CN100570370C - 加速度传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种加速度传感器。该加速度传感器可以减小XYZ三轴的输出差，从而实现省电化。压电阻型三轴加速度传感器具有：外框部(11)，配置于该外框部(11)内的质量部(13)，柔性地支承该质量部(13)的梁部件(14-1a、14-1b、14-2a、14-2b)，形成于该梁部件(14-1a、14-1b、14-2a、14-2b)上的X、Y、Z轴用压电阻体(15-1a、15-1b～15-6a、15-6b)。使Z轴用压电阻体(15-5a、15-5b、15-6a、15-6b)的长度L2长于X轴用压电阻体(15-1a、15-1b、15-2a、15-2b)和Y轴用压电阻体(15-3a、15-3b、15-4a、15-4b)的长度L1，从而使灵敏度降低。
Description
技术领域
本发明涉及用于便携式终端设备等并用于检测XYZ三个轴方向的加速度的压电阻型三轴加速度传感器，特别涉及关于减小XYZ三轴的输出差并实现节电化的技术。
背景技术
以往，作为减小XYZ三轴的输出差的加速度传感器的技术，有例如记载于下述文献中的技术。
[专利文献1]日本专利公报特开2003-279592号
图4(a)、(b)表示专利文献1所记载的以往的压电阻型三轴加速度传感器的大体结构图，其中，图4(a)为俯视图，图4(b)为图4(a)中的A1-A2线剖面图。
该加速度传感器的整体由单晶硅基板形成，并具有四边形的外框部1。在外框部1的内侧的四个角形成有沿垂直方向即Z轴方向贯通的开口部2，在该开口部2的内侧中央配置有由壁厚的重物所构成的质量部3。质量部3通过薄壁的梁部4与外框部1柔性地连接。梁部4由在水平面上作为横向的X轴方向的两个梁部件4-1a、4-1b和作为纵向的Y轴方向的两个梁部件4-2a、4-2b构成，通过这四个梁部件4-1a、4-1b、4-2a、4-2b将中央的质量部3可在XYZ轴方向变位地进行支承。
在X轴方向的各梁部4-1a、4-1b上形成有由两个构成一对的X轴用压电阻体5-1a、5-1b和5-2a、5-2b，同时形成Z轴用压电阻体5-5a、5-5b和5-6a、5-6b。同样，在Y轴方向的各梁部4-2a、4-2b上形成有由两个构成一对的Y轴用压电阻体5-3a、5-3b和5-4a、5-4b。各压电阻体5-1a、5-1b～5-6a、5-6b设定为同一形状(即、同一长度)、同一电阻值。
加速度的检测原理如下，即，将中央质量部3承受与加速度成比例的力而产生变位时的梁部件4-1a、4-1b、4-2a、4-2b的挠曲，作为形成于其上的压电阻体对5-1a和5-1b、5-2a和5-2b、5-3a和5-3b、5-4a和5-4b、5-5a和5-5b、5-6a和5-6b的电阻值变化而检测出来，从而检测三轴方向的加速度。在此，以独立地构成桥接电路的方式分别将各轴的四个压电阻体连接起来，从而用梁部件4-1a、4-1b上的两对压电阻体5-1a和5-1b、5-2a和5-2b检测X轴方向的加速度，用梁部件4-1a、4-1b上的两对压电阻体5-5a和5-5b、5-6a和5-6b检测Z轴方向的加速度，用梁部件4-2a、4-2b上的两对压电阻体5-3a和5-3b、5-4a和5-4b检测Y轴方向的加速度。
下面说明压电阻体的配置和各XYZ轴的输出之间的关系。主要对例如梁部件4-1a上的X轴用压电阻体5-1a、5-1b和Z轴用压电阻体5-5a、5-5b进行说明。
与图4不同，假设X轴用压电阻体5-1a和Z轴用压电阻体5-5a配置于与外框部1的边界线P1相接的位置，而X轴用压电阻体5-1b和Z轴用压电阻体5-5b配置于与质量部3的边界线P2相接的位置。在此情况下，当梁部件4-1a承受加速度而产生挠曲时，在该梁部件4-1a的外框部1和质量部3附近的部分产生应力集中，从而可以得到最大的传感器输出。此时，X轴和Z轴的灵敏度(相对于角速度1G、驱动电压1V的输出)特性不同，X轴的灵敏度呈2次函数的变化，而Z轴的灵敏度则呈1次函数的变化。
