉印材料層由高而低地分別轉移至前述基板之接觸黏附層上。

依據本發明之一實施例，上述之接觸黏附層與基板可為相同的材質。

應用本揭示，可延伸為模仁之一表面設有一圖案結構。此圖案結構所包含的階梯面可延伸為多階層的階梯面，達到利用單一模仁達到多次轉印，而可降低製程成本，並可提高量產與生產效率，更可達到使轉印圖案多樣化的目標。而且，轉印過程中可使用轉印材料層作為蝕刻遮罩，因此可避免光阻殘餘層厚度過大的問題。此外，本揭示可應用來直接形成高精準度的對準記號，因此有利於光罩的製作。

請參照第1A、2A、3、4B、5A、6、7A、8、9A與10圖，其係繪示依照本發明之第一實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。在本實施方式中，進行多階式接觸轉印製程時，先提供轉印用之模仁100a。模仁100a之表面102a預設有圖案結構104a。圖案結構104a係階梯狀結構，且包含第一階梯面106a、第二階梯面108a與第三階梯面110a。其中，如第1A圖所示，第一階梯面106a位於模仁100a之表面102a中，第二階梯面108a低於第一階梯面106a，而第三階梯面110a則低於第二階梯面108a。在其他實施例中，模仁之階梯狀結構亦可包含更多階層，或者可僅包含二個階層。

在一實施例中，如第1A圖所示，第一階梯面106a、第二階梯面108a與第三階梯面110a可為平面。在另一實施例中，如第1B圖所示，在模仁100b中，圖案結構104b之第一階梯面106b、第二階梯面108b與第三階梯面110b可為曲面。當然，在其他實施例中，圖案結構之各個階梯面可不全為平面或曲面，而可一些階梯面為平面，另一些階梯面則為曲面。為避免重複，以下係以第1A圖之模仁100a作為例子來進行本揭示之實施方式的說明。

模仁100a之材料可採用本身具有抗沾黏特性的材料。但，模仁100a之材料亦可採用不具有抗沾黏特性的材料。一般而言，模仁100a之材料可例如包含矽、高分子聚合物系列材料、有機材料、塑膠材料、半導體材料、金屬材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、無機材料、上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。

如第2A圖所示，當模仁100a本身具有抗沾黏特性時，可直接形成第一轉印材料層112、第二轉印材料層114與第三轉印材料層116分別覆蓋在圖案結構104a之第一階梯面106a、第二階梯面108a與第三階梯面110a上。其中，模仁100a之材料為具有抗沾黏特性的金屬、無機材料、高分子聚合物(polymer)系列材質、陶瓷材料、半導體材料、有機材料或上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。

但是，當模仁100a本身不具有抗沾黏特性時，則可先形成抗沾黏膜層118共形覆蓋在模仁100a之圖案結構104a上。其中，抗沾黏膜層118之材料可例如為有機材料、無機材料、高分子材料、陶瓷材料、金屬材料、鐵弗龍材料、類鑽碳材料、碳氟化合物(C_x F_y )經電漿解離後之沉積材料、或其中兩者或兩者以上之合成材料。接著，形成第一轉印材料層112、第二轉印材料層114與第三轉印材料層116分別覆蓋在圖案結構104a之第一階梯面106a、第二階梯面108a與第三階梯面110a上方的抗沾黏膜層118上，如第2B圖所示。然而，為避免重複，以下係以模仁100a本身具有抗沾黏特性作為例子來進行本揭示之實施方式的說明。

第一轉印材料層112、第二轉印材料層114與第三轉印材料層116之材料可例如包含矽、高分子聚合物系列材料、有機材料、塑膠材料、半導體材料、金屬材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、無機材料、上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。

接著，可提供第一基板120。並形成第一接觸黏附層124覆蓋在第一基板120之表面122上。其中，第一接觸黏附層124之材料可包含熱塑性材料、熱固性材料或感光固化性材料。在一實施例中，第一接觸黏附層124之材料可例如包含矽、高分子聚合物系列材料、光阻材料、有機材料、塑膠材料、半導體材料、金屬材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、無機材料、上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。在一實施例中，第一接觸黏附層也可與第一基板具有相同的材質，即第一基板直接做為第一接觸黏附層。

在第3圖所示之實施例中，第一基板120之表面122為平面。然而，在另一實施例中，第一基板之表面可為曲面。舉例而言，第一基板可例如為具有曲面之柱狀結構，以供製作滾筒模仁。第一基板120之材料可例如包含矽、高分子聚合物系列材料、有機材料、塑膠材料、半導體材料、金屬材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、無機材料、上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。

接下來，進行轉印步驟，而先將模仁100a之表面102a與第一基板120上之表面122相面對地壓合，藉以使第一轉印材料層112與第一接觸黏附層124接合。再施加預壓力，以使第一轉印材料層112與第一接觸黏附層124緊密接觸。如第4A圖所示，此預壓力可為均佈壓力126。在另一實施例中，如第4B圖所示，此預壓力亦可為集中壓力130。其中，此集中壓力130可利用滾筒128來提供。除此之外，在前述或是之後所敘述的滾筒128所產生的集中壓力130施壓的位置可為模仁端、基板端或是兩端皆施壓。滾筒128之材料可例如包含矽、高分子聚合物系列材料、有機材料、塑膠材料、半導體材料、金屬材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、無機材料、上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。滾筒128為可透光材質，或可為不可透光材質。為避免重複，以下係以透過滾筒128來施加集中壓力130的方式作為例子，來進行本揭示之實施方式的說明。

接著，進行熱固化或光固化處理，以使第一轉印材料層112貼合在第一接觸黏附層124上。舉例而言，如第5A圖所示，進行光固化處理時，可提供光源132a，並使光源132a透過滾筒128的聚光，而以集中照射的方式來照射並固化第一接觸黏附層124，並藉此將第一轉印材料層112固定在第一接觸黏附層124中。光源132a的波長範圍可例如介於1nm至10⁷ μm之間。在另一實施例中，如第5B圖所示，可提供多個光源132a，且這些光源132a可不透過滾筒128的聚光，而以分散照射的方式來照射並固化第一接觸黏附層124。

