CN100513635C - 真空处理设备用的传动机构 - Google Patents
真空处理设备用的传动机构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100513635C CN100513635C CNB2004100559549A CN200410055954A CN100513635C CN 100513635 C CN100513635 C CN 100513635C CN B2004100559549 A CNB2004100559549 A CN B2004100559549A CN 200410055954 A CN200410055954 A CN 200410055954A CN 100513635 C CN100513635 C CN 100513635C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- shaped rod
- transmission rig
- gear mechanism
- substrate
- mechanism housing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Robotics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Pressure Vessels And Lids Thereof (AREA)
Abstract
本发明涉及真空处理设备的传动机构,该设备使基片托座绕轴线从进料闸经至少一个处理室被送至出料闸。在中心设有固定的支柱,其上支承着可旋转的传动装置壳体,壳体包括使基片托座旋转和径向移动的控制杆。在该壳体里设有电机和控制杆的可旋转的移动驱动装置,控制杆分别与基片托座连结。电机与位置固定的轴承箱连接,与支柱同心地支承有托架的可转动的星形组件,托架与肘形杆的一端铰接,肘形杆各有一枢轴销,肘形杆的另一端分别与其中一个控制杆铰接,枢轴销在第一控制凸轮里导向,该凸轮走向规定控制杆的径向运动。通过第二控制凸轮,使径向运动与可变的切向运动可变地周期性叠加,该凸轮有一通过铰接板与传动装置壳体相连的肘形杆。
Description
技术领域
本发明涉及真空处理设备用的传动机构,可通过该设备使多个基片托座在环绕轨道上绕一轴线从进料闸经过至少一个处理室被送至出料闸,在该环绕轨道中心设有一个固定的支柱,在支柱上支承有一个可旋转的传动装置壳体,在该壳体设有控制杆用于使基片托座旋转和径向移动,在可旋转的传动装置壳体里,在支柱上固定有一个位置固定的电机和用于控制杆的可旋转的移动驱动装置,控制杆分别穿过传动装置壳体的一壁板并分别与一个所属的基片托座有效连结。
背景技术
这样的设备优选地但并不是唯一地用于在一个至少基本垂直的位置上的矩形或正方形的扁平基片,该设备包括一个真空腔室,它有至少两个分布在真空腔室周边上的腔室侧敞开的处理室、一进料口、一出料口和由布置在真空腔室内的基片托座构成的可转动组件,它有一个传动机构用于依次使基片托座相对处理室旋转和进退。
连续工作的处理设备或装料设备在真空条件下一直达到真空泵组功率极限地工作,并且在这些设备里,在各个处理站上对所谓的基片进行不同的处理,这些设备一般包括以下组件:
a)至少一个真空腔室,
b)至少一个抽真空系统或泵系统,
c)从真空腔室起可接近的带处理源的处理站,
d)必要时,在处理站入口处的内闸阀,
e)用于处理源(电源和/或气源)的供应装置,
f)至少一个用于使基片进入真空腔室和从真空腔室出来的带闸阀的闸门系统,
g)用于基片的两维或多维运输的运输系统,
h)与运输系统共同作用的基片托座或基片架,
i)或许前置的机组用于在设备的闸门系统之前准备好基片和/或输送基片。
如果涉及的是具有旋转的且或许沿径向的运输行程并具有接在至少一个、至少基本上旋转对称的主真空腔室上的处理站或处理室的设备,则这些设备也称为“成组设备”。
在处理方法中应用了基片的预热(脱气)和冷却、真空蒸镀、阴极溅射、等离子体处理(如用于清洁和增附处理的电晕)、PVD法、CVD法、PCVD法,对于这些处理,已知许多方法参数和装置组成。在此,“P”代表“物理的”,“C”代表“化学的”,“V”代表“真空”,“D”代表“沉积”。其中一些方法按国际惯用语来取名,因而可以反应进行(输入反应气或气体混合物)或非反应进行(有惰性气体)。还包括表面处理用的腐蚀法,包括在基片上产生某些“表面图形”和接触线。根据对最终产品的要求的不同,所有的工艺和装置组成也适用于本发明的主题。
在发展的历史中,连续的“成组设备”曾首先用于较小的基片如软磁盘、芯片、数据存储器和晶片等。然而对较大的基片如窗玻璃和显示器的进一步发展来说,却面临许多问题,例如设备外形尺寸、处置基片和在一定条件下处置基片托座所需的空间位置要求,这种处置例如使水平输入的基片对准一个基本垂直的位置,还有就是弹性变形的危险,基片和/或其涂层的破裂和/或机械损伤以及污染,这尤其是由持续或临时在设备里的部件上的涂层的累积以及由不同工艺参数引起,尤其由于温度变化或机械作用而造成污染物的爆裂。
