JP3995252B2 - 真空処理装置のための駆動機構 - Google Patents
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Description
a)少なくとも1つの真空室、
b)少なくとも1つの排気機構若しくはポンプ機構、
c)処理源を備えたアクセス可能な処理ステーション、
d)必要に応じて処理ステーションの入り口における内側のロックゲート弁、
e)処理源(電流源及び/又はガス源)のための供給装置、
f)真空室に対するサブストレートの出し入れのためのロックゲート弁を有する少なくとも1つのロックゲート機構、
g)サブストレートの二次元若しくは三次元の搬送のための搬送機構、
h)搬送機構と協働するサブストレートホルダー若しくはサブストレート支持体、及び
i)サブストレートをロックゲート機構へ供給しかつ又はロックゲート機構から搬出するために必要に応じて設けられる装置。
a)モータが定位置、即ち位置不動の支承ケーシングに結合されており、支承ケーシング内に支持柱に対して同心的に、放射状に配置された複数のアーム若しくはブラケットから成る装置が回転可能に支承されており、
b)該回転可能な装置(星形構造体)のアーム若しくはブラケットが二腕の各アングルレバーの1つの端部にヒンジ的に結合、即ち枢着結合されており、各アングルレバーがそれぞれ少なくとも1つの枢着ピンを有しており、
c)アングルレバーの別の端部がそれぞれ制御ロッドにヒンジ的に結合されており、
d)アングルレバーの枢着ピンが定位置の1つの制御カム内に案内されており、制御カムのカム軌道経路が制御ロッドの半径方向運動を規定している。
制御ロッドを半径方向案内内に支承してあり、半径方向案内が回転可能な伝動装置室に固定されており、
1つの制御カムをアングルレバーの下側で定位置の制御プレート内に配置してあり、
アングルレバーを、半径方向外側に向かって凸状に湾曲した、即ち外側へ突出するように湾曲された鎌形(三日月形)に形成してあり、アングルレバーの、制御カム内に案内された枢着ピンはアングルレバーの中央区分に配置されており、
アングルレバーの、アームと逆の側の端部、即ち他方の端部は連接棒を介して制御ロッドに結合されており、
制御カムは周方向に延びる周期的な波形の閉じた1つのカム軌道経路を有しており、周期的な波形のカム軌道経路の、軸線からの半径方向の最大の距離によって、各処理室内でのサブストレートホルダーの終端位置を規定してあり、
定位置の1つの、即ち第1の制御カムの内側に、定位置の別の、即ち第2の制御カムを配置してあり、かつ放射状に配置された複数のアームから成る回転可能な装置に、少なくとも1つの旋回枢着部を配置してあり、旋回枢着部に別のアングルレバーを配置してあり、該別のアングルレバーの1つの端部、即ち一方の端部は第2の制御カムによって案内されるようになっており、かつ前記別のアングルレバーの別の端部、即ち他方の端部は枢着連結片を介して伝動装置室に結合されており、これによって伝動装置室の周速度を周期的にサブストレートホルダーの半径方向移動運動に重畳して変化させるようになっており、
アームから成る回転可能な装置の直径方向に相対する箇所に、例えば仮想の1つの直径線上の相対する2つの箇所にそれぞれ1つの旋回枢着部を配置してあり、各旋回枢着部に枢着されたアングルレバーはそれぞれ枢着連結片を介して伝動装置室に結合されており、
各枢着連結片の、所属のアングルレバーと逆の側の端部は枢着ピンを介して伝動装置室に結合されており、
各枢着ピンはそれぞれアングル片及び対向片を介して伝動装置室の隣接の角隅に結合されており、
回転可能な各アームにそれぞれ少なくとも1つの位置発信器を配置してあり、位置発信器は、対応する定位置の位置受信器と作用接続するようになっており、
位置発信器及び位置受信器の信号によって、アームの回転角度位置並びに、各処理室若しくは引渡し室との対向位置を規定するようになっており、
駆動機構の軸線、即ち回転軸線若しくは中心軸線の周囲に1つの引渡し室と3つの処理室、並びに4つのアームを等角度間隔で分配して設けてあり、
駆動機構の伝動装置室は、内側の室部分の底部と外側の室部分の底部との間に配置されており、
伝動装置室に、4対の水平なブラケットを互いに交差するように配置して固定してあり、各ブラケットに平行四辺形リンク装置を取り付けてあり、平行四辺形リンク装置の下側の端部は別の水平なブラケットを介してサブストレートホルダーに結合されており、
サブストレートホルダーは上側を軸線に向けて、即ち駆動装置の内側に向けて3乃至5度傾けて配置されており、
外側の室部分に、水平なロックゲート列を軸線に対して接線方向で接続してあり、ロックゲート列は互いに直線的に並べられた入口ロックゲート室、引渡し室及び出口ロックゲート室から成っており、ロックゲート列をサブストレートは鉛直線に対して3乃至15度の角度で傾いて通過案内されるようになっている。
Claims (17)
