CN100505292C - 自发光面板和自发光面板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的课题是防止劣化因素传入自发光元件。自发光面板(100)具有：绝缘膜(103)，其设置在基板(101)上，在基板(101)上设置有多个在电极对之间具有发光层的自发光元件(102)，该绝缘膜(103)针对各自发光元件(102)将电极对中的至少一个电极(201)和发光层绝缘；密封部件(206)，其与基板(101)相对配置，用于在与该基板(101)之间形成将自发光元件(102)与大气隔离开的密封区域(208)；以及切槽(104)，其被设置于在自发光元件(102)的排列面内位于最外侧的自发光元件(102a)的外侧，沿基板(101)和密封部件(206)的相对方向将绝缘膜(103)分隔开。这样，即使在大气中所含有的水分等劣化因素传入粘合剂(207)中而进入密封区域(208)的情况下，也可以通过切槽(104)来阻止该劣化因素传入绝缘膜(103)中。
Description
技术领域
本发明涉及自发光面板和自发光面板的制造方法。
背景技术
例如，在各种信息设备的显示器或灯等的照明等中使用的自发光面板中，一般由多个像素形成，通过针对各像素进行显示驱动或非显示驱动，显示所期望的信息。公知有对于形成该自发光面板的像素采用自发光元件的自发光面板。
作为自发光元件，公知有无机EL元件、有机EL元件、FED元件、发光二极管等，作为其代表，公知有有机EL(电致发光)元件。有机EL元件例如还被称为有机EL(OEL：Organic electrol uminescence)器件、有机发光二极管(OLED：organic Light Emitting Diode)器件、自发光元件以及电致发光光源。
在有机EL元件中，假设大气中所含有的水分等为导致有机EL元件劣化的劣化因素。有将有机EL元件与大气隔离开、来防止由于这样的劣化因素导致的有机EL元件的劣化的密封方法。密封方法中有各种技术，其中之一为气密密封法。该方法是：在设有有机EL元件的基板上相对地设置密封部件，以在与该基板之间形成将有机EL元件与大气隔离开的密封区域(例如，参照下述专利文献1。)。通过气密密封法，可以简单且低成本地制造使用了有机EL元件的自发光面板。
图12是表示现有的自发光面板的一例的纵剖视图。如图12所示，现有的自发光面板1200具有：基板1204，其设有多个在电极对1201之间具有发光层1202的自发光元件1203；以及密封部件1206，其与该基板1204相对配置，以在与基板1204之间形成将自发光元件1203与大气隔离开的密封区域1205。
基板1204上设有绝缘膜1207，通过该绝缘膜1207针对各自发光元件1203将电极对1201中的一个电极1201a和发光层1202绝缘。通过粘合剂1208将基板1204和密封部件1206粘合。由此，防止劣化因素进入密封区域1205内。
【专利文献1】日本特开2000-21567号公报
但是，例如，在上述的专利文献1所记载的技术中，当使用有机EL元件作为自发光元件1203时，即使通过粘合剂1208将基板1204和密封部件1206粘合，也因大气中所含有的水分传到粘合剂1208内、基板1204或绝缘膜1207上而导致有机EL元件劣化。
发明内容
因此，本发明是以解决这样的问题为课题的一例。即，本发明的目的在于，防止劣化因素向自发光面板中的自发光元件的传递、防止自发光面板的显示质量的劣化等。
为了解决上述课题、达成目的，本发明的技术方案1的自发光面板，将在电极对之间至少夹有发光层的自发光元件作为一个像素、具有一个或多个该自发光元件，其特征在于，具有：基板，其设有自发光元件；绝缘膜，其设置在所述基板上，针对每个所述自发光元件将所述电极对中的至少一个电极和所述发光层绝缘；密封部件，其与所述基板相对配置，用于在与该基板之间形成将所述自发光元件与大气隔离开的密封区域；以及切槽，其被设置在所述自发光元件的排列面内位于最外侧的自发光元件的外侧，沿所述基板和所述密封部件的相对方向形成于所述绝缘膜上。