其中，在前述或是之後所敘述的光固化的實施例中，光源132a的入射位置可為模仁端、基板端或是兩端皆入射。

在另一些實施例中，進行熱固化處理時，可利用加熱源，例如第5A圖或第5B圖所示之光源132a做為加熱源，來加熱第一接觸黏附層124，或是如第5C圖所示之非光源式加熱源，例如加熱源132b，以將第一接觸黏附層124加熱至玻璃轉換溫度(Tg)的熔融狀。接著，將模仁100a之圖案結構104a壓入第一接觸黏附層124中。再冷卻固化第一接觸黏附層124，以藉此將第一轉印材料層112固定在第一接觸黏附層124中，或是將液狀第一接觸黏附層124加熱使其達到熱固化，以藉此將第一轉印材料層112固定在第一接觸黏附層124中，此時的加熱溫度可小於玻璃轉換溫度(Tg)。加熱源可例如為雷射光式加熱源、燈源照光式加熱源、熱電阻式加熱源、渦電流式加熱源、微波式加熱源或超音波式加熱源。其中，雷射光式加熱源或燈源照光式加熱源之波長範圍例如可介於1nm至10⁷ μm之間。在前述或是之後所敘述的熱固化的實施例中，加熱源的加熱來源位置可為模仁端、基板端或是兩端皆加熱。

接下來，進行脫模步驟，以將模仁100a自第一基板120上之第一接觸黏附層124上移開。由於，在轉印步驟中，第一轉印材料層112已固定在第一接觸黏附層124上。因此，模仁100a移開後，第一轉印材料層112可自模仁100a脫離，而轉移至第一接觸黏附層124上，如第6圖所示。

接著，繼續進行下一階的圖案轉印。首先，提供第二基板134。並形成第二接觸黏附層138覆蓋在第二基板134之表面136上。第二接觸黏附層138之材料可包含熱塑性材料、熱固性材料或感光固化性材料。在一實施例中，第二接觸黏附層138之材料可例如包含矽、高分子聚合物系列材料、光阻材料、有機材料、塑膠材料、半導體材料、金屬材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、無機材料、上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。在一實施例中，第二接觸黏附層也可與第二基板具有相同的材質，即第二基板直接做為第二接觸黏附層。

第二基板134之表面136可為平面、或曲面。例如，第二基板134可為具有曲面之柱狀結構，以供製作滾筒模仁。第二基板134之材料可例如包含矽、高分子聚合物系列材料、有機材料、塑膠材料、半導體材料、金屬材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、無機材料、上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。

接著，利用同一模仁100a進行另一階層之轉印步驟。先將模仁100a之圖案結構104a放置於第二基板134上方的第二接觸黏附層138上，此時的第二接觸黏附層138應具有可流動性，或是先行加熱第二接觸黏附層138至熔融狀。接著將模仁100a之圖案結構104a壓入第二基板134上方的第二接觸黏附層138中，藉以使第二轉印材料層114與第二接觸黏附層138接合。再施加預壓力，以使第二轉印材料層114與第二接觸黏附層138緊密接觸。此預壓力可如同第7A圖所示之均佈壓力302，或者如同第4B圖所示之集中壓力130。

接下來，進行熱固化或光固化處理，此時所施加的預壓力以均佈壓力302進行本揭示之實施方式的說明。如第7A圖所示，以使第二轉印材料層114貼合在第二接觸黏附層138上。進行光固化處理時，可提供光源300a，而以如第7A圖所示之分散照射的方式，來照射並固化第二接觸黏附層138。光源300a的波長範圍可例如介於1nm至10⁷ μm之間。在另一些實施例中，施加的預壓力為集中壓力130時，進行熱固化或光固化處理，所使用之入射光源可如同第5A圖或第5B圖所示之光源132a方式進行入射。

在前述或是之後所敘述的光固化的實施例中，光源132a與光源300a的入射位置可為模仁端、基板端或是兩端皆入射。

在另一些實施例中，進行熱固化處理時，可利用加熱源，例如第7A圖所示之光源300a或是第5A圖或第5B圖所示之光源132a，來加熱第二接觸黏附層138，或是如第7B圖所示之非光源式加熱源，例如加熱源300b，以將第二接觸黏附層138加熱使其達到熱固化，再冷卻第二接觸黏附層138，以藉此將第二轉印材料層114固定在第二接觸黏附層138中。此時的加熱溫度可小於玻璃轉換溫度(Tg)。若是進行熱固化處理前，已經先行加熱第二接觸黏附層138至熔融狀，此時在進行熱固化處理時直接冷卻第二接觸黏附層138使其固化，以藉此將第二轉印材料層114固定在第二接觸黏附層138中。

加熱源可例如為雷射光式加熱源、燈源照光式加熱源、熱電阻式加熱源、渦電流式加熱源、微波式加熱源或超音波式加熱源。其中，雷射光式加熱源或燈源照光式加熱源之波長範圍例如可介於1nm至10⁷ μm之間。在前述或是之後所敘述的熱固化的實施例中，加熱源的加熱來源位置可為模仁端、基板端或是兩端皆加熱。

接下來，進行脫模步驟，以將模仁100a自第二基板134上之第二接觸黏附層138上移開。由於，在轉印步驟中，第二轉印材料層114已固定在第二接觸黏附層138上。因此，模仁100a移開後，第二轉印材料層114可自模仁100a脫離，而轉移至第二接觸黏附層138上，如第8圖所示。

請參照第8圖，第二階段之圖案轉印步驟在第二基板134之第二接觸黏附層138中，形成階梯狀結構164。此階梯狀結構164包含第一階梯部146與第二階梯部140。其中，第一階梯部146包含第一部分142與第二部分144。第二轉印材料層114貼合在第一階梯部146之第一部分142上，並使第二轉印材料層114之第二部分144暴露出來。

接著，再繼續進行下一階的圖案轉印。首先，提供第三基板148。並形成第三接觸黏附層152覆蓋在第三基板148之表面150上。第三接觸黏附層152之材料可包含熱塑性材料、熱固性材料或感光固化性材料。在一實施例中，第三接觸黏附層152之材料可例如包含矽、高分子聚合物系列材料、光阻材料、有機材料、塑膠材料、半導體材料、金屬材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、無機材料、上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。在一實施例中，第三接觸黏附層也可與第三基板具有相同的材質，即第三基板直接做為第三接觸黏附層。

