TWI260063B - Drive-mechanism for a vacuum-processing apparatus - Google Patents

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TWI260063B
TWI260063B TW093118956A TW93118956A TWI260063B TW I260063 B TWI260063 B TW I260063B TW 093118956 A TW093118956 A TW 093118956A TW 93118956 A TW93118956 A TW 93118956A TW I260063 B TWI260063 B TW I260063B
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TW
Taiwan
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chamber
fixed
substrate
control
angle
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Application number
TW093118956A
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English (en)
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TW200539372A (en
Inventor
Ralph Lindenberg
Michael Koenig
Uwe Schuessler
Stefan Bangert
Original Assignee
Applied Films Gmbh & Co Kg
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Publication date
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Description

1260063 九、發明說明: [發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種真空處理設備用之驅動機構,藉此使圍 繞一軸之環形軌道上之多個基板支件可由一入口閘經由至 少一處理室而輸送至一出口閘,其中在該環形軌道之中央 配置一種位置固定之承載圓柱,其上定位著一種可旋轉之 傳動機構室,其外側上配置著該基板支件之旋轉-和徑向轉 移用之控制桿,其中在該可旋轉之傳動機構室中在該承載 圓柱上固定一種位置固定之馬達且配置著該控制桿用之可 旋轉之移位驅動器,各控制桿分別貫通該傳動機構室之各 壁之一且因此在作用上分別與所屬之基板支件相連接。 但上述設備較佳不只是用在一至少處於垂直狀態中之平 面長方形-或正方形基板中,該設備之真空室包含:至少二 個分佈在該真空室周圍之於室側敞開之處理室,一入口 閘,一出口閘和一位於真空室內部之由基板支件所構成之 可旋轉之配置,該配置具有一驅動機構,使基板支件相對 於各處理室而依序旋轉,前進或後退。 可連續操作之處理-或塗層設備在真空中可操作至真空泵 組之功率極限且所謂基板上之各種不同之處理是在各別之 處理站中進行,此種設備通常包含以下之模組: a) 至少一真空室, b) 至少一真空系統或泵系統, c) 可由真空室接近之處理站,其具有處理源, d) 情況需要時位於各處理站之輸入端上之內閘室閥, 1260063 e)各處理源所需之供應裝置(電流源及/或氣體源), 0 至少一閘室系統,其具有閘室閥以使基板可進/出於該 真空室, g) 輸送系統,以對基板進行二維-或多維之輸送, h) 基板支件或-載體以便與該輸送系統一起作用, 1)情況需要時連接於前方之機組,以便在該設備之閘室 系統之前備妥基板及/或送出基板。 只要涉及一種具有以下各組件之設備都稱爲”群集 (Cluster)-設備”:旋轉式-且情況需要時徑向式之輸送路徑; 處理站或處理室,其連接到至少一基本上至少是旋轉對稱 之主-真空室。 