并且，本发明的技术方案2的自发光面板的制造方法，制造将在电极对之间至少夹有发光层的自发光元件作为一个像素、具有一个或多个该自发光元件的自发光面板，其特征在于，包括：自发光元件形成步骤，在基板上形成自发光元件；绝缘膜形成步骤，在所述自发光元件形成步骤中，形成针对每个所述自发光元件、将所述电极对中的至少一个电极和所述发光层绝缘的绝缘膜；切槽形成步骤，在通过所述绝缘膜形成步骤形成的绝缘膜中、在所述自发光元件的排列面内位于最外侧的自发光元件的外侧，形成沿所述绝缘膜的厚度方向分隔该绝缘膜的切槽；以及密封区域形成步骤，与所述基板相对地配置密封部件，该密封部件在与所述基板之间形成将所述自发光元件与大气隔离开的密封区域。
附图说明
图1是表示本实施方式中的自发光面板的平面图。
图2是表示自发光面板的纵剖视图。
图3是表示另一种实施方式中的自发光面板的纵剖视图。
图4是表示另一种实施方式中的自发光面板的纵剖视图。
图5是表示另一种实施方式中的自发光面板的纵剖视图。
图6是表示电极材料成膜步骤的纵剖视图。
图7-1是表示金属导电膜的构图步骤的俯视图。
图7-2是表示金属导电膜的构图步骤的纵剖视图。
图8-1是表示透明导电膜的构图步骤的俯视图。
图8-2是表示透明导电膜的构图步骤的纵剖视图。
图9-1是表示绝缘膜形成步骤的俯视图。
图9-2是表示绝缘膜形成步骤的纵剖视图。
图10是表示成膜步骤所使用的蒸镀装置的图。
图11-1是表示另一种实施方式中的自发光面板的纵剖视图。
图11-2是表示TFT形成步骤的纵剖视图。
图11-3是表示下部电极形成步骤的纵剖视图。
图11-4是表示绝缘膜形成步骤的纵剖视图。
图12是表示现有的自发光面板的一例的纵剖视图。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的自发光面板和自发光面板的制造方法的优选实施方式进行详细说明。
(自发光面板的概略结构)
图1是表示本实施方式的自发光面板的平面图。本实施方式中的自发光面板100具有设置在基板101上的多个自发光元件102。该自发光面板100是将一个自发光元件102作为一个像素的显示器的示例。通过有机EL元件来实现本实施方式的自发光元件102。
有机EL元件是层叠了多个具有各种功能的层的结构。特别是，虽然省略图示，但作为有机EL元件中的各层的层叠结构，一般为以“下部电极(阳极)/空穴注入层/空穴输送层/有机EL发光层/电子输送层/电子注入层/上部电极(阴极)”的顺序层叠的结构，无论是这样的层叠结构还是单层结构均可。
有机EL元件中的各层均可以由低分子有机材料或高分子有机材料的单一的有机材料形成、也可以通过将多种材料混合而形成(混合层)、也可以在高分子粘合剂中分散有机类或无机类的功能材料来形成。并且，作为功能材料，可列举出电子输送功能、发光功能、电子阻挡功能、光学功能等。
并且，在有机EL元件的各层中，也可以包括具有缓冲功能或平坦化功能的层，该缓冲功能用于在通过溅射法在发光层的上侧形成电极时使发光层不受损害，该平坦化功能用于防止由于发光层的成膜工艺而产生的发光层表面的凹凸。
而且，有机EL元件也可以是：将位于发光层上侧的电极作为阳极、将位于发光层下侧的电极作为阴极的有机EL元件；由多个层构成发光层的有机EL元件；层叠发光色不同的多个发光层的有机EL元件；在阴极和阳极之间隔着未图示的电子发生层的有机EL元件(多光子元件)；省略或多层层叠空穴输送层等的有机EL元件；形成仅为有机层一层的元件结构的有机EL元件(连续地形成各功能层、没有层边界)等。并且，本实施方式并不对有机EL元件的结构进行限定。
关于自发光元件102，可以将所有的自发光元件102作为自发光面板100的显示元件，也可以将部分的自发光元件102作为所谓的监视元件。显示元件是指自发光面板100所表示的文字或符号、图像、影像等的信息显示、或照明、各种室内装饰等的显示所使用的自发光元件102。监视元件是指不用于上述显示的自发光元件102。更详细地说，监视元件用于获得例如与自发光元件102的驱动有关的参数。
在驱动作为显示元件的自发光元件102时，从作为监视元件的自发光元件102获得的参数被反馈给各显示元件。作为与作为显示元件的自发光元件102的驱动有关的参数，例如，可列举出驱动电压、电流、亮度等。作为监视元件，利用在自发光元件102的排列面内位于最外侧的自发光元件。