例如,根据以后还要论述的EP0136562B1,每个基片平躺着被送给闸门系统并在该系统中先借助提升装置向上提起,然后通过一个转动装置摆到垂直位置,在该位置上,它被紧固在基片托座上。当在第二闸门系统内输出时,这些步骤的次序相反。对大面积的矩形基片来说,这也许导致严重的空间位置问题、大的闸门腔室体积以及漫长的抽真空时间和/或高的真空泵抽吸功率。
EP0136562B1公开了一种用于小圆盘状基片如磁盘、半导体和晶片的连续式阴极溅射设备。外腔室在圆周上等距地设有一个阀门机构和四个腔室处理站。这样的设备也属于“成组设备”。
在外腔室和内腔室之间可旋转地设有一个多边形的罐,在其边缘上借助板簧设有五个基片托座,这些板簧在工作位置上借助密封件和阀门功能闸门机构及处理室关闭。总留在真空腔室里的基片托座的径向运动都是毫无例外地在停止状态下同步地通过一个中央锥体和五个推杆来产生,推杆在内腔室侧面里并在大致一半的高度上穿过其壁板,因此不能一起转动。传动装置及其锥体也是静止不动的。
基片托座(罐)通过另一传动装置被分步驱动转动。为了能够使基片托座罐在真空腔室内在工站之间转动,必须将推杆从基片托座罐的圆形或者圆柱形运动轨道里周期性地拉回并重新推进。关于通过传动机构来协调和调整切向速度和径向速度的变化过程,由于基片已经很小而没有什么好说或简述的。
由于随着技术进步而不断增大基片外形尺寸和因基片减薄而减小了形状刚性和形状稳定性,所以产生了一些新的问题,这些问题造成了复杂的和费事的构造原理和复杂的工作过程。
发明内容
因而,本发明的任务是改善开头所述种类的传动机构,从而使得大面积的、略倾斜于垂直面的并且不固定在基片托座上的基片能够可靠地并且至少基本无冲击地通过一个真空处理设备并进行处理。
在本发明的其它设计方案中也应该考虑一些构造原理和工作过程,它们造成调整表面、腔室容积、抽真空时间的进一步减小并造成在真空腔室之外和之内对基片“操纵处置”的进一步简化,并且尽管如此,尤其造成由爆裂层的颗粒引起的污染基片的危险的明显降低。
按照本发明,在开头所述的传动机构中,通过按照本发明的真空处理设备用的传动机构来完成所提出的任务,可通过该真空处理设备使多个基片托座在一环绕轨道上绕一轴线从进料闸经过至少一个处理室被送至一出料闸,其中,在该环绕轨道的中心设有一个位置固定的支柱,一个可旋转的传动装置壳体支承在该支柱上,在该传动装置壳体的外侧面上设有控制杆用于使该基片托座旋转和径向移动,在可旋转的该传动装置壳体里,一个固定的电机设置在该支柱上并且设有用于该控制杆的可旋转的移动驱动装置,这些控制杆分别穿过该传动装置壳体的其中一道壁板并分别与一个对应的基片托座有效连接,其特征在于,:
a)电机与一个固定的轴承箱连接,在轴承箱里,与支柱同心地支承着由托架构成的可转动的星形组件,
b)托架与肘形杆的一端铰接,这些肘形杆各有一枢轴销,
c)肘形杆的各另一端分别与其中一个控制杆铰接,
d)肘形杆的枢轴销在位置固定的第一控制凸轮里导向,第一控制凸轮的走向规定出该控制杆的径向运动。
通过这种解决办法,令人满意地彻底完成了所提出来的任务,尤其是提出了传动机构的结构设计原则,这样就使基片托座在其位于圆周的运动轨道上实现和谐一致且无冲击的运动。
在本发明的继续改进的过程中,单独地或组合地采取以下措施是特别有利的:
*该控制杆支承在径向导向机构里,该径向导向机构固定在可旋转的该传动装置壳体上‘
*该第一控制凸轮布置在一个在该肘形杆下的位置固定的控制板里,
*该肘形杆被构造和布置成镰形并且径向向外弯曲,它的通过第一控制凸轮导向的枢轴销布置在该肘形杆的中间部位里,
*肘形杆的背离托架的端部通过连杆与控制杆连接,
*该第一控制凸轮在圆周方向上具有封闭的周期性波浪走向,通过其距该轴线的最大径向距离能确定出该基片托座相对当时的处理室的最终位置,
*在位置固定的第一控制凸轮内设有一个位置固定的第二控制凸轮,在所述托架的可转动的星形组件上设有至少一个回转活节,在该回转活节上各设有一个肘形杆,该肘形杆的一端由第二控制凸轮引导且其另一端借助一铰接板与该传动装置壳体相连,从而其圆周速度在该基片托座的径向移动的叠加中是可变的。
*在该托架的星形组件的径向相对的位置上,各设有一个回转活节,它们各有一个肘形杆,该肘形杆分别通过一个铰接板与该传动装置壳体相连,
*各铰接板的背对至少一个肘形杆的端部通过一个枢轴销与该传动装置壳体相连,
*各枢轴销分别通过一个肘形件和一个配对件与该传动装置壳体的各自一个相邻的角部相连,
*在每个可旋转的托架上至少各设有一个位置信号器,它与相应的位置固定的位置接收器,有效连结,
*通过位置信号器和位置接收器的信号,既可以确定所有托架的角位,也能确定与其中一个处理室和传送室的对应关系,
*在该轴线的四周,以等角间距分布有四个托架、一个传送室和三个处理室。
*具有该传动装置壳体的该传动机构布置在一个内腔室部的底部和一个外腔室部的底部之间。
*在该传动装置壳体上,以交叉布置方式固定有四对水平的托架,平行四边形连杆组件挂在其上,该连杆组件的下端通过其它的水平托架与该基片托座相连。
*这些基片托座与该轴线方向成一个角度3°-15°地朝上。