在該處理過程中使用:基板之預熱(出氣)和冷卻,真空蒸 鍍,陰極濺鍍,電漿處理(例如,發出微光以進行淨化和促 進黏合),PVD過程,CVD-過程和PCVD-過程,其中很多之 程序參數和裝置組件已爲人所知。此處”P”表 示” p h y s i c a 1 ”” C ” 表示” c h e m i c a 1 ”,,,V,,表示,,v a c u u m,,且,,D,, 表示”deposition”。這些過程中之一些過程(其名稱已設定在 國際之語言慣用法中)能以反應性(此時供應一反應氣體或 氣體混合物)或非反應性(在鈍氣出現時)方式來進行。此處 亦可使用表面處理用之蝕刻方法,其包含:於基板上產生 特定之”平面圖樣”和接觸線。整個過程之各步驟和該裝置之 各組件依據終端產品之需求適用於本發明中。 【先前技術】 在歷史之發展中,連續之”群集設備,’首先用於較小之基板 1260063 (例如,碟片,晶片,資料記憶體和晶圓)中。但就較大之基 板(例如,視窗圓板和顯示器)而言其進一步發展會有很大之 — 問題,例如,該設備之尺寸,基板-和可能存在之基板支件 - 處理時之空間需求,例如,在水平狀態中傳送之基板直立 成垂直之狀態,彈性變形之危險,基板斷裂及/或機械上受 損及/或基板受到塗層或受到污染,特別是由於塗層聚集在 持續地(或主要是)存在於該設備中之組件且由於不同之運 行參數而使這些污染物剝落,特別是由於溫度變化或機械 作用所造成者。 Φ 因此,依據以下仍將討論之EP 0 1 36 5 62 B1,每一基板 在水平位置中傳送至一種閘室系統,其中藉由一種拉升裝 置而使基板向上提高且然後藉由一種擺動裝置而擺動至一 種垂直狀態中,此時該基板固定在一基板支件上。在送出 至第二閘室系統中時,須使上述各步驟之順序相反。這在 ‘ 大面積之矩形基板中會造成巨大之空間問題,大的閘室-和 室體積以及真空泵之長的抽真空時間及/或大的抽吸功率。 由ΕΡ 0 1 36 5 62 Β1中已知一種用於小圓板形基板(例如, 鲁 碟片,半導體和晶圓)之連續之陰極濺鍍設備。該外室在周 邊以等距離之方式而設有一種閘室設備和4個室形之處理 站。此種設備亦屬於”群集設備”。 在一外室和一內室之間以可旋轉之方式配置一種多角形 之盆,在其邊框上藉由片簧配置5個基板支件’其在操作 狀態時封閉該閘室設備且藉由墊圈和閥功能來封閉各處理 室。各基板支件之徑向移動(其在真空室中持續地保持著) 1260063 只在靜止狀態時同步地藉由一種中央錐體和5個推進桿所 產生’各推進桿導引至內室之邊框中且藉由其壁而導引至 大約一半高度處且因此不能一起旋轉。該驅動器及其錐體 亦是靜止的。 該基板支件-盆以步進方式藉由另一驅動器而旋轉。爲了 使該基板支件-盆在真空室內部中由一站至另一站地旋轉, 則上述之推進桿須由該基板支件-盆之圓形-或圓柱形之移 動軌道周期性地拉回且又向前移。藉由該驅動機構使切線 速率和徑向速率相調和且相適應,這在此處由於基板數量 少而不說明。 由於基板尺寸持續變大,以及由於基板厚度隨著硏發之 進展而變小使模之硬度和強度亦變小,因此會產生新的問 題’其已導致很複雜-且昂貴之構造上之原理以及複雜之操 作流程。 【發明內容】 本發明之目的是改良上述形式之驅動機構,其以下述方 式來進行:大面積之稍微傾斜於垂直方向-且未固定至基板 支件之基板能可靠地且至少廣泛地以無摩擦之方式經由一 種真空處理設備且被處理。 在本發明之進一步之形式中亦應考慮該構造原理和操作 流程’其可使該設定面積,室體積,抽真空時間進一步減 少’且使基板在該真空室內部和外部中之”處理”更簡化, 且另又可使基板受到已剝落之層封包之微粒所污染之危險 性大大地下降。 1260063 依據本發明,在本文開頭所述之驅動機構中上述目的是 藉由申請專利範圍第1項之特徵來達成,即,藉由 a) 馬達是與一位置固定之軸承外殼相連接’其中以與 該承載圓柱同心之方式來設定一由懸臂所構成之 可旋轉之星形之配置, b) 各懸臂敏捷地與雙臂式角桿之末端相連接’各角桿 分別具有一種關節銷’ c) 角桿之另一末端敏捷地與一控制桿相連接’ d) 該角桿之關節銷在位置固定之第一控制曲線中受 到導引,其路徑決定該控制桿之徑向移動。 藉由上述之解法,則該目的在整個範圍中可滿意地達 成,且特別是設定該驅動機構之構造原理’其使該基板支 件在其圍繞該周圍之移動軌道上和諧地且不會向後地移動 著。 