第三基板148之表面150可為平面、或曲面。例如，第三基板148可為具有曲面之柱狀結構，以供製作滾筒模仁。第三基板148之材料可例如包含矽、高分子聚合物系列材料、有機材料、塑膠材料、半導體材料、金屬材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、無機材料、上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。

接下來，可再利用同一模仁100a進行下一階層之轉印步驟。先將模仁100a之圖案結構104a放置於第三基板148上方的第三接觸黏附層152上，此時的第三接觸黏附層152應具有可流動性，或是先行加熱第三接觸黏附層152至熔融狀。接著將模仁100a之圖案結構104a壓入第三基板148上方的第三接觸黏附層152中，藉以使第三轉印材料層116與第三接觸黏附層152接合。再施加預壓力，以使第三轉印材料層116與第三接觸黏附層152緊密接觸。此預壓力可如同第9A圖所示之均佈壓力154，或者如同第4B圖所示之集中壓力130。

然後，進行熱固化或光固化處理，以使第三轉印材料層116貼合在第三接觸黏附層152上。此時所施加的預壓力以均佈壓力154進行本揭示之實施方式的說明。如第9A圖所示，進行光固化處理時，可提供光源156a，而以如第9A圖所示之分散照射的方式，來照射並固化第三接觸黏附層152。光源的波長範圍可例如介於1nm至10⁷ μm之間。在另一些實施例中，施加的預壓力為集中壓力130時，進行熱固化或光固化處理，所使用之入射光源可如同第5A圖或第5B圖所示之光源132a方式進行入射。

在前述或是之後所敘述的光固化的實施例中，光源132a與光源156a的入射位置可為模仁端、基板端或是兩端皆入射。

在其他實施例中，進行熱固化處理時，可利用加熱源，例如第9A圖所示之光源156a或是第5A圖或第5B圖所示之光源132a，來加熱第三接觸黏附層152，或是如第9B圖所示之非光源式加熱源，例如加熱源156b，以將第三接觸黏附層152加熱使其達到熱固化，再冷卻第三接觸黏附層152，以藉此將第三轉印材料層116固定在第三接觸黏附層152中。此時的加熱溫度可小於玻璃轉換溫度(Tg)。若是進行熱固化處理前，已經先行加熱第三接觸黏附層152至熔融狀，此時在進行熱固化處理時直接冷卻第三接觸黏附層152使其固化，以藉此將第三轉印材料層116固定在第三接觸黏附層152中。加熱源可例如為雷射光式加熱源、燈源照光式加熱源、熱電阻式加熱源、渦電流式加熱源、微波式加熱源或超音波式加熱源。其中，雷射光式加熱源或燈源照光式加熱源之波長範圍例如可介於1nm至10⁷ μm之間。在前述或是之後所敘述的熱固化的實施例中，加熱源的加熱來源位置可為模仁端、基板端或是兩端皆加熱。

接著，進行脫模步驟，以將模仁100a自第三基板148上之第三接觸黏附層152上移開。由於，在轉印步驟中，第三轉印材料層116已固定在第三接觸黏附層152上。因此，模仁100a移開後，第三轉印材料層116可自模仁100a脫離，而轉移至第三接觸黏附層152上，如第10圖所示。

如第10圖所示，第三階段之圖案轉印步驟在第三基板148之第三接觸黏附層152中，形成階梯狀結構166。此階梯狀結構166包含第一階梯部162、第二階梯部160與第三階梯部158。其中，第三轉印材料層116貼合在第一階梯部162上。

請參照第11圖與第12圖，其係繪示依照本發明之第二實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。請一併參照第6圖。在本實施方式中，將模仁100a之第一轉印材料層112轉移至第一基板120之第一接觸黏附層124後，利用例如蝕刻方式，並以第一轉印材料層112為遮罩，來移除部分之第一接觸黏附層124，而暴露出第一基板120之表面122的一部分168，如第11圖所示。移除部分之第一接觸黏附層124後，可將第一轉印材料層112之圖案轉移至第一接觸黏附層124中。

接下來，移除第一轉印材料層112。如此，即可在第一基板120上形成由第一接觸黏附層124所構成之圖案結構170，如第12圖所示。圖案結構170之圖案係轉移自第一轉印材料層112之圖案。

請參照第13圖與第14圖，其係繪示依照本發明之第三實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。完成第11圖所示之結構後，可利用第一轉印材料層112為遮罩，蝕刻第一基板120之表面122所暴露出的部分168，以移除部分之第一基板120。因而，在第一基板120中形成凹陷區172，如第13圖所示。

接著，移除第一轉印材料層112。如此，即可形成由第一接觸黏附層124與第一基板120共同構成之圖案結構174，如第14圖所示。圖案結構174之圖案同樣係轉移自第一轉印材料層112之圖案。

在另一實施例中，請參照第15圖，完成第14圖所示之結構後，可進一步移除剩餘之第一接觸黏附層124。如此，即可在第一基板120中形成圖案結構176。圖案結構176之圖案亦轉移自第一轉印材料層112之圖案。

請參照第16圖與第17圖，其係繪示依照本發明之第五實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。完成第13圖所示之結構後，可先形成圖案材料層178與180分別覆蓋在第一轉印材料層112與凹陷區172所暴露出之第一基板120的部分上，如第16圖所示。

接著，進行舉離步驟，以移除第一轉印材料層112、與位於第一轉印材料層112上之圖案材料層178。如此，即可形成由第一接觸黏附層124、圖案材料層180與第一基板120共同構成之圖案結構182，如第17圖所示。圖案結構182之圖案同樣係轉移自第一轉印材料層112之圖案。

請參照第18圖，完成第17圖所示之結構後，可進一步移除剩餘之第一接觸黏附層124。如此，即可形成由圖案材料層180與第一基板120共同構成之圖案結構184，如第18圖所示。圖案結構184之圖案同樣係轉移自第一轉印材料層112之圖案。