- 真空処理装置のための駆動機構であって、真空処理装置内を複数のサブストレートホルダー(52)が、軸線(A−A)を中心とした循環軌道に沿って入口ロックゲート(32)から少なくとも1つの処理室(37,40,41)を経て出口ロックゲート(34)へ搬送可能であり、循環軌道の中心部に定位置の支持柱(1)が配置されており、支持柱に伝動装置室(6)が回転可能に支承してあり、伝動装置室(6)の外側にサブストレートホルダー(52)の回転運動及び半径方向移動のための制御ロッド(9)が配置されており、回転可能な伝動装置室(6)内で支持柱(1)にモータ(4)を位置不動に取り付け、かつ制御ロッド(9)のための回転可能な移動駆動部を配置してあり、制御ロッドが伝動装置室(6)の壁を貫通していて、所属のサブストレートホルダー(52)に作用結合している形式のものにおいて、
モータ(4)が定位置の支承ケーシング(5)に結合されており、支承ケーシング内に支持柱(1)に対して同心的に、放射状に配置された複数のアーム(14)から成る回転可能な装置が支承されており、
回転可能な装置のアーム(14)が二腕の各アングルレバー(16)の1つの端部にヒンジ的に結合されており、各アングルレバーがそれぞれ少なくとも1つの枢着ピン(17)を有しており、
アングルレバー(16)の別の端部がそれぞれ制御ロッド(9)にヒンジ的に結合されており、
アングルレバー(16)の枢着ピン(17)が定位置の1つの制御カム(11)内に案内されており、制御カム(11)のカム軌道経路が制御ロッド(9)の半径方向運動を規定していることを特徴とする、真空処理装置のための駆動機構。 - 制御ロッド(9)が半径方向案内(8)内に支承されており、半径方向案内が回転可能な伝動装置室(6)に固定されている請求項1記載の駆動機構。
- 制御カム(11)がアングルレバー(16)の下側で定位置の制御プレート(2)内に配置されている請求項1記載の駆動機構。
- アングルレバー(16)が半径方向外側に向かって凸状に湾曲した鎌形に形成されており、アングルレバー(16)の、制御カム(11)内に案内された枢着ピン(17)がアングルレバー(16)の中央区分に配置されている請求項1記載の駆動機構。
- アングルレバー(16)の、アーム(14)と逆の側の端部が連接棒(18)を介して制御ロッド(9)に結合されている請求項1記載の駆動機構。
- 制御カム(11)が周方向に延びる周期的な波形の閉じた1つのカム軌道経路を有しており、周期的な波形のカム軌道経路の、軸線(A−A)からの半径方向の最大の距離が、各処理室(37,40,41)内でのサブストレートホルダー(52)の終端位置を規定している請求項1記載の駆動機構。
- 定位置の制御カム(11)の内側に定位置の別の制御カム(12)を配置してあり、放射状に配置された複数のアーム(14)から成る回転可能な装置に、少なくとも1つの旋回枢着部(20)を配置してあり、旋回枢着部に別のアングルレバー(21)を配置してあり、アングルレバー(21)の1つの端部が別の制御カム(12)によって案内されるようになっており、かつアングルレバー(21)の別の端部が枢着連結片(24)を介して伝動装置室(6)に結合されており、これによって伝動装置室の周速度が周期的に変化させられるようになっている請求項1記載の駆動機構。
- アーム(14)から成る回転可能な装置の直径方向に相対する箇所にそれぞれ1つの旋回枢着部(20)を配置してあり、各旋回枢着部のアングルレバー(21)がそれぞれ枢着連結片(24)を介して伝動装置室(6)に結合されている請求項7記載の駆動機構。
- 各枢着連結片(24)の、アングルレバー(21)と逆の側の端部が枢着ピン(25)を介して伝動装置室(6)に結合されている請求項7記載の駆動機構。
- 各枢着ピン(25)がそれぞれアングル片(26)及び対向片(27)を介して伝動装置室(6)の隣接の角隅に結合されている請求項9記載の駆動機構。
- 回転可能な各アーム(14)にそれぞれ少なくとも1つの位置発信器(28)を配置してあり、位置発信器が、対応する定位置の位置受信器(30)と作用接続するようになっている請求項1記載の駆動機構。
- 位置発信器(28)及び位置受信器(30)の信号によって、アーム(14)の回転角度位置並びに、各処理室(37,40,41)若しくは引渡し室(33)との対向位置が規定されるようになっている請求項11記載の駆動機構。
- 軸線(A−A)の周囲に等角度間隔で1つの引渡し室(33)と3つの処理室(37,40,41)とが分配配置され、かつ4つのアーム(14)が分配配置されている請求項1記載の駆動機構。
- 駆動機構(44)の伝動装置室(6)が内側の室部分(54)の底部(55)と外側の室部分(64)の底部(46)との間に配置されている請求項1記載の駆動機構。
- 伝動装置室(6)に、4対の水平なブラケット(47)が互いに交差するように配置して固定されており、ブラケットに平行四辺形リンク装置(49)が取り付けられており、平行四辺形リンク装置の下側の端部が別の水平なブラケット(50)を介してサブストレートホルダー(52)に結合されている請求項14記載の駆動機構。
- サブストレートホルダー(52)が上側を軸線(A−A)に向けて3乃至5度傾けて配置されている請求項1記載の駆動機構。