在本發明之其它形式之進展中’特別有利的是當-各別地 或相組合地使: *該控制桿定位在徑向導引件中’該徑向導引件固定在 可旋轉之傳動機構室上, *第一控制曲線配置在該角桿下方之位置固定之控制板 上, *該角桿以鐮刀之形式且徑向向外地彎曲而形成且配置 著,其經由第一控制曲線而導引之關節銷配置在該角件之 中央區中, ^該角桿之遠離該懸臂之末端經由聯杆而與控制桿相連 -10- 1260063 接, *第一曲線在圓周方向中具有一閉合之周期性波浪形之 外形,藉由其至該軸之最大之徑向距離可決定該基板支件 相對於各別處理室之終端位置。 *在位置固定之第一控制曲線內部中配置一位置固定之 第二控制曲線,使另外在由懸臂所構成之可旋轉之星形之 配置上配置至少一擺動關節,其上分別配置著一種角桿, 其一端經由第二控制曲線而延伸且其另一端藉由一種關節 連接板而與該傳動機構室相連接,使其圓周速率在重疊至 該基板支件之徑向移動時可被改變。 *在由懸臂所構成之星形配置之在直徑端相面對之位置 上分別配置一種具有角桿之擺動關節,其經由一種關節連 接板而與該傳動機構室相連接。 *各關節連接板之遠離至少一角桿之末端經由一關節銷 而與該傳動機構室相連接, *各別之關節銷分別經由一種角件和一種對立件而與該 傳動機構室之相鄰之角隅相連接, * 在每一可旋轉之懸臂上分別配置至少一位置告知器’ 其在作用上是與相對應之位置固定之位置接收器相連接’ *藉由該位置告知器··和該位置接收器之信號以及全邰之 懸臂之角位置,則可決定該至各處理室之一-和至該轉交室 之分配情況, *在該軸之周圍上以等距離之角度分佈而配置4個懸 臂,一個轉交室和3個處理室, -11- 1260063 *具有該傳動機構室之該驅動機構配置在一內部之子室 之底部和一外部之子室之底部之間, *在十字形配置中在該傳動機構室上固定著4對水平之 懸臂’其上懸掛著平行四邊形之導桿配置,其下端經由另 一水平之懸臂而與基板支件相連接, *該基板支件向上以3至15度之角度在該軸之方向中對 準,及/或,當 *在該軸之切線方向中在該子室上配置一種水平之線性 室列,其由入口閘,轉交室和出口閘所構成,基板能以3 度至1 5度之角度經由該閘室列而運行。 【實施方式】 本發明之物件之實施例,其作用方式和優點以下將依據 第1至7圖來說明。此處須強調:本發明不限於4室(即, 1個轉交室和3個處理室)-原理且各室(包含各閘室和該驅 動機構及其角位置)之總數可依據產品規格向上或向下來改 變 〇 第1圖顯示一不能旋轉之承載圓柱1,其具有一軸A-A, 一種由4個基板支件所構成之以下仍將詳述之系統可圍繞 該軸A-A而旋轉。該承載圓柱1上固定著同樣不可旋轉之 圓板形之控制板2和一在該控制板2上相隔一段距離之驅 動單元3(其包含一種馬達4和一軸承外殼5)。在該控制板2 和該軸承外殼5之間之中間區中存在著一種由各控制元件 所構成之複雜之系統,其以下仍將詳述且能以其整個單元 圍繞該軸A-A而旋轉。 -12- 1260063 由各控制元件和驅動單元3所構成之整個配置是由一可 圍繞該軸A - A而旋轉之傳動機構室(此處未詳細顯示,其具 有正方形之平面圖)所圍繞,其最內側之周邊是由虛線7來 表示。在該可旋轉之傳動機構室6之4個側壁上以等距離 之角分佈方式在內側固定著4個徑向導引件8,其分別具有 一可與該軸A-A成徑向而移動之控制桿9,各控制桿在其外 端上承載著該擺動軸承1 0以控制著以下仍將詳述之基板支 件。 該控制板2(此處只顯示一部份)承載二個已銑切之圍繞在 周圍之控制曲線,即,第一外部控制曲線1 1和第二內部控 制曲線1 2,其空間上之外形相互之間已完全顯示在第2圖 中 ° 直接在該位置固定之軸承外殻5下方定位著一可旋轉之 旋轉十字件13,其具有4個在其周圍以等距方式而配置之 懸臂14,其中在第1圖中只可看到二個。各懸臂以其外端 藉由旋轉軸承1 5而抓握在4個角桿1 6之一端,其另一端(此 處不可看見)在作用上是與該控制桿相連接,這在以下仍將 詳述。 在其中央區中各角桿1 6經由關節銷1 7和配置於該角桿 1 6下方之導引滾筒而接合至外部之控制曲線1 1中。各角桿 1 6此處顯示成鐮刀形。但重要的是二條虛擬直線之角位 置,該二條直線一方面由各別之旋轉軸承1 5延伸至關節銷 1 7且由該處延伸成可與所屬之控制桿靈活地連接著。