*在该轴线的切向上,在腔室部上设有一个水平的直线闸门列,它由进料腔室、传送室和出料腔室组成,基片能够以一个角度3°-15°穿过它。
附图说明
以下,根据图1-7来详细描述本发明主题的一个实施例及其作用原理和优点。必须强调,本发明并不局限于具有一个传送腔和三个处理腔的四腔室原理,包括闸门室和传动机构在内的腔室的总数可以随其角位根据生产规定的不同而或多或少一些。附图所示为:
图1:传动装置壳体及基片托座时的内部传动机构的透视图;
图2:具有两个控制凸轮的固定的控制板的垂直俯视图;
图3:去掉带电机和轴承箱的传动单元的传动机构的垂直俯视图;
图4:类似于图3的在传动装置壳体的转过90°的位置上的垂直俯视图;
图5:在一个真空设备里的在圆周方向和径向上叠加的运动过程的示意图;
图6:图5所示真空设备的核心部分的轴向局剖侧视图,该设备具有传动装置壳体和两个挂于其上并移出的基片托座;
图7:采用如图1-图6所示装置的一套完整设备的外观透视图。
具体实施方式
图1表示一个具有轴线A-A的抗转动支柱1,另一个以下要描述的四个基片托座的系统可绕此支柱旋转。在支柱1上同样也抗转动地固定有一个盘状的控制板2并在其上面有一定间隔地固定有一个驱动单元3,该驱动单元包括电机4和轴承箱5。在控制板2与轴承箱5之间的中间腔里有一个复杂的控制元件系统,该系统以下还要详细描述并且其整体可以围绕轴线A-A旋转。
由控制元件和驱动单元3构成的整个组件由一个可绕轴线A-A旋转的、在此未详细示出的且有正方形轮廓的传动装置壳体6包围住,壳体的最内侧环绕边缘用点划线7表示。在可旋转的传动装置壳体6的四个侧壁上,按照等角间距地内设有四个径向导向机构8,它们各有一个可沿轴线A-A的径向移动的控制杆9,这些控制杆在其外端上装有回转轴承10以便控制下面还要进一步详细说明的基片托座。
在此只示出局部的控制板2具有两个铣出的外周封闭的控制凸轮,也就是第一控制凸轮11和第二控制凸轮12,它们的空间走向以及相互关系都在图2中画出了。
就在位置固定的轴承箱5的下面,在轴承箱里支承有一个可旋转的旋转十字件13,它具有四个等距布置于圆周上的托架14,在图1中只能看到其中两个。这些托架以其外端并借助转动轴承15作用于四个肘形杆16的一端上,其在此看不到的另一端与控制杆9有效连结,这在下面还要进一步详细描述。
肘形杆16在其中间部位里通过枢轴销17和布置在肘形杆16下的导轮作用于第一控制凸轮11。肘形杆16在此成镰形。但重要的是各自两条假想直线的角位,这些直线一方面从各自的转动轴承15延伸至枢轴销17,另一方面从枢轴销17延伸至与对应的控制杆相连的连接点。其顶点在枢轴销17轴线上的角“α”可等于60°-120°(为此见图4的上侧)。
如图2所示,通过在比较靠外的凸轮部11a和比较靠内的凸轮部11b之间的逐渐过渡,能够实现控制杆9的无冲击的径向运动。
在图3中去掉了部分控制元件,还能从图3中看到,肘形杆16在背对托架14的端部上分别通过一连杆18和第一活节19与控制杆9相连。各第二活节被径向导向机构8的盖板挡住了,这些盖板为此向下敞开,如图1所示。
从现在起,在描述了通过在控制板2的靠外固定的第一控制凸轮11和环绕运动的控制杆9之间的相对转动来控制径向运动之后,就该描述通过在控制板2的固定的第二控制凸轮12和环绕的控制杆9之间的相对转动来控制该控制杆9的叠加的周期性变化的转速。
也如图3所示,在刚性地装有托架14的旋转十字件13上,径向相对地装有两个回转活节20,各有另一个肘形杆21可以绕该回转活节做有限转动。肘形杆21分别有两个枢轴销22、23,其中一个被部分挡住了并借助一个未示出的(盖住的)滚轮在第二控制凸轮12里导向移动。枢轴销22、23相对回转活节20的角位成一个角度“β”,如图2的右上和左下所示。该角度可以根据位置情况和运动学在60°-120°之间选择。通过两个肘形杆21的径向相对布置,补偿了不可避免地产生的径向力,但原则上各自只用一个肘形杆21就够了。
还如图2清楚所示,通过在比较靠外的凸轮部12a和比较靠内的凸轮部12b之间的逐渐的或协调的过渡,可以实现枢轴销22的无冲击的径向运动。按照杆长度和枢轴销22、23相对回转活节20的角位,传动装置壳体6的圆周速度在两个外侧箭头方向上跟随该径向运动。
枢轴销23分别通过一铰接板24和通过另一枢轴销25与另一肘形件26连接,肘形件26可有限调节地分别固定在一个配对件27上,它们在两个径向完全相对的角上与传动装置壳体6连结。因此,传动装置壳体6的转速按照第二控制凸轮12的走向逐渐并周期性地在最大值和停止状态间变化。若控制杆9准确位于基片的受料腔之前或准确位于各自一个处理室之前,就完成停止。
图4在延用标记情况下表示在拆下包括电机和轴承箱5的驱动单元3后的组成部件。可以看到,控制传动装置在顺时针方向上已经超前于传动装置壳体6一个90°角,这可以在右下角的枢轴销25、肘形件26的和配对件27的位置上看到。旋转十字件13、回转活节20、肘形杆21和带控制杆9的所有径向导向机构8跟随该运动。为了清楚起见,去掉了在图3中的一个肘形杆21及其连接件,否则它们必须位于左上方。