請參照第19圖與第20圖，其係繪示依照本發明之第七實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。完成第11圖所示之結構後，可先形成圖案材料層186與188分別覆蓋在第一轉印材料層112與第一基板120之表面122的暴露部分168上，如第19圖所示。

接著，進行舉離步驟，而移除第一轉印材料層112、與位於第一轉印材料層112上之圖案材料層186。如此，即可形成由第一接觸黏附層124與圖案材料層188共同構成之圖案結構190，如第20圖所示。圖案結構190之圖案同樣係轉移自第一轉印材料層112之圖案。

在另一實施例中，請參照第21圖，完成第19圖所示之結構後，所進行之舉離步驟除了移除第一轉印材料層112、與位於第一轉印材料層112上之圖案材料層186外，更可包含移除剩餘之第一接觸黏附層124。如此，即可形成由圖案材料層188所構成之圖案結構192，如第21圖所示。圖案結構192之圖案大致上與第一轉印材料層112之圖案互補。

請參照第22圖與第23圖，其係繪示依照本發明之第九實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。請一併參照第8圖。在本實施方式中，將模仁100a之第二轉印材料層114轉移至第二基板134之第二接觸黏附層138後，利用例如蝕刻方式，並以第二轉印材料層114為遮罩，來移除第二接觸黏附層138之第二階梯部140與第一階梯部146之第二部分144的一部分，而暴露出第二階梯部140下方之第二基板134的表面136部分，如第22圖所示。

接下來，移除第二轉印材料層114。如此，即可在第二基板134上形成由第二接觸黏附層138所構成之三維的圖案結構194，如第23圖所示。

請參照第24圖與第25圖，其係繪示依照本發明之第十實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。完成第22圖所示之結構後，可利用第二轉印材料層114與第二接觸黏附層138之第一階梯部146的第二部分144為遮罩，蝕刻第二基板134之表面136所暴露出的部分，以移除部分之第二基板134。因而，在第二基板134中形成凹陷區196，如第24圖所示。

接著，移除第二轉印材料層114。如此，即可形成由第二接觸黏附層138與第二基板134共同構成之立體的圖案結構198，如第25圖所示。

請參照第26圖，完成第25圖所示之結構後，可進一步移除剩餘之第二接觸黏附層138。如此，即可在第二基板134中形成圖案結構200。

請參照第27圖與第28圖，其係繪示依照本發明之第十二實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。完成第24圖所示之結構後，可先形成圖案材料層202、206與204分別覆蓋在凹陷區196所暴露出之第二基板134的部分、第一階梯部146之第二部分144、與第二轉印材料層114上，如第27圖所示。

接著，進行舉離步驟，以移除第二轉印材料層114、與位於第二轉印材料層114上之圖案材料層204。如此，即可形成由第二接觸黏附層138之第一階梯部146、圖案材料層202與206、以及第二基板134共同構成之三維的圖案結構208，如第28圖所示。

請參照第29圖，完成第28圖所示之結構後，可進一步移除剩餘之第二接觸黏附層138。如此，即可形成由圖案材料層202與第二基板134共同構成之三維的圖案結構210，如第29圖所示。

請參照第30圖與第31圖，其係繪示依照本發明之第十四實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。完成第22圖所示之結構後，可先形成圖案材料層212、214與216分別覆蓋在第二基板134之表面136的暴露部分、第二轉印材料層114、與第一階梯部146之第二部分144上，如第30圖所示。

接著，進行舉離步驟，而移除第二轉印材料層114、與位於第二轉印材料層114上之圖案材料層214。如此，即可形成由第二接觸黏附層138之第一階梯部146、以及圖案材料層212與216共同構成之三維的圖案結構218，如第31圖所示。

在另一實施例中，請參照第32圖，完成第30圖所示之結構後，所進行之舉離步驟除了移除第二轉印材料層114、與位於第二轉印材料層114上之圖案材料層214外，更可包含移除剩餘之第二接觸黏附層138與其上之圖案材料層216。如此，即可形成由圖案材料層212所構成之圖案結構220，如第32圖所示。

請參照第33圖與第34圖，其係繪示依照本發明之第十六實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。請一併參照第8圖。在本實施方式中，將模仁100a之第二轉印材料層114轉移至第二基板134之第二接觸黏附層138後，利用例如蝕刻方式，並以第二轉印材料層114為遮罩，來移除第二接觸黏附層138之第一階梯部146的第二部分144與第二階梯部140，而暴露出第一階梯部146的第二部分144與第二階梯部140下方之第二基板134的表面136部分，如第33圖所示。移除第二接觸黏附層138之第一階梯部146之第二部分144與第二階梯部140後，可將第二轉印材料層114之圖案轉移至第二接觸黏附層138中。

接下來，移除第二轉印材料層114。如此，即可在第二基板134上形成由第一階梯部146之第一部分142所構成之圖案結構222，如第34圖所示。圖案結構222之圖案係轉移自第二轉印材料層114之圖案。

請參照第35圖與第36圖，其係繪示依照本發明之第十七實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。完成第33圖所示之結構後，可利用第二轉印材料層114為遮罩，蝕刻第二基板134之表面136的暴露部分，以移除部分之第二基板134。因而，在第二基板134中形成凹陷區226，如第35圖所示。

接著，移除第二轉印材料層114。如此，即可形成由第二接觸黏附層138之第一階梯部146的第一部分142與第二基板134共同構成之圖案結構228，如第36圖所示。圖案結構228之圖案同樣係轉移自第二轉印材料層114之圖案。

在另一實施例中，請參照第37圖，完成第36圖所示之結構後，可進一步移除剩餘之第二接觸黏附層138。如此，即可在第二基板134中形成圖案結構230。圖案結構230之圖案亦轉移自第二轉印材料層114之圖案。

請參照第38圖與第39圖，其係繪示依照本發明之第十九實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。完成第35圖所示之結構後，可先形成圖案材料層232與234分別覆蓋在凹陷區226所暴露出之第二基板134的部分與第二轉印材料層114上，如第38圖所示。