該二 條直線與關節銷1 7之軸中之頂點所形成之角度”α”可在60 -13- 1260063 度和120度之間(請參閱第4圖上方)。 由第2圖可知··藉由較外部之曲線區段Π a和較內部之曲 線區段1 lb之間逐漸之轉移(transition) ’則可使各控制桿達 成平穩之徑向移動。 由第3圖(其中省略各控制元件之一部份)中另外可知:該 角桿1 6在遠離各懸臂1 4之末端上分別經由聯桿1 8和第一 關節1 9而與各控制桿9相連接。第二關節由徑向導引件8 之蓋板所覆蓋,該徑向導引件8因此向下開啓,如第1圖 所示。 在已描述各徑向移動之控制是藉由控制板2之位置固定 之外部控制曲線1 1和連續之控制桿9之間之旋轉式相對移 動來達成之後,現在來描述各控制桿9之疊加之周期性可 變之運行速率之控制,其係藉由控制板2之位置固定之內 部控制曲線1 2和連續之控制桿9之間之旋轉式相對移動來 達成。 同樣由第3圖可知:在該旋轉十字件1 3及固定地安裝於 其上之各懸臂1 4上安裝著二個在直徑端相面對之擺動關節 20,分別有另一角桿2 1以受限制之方式圍繞該擺動關節而 擺動。各角桿分別具有二個關節銷22和23,其中第一個有 一部份被覆蓋且藉由一未顯示之(已覆蓋之)滾筒而被導引 至內部之控制曲線1 2中。各關節銷22,23相對於該擺動關 節20之角位置所具有之角度是” β”,這在第3圖中顯示在右 上方和左下方中。該角度可依據空間比例和移動動力學而 選擇成介於60度和1 20度之間。藉由該二個角桿2 1配置於 1260063 直徑端,則可使不可避免之徑向力獲得補償,但基本上亦 可分別只以一個角桿2 1來達成。 另外,由第 2圖中亦可知:藉由較外部之曲線區段1 2 a 和較內部之曲線區段1 2 b之間逐漸-或和諧式之轉移’則亦 可使關節銷22達成一種平穩之徑向移動。此種徑向移動依 據該關節銷22,23之桿長度和相對於該擺動關節20之角位 置而在該二個外部箭頭之方向中跟隨該傳動機構室6之圓 周速率。 各關節銷23經由一關節連接板24和另一關節銷25而分 別與一種角件26相連接,該角件26可移位而受限制地固定 在一種對立件2 7上,各關節銷在直徑之二個相面對之角隅 中與該傳動機構室6相連接。於是該傳動機構室6之圓周 速率依據該內部控制曲線丨2之外形而逐漸地且周期地在最 大値和靜止狀態之間改變。當各控制桿9準確地位於基板 用之轉交室之前或準確地位於各處理室之一之前時,則處 於該靜止狀態中。 第4圖顯示該具有馬達4和軸承外殻5之驅動單元3拆除 之後該控制驅動器之各個組件。明顯的是:該控制驅動器 在順時針方向繼續圍繞一種90度之角度時可具有該傳動機 構室6,這在右下方之角隅中可在關節銷25,角件26和該 對立件27之位置上辨認出。該旋轉十字件1 3,該擺動關節 2〇 ’該角桿2 1和全部之徑向導引件8及各控制桿9跟隨著 該移動過程。爲了淸楚之故,第3圖中各角桿21之一及其 連接元件已省略,其必須位於左上方。 -15- 1260063 第1,4圖又顯示:在各懸臂1 4上分別配置三個位置告知 器28,且在軸承外殼5(此處未顯示)上在共軸式互補之可覆 蓋件中三個位置接收器3 0固定在一懸臂2 9上,因此具有以 下之情況:藉由相對應之資料傳送和-評估’則不只可決定 該懸臂1 4-和控制桿9相對於處理室和閘室列內部中之轉交 室之各別之位置,而且亦可決定哪一控制桿9面對哪一室。 第5圖顯示圓周方向中和徑向中已疊加之移動外形。閘 室列3 1平行於切線E-E而延伸,該閘室列由一入口閘32, 一轉交室3 3和一出口閘34所構成。該閘室列包含已知之構 造形式之真空閥3 5。 傾斜直立-或受導引之無基板支件之基板經由閘室列3 1 以直線之步進方式所形成之輸送方向是由一列箭頭3 6來表 示。該轉交室3 3面對該處理室3 7。在環形之空間3 8之內 部中各和諧(或逐漸)之移動順序是由厚的箭頭線來表示。此 種旋轉式移動由該轉交室33開始分別以90度沿著閉合之箭 頭線3 9而進行著。在4個支點(其分別直接位於該轉交室 33之前和各處理室40,37,41之前)上,該基板之前進和 後拉是由徑向箭頭42來表示。該基板之前進係進行至直接 位於該屏蔽用之框形之屏蔽件43之前,各屏蔽件配置在各. 