自发光元件102分别通过绝缘膜103来绝缘。在图2所示的下部电极201之间和下部电极201上层叠绝缘膜103，在下部电极201上形成开口部。在由绝缘膜103划分形成的开口部内形成自发光元件102。绝缘膜103被设置成覆盖自发光元件102的排列面内的整个区域和该排列面的外周部分。在该绝缘膜103上设有作为狭缝或槽的切槽104，在本发明的实施方式中定义为“切槽”。详细内容将在后面叙述，本实施方式中的切槽104被连续地设置成将自发光元件102的排列面的外周围住。作为绝缘膜103的材料，利用聚酰亚胺、亚克力、SiO2等来形成。本实施方式的说明中，将切槽形成为中空，但也可以填充使劣化因素的传递变迟的材料，例如ITO等。
在基板101上，围着绝缘膜103的外侧，确保涂布了将密封材料(图2的206)和基板101粘合的粘合剂(图2的207)的粘合区域105。虽然在图1中省略图示，但密封部件与基板101相对配置，在与该基板101之间形成将自发光元件102与大气隔离开的密封区域(图2的208)。
图1中的a、b、c、d分别表示在自发光元件102的排列面内位于最外侧的自发光元件102到粘合区域105的距离。并且，图1中，符号I、II、III、IV、V、i、ii、iii、iv是为了便于表示自发光元件102的排列面内的各自发光元件102的位置而附加的符号。图1中的符号S1、S2、S3、S4也同样是，为了便于表示自发光元件102的排列面内的各切槽104的位置而附加的符号。
图2是表示自发光面板100的纵剖视图。图2示出了沿A-A线切开图1所示的自发光面板100，并从侧方看到的状态。如图2所示，在自发光面板100中，在基板101的一面侧设置有多个自发光元件102。如上所述，没有特别限定作为自发光元件102的有机EL元件的结构，但在图2中，作为自发光元件102示出了具有下述部分的有机EL元件：具有漏极202的薄膜晶体管(Thin Film Transisor：以下，简称为TFT)203和下部电极201、有机层204、以及上部电极205。直接或隔着其它导电材料连接漏极202和下部电极201，通过TFT 203控制自发光元件102的开/关。
在本实施方式中，上部电极205对所有的自发光元件102为共同的，其被设置成以单一的电极层覆盖所有的自发光元件102。通过下部电极201和上部电极205来实现电极对。虽未图示，但也可以采用利用分隔壁等将上部电极205划分并分割的结构。
下部电极201与电源的阳极侧连接，向对应的有机层204施加正电压，相反，上部电极205接地。通过从TFT 203的漏极202连接出来的下部电极201，向自发光元件102提供电流。
在根据本实施方式的自发光面板100中，示出了作为用于对自发光元件102进行有源驱动的驱动元件的一例，但可以根据自发光面板100的利用形式来分别设计选择TFT 203的数量及电路结构、恒压驱动及恒流驱动等的驱动方法。另外，因为是公知的技术，所以省略对TFT 203的结构等的详细说明。
在有机EL元件中，例如通过在下部电极201和上部电极205之间层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层等各有机层来实现了有机层204。有机层也可以是单层，所使用的材料也可以是高分子材料或低分子材料。
而且，也可以在高分子材料中分散低分子材料或无机材料来形成。作为形成发光层的发光材料，可以根据自发光面板100的利用形式分别设计选择利用从单重激发态返回到基态时的发光(荧光)的荧光材料、或利用从三重激发态返回到基态时的发光(磷光)的磷光材料等。另外，因为是公知的技术，所以省略对有机EL元件的结构等的详细说明。
密封部件206被设置于基板101上的设有自发光元件102的一侧。密封部件206具有一方被开口的容器形状，其被设置成覆盖所有的自发光元件102。密封部件206通过粘合剂207与基板101粘合。通过基板101、密封部件206和粘合剂207形成了密封区域208。在密封部件206上与自发光元件102相对的位置上设置有干燥剂209。