接著，進行舉離步驟，以移除第二轉印材料層114、與位於第二轉印材料層114上之圖案材料層234。如此，即可形成由第二接觸黏附層138之第一階梯部146的第一部分142、圖案材料層232與第二基板134共同構成之圖案結構236，如第39圖所示。圖案結構236之圖案同樣係轉移自第二轉印材料層114之圖案。

在另一實施例中，請參照第40圖，完成第38圖所示之結構後，所進行之舉離步驟除了移除移除第二轉印材料層114與其上之圖案材料層234外，更可包含移除剩餘之第二接觸黏附層138。如此，即可形成由圖案材料層232與第二基板134共同構成之圖案結構238，如第40圖所示。

請參照第41圖與第42圖，其係繪示依照本發明之第二十一實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。完成第33圖所示之結構後，可先形成圖案材料層240與242分別覆蓋在第二基板134之表面136的暴露部分與第二轉印材料層114上，如第41圖所示。

接著，進行舉離步驟，而移除第二轉印材料層114、與位於第二轉印材料層114上之圖案材料層242。如此，即可形成由第二接觸黏附層138之第一階梯部146的第一部分142與圖案材料層240共同構成之圖案結構224，如第42圖所示。

在另一實施例中，請參照第43圖，完成第41圖所示之結構後，所進行之舉離步驟除了移除第二轉印材料層114與其上之圖案材料層242外，更可包含移除剩餘之第二接觸黏附層138。如此，即可形成由圖案材料層240所構成之圖案結構244，如第43圖所示。圖案結構244之圖案大致上與第二轉印材料層114之圖案互補。

請參照第44圖與第45圖，其係繪示依照本發明之第二十三實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。請一併參照第10圖。在本實施方式中，將模仁100a之第三轉印材料層116轉移至第三基板148之第三接觸黏附層152後，利用例如蝕刻方式，並以第三轉印材料層116為遮罩，來移除第三接觸黏附層152之第三階梯部158與第二階梯部160之一部分，而暴露出第三階梯部158下方之第三基板148的表面246部分，如第44圖所示。

接下來，移除第三轉印材料層116。如此，即可在第三基板148上形成由第三接觸黏附層152之第一階梯部162與第二階梯部160所構成之三維的圖案結構248，如第45圖所示。

請參照第46圖與第47圖，其係繪示依照本發明之第二十四實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。完成第44圖所示之結構後，可利用第三轉印材料層116與第三接觸黏附層152之第二階梯部160為遮罩，蝕刻第三基板148之表面246的暴露部分，以移除部分之第三基板148。因而，在第三基板148中形成凹陷區250，如第46圖所示。

接著，移除第三轉印材料層116。如此，即可形成由第三接觸黏附層152之第一階梯部162與第二階梯部160、以及第三基板148共同構成之立體的圖案結構252，如第47圖所示。

請參照第48圖，完成第47圖所示之結構後，可進一步移除剩餘之第三接觸黏附層152。如此，即可在第三基板148中形成圖案結構254。

請參照第49圖與第50圖，其係繪示依照本發明之第二十六實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。完成第46圖所示之結構後，可先形成圖案材料層256、258與260分別覆蓋在凹陷區250所暴露出之第三基板148的部分、第二階梯部160、與第三轉印材料層116上，如第49圖所示。

接著，進行舉離步驟，以移除第三轉印材料層116、與位於第三轉印材料層114上之圖案材料層260。如此，即可形成由第三接觸黏附層152之第一階梯部162與第二階梯部160、圖案材料層256與258、以及第三基板148共同構成之三維的圖案結構262，如第50圖所示。

在另一實施例中，請參照第51圖，完成第49圖所示之結構後，所進行之舉離步驟除了移除第三轉印材料層116與其上之圖案材料層260外，更可包含移除剩餘之第三接觸黏附層152。如此，即可形成由圖案材料層256與第三基板148共同構成之三維的圖案結構264，如第51圖所示。

請參照第52圖與第53圖，其係繪示依照本發明之第二十八實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。完成第44圖所示之結構後，可先形成圖案材料層266、268與270分別覆蓋在第三基板148之表面246的暴露部分、第二階梯部160、與第三轉印材料層116上，如第52圖所示。

接著，進行舉離步驟，而移除第三轉印材料層116、與位於第三轉印材料層116上之圖案材料層270。如此，即可形成由第三接觸黏附層150之第一階梯部162與第二階梯部160、以及圖案材料層266與268共同構成之三維的圖案結構272，如第53圖所示。

在另一實施例中，請參照第54圖，完成第52圖所示之結構後，所進行之舉離步驟除了移除第三轉印材料層116與其上之圖案材料層270外，更可包含移除剩餘之第三接觸黏附層152與其上之圖案材料層268。如此，即可形成由圖案材料層266所構成之圖案結構274，如第54圖所示。

請參照第55圖與第56圖，其係繪示依照本發明之第三十實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。請一併參照第10圖。在本實施方式中，將模仁100a之第三轉印材料層116轉移至第三基板148之第三接觸黏附層152後，利用例如蝕刻方式，並以第三轉印材料層116為遮罩，來移除第三接觸黏附層152之第二階梯部160與第三階梯部158，而暴露出第二階梯部160與第三階梯部158下方之第三基板148的表面246部分，如第55圖所示。移除第三接觸黏附層152之第二階梯部160與第三階梯部158後，可將第三轉印材料層116之圖案轉移至第三接觸黏附層152中。

接下來，移除第三轉印材料層116。如此，即可在第三基板148上形成由第一階梯部162所構成之圖案結構276，如第56圖所示。圖案結構276之圖案係轉移自第三轉印材料層116之圖案。

請參照第57圖與第58圖，其係繪示依照本發明之第三十一實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。完成第55圖所示之結構後，可利用第三轉印材料層116為遮罩，蝕刻第三基板148之表面246的暴露部分，以移除部分之第三基板148。因而，在第三基板148中形成凹陷區278，如第57圖所示。

接著，移除第三轉印材料層116。如此，即可形成由第三接觸黏附層152之第一階梯部162與第三基板148共同構成之圖案結構280，如第58圖所示。

在另一實施例中，請參照第59圖，完成第58圖所示之結構後，可進一步移除剩餘之第三接觸黏附層152。如此，即可在第三基板148中形成圖案結構282。圖案結構282之圖案亦轉移自第三轉印材料層116之圖案。