如图1、4所示,在托架14上各设有三个位置信号器28,因而在未示出的轴承箱5上,按照同轴互补的重合形式在一个托架29上固定着三个位置接收器,通过这些接收器,就可以借助相应的数据传输和数据分析处理来不仅测定托架14和控制杆9相对闸门列内的处理室和传送室的各自位置,而且确定哪些控制杆9位于哪些腔室的对面。
图5表示在圆周方向和径向上叠加的运动过程的示意图。一个由传送室33的进料闸32和出料闸34组成的闸门列31平行于剖面线E-E。闸门列31含有已知结构种类的真空阀门35。
一连串箭头36表示倾斜设置的或导向的基片(没有基片托座)经过闸门列31的直线步进运输方向。传送室33位于处理室37的对面。在环状腔38内,用粗箭头线表示协调或渐进的运动顺序。从传送室33起,沿封闭的箭头线39分别转过90°。分别在就在传送室33和处理室40、37和41之前的四个止动点上,用径向箭头42表示基片的进退。基片一直前进到框形防护挡板43的前面,它布置在处理室40、37和41的开口区里。而在基片和这些框形防护挡板43之间不需要密封作用,这是因为特别薄的基片对此不可能或者不必有所贡献。一旦完成基片托座的后退,托座转动90度地到达各自的下个处理室,在处理结束时转到传送室33之前以便继续送到出料闸34。
图5示出该设备的最紧凑的且节省空间和体积的实施方案,尤其是基片托座不必排出到大气中。在任何情况下,穿孔的基片托座和在下端滚轮都安置在闸门腔室里,此时对整个基片表面供给压缩气体,从而基片能够无摩擦地通过气垫推移到基片托座上并又被推开。为了抽真空并当基片停在其托座上时,暂时停止供气。这也适于在托座上的基片位于环形腔38里的时候。
图6表示一中央传动机构44,它有垂直轴线A-A、一同轴线的装配凸缘45和传动装置壳体6,在传动装置壳体里设有如图1-4所示的组件。装配凸缘45用于紧固在真空腔室的一个在此只局部示出的下底部46上。在可旋转的传动装置壳体6的角上,共固定有八个托架47,它们通过斜撑杆48支承在传动装置壳体6上(为此也参见图3)。
托架47成对地相互平行延伸并形成直角十字件,在托架上,通过上回转轴承朝下共挂着八个平行四边形连杆组件49。平行四边形连杆组件49的下端转动支承在水平的托架50上,该托架成U形弓形状并有成对的相互平行的腿,其向下指的端部各通过一框形基片托座52的水平横梁51相连,这些基片托座用于在此未示出的基片。基片托座52与垂线成3°-15°的角地指向斜后上方。
这样,所示的两个基片托座52在箭头53方向上是反方向的并可以大致径向相对运动。要强调的是,只示出其中两个基片托座52。为清楚起见,未示出另外两个布置在传动装置壳体6前后的基片托座。它们也可以在相反方向上径向运动,也就是垂直于两个箭头53。
传动装置壳体6被集成到一个有垂直轴线A-A的真空腔室内。该真空腔室包括一个罐状的内腔室部54,它有一个底部55,支柱1的上端部借助凸缘56被真空密封且抗转动地装在底部里。垂直支承通过锚固杆57来实现,它的有效长度可通过图7所示的调节件67来改变。在此只示出两个位于垂直截面(图5的E-E)之后的锚固杆57,它们如图7所示地挂在径向的连接板66上。
真空腔室还有一个外腔室部64(见图7),它成四棱截锥体形状并有一底部46,传动装置壳体6的下突出部58通过该底部保持真空密封,但可旋转地穿过去。
在水平的底部46、55之间是传动机构44的主要的可转动部分。可转动的并有径向运动分量地移动的基片托座52从下向上地伸入环形腔38内(见图5)。不存在要移动穿过内腔室部54的圆柱形壁板。而是通过所述平行四边形连杆组件49完成基片托座52的移动,在该组件中,由“平行四边形连杆组件”的定义得到回转轴承的空间位置。也就是说,进行以中间位置为中心的对称摆动。由于在给定的摆动角度或径向运动分量情况下连杆足够长,因而就能够使垂直运动分量变成最小。
这种回转轴承与移动穿行相比实际上不产生磨损,也没有涂层材料的粉尘,它们都可能会影响到基片涂层质量。此外,托架50作用在基片托座52的底边上而不是如EP0136562B1所述地在基片中心。所述平行四边形连杆组件49的下回转轴承只以尽可能小的间距位于托架50的上边之上和基片托座52的背面上,因而,由于这个原因,磨损不可能到达基片外表面。
如图6所示,用于所述平行四边形连杆组件49的周期性运动的水平的控制杆9的外端从传动装置壳体6里伸出并通过回转轴承10作用在各自的内连杆上。
图7在延用以前符号的情况下示出了采用如图1-6所述装置的整套设备的外观透视图。在传送室33的两侧,用虚线表示进料闸32和出料闸34。在传送室33中示出了倾斜的入口缝59及一个连接于其上的泵管接头60,它有一截止滑阀61和一冷泵62。可以清楚看到传送室33和处理室41的承受大气压的筋板63。在内腔室部54和外腔室部64之间设有一个环形的或四周封闭的盖板65,连接板66位于该盖板上,这些连接板伸向用于在内腔室部54内调节锚固杆57的调节件67。
尤其由图5-图7示出了该设备的特别紧凑的且节省空间和体积的实施方案,尤其是基片托座不需要排出到大气里。
附图标记一览表
1 支柱 29 托架
2 控制板 30 位置接收器
3 驱动单元 31 闸门列
4 电机 32 进料闸
5 轴承箱 33 传送室
6 传动装置壳体 34 出料闸