即，当在X轴方向施加1G的加速度时，施加于梁部件4-1a上的弯矩可以用从通过梁部件4-1a、4-1b、4-2a、4-2b的平面至质量部3的重心的距离s1和质量部3的质量m的积(s1×m)来表示。因此，在质量部3的厚度变化时，弯矩与s1和m成比例，所以X轴的灵敏度呈2次函数的变化。与之相对地，当在Z轴方向施加1G的加速度时，施加于梁部件4-1a上的弯矩可以用梁部件4-1a的长度s2和质量部3的质量m的积(s2×m)来表示。因此，在质量部3的厚度变化时，弯矩仅与m成比例，所以Z轴的灵敏度呈1次函数的变化。
为了消除X轴和Y轴的输出差，只要选定表示X轴灵敏度的2次函数曲线和表示Y轴灵敏度的1次函数曲线的交点处的质量部3的厚度(例如800μm左右)即可。但是，由于用于半导体等单晶硅基板的厚度大多为625μm和525μm，从而需要特别定制大约800μm的单晶硅基板而导致成本增加等问题，所以，由质量部3的厚度来调整输出并不是最佳的方法。
若采用容易得到的625μm或525μm厚的单晶硅基板，则由Z轴的1次函数曲线通过X轴的2次函数曲线的上方可知，与X轴的输出相比Z轴的输出变大。若产生这样的输出差，则传感器的检测精度下降，从而为了减小该输出差，必须为各轴准备一个输出放大率不同的放大器，这样会存在成本增加的缺点。
因此，为了消除上述缺点，在专利文献1中，如图4所示，在作为梁部件4-1a的应力集中部位的与外框部1的边界线P1以及与质量部3的边界线P2上，将X轴用压电阻体5-1a配置于与边界线P1相接的位置，将X轴用压电阻体5-1b配置于与边界线P2相接的位置，与此相对地，将Z轴用压电阻体5-5a和5-5b之间的间隔如图4那样扩宽，或虽未加图示但也可将该间隔变窄，通过将该Z轴用压电阻体5-5a和5-5b配置于应力集中区域作用较小的位置，降低Z轴用压电阻体5-5a、5-5b的灵敏度，进而来减小与X轴之间的输出差。
但是，在以往的专利文献1的加速度传感器中，为了减小各XYZ轴的输出差，通过例如扩大或减小同一形状的Z轴用压电阻体5-5a和5-5b的间隔来加以调整，从而当确定配置该Z轴用压电阻体5-5a、5-5b的位置时，必须要进行复杂的变形计算，既不利又不便。另外，当将加速度传感器搭载于便携式终端设备等上并进行干电池驱动时，希望角速度传感器的电力消耗量小，但是，在专利文献1所包含的现有技术中，对省电化却未加考虑，从而无法得到在技术上令人满足的角速度传感器。
发明内容
为了解决上述课题，本发明的加速度传感器，具有：外框部；配置于所述外框部内的质量部；梁部，在由X轴、Y轴和Z轴构成的三次坐标中具有所述X轴方向的梁部件和所述Y轴方向的梁部件，通过所述X轴方向的梁部件和所述Y轴方向的梁部件将所述质量部柔性地连结到所述外框部上；X轴用压电阻体对，具有与所述X轴方向的梁部件的一端相接地设置在所述X轴方向的梁部件上的长度为L1的第一X轴用压电阻体，以及与所述X轴方向的梁部件的另一端相接地设置在所述X轴方向的梁部件上的长度为L1的第二X轴用压电阻体；Y轴用压电阻体对，具有与所述Y轴方向的梁部件的一端相接地设置在所述Y轴方向的梁部件上的长度为L1的第一Y轴用压电阻体，以及与所述Y轴方向的梁部件的另一端相接地设置在所述Y轴方向的梁部件上的长度为L1的第二Y轴用压电阻体；Z轴用压电阻体对，具有设置于所述第一X轴用压电阻体附近的长度为L2的第一Z轴用压电阻体以及设置于所述第二X轴用压电阻体附近的长度为L2的第二Z轴用压电阻体；其特征在于，所述第一和第二Z轴用压电阻体的长度L2长于所述长度L1。
此外，在本发明的另一加速度传感器中，所述长度为L2的第一Z轴用压电阻体配置于包含所述第一X轴用压电阻体的长度L1的位置，并延伸设置于变形量小的区域且长于所述第一X轴用压电阻体；所述长度为L2的第二Z轴用压电阻体配置于包含所述第二X轴用压电阻体的长度L1的位置，并延伸设置于变形量小的区域且长于所述第二X轴用压电阻体。
