CN100511729C - 一种制备Cu2ZnSnS4半导体薄膜太阳能电池吸收层的工艺 - Google Patents
一种制备Cu2ZnSnS4半导体薄膜太阳能电池吸收层的工艺 Download PDFInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 10
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 11
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 5
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 claims 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 2
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims 1
- 238000007581 slurry coating method Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 21
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 7
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 abstract description 3
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000011268 mixed slurry Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYZCLUQMCYZBJQ-UHFFFAOYSA-H lead(2+);dicarbonate;dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Pb+2].[Pb+2].[Pb+2].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O RYZCLUQMCYZBJQ-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
一种制备Cu2ZnSnS4半导体薄膜太阳能电池的工艺，属于光伏电池技术领域。按照化学计量比Cu∶Zn∶Sn＝1.6-1.7∶1∶1混合化学纯度的Cu粒、Zn粒、Sn粒，压制成直径10mm，高15mm的圆柱压坯压坯，封存在真空度10-4～10-3Pa的石英管中，通过感应熔炼使之形成合金锭。采用甩带工艺制成厚度15～30μm，宽度5～8mm的脆性合金薄带。再将薄带混合硫粉球磨48～96小时形成黑色的浆料，将浆料涂敷在钼基体或玻璃基体上，干燥后在氢气或者氮气气氛中热处理。优点在于：采用熔炼合金的方法，避免了元素的损失，确保了严格的化学计量比。相比于其他硫化方法，更易于形成均匀的吸收层，并且无需硫气氛，操作简单。
Description
技术领域
本发明属于光伏电池技术领域，特别是提供了一种制备Cu2ZnSnS4半导体薄膜太阳能电池吸收层的工艺。
发明背景
Cu2ZnSnS4是一种用作薄膜太阳能电池吸收层的半导体材料。它具有1.51eV的禁带宽度，104cm-1的吸收系数，十分符合太阳能电池所要求的条件。化合物中含有的元素都是在地壳中储量丰富的，不含其他太阳能电池材料如CdTe中含有的有毒金属Cd，也不含有CuInSe2所用的贵金属In，是一种对环境十分友好的材料，适宜作为太阳能电池的吸收层，因此具有十分广阔的应用前景。
很多国家的研究机构都开展了对此化合物的研究，取得了很大的进展。目前常用的制备工艺包括硫化气相沉积前驱体法、磁控溅射法、混合溅射法等。其共通点在于都是通过某种方法预先制备一层Cu、Zn、Sn元素比一定的合金层，而后再进行硫化，最终得到所需要的Cu2ZnSnS4吸收层。上述方法可以简要的分为两步：(1)合金膜的制备；(2)硫化。
对于与Cu2ZnSnS4同属于黄铜类太阳能材料的CuInSe2而言，有人采用如下方法制备出光电转化效率为7.8％的电池：先混合纳米级的Cu，In粉，湿磨一定时间后制成含有CuIn合金、Cu、In单质的混合粉末，而后涂覆在一定的基体上进行硒化。因此对于Cu2ZnSnS4而言，同样可以采用类似的方法进行制备。而且相对于其他方法，此法制备成本比较低，适于大规模批量化生产。但是这种方法，同样没有脱离前述制备方法的两步，即合金膜的制备以及硫化。流程相对较为复杂一些，
发明内容
本发明的目的在于提供一种制备Cu2ZnSnS4半导体薄膜太阳能电池吸收层的工艺。在成功的制备出纯净Cu2ZnSnS4吸收层的基础上，简化了工艺步骤，使之更适合于实际生产。
本发明的构成：
按照化学计量比Cu：Zn：Sn＝1.6—1.7:1:1混合化学纯的Cu粒、Zn粒、Sn粒，压制成直径10mm，高15mm的圆柱压坯，封存在真空度10-4～10-2pa的石英管中，通过感应熔炼使之形成合金锭。采用甩带工艺制成厚度15～30μm，宽度5～8mm的脆性合金薄带。再将薄带混合硫粉球磨48～96小时形成黑色的浆料，将浆料涂敷在钼基体或基体上，干燥后在氢气或者氮气气氛中退火2～3小时。