請參照第60圖與第61圖，其係繪示依照本發明之第三十三實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。完成第57圖所示之結構後，可先形成圖案材料層284與286分別覆蓋在凹陷區278所暴露出之第三基板148的部分與第三轉印材料層116上，如第60圖所示。

接著，進行舉離步驟，以移除第三轉印材料層116、與位於第三轉印材料層116上之圖案材料層286。如此，即可形成由第三接觸黏附層152之第一階梯部162、圖案材料層284與第三基板148共同構成之圖案結構288，如第61圖所示。

在另一實施例中，請參照第62圖，完成第60圖所示之結構後，所進行之舉離步驟除了移除移除第三轉印材料層116與其上之圖案材料層286外，更可包含移除剩餘之第三接觸黏附層152。如此，即可形成由圖案材料層284與第三基板148共同構成之圖案結構290，如第62圖所示。

請參照第63圖與第64圖，其係繪示依照本發明之第三十五實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。完成第55圖所示之結構後，可先形成圖案材料層292與294分別覆蓋在第三基板148之表面246的暴露部分與第三轉印材料層116上，如第63圖所示。

接著，進行舉離步驟，而移除第三轉印材料層116、與位於第三轉印材料層116上之圖案材料層294。如此，即可形成由第三接觸黏附層152之第一階梯部162與圖案材料層292共同構成之圖案結構296，如第64圖所示。

在另一實施例中，請參照第65圖，完成第63圖所示之結構後，所進行之舉離步驟除了移除第三轉印材料層116與其上之圖案材料層294外，更可包含移除剩餘之第三接觸黏附層152。如此，即可形成由圖案材料層292所構成之圖案結構298，如第65圖所示。圖案結構298之圖案大致上與第三轉印材料層116之圖案互補。

由上述之實施方式可知，本發明之一優點就是因為本發明之多階式接觸轉印製程利用多階層式的立體模仁來進行轉印。因此，僅利用單一模仁，即可達到多次轉印的效果。

由上述之實施方式可知，本發明之另一優點就是因為藉由多階層式立體模仁的採用，可產生數量與模仁之圖案結構的階數相同的具轉印圖案的基板。因此，不僅可降低製程成本，更可達到高量產、高效率、以及轉印圖案多樣化的目標。

由上述之實施方式可知，本發明之又一優點就是因為本發明之多階式接觸轉印製程轉印完成之圖案具有多重互補性。因此，應用在光罩製作上，可直接形成高精準度的對準記號，有利於光罩的製作。

由上述之實施方式可知，本發明之再一優點就是因為本發明之多階式接觸轉印製程在轉印過程中可以轉印材料層作為蝕刻遮罩，因此可避免光阻殘餘層厚度過大的問題。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何在此技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100a．．．模仁

100b．．．模仁

102a．．．表面

102b．．．表面

104a．．．圖案結構

104b．．．圖案結構

106a．．．第一階梯面

106b．．．第一階梯面

108a．．．第二階梯面

108b．．．第二階梯面

110a．．．第三階梯面

110b．．．第三階梯面

112．．．第一轉印材料層

114．．．第二轉印材料層

116．．．第三轉印材料層

118．．．抗沾黏膜層

120．．．第一基板

122．．．表面

124．．．第一接觸黏附層

126．．．均佈壓力

128．．．滾筒

130．．．集中壓力

132a．．．光源

132b．．．加熱源

134．．．第二基板

136．．．表面

138．．．第二接觸黏附層

140．．．第二階梯部

142．．．第一部分

144．．．第二部分

146．．．第一階梯部

148．．．第三基板

150．．．表面

152．．．第三接觸黏附層

154．．．均佈壓力

156a．．．光源

156b．．．加熱源

158．．．第三階梯部

160．．．第二階梯部

162．．．第一階梯部

164．．．階梯狀結構

166．．．階梯狀結構

168．．．部分

170．．．圖案結構

172．．．凹陷區

174．．．圖案結構

176．．．圖案結構

178．．．圖案材料層

180．．．圖案材料層

182．．．圖案結構

184．．．圖案結構

186．．．圖案材料層

188．．．圖案材料層

190．．．圖案結構

192．．．圖案結構

194．．．圖案結構

196．．．凹陷區

198．．．圖案結構

200．．．圖案結構

202．．．圖案材料層

204．．．圖案材料層

206．．．圖案材料層

208．．．圖案結構

210．．．圖案結構

212．．．圖案材料層

214．．．圖案材料層

216．．．圖案材料層

218．．．圖案結構

220．．．圖案結構

222．．．圖案結構

224．．．圖案結構

226．．．凹陷區

228．．．圖案結構

230．．．圖案結構

232．．．圖案材料層

234．．．圖案材料層

236．．．圖案結構

238．．．圖案結構

240．．．圖案材料層

242．．．圖案材料層

244．．．圖案結構

246．．．表面

248．．．圖案結構

250．．．凹陷區

252．．．圖案結構

254．．．圖案結構

256．．．圖案材料層

258．．．圖案材料層

260．．．圖案材料層

262．．．圖案結構

264．．．圖案結構

266．．．圖案材料層

268．．．圖案材料層

270．．．圖案材料層

272．．．圖案結構

274．．．圖案結構

276．．．圖案結構

278．．．凹陷區

280．．．圖案結構

282．．．圖案結構

284．．．圖案材料層

286．．．圖案材料層

288．．．圖案結構

290．．．圖案結構

292．．．圖案材料層

294．．．圖案材料層

296．．．圖案結構

298．．．圖案結構

300a．．．光源

300b．．．加熱源

302．．．均佈壓力

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：

第1A、2A、3、4B、5A、6、7A、8、9A與10圖係繪示依照本發明之第一實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第1B圖係繪示依照本發明之另一實施例的一種模仁的剖面示意圖。