根据本发明，若形成长于长度L1的各Z轴用压电阻体，则必然包括变形小的部分而降低灵敏度，因此，可以简单且容易地减小X轴和Z轴的输出差。而且，由于各Z轴用压电阻体的长度L2长于长度为L1的各X轴用压电阻体，所以电阻值增大。因此，在为了驱动而向加速度传感器施加一定的电压时，Z轴用压电阻体中流动的电流变少，从而在该部分可以进行节电，进而可以简单且容易地实现加速度传感器整体的省电化。
另外在本发明中，以长度为L1的X轴用压电阻体为基准而扩大Z轴用压电阻体的长度L2，从而其包括最大变形部分(L1部分)。此时，由于已经存在关于长度L1的数据，所以容易进行包括L1部分的长度L2的计算，也就是说，由于含有已经完成关于L1的数据存储的L1部分，所以L2的计算变得容易。
附图说明
图1为表示本发明的实施例1的压电阻型三轴加速度传感器的大体结构图。
图2为表示图1的各压电阻体15-1a、15-1b～15-6a、15-6b的形成位置和形状的例子的大体放大俯视图。
图3为表示图1的各压电阻体15-1a、15-1b～15-6a、15-6b的形成位置和形状的实施例2的大体放大俯视图。
图4为以往的压电阻型三轴加速度传感器的大体结构图。
具体实施方式
加速度传感器具有外框部、配置于所述外框部内的质量部、梁部、X、Y、Z轴用压电阻体对。所述梁部在由X轴、Y轴和Z轴构成的三次坐标中具有所述X轴方向的梁部件和所述Y轴方向的梁部件，通过所述X轴方向的梁部件和所述Y轴方向的梁部件将所述质量部与所述外框部柔性地相连。
所述X轴用压电阻体对，具有与所述X轴方向的梁部件的一端相接的长度为L1的第一X轴用压电阻体以及与所述X轴方向的梁部件的另一端相接的长度为L1的第二X轴用压电阻体。所述Y轴用压电阻体对，具有与所述Y轴方向的梁部件的一端相接的长度为L1的第一Y轴用压电阻体以及与所述Y轴方向的梁部件的另一端相接的长度为L1的第二Y轴用压电阻体。所述Z轴用压电阻体对，具有设置于所述第一X轴用压电阻体附近的长度为L2的第一Z轴用压电阻体以及设置于所述第二X轴用压电阻体附近的长度为L2的第二Z轴用压电阻体。
而且，所述第一和第二Z轴用压电阻体的长度L2长于所述长度L1。或者，所述长度为L2的第一Z轴用压电阻体配置于包含所述第一X轴用压电阻体的长度L1的位置，并延伸设置于变形量小的区域且长于所述第一X轴用压电阻体；所述长度为L2的第二Z轴用压电阻体配置于包含所述第二X轴用压电阻体的长度L1的位置，并延伸设置于变形量小的区域且长于所述第二X轴用压电阻体。
在此，所述第一和第二Z轴用压电阻体例如配置于所述X轴方向的梁部件内。或者，所述第一和第二Z轴用压电阻体跨越所述X轴方向的梁部件和所述外框部地进行配置。
[实施例1]
(图1的结构)
图1(a)、(b)为表示本发明的实施例1的压电阻型三轴加速度传感器的大体结构图，其中，图1(a)为俯视图，图1(b)为图1(a)中的A11-A12线剖面图。
该加速度传感器，与以往同样地，其整体由单晶硅基板所形成，并具有大致四方筒型的外框部11。在外框部11的内侧的四个角形成有沿垂直方向即Z轴方向贯通的、平面为大致L字形的开口部12，在该开口部12的内侧中央配置有由壁厚的重物所构成的、大致立方体形状的质量部13。质量部13通过薄壁的梁部14与外框部11柔性地连接。梁部14由在水平面上作为横向的X轴方向的两个大致长方形的梁部件14-1a、14-1b和作为纵向的Y轴方向的两个大致长方形的梁部件14-2a、14-2b构成，通过这四个梁部件14-1a、14-1b、14-2a、14-2b将中央的质量部13可在XYZ轴方向变位地进行支承。