切槽104被设置在自发光元件102的排列面内位于最外侧的自发光元件102a的外侧。本实施方式中的切槽104被设置成在基板101和密封部件206的相对方向(图2中箭头X方向)上沿该相对方向贯通绝缘膜103。
切槽104不限于单一的切槽104，也可以在自发光元件102的排列面内、沿朝向外侧的方向设置多个。在该情况下，切槽104的数量为几个都可以。但是，考虑到越增加切槽104的数量则绝缘膜103对于基板的粘合力越下降的情况，所以优选为使最外侧的绝缘膜103对于基板101的粘合力满足所要求的粘合力的程度。
但是，由图1可知，作为在自发光元件102的排列面内位于最外侧的自发光元件(图2中的102a)，相应的有多个。因此，即使是在自发光元件102的排列面内位于最外侧的自发光元件102a，也根据自发光元件102的排列图形，距粘合区域105的距离不同。特别地，虽省略图示，但在这样的情况下，也可将切槽104设置于在自发光元件102的排列面内、距基板101和密封部件206的粘合位置、即粘合区域105的距离最短的位置上所设置的自发光元件102a的外侧。
例如，在如图1所示的、在距粘合区域105的距离a、b、c、d的关系为a<b<c<d的情况下，排列在I表示的列上的自发光元件102为设置于在自发光元件102的排列面内距粘合区域105的距离最短的位置上的自发光元件102a，设置符号S1所示的切槽104。
并且，也可以将切槽104设置于在自发光元件102的排列面内位于最外侧的自发光元件102a之中、设置于距粘合区域105的距离比预定距离短的位置上的自发光元件102a的外侧。可以通过实验等预先掌握容易受到劣化因素所致的影响的距离，从而适当地设定该预定距离。
例如，在如图1所示的距粘合区域105的距离a、b、c、d与预定距离r关系为a<b<c<r<d的情况下，排列在I、i、iv所示的列上的自发光元件102为设置于距粘合区域105的距离比预定距离短的位置上的自发光元件102a，设置符号S1、S2、S4所示的切槽104。
图3是表示另一种实施方式中的自发光面板的纵剖视图。在图3所示的自发光面板300中，被设置于绝缘膜103上的切槽301的形状和上述图1和图2所示的自发光面板100不同。图3所示的自发光面板300中的切槽301被设置成在基板101和密封部件206的相对方向上、将绝缘膜103分隔到中途。并且，在另一种实施方式中的自发光面板300中，与图1和图2所示的自发光面板100相同的部分使用相同符号来表示，也省略说明。以下也一样。
图4是表示另一种实施方式中的自发光面板的纵剖视图。在图4所示的自发光面板400中，在基板101和密封部件206的相对方向上设置有第一切槽401和第二切槽402两种切槽，该第一切槽401被设置成沿该相对方向贯通绝缘膜103，该第二切槽402被设置成将绝缘膜103分隔到中途。第二切槽402被设置于在自发光元件102的排列面内、沿朝向外侧的方向比第一切槽401更靠外侧的位置上。
图5是表示另一种实施方式中的自发光面板的纵剖视图。在图5所示的自发光面板500中，在基板101和密封部件206的相对方向上设置有第一切槽501和第二切槽502两种切槽，该第一切槽501被设置成将绝缘膜103分隔到中途，该第二切槽502被设置成沿该相对方向贯通绝缘膜103。第二切槽502被设置于在自发光元件102的排列面内、沿朝向外侧的方向比第一切槽501更靠外侧的位置上。
并且，在自发光元件102的排列面内、沿朝向外侧的方向设置多个切槽(例如，第一切槽401和第二切槽402、或者第一切槽501和第二切槽502)的情况下，可以为所有的切槽的形状相同，也可以为各切槽的形状分别不同。在自发光元件102的排列面内、沿朝向外侧的方向设置多个切槽的情况下，优选至少有一个切槽在基板101和密封部件206的相对方向上、沿该相对方向贯通绝缘膜103。
监视元件用于获取与自发光元件102的驱动有关的参数，所以如果监视元件劣化，则会导致自发光面板的显示缺陷。在本实施方式中的自发光面板100、300、400、500中，可以通过防止监视元件的劣化，来防止自发光面板100、300、400、500的显示质量的劣化。
(自发光面板的制造方法1)