本发明的优点在于：采用熔炼合金的方法，先形成一定的合金相，并且相比于其他单元素逐一添加到体系中的方法，尽可能的避免了元素的损失，确保了严格的化学计量比。甩带后形成非常薄的脆性合金带，利于后续阶段球磨出成分粒度比较小的浆料。合金带混合硫粉，在球磨过程中充分混合，形成均匀的混合物，由于涂敷后的膜中含有符合化学计量比的硫，相比于其他硫化方法，更易于形成均匀的吸收层，并且无需硫气氛，操作上简单使用。
附图说明
图1是本发明制得的混合浆料涂敷在导电玻璃基体上在N2气氛下350℃热处理后得到的X射线衍射图。横坐标为衍射角度，单位为度，纵坐标为相对强度。
图2是本发明制得的混合浆料涂敷在导电玻璃基体上在N2气氛下400℃热处理后得到的X射线衍射图。横坐标为衍射角度，单位为度，纵坐标为相对强度。
图3是本发明制得的混合浆料涂敷在导电玻璃基体上在H2气氛下350℃热处理后得到的X射线衍射图。横坐标为衍射角度，单位为度，纵坐标为相对强度。
图4是本发明制得的混合浆料涂敷在导电玻璃基体上在H2气氛下400℃热处理后得到的X射线衍射图。横坐标为衍射角度，单位为度，纵坐标为相对强度。
具体实施方式
CuZnSn前驱体合金的熔炼
(1)首先取原子比为Cu：Zn：Sn＝1.6-1.7:1:1的金属颗粒，混合后压制成ψ10mm的圆柱压坯，由于锡比较软，因此易于压制，压力不需要很大。
(2)将压坯密封在石英管中，由于在密封过程中需要抽气，而且真空度需要控制在1×10-3pa以下，因此可添加适当的吸气剂。
(3)利用感应熔炼的方法，电压控制在220V，当熔体沸腾后片刻，停止加热，自然冷却到室温，得到银白色的合金。
CuZnSn合金的甩带球磨
(1)将熔炼好的合金锭置于甩带设备的石英管(石英管下端开有小口，目的是使熔融液态合金流出)中，感应加热使其融化从小口流出，滴落在高速转动的铜辊上，由于激冷以及高速转动，合金以带状形式甩出，由于甩出的金属带比较脆并且厚度较薄，会发生断裂，易于后续的球磨。
(2)将甩带后的合金带以合金：硫粉＝10：3的配比混合硫粉，并以10克料23克无水乙醇的比例混合后，置于行星式球磨机中球磨48—96小时，制成混合浆料。
(3)将混合浆料涂敷在钼基体(或者导电玻璃)上，干燥后待热处理。
例1：Cu2ZnSnS4吸收层的N2气氛(350℃)制备
(1)将涂有浆料的钼片(或导电玻璃)，置于电阻炉中，通N2排除空气十五分钟，后50℃预热十分钟。
(2)按照10℃/min的速度升温至200℃，保温一小时。
(3)按照2℃/min的速度由200℃升温至350℃，保温两小时后随炉冷至室温取出，得到蓝黑色的吸收层。
例2：Cu2ZnSnS4吸收层的N2气氛(400℃)制备
(1)将涂有浆料的钼片(或导电玻璃)，置于电阻炉中，通N2排除空气十五分钟，然后50℃预热十分钟。
(2)按照10℃/min的速度升温至200℃，保温一小时。
(3)按照2℃/min的速度由200℃升温至400℃，保温两小时后随炉冷至室温取出，得到蓝黑色的吸收层。
例3：Cu2ZnSnS4吸收层的H2气氛(350℃)制备
(1)将涂有浆料的钼片(或导电玻璃)，置于电阻炉中，通H2排除空气，验纯三次，然后50℃预热十分钟。
(2)按照10℃/min的速度升温至200℃，保温一小时。
(3)按照2℃/min的速度由200℃升温至350℃，保温两小时后随炉冷至室温取出，得到蓝黑色的吸收层。
例4：Cu2ZnSnS4吸收层的H2气氛(400℃)制备
(1)将涂有浆料的钼片(或导电玻璃)，置于电阻炉中，通H2排除空气，验纯三次，然后50℃预热十分钟。
(2)按照10℃/min的速度升温至200℃，保温一小时。
(3)按照2℃/min的速度由200℃升温至400℃，保温两小时后随炉冷至室温取出，得到蓝黑色的吸收层。
例5：热处理后样品的XRD
涂敷于导电玻璃基体上的浆料在N2气氛和H2气氛下经350℃和400℃退火后，Cu2ZnSnS4的(112)，(200)，(220)，(312)晶面衍射峰十分明显。在H2气氛350℃热处理后得到了十分纯净的Cu2ZnSnS4相。
Claims (1)
1、一种制备Cu2ZnSnS4半导体薄膜太阳能电池吸收层的工艺，其特征在于：按照化学计量比Cu:Zn:Sn＝1.6—1.7:1:1混合化学纯度的Cu粒、Zn粒、Sn粒，压制成直径10mm、高15mm的圆柱压坯，封存在真空度10-4～10-2pa的石英管中，通过感应熔炼使之形成合金锭；采用甩带工艺制成厚度15～30μm、宽度5～8mm的脆性合金薄带；再将甩带后的合金带以合金：硫粉＝10：3的配比混合硫粉，球磨48～96小时形成黑色的浆料，将浆料涂敷在钼基体或基体上，干燥后在氢气或者氮气气氛中退火2～3小时。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2007100649958A CN100511729C (zh) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 一种制备Cu2ZnSnS4半导体薄膜太阳能电池吸收层的工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2007100649958A CN100511729C (zh) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 一种制备Cu2ZnSnS4半导体薄膜太阳能电池吸收层的工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101026198A CN101026198A (zh) | 2007-08-29 |