第2B圖係繪示依照本發明之另一實施例的一種模仁經設置抗沾黏膜層與轉印材料層後的剖面示意圖。

第4A圖係繪示依照本發明之另一實施例的一種模仁與基板之壓合示意圖。

第5B圖係繪示依照本發明之另一實施例的一種照射方式的裝置示意圖。

第5C圖係繪示依照本發明之又一實施例的一種加熱方式的裝置示意圖。

第7B圖係繪示依照本發明之另一實施例的一種加熱方式的裝置示意圖。

第9B圖係繪示依照本發明之另一實施例的一種加熱方式的裝置示意圖。

第11圖與第12圖係繪示依照本發明之第二實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第13圖與第14圖係繪示依照本發明之第三實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第15圖係繪示依照本發明之第四實施方式的一種基板經圖案轉印後之剖面圖。

第16圖與第17圖係繪示依照本發明之第五實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第18圖係繪示依照本發明之第六實施方式的一種基板經圖案轉印後之剖面圖。

第19圖與第20圖係繪示依照本發明之第七實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第21圖係繪示依照本發明之第八實施方式的一種基板經圖案轉印後之剖面圖。

第22圖與第23圖係繪示依照本發明之第九實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第24圖與第25圖係繪示依照本發明之第十實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第26圖係繪示依照本發明之第十一實施方式的一種基板經圖案轉印後之剖面圖。

第27圖與第28圖係繪示依照本發明之第十二實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第29圖係繪示依照本發明之第十三實施方式的一種基板經圖案轉印後之剖面圖。

第30圖與第31圖係繪示依照本發明之第十四實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第32圖係繪示依照本發明之第十五實施方式的一種基板經圖案轉印後之剖面圖。

第33圖與第34圖係繪示依照本發明之第十六實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第35圖與第36圖係繪示依照本發明之第十七實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第37圖係繪示依照本發明之第十八實施方式的一種基板經圖案轉印後之剖面圖。

第38圖與第39圖係繪示依照本發明之第十九實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第40圖係繪示依照本發明之第二十實施方式的一種基板經圖案轉印後之剖面圖。

第41圖與第42圖係繪示依照本發明之第二十一實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第43圖係繪示依照本發明之第二十二實施方式的一種基板經圖案轉印後之剖面圖。

第44圖與第45圖係繪示依照本發明之第二十三實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第46圖與第47圖係繪示依照本發明之第二十四實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第48圖係繪示依照本發明之第二十五實施方式的一種基板經圖案轉印後之剖面圖。

第49圖與第50圖係繪示依照本發明之第二十六實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第51圖係繪示依照本發明之第二十七實施方式的一種基板經圖案轉印後之剖面圖。

第52圖與第53圖係繪示依照本發明之第二十八實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第54圖係繪示依照本發明之第二十九實施方式的一種基板經圖案轉印後之剖面圖。

第55圖與第56圖係繪示依照本發明之第三十實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第57圖與第58圖係繪示依照本發明之第三十一實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第59圖係繪示依照本發明之第三十二實施方式的一種基板經圖案轉印後之剖面圖。

第60圖與第61圖係繪示依照本發明之第三十三實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第62圖係繪示依照本發明之第三十四實施方式的一種基板經圖案轉印後之剖面圖。

第63圖與第64圖係繪示依照本發明之第三十五實施方式的一種多階式接觸轉印製程的流程圖。

第65圖係繪示依照本發明之第三十六實施方式的一種基板經圖案轉印後之剖面圖。

100a．．．模仁

102a．．．表面

104a．．．圖案結構

106a．．．第一階梯面

108a．．．第二階梯面

110a．．．第三階梯面

114．．．第二轉印材料層

116．．．第三轉印材料層

134．．．第二基板

136．．．表面

138．．．第二接觸黏附層

300a．．．光源

302．．．均佈壓力

Claims (37)