下面，对使用了本实施方式中的自发光面板100(也可以是自发光面板300、自发光面板400、或自发光面板500)的制造方法1的无源驱动型的自发光面板100的制造工艺的一例进行说明。自发光面板100的制造工艺由前处理步骤、使用蒸镀装置(参照图10)的成膜步骤、以及使用密封部件206的密封步骤构成。前处理步骤包括电极材料成膜步骤、金属导电膜的构图步骤、透明导电膜的构图步骤以及绝缘膜形成步骤(参照图6～图9)。
图6是表示电极材料成膜步骤的纵剖视图。在图6中示出了形成透明导电膜或金属导电膜等的电极材料的膜的步骤。在电极材料成膜步骤中，首先，准备以缓冲层601、透明导电膜602、金属导电膜603的顺序形成了膜的基板101。基板101一般使用玻璃或者塑料。缓冲层601一般使用SiO2(二氧化硅)、TiO2(氧化钛)等。透明导电膜602一般使用ITO(铟-锡氧化物)、IZO(铟-锌氧化物)等。金属导电膜603一般使用Cr(铬)、Al(铝)、Ag(银)的金属或其合金等。这些缓冲层601、透明导电膜602、金属导电膜603采用溅射、蒸镀、旋涂、浸涂、涂布等方法来成膜。
作为最佳例，可以列举出基板101使用玻璃、透明导电膜602使用ITO、金属导电膜603使用Al的形成例。并且，缓冲层601的用途为：在基板101使用了具有碱性成分的玻璃时、玻璃中含有杂质元素(碱金属、Ca、Na等)的情况下、隔离该杂质元素的浸透。在基板101中没有碱性成分的情况下，也可以没有该缓冲层601。
图7-1是表示金属导电膜的构图步骤的俯视图。图7-2是表示金属导电膜的构图步骤的纵剖视图。在图7-2中示出了沿图7-1的B-B线切开、从侧方看到的状态。在电极材料成膜步骤中，在基板101上形成的缓冲层601、透明导电膜602、金属导电膜603之中、最上面的金属导电膜603上，通过光刻法对下部电极和上部电极的引出配线进行构图，形成引出配线图形的金属导电膜部分703。
在图7-1中示出了从上面看到的引出配线图形的金属导电膜部分703构图后的基板101的状态。如图7-1和图7-2所示，基板101的除去了最上面的金属导电膜603的部分处于露出透明导电膜602的状态。
图8-1是表示透明导电膜的构图步骤的俯视图。图8-2是表示透明导电膜的构图步骤的纵剖视图。在图8-2中示出了沿图8-1中的C-C线切开、从侧方看到的状态。在第三步骤中对在第二步骤中基板101上所露出的透明导电膜602实施构图。通过构图，在透明导电膜602的露出部分中，除了图8-1所示的网格部分801(下部电极形成部分)和引出配线图形的透明导电膜部分802(引出配线图形的金属导电膜部分703的透明导电膜602)以外，全部被除去。在图8-1和图8-2中示出了构图后的基板101的状态。
下部电极201由网格部分801形成，引出配线803由引出配线图形的金属导电膜部分703和引出配线图形的透明导电膜部分802形成。此时，也可以研磨网格部分801中的成为下部电极201的部分的表面，使下部电极201的表面平滑。而且，也可以使用低浓度的下部电极201的形成中使用的蚀刻剂(蚀刻液)对下部电极201的表面进行化学蚀刻，从而使下部电极201的表面平滑。
图9-1是表示绝缘膜形成步骤的俯视图。图9-2是表示绝缘膜形成步骤的纵剖视图。在图9-1中示出了基板101构图后的从上面看到的状态。在图9-2中示出了沿图9-1的D-D线切开、从侧方看到的状态。在绝缘膜形成步骤中，在下部电极201的线之间利用光刻法对感光性聚酰亚胺等的绝缘膜进行构图。通过该绝缘膜形成步骤，形成了针对各自发光元件102将电极对中的至少一个电极(在本实施方式中为下部电极201)和发光层(在本实施方式中包含在有机层204中)绝缘的绝缘膜。使用光刻法的构图为公知的技术，所以省略说明。
如图9-1和图9-2所示，在透明导电膜构图步骤中实施了构图的下部电极201之间形成了绝缘膜103。形成绝缘膜103之后，还可以形成用于对上部电极205进行构图的上部电极分隔壁901(上部电极隔板)。例如，也可以不使用上部电极分隔壁901，而在后述的通过蒸镀装置(参照图10)进行成膜时，使用成膜用掩模(参照图10)对上部电极205进行构图。形成了绝缘膜103之后，实施UV(紫外线)清洗步骤，以除去基板101的表面上的有机物、水分。上述的第一步骤～第四步骤是有机EL元件的制造工艺的前处理步骤。