7 线 35 真空阀门
8 径向导向机构 36 箭头
9 控制杆 37 处理室
10 回转轴承 38 环形腔
11 第一控制凸轮 39 箭头线
11a,11b 凸轮部 40,41 处理室
12 第二控制凸轮 42 箭头
12a,12b 凸轮部 43 框形防护挡板
13 旋转十字件 44 传动机构
14 托架 45 装配凸缘
15 转动轴承 46 底部
16 肘形杆 47 托架
17 枢轴销 48 斜撑杆
18 连杆 49 平行四边形连杆组件
19 活节 50 托架
20 回转活节 51 横梁
21 肘形杆 52 基片托座
22,23 枢轴销 53 箭头
24 铰接板 54 内腔室部
25 枢轴销 55 底部
26 肘形件 56 凸缘
27 配对件 57 锚固杆
28 位置信号器 58 突出部
59 入口缝 60 泵管接头
61 截止滑阀 62 冷泵
63 筋板 64 腔室部
65 盖板 66 连接板
67 调节件 A-A 轴线
α 角 β 角
E-E 剖面线/平面
Claims (17)
1.真空处理设备用的传动机构,可通过该真空处理设备使多个基片托座(52)在一环绕轨道上绕一轴线(A-A)从进料闸(32)经过至少一个处理室被送至一出料闸(34),其中,在该环绕轨道的中心设有一个位置固定的支柱(1),一个可旋转的传动装置壳体(6)支承在该支柱上,在该传动装置壳体的外侧面上设有控制杆(9)用于使该基片托座(52)旋转和径向移动,在可旋转的该传动装置壳体(6)里,一个固定的电机(4)设置在该支柱(1)上并且设有用于这些控制杆(9)的可旋转的移动驱动装置,这些控制杆分别穿过该传动装置壳体(6)的其中一道壁板并分别与一个对应的基片托座(52)有效连接,其特征在于,
a)该电机(4)与一个位置固定的轴承箱(5)连接,在该轴承箱中,与支柱(1)同心地支承着一个由托架(14)构成的可转动的星形组件,
b)这些托架(14)与第一肘形杆(16)的一端铰接,这些第一肘形杆各有一个枢轴销(17),
c)所述第一肘形杆(16)的各另一端分别与其中一个控制杆(9)铰接,
d)所述第一肘形杆(16)的枢轴销(17)在位置固定的第一控制凸轮(11)里导向,第一控制凸轮的走向规定出这些控制杆(9)的径向运动。
2.如权利要求1所述的传动机构,其特征在于,这些控制杆(9)支承在径向导向机构(8)里,该径向导向机构固定在可旋转的该传动装置壳体(6)上。
3.如权利要求1所述的传动机构,其特征在于,该第一控制凸轮(11)布置在一个在所述第一肘形杆(16)下的位置固定的控制板(2)里。
4.如权利要求1所述的传动机构,其特征在于,所述第一肘形杆(16)被构造和布置成镰形并且径向向外弯曲,它的通过第一控制凸轮(11)导向的枢轴销(17)布置在所述第一肘形杆(16)的中间部位里。
5.如权利要求1所述的传动机构,其特征在于,所述第一肘形杆(16)背离托架(14)的端部通过连杆(18)与这些控制杆(9)连接。
6.如权利要求1所述的传动机构,其特征在于,该第一控制凸轮(11)在圆周方向上具有封闭的周期性波浪走向,通过其距该轴线(A-A)的最大径向距离能确定出该基片托座(52)相对当时的处理室(37,40,41)的最终位置。
7.如权利要求1所述的传动机构,其特征在于,在位置固定的第一控制凸轮(11)内设有一个位置固定的第二控制凸轮(12),在所述托架(14)的可转动的星形组件上设有至少一个回转活节(20),在该回转活节上各设有一个第二肘形杆(21),该第二肘形杆的一端由第二控制凸轮(12)引导且其另一端借助一铰接板(24)与该传动装置壳体(6)相连,从而其圆周速度在该基片托座(52)的径向移动的叠加中是可变的。
8.如权利要求7所述的传动机构,其特征在于,在该托架(14)的星形组件的径向相对的位置上,各设有一个回转活节(20),它们各有一个第二肘形杆(21),该第二肘形杆分别通过一个铰接板(24)与该传动装置壳体(6)相连。
9.如权利要求7所述的传动机构,其特征在于,各铰接板(24)的背对至少一个第二肘形杆(21)的端部通过一个枢轴销(25)与该传动装置壳体(6)相连。
10.如权利要求9所述的传动机构,其特征在于,各枢轴销(25)分别通过一个肘形件(26)和一个配对件(27)与该传动装置壳体(6)的各自一个相邻的角部相连。
11.如权利要求1所述的传动机构,其特征在于,在每个可旋转的托架(14)上至少各设有一个位置信号器(28),它与相应的位置固定的位置接收器(30)有效连结。
12.如权利要求11所述的传动机构,其特征在于,通过位置信号器(28)和位置接收器(30)的信号,既可以确定所有托架(14)的角位,也能确定与其中一个处理室和传送室(33)的对应关系。
13.如权利要求1所述的传动机构,其特征在于,在该轴线(A-A)的四周,以等角间距分布有四个托架(14)、一个传送室(33)和三个处理室。
14.如权利要求1所述的传动机构,其特征在于,具有该传动装置壳体(6)的该传动机构(44)布置在一个内腔室部(54)的底部(55)和一个外腔室部(64)的底部(46)之间。