處理室40,37和41之前。但各基板和各屏蔽件43之間之 密封作用是不需要的,此乃因最外側之基板不必對此作出 貢獻。只要該基板支件之向後移動已完全停止,則該基板 支件以90度旋轉至下一個處理室之前,在處理結束之後旋 轉至該轉交室3 3之前以繼續輸送至出口閘3 4中。 -16- 1260063 由第5圖可得知該設備之最簡潔之省空間和體積之形 式’特別是該基板不必送出至大氣中。在全部之情況下, 各鬧室32 ’ 34中已打孔之基板支件及經由整個基板面和滾 輪來進行之壓力氣體供應件係配置在下端,使基板無摩擦 地經由氣墊而移動至基板支件上且又可移開。爲了抽真空 且使基板靜靜地直立在其支件上,則須停止該氣體供應 件。這亦適用於”該基板在環形空間3 8中已位於基板支件 上”時之此一時段中。 第6圖顯示一種中央驅動機構44,其具有一垂直軸A_a, 一種共軸之安裝凸緣45和該傳動機構室6,其中配置著第 1’ 4圖中之配置。該安裝凸緣45用來固定在真空室之一於 此處只顯示一部份之下底部46上。在該可旋轉之傳動機構 室6之角隅上固定著總共8個懸臂47,其經由傾斜之支柱 4 8而支撐在該傳動機構室6上(請亦參閱第3圖)。 在各懸臂47 (其以成對之方式而延伸且形成一種直角形之 十字)上經由上方之擺動軸承而向下懸掛著總共8個平行四 邊形-導桿配置49。該平行四邊形-導桿配置49之下端以可 擺動之方式定位在水平之懸臂50(其是U形之護圈,具有互 相平行之成對之股邊)上,其向外對準之末端分別經由框架 形式之基板支件5 2之一水平之橫件5 1而相連接,該橫件用 作此處未顯示之基板。各基板支件5 2向上傾斜且又向後對 準而與垂直線形成一種3至1 5度之間之角度。 已顯示之二個基板支件5 2因此在箭頭5 3之方向中相面對 且可在徑向中互相移動。須強調:只顯示二個基板支件52。 -17- 1260063 另二個基板支件(其配置在該傳動機構室6之前和之後)爲 了淸楚之故此處未顯示,其同樣在相反方向中可徑向地移 動,且對該二個箭頭5 3成直角。 該傳動機構室6以垂直軸A-A而整合在一真空室中。該 真空室由一盆形之內部子室54所構成,該承載圓柱1之上 部末端區藉由凸緣5 6以真空密封-且不可旋轉之方式而插 入至該子室54之底部55中。垂直之支撐作用係藉由該固定 支柱5 7來達成,該固定支柱5 7之有效長度可藉由第7圖中 所不之調整元件67來改變。此處只顯示二個位於垂直切面 (第5圖中之E-E)後方之固定支柱57,其依據第7圖是懸掛 在徑向之節點板6 6上。 該真空室另外具有一外部子室64 (第7圖),其形式是四邊 形之平截頭棱錐體,該傳動機構室6之下方之凸起5 8以真 空密封但可旋轉之方式經由該平截頭棱錐體之底部46。 在水平之底部4 6和5 5之間存在著該驅動機構44之可旋 轉之主要部份。在環形之空間3 8 (第5圖)中各可旋轉-且可 以徑向之各移動組件來移動之基板支件52由下向上凸出。 經由該內部子室54之圓柱形之壁之移動現象不存在。反 之,基板支件5 2之移置是藉由上述之平行四邊形-導桿配置 4 9來達成,其中該擺動軸承之空間位置已由,,平行四邊形-導桿配置”之定義所設定。因此可達成一種圍繞一中央位置 之對稱之擺動。由於在預測該擺動角度或各徑向移動之成 份時已充份地測得該導桿之長度,則可使垂直之移動成份 成爲最小。 -18- 1260063 上述之擺動軸承相對於移動導引作用而言實際上未由該 塗層材料產生碎屑且亦未產生灰塵(其會影響該基板上之層 品質)。因此,各懸臂50對各基板支件52之侵蝕是發生在 其下邊緣上而不像EP 0136 562 B1中是發生在基板中央。 上述之平行四邊形-導桿配置4 9之下方之擺動軸承只以儘 可能小之間距而位於該懸臂5 0之上側之上方且位於該基板 支件5 2之背面上,因此,由於上述原因使可能發生之碎屑 不能到達該基板之外側。 由第6圖可知:該水平之控制桿9之外部末端在上述之平 行四邊形-導桿配置49作周期性之移動時由該傳動機構室6 中凸出且經由該擺動軸承1 0而抓握在內部之導桿上。 第7圖顯示該使用第1至6圖之各元件之一種完整設備之 外部透視圖,其參考符號仍繼續使用第1至6圖中者。在 轉交室33二側以虛線顯示該入口閘32和該出口閘34。該 轉交室3 3中顯示該傾斜之入口縫隙5 9,同樣亦顯示一種連 接於其上之泵支件60及停止閥6 1和低溫泵62。