- 軸線(A−A)に対して接線方向で室部分(64)に、水平なロックゲート列(31)を接続してあり、ロックゲート列が互いに直線的に並べられた入口ロックゲート室(32)、引渡し室(33)及び出口ロックゲート室(34)から成っており、ロックゲート列をサブストレートが3乃至15度の角度を成して通過案内されるようになっている請求項14及び16記載の駆動機構。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP04012663A EP1617456B1 (de) | 2004-05-28 | 2004-05-28 | Antriebsmechanismus für eine Vakuum-Behandlungsanlage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005336596A JP2005336596A (ja) | 2005-12-08 |
JP3995252B2 true JP3995252B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=34925164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004233658A Expired - Fee Related JP3995252B2 (ja) | 2004-05-28 | 2004-08-10 | 真空処理装置のための駆動機構 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7153367B2 (ja) |
EP (1) | EP1617456B1 (ja) |
JP (1) | JP3995252B2 (ja) |
KR (1) | KR100689651B1 (ja) |
CN (1) | CN100513635C (ja) |
AT (1) | ATE343220T1 (ja) |
DE (1) | DE502004001811D1 (ja) |
PL (1) | PL1617456T3 (ja) |
TW (1) | TWI260063B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10348281B4 (de) * | 2003-10-17 | 2007-06-06 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Vakuum-Behandlungsanlage für ebene rechteckige oder quadratische Substrate |
US8211234B2 (en) | 2008-09-02 | 2012-07-03 | United Technologies Corporation | Coater platter homing tool |
KR100980706B1 (ko) * | 2008-09-19 | 2010-09-08 | 세메스 주식회사 | 기판 이송 장치, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이의 기판 이송 방법 |
JP4766156B2 (ja) * | 2009-06-11 | 2011-09-07 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置 |
SG171476A1 (en) * | 2009-11-10 | 2011-06-29 | United Technologies Corp | Coater platter homing tool |
DE102011113563A1 (de) * | 2011-09-19 | 2013-03-21 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Karussellschlitten für Vakuumbehandlungsanlage |
CN103774102A (zh) * | 2012-10-19 | 2014-05-07 | 陕西拓日新能源科技有限公司 | 用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备与方法 |
CN108179396B (zh) * | 2018-01-09 | 2020-07-28 | 温州职业技术学院 | 环形循环连续式真空镀膜装置 |
WO2019212592A1 (en) * | 2018-05-03 | 2019-11-07 | Applied Materials, Inc. | Pulsed plasma (dc/rf) deposition of high quality c films for patterning |
JP6716802B1 (ja) * | 2018-10-24 | 2020-07-01 | 株式会社アルバック | カソード装置、および、スパッタ装置 |
CN111778481B (zh) * | 2020-07-27 | 2020-12-25 | 江苏兴广包装科技有限公司 | 一种图案尺寸可控制的定位真空镀膜设备 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6052574A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-25 | Hitachi Ltd | 連続スパツタ装置 |