15.如权利要求14所述的传动机构,其特征在于,在该传动装置壳体(6)上,以交叉布置方式固定有四对水平的托架(47),平行四边形连杆组件(49)挂在其上,该连杆组件的下端通过其它的水平的托架(50)与该基片托座(52)相连。
16.如权利要求1所述的传动机构,其特征在于,这些基片托座(52)与该轴线(A-A)方向成一个3°-15°角地朝上。
17.如权利要求14或16所述的传动机构,其特征在于,在该轴线(A-A)的切向上,在腔室部(64)处设有一个水平的直线闸门列(31),它由进料闸(32)、传送室(33)和出料闸(34)组成,基片能够以一个角度3°-15°穿过该出料闸。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP04012663.3 | 2004-05-28 | ||
EP04012663A EP1617456B1 (de) | 2004-05-28 | 2004-05-28 | Antriebsmechanismus für eine Vakuum-Behandlungsanlage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1702192A CN1702192A (zh) | 2005-11-30 |
CN100513635C true CN100513635C (zh) | 2009-07-15 |
Family
ID=34925164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2004100559549A Expired - Fee Related CN100513635C (zh) | 2004-05-28 | 2004-07-30 | 真空处理设备用的传动机构 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7153367B2 (zh) |
EP (1) | EP1617456B1 (zh) |
JP (1) | JP3995252B2 (zh) |
KR (1) | KR100689651B1 (zh) |
CN (1) | CN100513635C (zh) |
AT (1) | ATE343220T1 (zh) |
DE (1) | DE502004001811D1 (zh) |
PL (1) | PL1617456T3 (zh) |
TW (1) | TWI260063B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108179396A (zh) * | 2018-01-09 | 2018-06-19 | 温州职业技术学院 | 环形循环连续式真空镀膜装置 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10348281B4 (de) * | 2003-10-17 | 2007-06-06 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Vakuum-Behandlungsanlage für ebene rechteckige oder quadratische Substrate |
US8211234B2 (en) * | 2008-09-02 | 2012-07-03 | United Technologies Corporation | Coater platter homing tool |
KR100980706B1 (ko) * | 2008-09-19 | 2010-09-08 | 세메스 주식회사 | 기판 이송 장치, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이의 기판 이송 방법 |
JP4766156B2 (ja) * | 2009-06-11 | 2011-09-07 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置 |
SG171476A1 (en) * | 2009-11-10 | 2011-06-29 | United Technologies Corp | Coater platter homing tool |
DE102011113563A1 (de) * | 2011-09-19 | 2013-03-21 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Karussellschlitten für Vakuumbehandlungsanlage |
CN103774102A (zh) * | 2012-10-19 | 2014-05-07 | 陕西拓日新能源科技有限公司 | 用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备与方法 |