明顯可見 的是該轉交室 3 3 -和該處理室之對抗大氣壓力用之肋條 63。在內部子室54和外部子室64之間配置一種環形-或圍 繞周圍之蓋子65,節點板66位於該蓋子上方’其可使各調 整元件67對該子室內部之各固定支柱57進行校準。 特別是由第5至7圖中可得知該設備之一特別簡潔-且省 空間和體積之構造’特別是各基板支件不必推出至大氣 中〇 【圖式簡單說明】 -19- 1260063 第1圖內部之驅動機構之透視圖,其未具備該傳動機構室 之外殼且未具備基板載體。 第2圖位置固定之控制板之垂直下看之俯視圖,其具有二 個控制曲線。 第3圖取出該驅動單元之後該驅動機構之垂直下看之俯視 圖,該驅動單元具有馬達和軸承外殻。 第4圖在該傳動機構室旋轉90度後之位置時類似於第3 圖之垂直下看之俯視圖。
第5圖圓周方向中和徑向中一真空設備內部中已疊加之移 動外形之圖解。 第6圖係第5圖之真空設備之核心之軸向切開之側視圖之 一部份,其包含該傳動機構室和二個懸掛在傳動機 構室上且已運行出來之基板支件。 第7圖使用第1至6圖之各元件之整個設備之透視外觀 圖。 [主要元件符號說明】
1 ,承載圓柱 2 控制板 3 驅動單元 4 馬達 5 軸承外殻 6 傳動機構室 7 線 8 徑向導引件 -20- 1260063 9 控 制 桿 10 擺 動 軸 承 1卜 1 2 控 制 曲 線 11a ,1 lb,12a,12b 曲 線 Ts 段 13 旋 轉 + 字 件 14, 29, 47,50 縣 臂 15 旋 轉 軸 承 16, 21 角 桿 17, 22 〜25 關 節 銷 18 聯 桿 19 關 節 20 擺 動 關 節 26 角 件 27 對 ,、r. 件 28 位 置 告 知 器 30 位 置 接 收 器 3 1 閘 室 列 32 入 □ 閘 33 轉 交 室 34 出 □ 閘 35 真 空 閥 36, 42, 53 m 頭 37 處 理 室 38 空 間 39 m 頭 線 40 ' ,41 處 理 室
-21 - 屏蔽件 驅動機構 安裝凸緣 底部 傾斜之支柱 平行四邊形-導桿配置 橫件 基板支件 子室 底部 凸緣 固定支柱 凸起 入口縫隙 泵支件 停止閥 低溫泵 肋條 子室 蓋子 節點板 調整元件 軸 切面/平面 角度 -22-

Claims (1)

1260063 qr ζ (h 木 第93 1 1 895 6號「真空處理設備用之驅動機構」專利案 (2006年5月修正) 十、申請專利範圍: 1. 一種真空處理設備用之驅動機構,藉此使圍繞一軸(A-A) 之環形軌道上之多個基板支件(5 2)可由一入口閘(32)經由 至少一處理室(37, 40,41)而輸送至一出口閘(34),其中在 該環形軌道之中央配置一種位置固定之承載圓柱(1)’其 上定位著一種可旋轉之傳動機構室(6),其外側上配置著 該基板支件(5 2)之旋轉-和徑向轉移用之控制桿(9),其中 在該可旋轉之傳動機構室(6)中在該承載圓柱(1)上固定一 種位置固定之馬達(4)且配置著該控制桿(9)用之可旋轉之 移位驅動器,各控制桿分別貫通該傳動機構室之各壁之 一且因此在作用上分別與所屬之基板支件(5 2)相連接’其 特徵爲: a) 馬達(4)是與一位置固定之軸承外殼(5)相連接’其中 以與該承載圓柱(1)同心之方式來設定一由懸臂(14)所 構成之可旋轉之星形之配置, b) 各懸臂(14)敏捷地與雙臂式角桿(16)之末端相連接’ 各角桿分別具有一種關節銷(1 7), c) 角桿(16)之另一末端敏捷地與一控制桿(9)相連接, d) 該角桿(1 6)之關節銷(1 7)在位置固定之第一控制曲線 (1丨)中受到導引,其路徑決定該控制桿(9)之徑向移動。 2. 如申請專利範圍第1項之驅動機構,其中各控制桿(9)定 位在徑向導引件(8)中’各徑向導引件(8)固疋在可&轉之 1260063 傳動機構室(6)中。 3. 如申請專利範圍第1項之驅動機構,其中第一控制曲線(11) 在角桿(16)下方配置在一位置固定之控制板(2)上。 4. 如申請專利範圍第1項之驅動機構,其中該角桿(16)以 徑向向外彎曲之形式形成鐮刀形而配置著且其由第一控 制曲線(11)所導引之關節銷(17)配置在該角件(16)之中央 區中。 