| CN100511729C true CN100511729C (zh) | 2009-07-08 |
Family
ID=38744269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2007100649958A Expired - Fee Related CN100511729C (zh) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 一种制备Cu2ZnSnS4半导体薄膜太阳能电池吸收层的工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100511729C (zh) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100466305C (zh) * | 2007-11-22 | 2009-03-04 | 北京科技大学 | 一种制备铜铟硒薄膜太阳能电池富铟光吸收层的方法 |
| DE102009009550A1 (de) | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Carl Von Ossietzky Universität Oldenburg | Verfahren zum nasschemischen Synthetisieren von Dikupfer-Zink-Zinn-Tetrasulfid und/oder - Tetraselenid (CZTS), ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschicht aus CZTS sowie eine kolloidale Suspension |
| CN101645473B (zh) * | 2009-09-09 | 2011-01-05 | 北京有色金属研究总院 | 薄膜太阳能电池吸收层用硒化物材料的制备方法 |
| CN101659394B (zh) * | 2009-09-17 | 2012-05-30 | 上海交通大学 | 铜锌锡硫纳米粒子的制备方法 |
| JP2013512173A (ja) | 2009-11-25 | 2013-04-11 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 銅亜鉛硫化スズの調製 |
| CN101771106B (zh) * | 2010-03-05 | 2011-10-05 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 铜锌镉锡硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 |
| US8709657B2 (en) | 2010-12-09 | 2014-04-29 | E I Du Pont De Nemours And Company | Quaternary chalcogenide wafers |
| US8480944B2 (en) | 2010-12-09 | 2013-07-09 | E I Du Pont De Nemours And Company | Quaternary chalcogenide wafers |
| CN102344166B (zh) * | 2011-07-04 | 2013-06-05 | 东华大学 | 一种Cu2ZnSnS4太阳能吸收层材料的制备方法 |
| CN102315333B (zh) * | 2011-10-13 | 2014-07-30 | 南京大学 | ZnSnS薄膜与ZnSnS/SnS 异质结的制备与太阳能电池应用 |
| CN102492972A (zh) * | 2011-12-12 | 2012-06-13 | 云南师范大学 | 一种Cu2ZnSnS4薄膜的电化学制备工艺 |
| TWI460869B (zh) | 2011-12-30 | 2014-11-11 | Ind Tech Res Inst | 太陽能電池光吸收層之製法 |
| JP5945790B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2016-07-05 | 株式会社日本マイクロニクス | Ｃｚｔｓ系太陽電池用合金の作製方法 |
| CN104556207B (zh) * | 2015-01-12 | 2016-08-24 | 东华大学 | 一种p型Cu2ZnSnS4纳米棒的制备方法 |
| CN109956504A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-07-02 | 昆明理工大学 | 一种铜镍锡硫纳米晶的制备方法 |
-
2007
- 2007-03-30 CN CNB2007100649958A patent/CN100511729C/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101026198A (zh) | 2007-08-29 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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