JP2021523558A (ja) * | 2018-05-03 | 2021-09-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | パターニングのための高品質c膜のパルスプラズマ(dc/rf)蒸着 |
KR102105868B1 (ko) * | 2018-10-24 | 2020-04-29 | 가부시키가이샤 알박 | 캐소드 장치 및 스퍼터링 장치 |
CN111778481B (zh) * | 2020-07-27 | 2020-12-25 | 江苏兴广包装科技有限公司 | 一种图案尺寸可控制的定位真空镀膜设备 |
CN115595545B (zh) * | 2022-09-27 | 2024-05-17 | 成都晨发泰达航空科技股份有限公司 | 一种eb-pvd涂层用的定位工装、加工设备及加工方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6052574A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-25 | Hitachi Ltd | 連続スパツタ装置 |
US4675089A (en) * | 1985-11-25 | 1987-06-23 | At&T Technologies, Inc. | Low temperature deposition method for high quality aluminum oxide films |
DE4232959C2 (de) * | 1992-10-01 | 2001-05-10 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Ein- und Ausschleusen scheibenförmiger Substrate |
JPH06322542A (ja) * | 1993-05-13 | 1994-11-22 | Sony Corp | 薄膜形成装置 |
US5709785A (en) * | 1995-06-08 | 1998-01-20 | First Light Technology Inc. | Metallizing machine |
DE19715245C2 (de) | 1997-04-12 | 1999-09-02 | Leybold Systems Gmbh | Vakuumbehandlungsvorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten |
DE19819726A1 (de) | 1998-05-02 | 1999-11-04 | Leybold Systems Gmbh | Vakuumbehandlungsanlage zum Aufbringen dünner, harter Schichten |
JP4515630B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2010-08-04 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 真空処理装置 |
JP4473496B2 (ja) | 2002-09-06 | 2010-06-02 | 株式会社シンクロン | モニタホルダを備えた薄膜形成装置 |
-
2004
- 2004-05-28 DE DE502004001811T patent/DE502004001811D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-28 PL PL04012663T patent/PL1617456T3/pl unknown
- 2004-05-28 AT AT04012663T patent/ATE343220T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-05-28 EP EP04012663A patent/EP1617456B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-29 TW TW093118956A patent/TWI260063B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-07-23 US US10/898,018 patent/US7153367B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-30 CN CNB2004100559549A patent/CN100513635C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-10 JP JP2004233658A patent/JP3995252B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-05-06 KR KR1020050037872A patent/KR100689651B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108179396A (zh) * | 2018-01-09 | 2018-06-19 | 温州职业技术学院 | 环形循环连续式真空镀膜装置 |