接着，对通过绝缘膜形成步骤形成的绝缘膜103形成切槽104。此处，实现了切槽形成步骤。通过该切槽形成步骤，在基板101上的、在自发光元件102的排列面内位于最外侧的自发光元件102a的外侧，沿绝缘膜103的厚度方向形成分隔该绝缘膜103的切槽104。
在切槽形成步骤中，例如，也可以通过利用旋转切割机等刀具切割绝缘膜103来形成切槽104，也可以通过激光切割绝缘膜103来形成切槽104。在切槽形成步骤中，例如，在利用刀具形成切槽104的情况下，在形成沿基板101和密封部件206的相对方向将绝缘膜103完全分隔开的切槽104时，将绝缘膜切割至刀尖到达基板。
在切槽形成步骤中，例如，在利用刀具形成切槽的情况下、如图3所示的在形成沿基板101和密封部件206的相对方向将绝缘膜103分隔到中途的切槽301时，将绝缘膜103切割至刀尖就要到达基板之前。
在切槽形成步骤中，例如，如图4或图5所示的、在自发光元件102的排列面内沿朝向外侧的方向形成多个切槽(例如，第一切槽401和第二切槽402、或第一切槽501和第二切槽502)时，重复多次相同的操作。而且，在切槽形成步骤中，在形成沿基板和密封部件的相对方向的深度分别不同的多个切槽(例如，第一切槽401和第二切槽402、或者第一切槽501和第二切槽502)时，根据所形成的切槽形状，重复多次相同的操作。
并且，例如，也可以在使用光刻法进行绝缘膜103的构图时，通过调节对基板101上涂布的感光剂(光致抗蚀剂)进行曝光时使用的遮光部件(掩模)的图形，在形成绝缘膜103的同时形成切槽104。在该情况下，与绝缘膜形成步骤同时实现了切槽形成步骤。
利用图6～图9的过程结束前处理步骤后，使用图10中说明的蒸镀装置实施成膜步骤。图10是表示在成膜步骤中使用的蒸镀装置的图。蒸镀装置1000由连接有阀门1001的处理室(成膜室)1002构成。在处理室1002内设置有加热单元1003、磁铁单元1004、成膜用掩模1005、以及成膜监视器1006。将通过上述的第一步骤～第四步骤形成的基板101运送到蒸镀装置1000内，并安放在维持真空的处理室(成膜室)1002内的成膜用掩模1005的上部。
利用磁铁单元1004使基板101和成膜用掩模1005紧密贴合。成膜时的状态为，在加热单元1003上配置蒸镀源1007，在蒸镀源1007的上部设置由未图示的掩模框支撑的成膜用掩模1005。
然后，利用加热单元1003对蒸镀源1007进行加热，通过使成膜材料1008升华或蒸发而成为气态，并在基板101上蒸镀已成气态的成膜材料1008作为有机层204或上部电极205。在利用这样的蒸镀装置1000来形成有机层204或上部电极205的膜的成膜步骤中，只要是有机EL元件可以使用的有机材料或电极材料，可应用任意的材料。
如上所述，有机层204是以单一或复合的结构层叠空穴输送层、发光层、电子输送等而形成的。在有机层204成膜时所使用的有机材料以CuPc、NPB、Alq3为首，可应用的有很多。在呈现多种发光色的自发光面板中使用有机EL元件作为自发光元件102时，有机层204可以形成为使有机层204与各像素的颜色对应的多种图形。而且，在有机层204成膜时，也可以将空穴输送层或电子输送层等成膜为与发光色对应的膜厚。通过以上说明的前处理步骤和成膜步骤，在基板101上形成多个自发光元件102。
然后，将经过了采用图10所示的蒸镀装置1000的成膜步骤后的基板101，从真空气氛中运入实施了N2惰性气体气氛化的密封室(省略图示)。也可以在将基搬101运入密封室之前，进行发光检查，该发光检查用于检查所形成的自发光元件102是否具有所期望的发光亮度。
在利用图10所示的蒸镀装置1000的成膜步骤结束后，实施密封步骤(未图示)。与上述的自发光元件102的形成相独立地，作成通过喷砂处理而在表面设有凹部的密封部件206。在该密封部件206中，在凹部内设置了SrO、CaO、BaO等的干燥剂209。在将基板101运入密封室时，将该密封部件206也一起运入密封室内。此时，也可以使用通过保护片将粉末状的材料固定在密封部件206内的形状的干燥剂209，或加工成片状的干燥剂209，或通过在密封部件206内涂布形成液态的干燥材料之后使其固化来粘固的干燥剂209。