5 ·如申請專利範圍第1項之驅動機構,其中該角件(1 6)之 遠離各懸臂(14)之末端經由聯桿(18)而與控制桿(9)相連 接。 6·如申請專利範圍第1項之驅動機構,其中第一控制曲線(11) 在圓周方向中具有閉合之周期性之波浪形之外形,藉由 其至軸(A-A)之最大之徑向距離可決定各基板支件(52)對 各別之處理室(3 7,4 0,4 1)之終端位置。 7 .如申g靑專利範圍第1項之驅動機構,其中在位置固定之 第一控制曲線(1 1)內部中配置位置固定之第二控制曲線 (12) ’使另外在由各懸臂(14)所構成之可旋轉之星形配置 上配置至少一擺動關節(20),其上分別配置一角桿(21), 其一末端經由第二控制曲線(12)而受到導引且其另一端藉 由一關節連接板(24)而與該傳動機構室(6)相連接,使其 圓周速率在重疊至該基板支件(5 2)之徑向移動時可周期性 地改變。 8·如申請專利範圍第7項之驅動機構,其中在由各懸臂(14) 所構成之星形配置之位於直徑相面對之位置上分別配置 1260063 一種具有角桿(2 1)之擺動關節(2 0),其經由一種關節連接 板(24)而與該傳動機構室(6)相連接。 9.如申請專利範圍第7項之驅動機構,其中各別之關節連 接板(24)之遠離至少一角桿(21)之末端經由一關節銷(25) 而與該傳動機構室(6)相連接。 1 〇.如申請專利範圍第9項之驅動機構,其中各別之關節銷 (2 5 )分別經由一種角件(2 6)和一種對立件(2 7 )而與該傳動 機構室(6)之相鄰之角隅相連接。 1 1.如申請專利範圍第 1項之驅動機構,其中在每一可旋 轉之懸臂(14)上分別配置至少一位置告知器(28),其在作 用上是與相對應之位置固定之位置接收器(30)相連接。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之驅動機構,其中藉由該位置 告知器(28)和位置接收器(30)之信號可決定全部之懸臂(14) 之角位置及決定該至各處理室(37,40,41)和至該轉交室 (33)之分配情況。 1 3 ·如申請專利範圍第1項之驅動機構,其中在該軸(A - A) 之周圍以等距離之角度分佈方式配置4個懸臂(1 4),一轉 交室(3 3)和三個處理室(37,40,41)。 1 4.如申請專利範圍第1項之驅動機構,其中驅動機構(44) 及該傳動機構室(6)配置在內部之子室(5 4)之底部(5 5 )和外 部之子室(64)之底部(46)之間。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之驅動機構,其中在該傳動機 構室(6)上以十字形之配置方式固定著4對水平之懸臂 (47),其上懸掛著平行四邊形-導桿配置(49),其下端經由 1260063 另一水平之懸臂(50)而與基板支件(5 2)相連接。 1 6 .如申請專利範圍第1項之驅動機構,其中各基板支件(5 2) 向上以3至15度之角度而在該軸(A-A)之方向中對準。 1 7 .如申請專利範圍第1 4或1 6項之驅動機構,其中在該軸 (A-A)之切線方向中在該子室(64)上配置一水平之直線式 閘室列(31),其由入口閘(32),轉交室(33)和出口閘(34) 所構成,使各基板可經由該閘室列以3至1 5度之角度而 受導引。 1260063— :.7— ,_: :r :: - Ί/7
111 1260063 第2圖
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10348281B4 (de) * 2003-10-17 2007-06-06 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Vakuum-Behandlungsanlage für ebene rechteckige oder quadratische Substrate
US8211234B2 (en) 2008-09-02 2012-07-03 United Technologies Corporation Coater platter homing tool