在X轴方向的各梁部14-1a、14-1b上形成有由两个构成一对的X轴用压电阻体15-1a、15-1b和15-2a、15-2b，同时形成Z轴用压电阻体15-5a、15-5b和15-6a、15-6b。同样，在Y轴方向的各梁部14-2a、14-2b上也形成有由两个构成一对的Y轴用压电阻体15-3a、15-3b和15-4a、15-4b。
各压电阻体15-1a、15-1b～15-6a、15-6b具有规定的厚度，且其平面形状为大致同一宽度的长方形。各X轴用压电阻体15-1a、15-1b、15-2a、15-2b和各Y轴用压电阻体15-3a、15-3b、15-4a、15-4b为同一长度L1(例如50μm左右)，且具有大致同一电阻值。与此相对地，各Z轴用压电阻体15-5a、15-5b、15-6a、15-6b的长度L2长于各X轴用压电阻体和各Y轴用压电阻体的长度L1(例如L2＝60～70μm左右)，且具有较大的电阻值。
这样结构的加速度传感器的加速度的检测原理，与以往同样地，将中央质量部13承受与加速度成比例的力而产生变位时的梁部件14-1a、14-1b、14-2a、14-2b的挠曲，作为形成于其上的压电阻体对15-1a和15-1b、15-2a和15-2b、15-3a和15-3b、15-4a和15-4b、15-5a和15-5b、15-6a和15-6b的电阻值变化而检测出来，从而检测三轴方向的加速度。在此，以独立地构成桥接电路的方式分别将各轴的四个压电阻体连接起来，从而用梁部件14-1a、14-1b上的两对压电阻体15-1a和15-1b、15-2a和15-2b检测X轴方向的加速度，用梁部件14-1a、14-1b上的两对压电阻体15-5a和15-5b、15-6a和15-6b检测Z轴方向的加速度，用梁部件14-2a、14-2b上的两对压电阻体15-3a和15-3b、15-4a和15-4b检测Y轴方向的加速度。
X、Y轴的输出检测原理、连线方法和压电阻体的配置相同，可以与其他的轴相替换，所以若无特别的说明，则X和Y轴用X轴来表示。
(图1的制造例)
图1的加速度传感器例如如下所述地制造。
在单晶硅基板上由光刻技术而形成掩模图案，将该掩模图案制成掩模并打入硼等离子，从而形成规定位置和形状的压电阻体15-1a、15-1b～15-6a、15-6b。在整个面上形成用于保护压电阻体15-1a、15-1b～15-6a、15-6b的绝缘膜，在该绝缘膜上开设有接触孔，然后在其上形成配线膜，从而以分别构成三轴桥接电路的方式连接压电阻体15-1a、15-1b～15-6a、15-6b。由光刻技术而对单晶硅基板的背面进行蚀刻，将梁部14的背面薄膜化并形成各个分离的梁部件14-1a、14-1b、14-2a、14-2b，同时形成开口部12。然后，只要切割单晶硅基板的加速度传感器形成部位，即可得到加速度传感器芯片，从而只要将该芯片搭载于组件等上，即可完成制造工序。
(图2的配置例)
图2(a)、(b)表示在图1的各梁部件14-1a、14-1b、14-2a、14-2b上形成的各压电阻体15-1a、15-1b～15-6a、15-6b的形成位置和形状(特别是长度L1、L2)的例子的大体放大俯视图。在图2中，为了使图面的表示简单化，仅示出了图1中的梁部件14-1a这一部位。
本发明的特点如下：使Z轴用压电阻体15-5a、15-5b、15-6a、15-6b的长度L2长于X轴用压电阻体15-1a、15-1b、15-2a、15-2b的长度L1，从而降低灵敏度。作为其具体的实施例，在本实施例1中，并未特别指定各Z轴用压电阻体15-5a、15-5b、15-6a、15-6b的形成位置，相比于各X轴用压电阻体15-1a、15-1b、15-2a、15-2b的长度L1，通过使各Z轴用压电阻体15-5a、15-5b、15-6a、15-6b形成得较长来降低灵敏度。
在图2(a)、(b)中均存在下述的配置，即，在长度为L1的各X轴用压电阻体15-1a、15-1b、15-2a、15-2b中，X轴用压电阻体15-1a(15-2a)形成于与外框部11的边界线P11-1(P11-2)相接的位置，X轴用压电阻体15-1b(15-2b)形成于与质量部13的边界线P12-1(P12-2)相接的位置。