CN108179396B (zh) * | 2018-01-09 | 2020-07-28 | 温州职业技术学院 | 环形循环连续式真空镀膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200539372A (en) | 2005-12-01 |
CN1702192A (zh) | 2005-11-30 |
EP1617456A1 (de) | 2006-01-18 |
US20050263078A1 (en) | 2005-12-01 |
KR20060047754A (ko) | 2006-05-18 |
JP3995252B2 (ja) | 2007-10-24 |
US7153367B2 (en) | 2006-12-26 |
DE502004001811D1 (de) | 2006-11-30 |
EP1617456B1 (de) | 2006-10-18 |
PL1617456T3 (pl) | 2007-03-30 |
KR100689651B1 (ko) | 2007-03-08 |
TWI260063B (en) | 2006-08-11 |
JP2005336596A (ja) | 2005-12-08 |
ATE343220T1 (de) | 2006-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100513635C (zh) | 真空处理设备用的传动机构 | |
KR100437752B1 (ko) | 가공물의표면처리용진공장치 | |
EP2489759B1 (en) | System for utilization improvement of process chambers and method of operating thereof | |
JP2017513221A (ja) | 基板処理のためのシステム、基板処理のためのシステム用の真空回転モジュール、及び基板処理システムを操作する方法 | |
TWI389235B (zh) | The conveyance device of the object to be processed | |
CN102686367B (zh) | 驱动装置及输送装置 | |
CN102642171B (zh) | 包括用于工件的机械表面加工的器件的珩磨机器 | |
CA2346895C (en) | Apparatus for flow-line treatment of articles in an artificial medium | |
JP5657527B2 (ja) | 基板をコーティングするためのコーティングシステム及び方法 | |
CN107099773B (zh) | 一种多功能连续溅射镀膜线及其镀膜方法与镀膜控制方法 | |
JPS60238134A (ja) | 真空処理装置 | |
JP2005232584A (ja) | インライン・コーティング設備の作動方法 | |
JP4221324B2 (ja) | 真空室及び被覆ローラを備えた帯材被覆装置 | |
JP2005294662A (ja) | 搬送装置及びその制御方法並びに真空処理装置 | |
JP3997223B2 (ja) | 長方形のもしくは正方形の平らな基板のための真空処理装置 | |
JP3540346B2 (ja) | 真空設備のためのチャンバおよび複合チャンバ、ならびに1つ以上の工作物を送り込む方法 | |
JP5392078B2 (ja) | 容器搬送装置 | |
EP3514105A1 (en) | Filling system | |
JPH05254641A (ja) | ワークの搬送方向転換装置 | |
US11414748B2 (en) | System with dual-motion substrate carriers | |
US12071309B2 (en) | Circulation conveyor transport wheel, substrate carrier and method | |
JP6799193B1 (ja) | 搬送駆動機構 | |
JPS6037139A (ja) | ウェ−ハ移送経路におけるゲ−トバルブ機構 | |
KR101407420B1 (ko) | 글라스 증착시스템 및 그 에러 바이패스 물류방법 | |
JP2958587B2 (ja) | 半導体の方向変換搬送装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090715 Termination date: 20100730 |