KR100980706B1 (ko) * 2008-09-19 2010-09-08 세메스 주식회사 기판 이송 장치, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이의 기판 이송 방법
JP4766156B2 (ja) * 2009-06-11 2011-09-07 日新イオン機器株式会社 イオン注入装置
SG171476A1 (en) * 2009-11-10 2011-06-29 United Technologies Corp Coater platter homing tool
DE102011113563A1 (de) * 2011-09-19 2013-03-21 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Karussellschlitten für Vakuumbehandlungsanlage
CN103774102A (zh) * 2012-10-19 2014-05-07 陕西拓日新能源科技有限公司 用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备与方法
CN108179396B (zh) * 2018-01-09 2020-07-28 温州职业技术学院 环形循环连续式真空镀膜装置
WO2019212592A1 (en) * 2018-05-03 2019-11-07 Applied Materials, Inc. Pulsed plasma (dc/rf) deposition of high quality c films for patterning
JP6716802B1 (ja) * 2018-10-24 2020-07-01 株式会社アルバック カソード装置、および、スパッタ装置
CN111778481B (zh) * 2020-07-27 2020-12-25 江苏兴广包装科技有限公司 一种图案尺寸可控制的定位真空镀膜设备

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6052574A (ja) * 1983-09-02 1985-03-25 Hitachi Ltd 連続スパツタ装置
US4675089A (en) * 1985-11-25 1987-06-23 At&T Technologies, Inc. Low temperature deposition method for high quality aluminum oxide films
DE4232959C2 (de) * 1992-10-01 2001-05-10 Leybold Ag Vorrichtung zum Ein- und Ausschleusen scheibenförmiger Substrate
JPH06322542A (ja) * 1993-05-13 1994-11-22 Sony Corp 薄膜形成装置
US5709785A (en) * 1995-06-08 1998-01-20 First Light Technology Inc. Metallizing machine
DE19715245C2 (de) * 1997-04-12 1999-09-02 Leybold Systems Gmbh Vakuumbehandlungsvorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten
DE19819726A1 (de) 1998-05-02 1999-11-04 Leybold Systems Gmbh Vakuumbehandlungsanlage zum Aufbringen dünner, harter Schichten
JP4515630B2 (ja) * 2000-12-28 2010-08-04 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置
JP4473496B2 (ja) 2002-09-06 2010-06-02 株式会社シンクロン モニタホルダを備えた薄膜形成装置

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