而且，在图2(a)中，对于具有长度大于L1的长度L2的Z轴用压电阻体15-5a、15-5b(15-6a、15-6b)，减小其相互之间的间隔，并使之形成于X轴用压电阻体15-1a、15-1b(15-2a、15-2b)之间的内侧。
与之相对地，在图2(b)中，扩大Z轴用压电阻体15-5a、15-5b(15-6a、15-6b)相互之间的间隔，使之形成于X轴用压电阻体15-1a、15-1b(15-2a、15-2b)之间的外侧，并且使之跨越外框部11或重量部13。
这样，在图2(a)、(b)中同样地，具有长度L1的X轴用压电阻体15-1a、15-1b(15-2a、15-2b)配置于变形最大的部分，所以，若形成长度长于L1的Z轴用压电阻体15-5a、15-5b(15-6a、15-6b)，则必然包含变形小的部分，从而降低灵敏度。
(作用效果)
在本实施例1中，可以起到下述(1)、(2)的效果。
(1)若形成长度长于L1的各Z轴用压电阻体15-5a、15-5b、15-6a、15-6b，则必然包含变形小的部分而降低灵敏度，所以，可以简单且容易地减小X轴和Z轴的输出差。
(2)由于各Z轴用压电阻体15-5a、15-5b、15-6a、15-6b的长度L2长于长度为L1的各X轴用压电阻体15-1a、15-1b、15-2a、15-2b，所以其电阻值大。因此，在例如将施加于加速度传感器上的电压稳定为2V的情况下，流动的电流变少。也就是说，在Z轴用压电阻体15-5a、15-5b、15-6a、15-6b中流动的电流变少，所以在该部分中可以实现省电化，进而可以简单且容易地实现加速度传感器整体的省电化。
[实施例2]
与图2同样地，图3(a)、(b)为表示在图1的各梁部件14-1a、14-1b、14-2a、14-2b上形成的各压电阻体15-1a、15-1b～15-6a、15-6b的形成位置和形状(特别是长度L1、L2)的实施例2的大体放大俯视图。在图3中，与图2同样地，为了使图面的表示简单化，仅示出了图1中的梁部件14-1a这一部位。
本发明的特点如上所述：使Z轴用压电阻体15-5a、15-5b、15-6a、15-6b的长度L2长于X轴用压电阻体15-1a、15-1b、15-2a、15-2b的长度L1，从而降低灵敏度。作为其具体的实施例，在本实施例2中，包括各X轴用压电阻体15-1a、15-1b、15-2a、15-2b的长度L1，增加各Z轴用压电阻体15-5a、15-5b、15-6a、15-6b中的变形量小的部分的面积，从而降低灵敏度。
与图2(a)、(b)同样地，图3(a)、(b)中均存在下述的配置，即，在长度为L1的各X轴用压电阻体15-1a、15-1b、15-2a、15-2b中，X轴用压电阻体15-1a(15-2a)形成于与外框部11的边界线P11-1(P11-2)相接的位置，X轴用压电阻体15-1b(15-2b)形成于与重量部13的边界线P12-1(P12-2)相接的位置。
而且，在图3(a)中，在长度为L2的各Z轴用压电阻体15-5a、15-5b、15-6a、15-6b中，Z轴用压电阻体15-5a(15-6a)形成于与外框部11的边界线P11-1(P11-2)相接的位置，Z轴用压电阻体15-5b(15-6b)形成于与质量部13的边界线P12-1(P12-2)相接的位置。对于Z轴用压电阻体15-5a、15-5b(15-6a、15-6b)，以长度L1为基准扩大长度L2，即包括部分最大变形(L1部分)，从而使灵敏度降低。
与此相对地，在图3(b)中，以长度为L1的X轴用压电阻体15-1a、15-1b(15-2a、15-2b)为基准，跨越外框部11或质量部13地扩大Z轴用压电阻体15-5a、15-5b(15-6a、15-6b)的长度L2，从而包括最大变形部分(L1部分)，进而使灵敏度降低。