US4675089A (en) * | 1985-11-25 | 1987-06-23 | At&T Technologies, Inc. | Low temperature deposition method for high quality aluminum oxide films |
DE4232959C2 (de) * | 1992-10-01 | 2001-05-10 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Ein- und Ausschleusen scheibenförmiger Substrate |
JPH06322542A (ja) * | 1993-05-13 | 1994-11-22 | Sony Corp | 薄膜形成装置 |
US5709785A (en) * | 1995-06-08 | 1998-01-20 | First Light Technology Inc. | Metallizing machine |
DE19715245C2 (de) * | 1997-04-12 | 1999-09-02 | Leybold Systems Gmbh | Vakuumbehandlungsvorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten |
DE19819726A1 (de) | 1998-05-02 | 1999-11-04 | Leybold Systems Gmbh | Vakuumbehandlungsanlage zum Aufbringen dünner, harter Schichten |
JP4515630B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2010-08-04 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 真空処理装置 |
JP4473496B2 (ja) | 2002-09-06 | 2010-06-02 | 株式会社シンクロン | モニタホルダを備えた薄膜形成装置 |
-
2004
- 2004-05-28 DE DE502004001811T patent/DE502004001811D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-28 EP EP04012663A patent/EP1617456B1/de active Active
- 2004-05-28 AT AT04012663T patent/ATE343220T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-05-28 PL PL04012663T patent/PL1617456T3/pl unknown
- 2004-06-29 TW TW093118956A patent/TWI260063B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-07-23 US US10/898,018 patent/US7153367B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-30 CN CNB2004100559549A patent/CN100513635C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-10 JP JP2004233658A patent/JP3995252B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-05-06 KR KR1020050037872A patent/KR100689651B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI260063B (en) | 2006-08-11 |
EP1617456A1 (de) | 2006-01-18 |
CN1702192A (zh) | 2005-11-30 |
KR20060047754A (ko) | 2006-05-18 |
TW200539372A (en) | 2005-12-01 |
ATE343220T1 (de) | 2006-11-15 |
PL1617456T3 (pl) | 2007-03-30 |
CN100513635C (zh) | 2009-07-15 |
KR100689651B1 (ko) | 2007-03-08 |
DE502004001811D1 (de) | 2006-11-30 |
EP1617456B1 (de) | 2006-10-18 |
US20050263078A1 (en) | 2005-12-01 |
JP2005336596A (ja) | 2005-12-08 |
US7153367B2 (en) | 2006-12-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070710 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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