1. 一種多階式接觸轉印製程，包含：提供一模仁，其中該模仁之一表面設有一圖案結構，該圖案結構係一階梯狀結構，且該圖案結構包含複數個階梯面，該些階梯面之一最高者位於該模仁之該表面；形成複數個轉印材料層分別覆蓋在該些階梯面上；提供複數個基板，其中每一該些基板之一表面上覆蓋有一接觸黏附層；以及進行複數個轉印步驟，以使該些階梯面上之該些轉印材料層由高而低地分別轉移至該些基板之該些接觸黏附層上。
2. 如請求項1所述之多階式接觸轉印製程，更包含分別以該些轉印材料層作為遮罩，蝕刻該些接觸黏附層，以完全移除該些接觸黏附層中未受到該些轉印材料層遮罩的部分，而暴露出每一該些基板之該表面的一部分。
3. 如請求項2所述之多階式接觸轉印製程，於蝕刻該些接觸黏附層之步驟後，更包含自該些接觸黏附層上移除該些轉印材料層。
4. 如請求項2所述之多階式接觸轉印製程，於蝕刻該些接觸黏附層之步驟後，更包含分別以該些轉印材料層作為遮罩，蝕刻每一該些基板之該表面暴露之該部分。
5. 如請求項4所述之多階式接觸轉印製程，於蝕刻該些基板之步驟後，更包含自該些接觸黏附層上移除該些轉印材料層。
6. 如請求項5所述之多階式接觸轉印製程，於移除該些轉印材料層之步驟後，更包含移除剩餘之該些接觸黏附層。
7. 如請求項4所述之多階式接觸轉印製程，於蝕刻該些基板之步驟後，更包含形成複數個圖案材料層分別覆蓋在該些轉印材料層與該些基板暴露出之該些表面上。
8. 如請求項7所述之多階式接觸轉印製程，於形成該些圖案材料層後，更包含進行複數個舉離步驟，以分別移除剩餘之該些接觸黏附層、以及位於該些接觸黏附層上方之該些轉印材料層與該些圖案材料層。
9. 如請求項2所述之多階式接觸轉印製程，於蝕刻該些接觸黏附層之步驟後，更包含形成複數個圖案材料層分別覆蓋在該些轉印材料層與該些基板之該些表面暴露之該些部分上。
10. 如請求項9所述之多階式接觸轉印製程，於形成該些圖案材料層後，更包含進行複數個舉離步驟，以分別 移除剩餘之該些接觸黏附層、以及位於該些接觸黏附層上方之該些轉印材料層與該些圖案材料層。
11. 如請求項1所述之多階式接觸轉印製程，其中每一該些接觸黏附層包含至少二階梯部，且該多階式接觸轉印製程更包含分別以該些轉印材料層作為遮罩，蝕刻該些接觸黏附層，以移除未受到該些轉印材料層遮罩之該些接觸黏附層中的一部分，其中蝕刻該些接觸黏附層之步驟進行至暴露出每一該些基板之該表面的一部分即停止。
12. 如請求項11所述之多階式接觸轉印製程，於蝕刻該些接觸黏附層之步驟後，更包含自該些接觸黏附層上移除該些轉印材料層。
13. 如請求項11所述之多階式接觸轉印製程，於蝕刻該些接觸黏附層之步驟後，更包含分別以該些轉印材料層與剩餘之該些接觸黏附層作為遮罩，蝕刻每一該些基板之該表面暴露之該部分。
14. 如請求項13所述之多階式接觸轉印製程，於蝕刻該些基板之步驟後，更包含自該些接觸黏附層上移除該些轉印材料層。
15. 如請求項14所述之多階式接觸轉印製程，於移除該些轉印材料層之步驟後，更包含移除剩餘之該些接觸黏 附層。
16. 如請求項13所述之多階式接觸轉印製程，於蝕刻該些接觸黏附層之步驟後，於蝕刻該些基板之步驟後，更包含形成複數個圖案材料層分別覆蓋在該些轉印材料層、暴露出之該些接觸黏附層與該些基板暴露出之該些表面上。
17. 如請求項16所述之多階式接觸轉印製程，於形成該些圖案材料層後，更包含進行複數個舉離步驟，以分別移除剩餘之該些接觸黏附層、以及位於該些接觸黏附層上方之該些轉印材料層與該些圖案材料層。
18. 如請求項11所述之多階式接觸轉印製程，於蝕刻該些接觸黏附層之步驟後，更包含形成複數個圖案材料層分別覆蓋在該些轉印材料層、暴露出之該些接觸黏附層與該些基板之該些表面暴露之該些部分上。
19. 如請求項18所述之多階式接觸轉印製程，於形成該些圖案材料層後，更包含進行複數個舉離步驟，以分別移除剩餘之該些接觸黏附層、以及位於該些接觸黏附層上方之該些轉印材料層與該些圖案材料層。
20. 如請求項1所述之多階式接觸轉印製程，其中該模仁之材料包含矽、高分子聚合物系列材料、有機材料、 塑膠材料、半導體材料、金屬材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、無機材料、上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。
21. 如請求項1所述之多階式接觸轉印製程，其中該些階梯面的形狀結構種類包含平面、曲面或其組合。
22. 如請求項1所述之多階式接觸轉印製程，其中該模仁之該表面覆蓋有一抗沾黏膜層。
23. 如請求項22所述之多階式接觸轉印製程，其中該抗沾黏膜層之材料為有機材料、無機材料、高分子材料、陶瓷材料、金屬材料、鐵弗龍材料、類鑽碳材料、碳氟化合物(C_x F_y )經電漿解離後之沉積材料、或其中兩者或兩者以上之合成材料。
24. 如請求項1所述之多階式接觸轉印製程，其中該些基板之材料包含矽、高分子聚合物系列材料、有機材料、塑膠材料、半導體材料、金屬材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、無機材料、上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。
25. 如請求項1所述之多階式接觸轉印製程，其中該些轉印材料層之材料包含矽、高分子聚合物系列材料、有機材料、塑膠材料、半導體材料、金屬材料、石英、玻璃 材料、陶瓷材料、無機材料、上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。
26. 如請求項1所述之多階式接觸轉印製程，其中該些接觸黏附層之材料包含熱塑性材料、熱固性材料或感光固化性材料。
27. 如請求項1所述之多階式接觸轉印製程，其中該些接觸黏附層之材料包含矽、高分子聚合物系列材料、光阻材料、有機材料、塑膠材料、半導體材料、金屬材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、無機材料、上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。
28. 如請求項1所述之多階式接觸轉印製程，其中該些轉印步驟更包含利用一加熱源對該些接觸黏附層進行一加熱處理，使得與該些轉印材料層接觸貼合的該些接觸黏附層固化。
29. 如請求項28所述之多階式接觸轉印製程，其中該加熱源為一雷射光式加熱源、一燈源照光式加熱源、一熱電阻式加熱源、一渦電流式加熱源、一微波式加熱源或一超音波式加熱源。
30. 如請求項29所述之多階式接觸轉印製程，其中該雷射光式加熱源與該燈源照光式加熱源的波長範圍介於1 nm至10⁷ μm之間。
31. 如請求項1所述之多階式接觸轉印製程，其中該些轉印步驟更包含利用一光源對該些接觸黏附層進行一光固化處理，使得與該些階梯面上的該些轉印材料層接觸貼合的該些接觸黏附層固化。
32. 如請求項31所述之多階式接觸轉印製程，其中該光源的波長範圍介於1 nm至10⁷ μm之間。
33. 如請求項1所述之多階式接觸轉印製程，其中每一該些轉印步驟更包含施加一集中壓力或均佈壓力。
34. 如請求項33所述之多階式接觸轉印製程，其中施加該集中壓力之步驟包含利用一滾筒在該模仁之相對於該表面之另一表面、及/或每一該些基板之相對於該表面之另一表面上進行一施壓步驟。
35. 如請求項1所述之多階式接觸轉印製程，其中該模仁之材料為具有抗沾黏特性的金屬、無機材料、高分子聚合物(polymer)系列材質、陶瓷材料、半導體材料、有機材料或上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。
36. 如請求項1所述之多階式接觸轉印製程，其中每 一該些轉印步驟更包含：利用一加熱源對該接觸黏附層進行一加熱處理，使該接觸黏附層達到熔融狀；以及將該圖案結構壓入該接觸黏附層中。
37. 如請求項36所述之多階式接觸轉印製程，其中該加熱處理包含使該些接觸黏附層達到玻璃轉變溫度(Tg)。