(作用效果)
在本实施例2中，除了具有实施例1中(2)的省电的作用效果以外，还具有下面(3)的作用效果。
(3)以长度为L1的X轴用压电阻体15-1a、15-1b、15-2a、15-2b为基准，扩大Z轴用压电阻体15-5a、15-5b、15-6a、15-6b的长度L2，从而包括最大变形部分(L1部分)。此时，由于已经存在关于长度L1的数据，所以，容易进行包括L1部分的长度L2的计算，也就是说，由于含有已经完成关于L1的数据存储的L1部分，所以L2的计算变得容易。在以往的专利文献1中，仅以同一形状进行位置的改变，从而在定位时变形量的计算等很繁杂，然而，在本实施例2中却可以巧妙地解决该问题。
[实施例3]
本发明并不限于上述实施例，而可以进行各种变形。作为该变形例的实施例3，例如如下所述。
加速度传感器的形状不限于正方形。也可以为长方形或圆形。此外，质量部13、支承该质量部的梁部14或者形成于其上的压电阻体15-1a、15-1b～15-6a、15-6b的形状或数量等也不限于示出的例子。
Claims (4)
1.一种加速度传感器，具有：
外框部；
配置于所述外框部内的质量部；
梁部，在由X轴、Y轴和Z轴构成的三次坐标中具有所述X轴方向的梁部件和所述Y轴方向的梁部件，通过所述X轴方向的梁部件和所述Y轴方向的梁部件将所述质量部柔性地连结到所述外框部上；
X轴用压电阻体对，具有与所述X轴方向的梁部件的一端相接地设置在所述X轴方向的梁部件上的长度为L1的第一X轴用压电阻体，以及与所述X轴方向的梁部件的另一端相接地设置在所述X轴方向的梁部件上的长度为L1的第二X轴用压电阻体；
Y轴用压电阻体对，具有与所述Y轴方向的梁部件的一端相接地设置在所述Y轴方向的梁部件上的长度为L1的第一Y轴用压电阻体，以及与所述Y轴方向的梁部件的另一端相接地设置在所述Y轴方向的梁部件上的长度为L1的第二Y轴用压电阻体；
Z轴用压电阻体对，具有设置于所述第一X轴用压电阻体附近的长度为L2的第一Z轴用压电阻体以及设置于所述第二X轴用压电阻体附近的长度为L2的第二Z轴用压电阻体；其特征在于，
所述第一和第二Z轴用压电阻体的长度L2长于所述长度L1。
2.一种加速度传感器，具有：
外框部；
配置于所述外框部内的质量部；
梁部，在由X轴、Y轴和Z轴构成的三次坐标中具有所述X轴方向的梁部件和所述Y轴方向的梁部件，由所述X轴方向的梁部件和所述Y轴方向的梁部件将所述质量部柔性地与所述外框部相连结；
X轴用压电阻体对，具有与所述X轴方向的梁部件的一端相接地设置在所述X轴方向的梁部件上的长度为L1的第一X轴用压电阻体，以及与所述X轴方向的梁部件的另一端相接地设置在所述X轴方向的梁部件上的长度为L1的第二X轴用压电阻体；
Y轴用压电阻体对，具有与所述Y轴方向的梁部件的一端相接地设置在所述Y轴方向的梁部件上的长度为L1的第一Y轴用压电阻体，以及与所述Y轴方向的梁部件的另一端相接地设置在所述Y轴方向的梁部件上的长度为L1的第二Y轴用压电阻体；
Z轴用压电阻体对，具有设置于所述第一X轴用压电阻体附近的长度为L2的第一Z轴用压电阻体以及设置于所述第二X轴用压电阻体附近的长度为L2的第二Z轴用压电阻体；
其特征在于，所述长度为L2的第一Z轴用压电阻体配置于包含所述第一X轴用压电阻体的长度L1的位置，并延伸设置于变形量小的区域且长于所述第一X轴用压电阻体；
所述长度为L2的第二Z轴用压电阻体配置于包含所述第二X轴用压电阻体的长度L1的位置，并延伸设置于变形量小的区域且长于所述第二X轴用压电阻体。
3.如权利要求1或2所述的加速度传感器，其特征在于，所述第一和第二Z轴用压电阻体配置于所述X轴方向的梁部件内。
4.如权利要求1或2所述的加速度传感器，其特征在于，所述第一和第二Z轴用压电阻体跨越所述X轴方向的梁部件和所述外框部地进行配置。
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