接着，在基板101上的与密封部件206的凸缘部相应的位置上涂布粘合剂207。作为粘合剂207，例如，可以使用紫外线固化型环氧树脂制的粘合剂。在涂布粘合剂207时，例如，也可以使用点胶机等来进行涂布。
通过粘合剂207将涂布了粘合剂207的基板101和密封部件206粘合起来。其后，从基板101侧向粘合剂207照射紫外线。这样，使粘合剂固化，并通过粘合剂207将基板101和密封部件206粘合起来。在本实施方式中，此处实现了密封步骤。通过该密封步骤，在与基板101之间形成将自发光元件102与大气隔离开的密封区域208。
在密封步骤中，通过粘合剂207在密封部件206和基板101之间不出现间隙的情况下将密封部件206粘合在基板101上。这样，通过使用粘合剂207将基板101和密封部件206粘合起来，可以完全地将密封区域208与大气隔离开。其结果是，能够获得上述那样的自发光面板100(有机EL面板)。在密封步骤中，除了本实施方式所说明的气密密封之外，还可以使用固态密封或膜密封等的密封方法来对密封区域208进行密封。
如上说明，根据本实施方式的自发光面板100，具有切槽104，该切槽104被设置于在自发光元件102的排列面内位于最外侧的自发光元件102a的外侧、并沿基板101和密封部件206的相对方向将绝缘膜103分隔开，所以即使在大气中含有的水分等的劣化因素传入粘合剂207中而进入到密封区域208内时，也可以通过切槽104来阻止该劣化因素传入绝缘膜103中。
并且，根据本实施方式的自发光面板100，将切槽104设置成沿基板101和密封部件206的相对方向将绝缘膜103完全分隔的形状，由此可以通过切槽104适当地阻挡劣化因素传入绝缘膜103中。
根据本实施方式的自发光面板100，将切槽104设置成沿基板101和密封部件206的相对方向将绝缘膜103分隔至中途的形状，由此可以使劣化因素传入绝缘膜103中的区域变窄、而不使绝缘膜103与基板101的粘合面积下降，从而通过切槽104阻止了劣化因素传入绝缘膜103中。
并且，在本实施方式中的自发光面板100中，在自发光元件102的排列面内沿朝向外侧的方向设置多个切槽104的情况下，可以通过多个切槽104，高效地阻止劣化因素传入绝缘膜103中。
此处，例如，如自发光面板400或500所示，在按照沿基板101和密封部件206的相对方向的深度分别不同的方式设置多个切槽(例如，第一切槽401和第二切槽402、或者第一切槽501和第二切槽502)的情况下，发挥各形状的切槽所具有的多种效果，可以更高效地阻止劣化因素传入绝缘膜103中。
并且，例如，在自发光元件102的排列面内距粘合区域105的距离最短的位置上所设置的自发光元件102a的外侧设置了切槽104的自发光面板的情况下，可以高效地防止最容易受到劣化因素的影响的自发光元件102的劣化。
此外，例如，在自发光元件102的排列面内位于最外侧的自发光元件102a之中、距粘合区域105的距离比预定距离短的位置上所设置的自发光元件102a的外侧设置了切槽104的自发光面板的情况下，可以高效地防止最容易受到劣化因素的影响的自发光元件102的劣化。
根据本实施方式的自发光面板100，通过利用有机EL元件来实现自发光元件102，可以防止容易受到大气中所含水分等的影响的、使用了有机EL元件的自发光面板100的性能下降。
并且，根据本实施方式的自发光面板100的制造方法，因为包括如下的切槽形成步骤：在通过绝缘膜形成步骤形成的绝缘膜103中、在自发光元件102的排列面内位于最外侧的自发光元件102a的外侧、形成沿绝缘膜103的厚度方向分隔该绝缘膜103的切槽104，所以可以与现有的自发光元件(参照图12)的制造方法相比不进行显著的步骤变化的情况下，形成具有上述切槽104的自发光面板100。
根据本实施方式的自发光面板的制造方法，无论是沿基板101和密封部件206的相对方向将绝缘膜103完全分隔开的切槽(例如，切槽104、第一切槽401、第二切槽502)，还是沿基板101和密封部件206的相对方向将绝缘膜103分隔到中途的切槽(例如，切槽301、第二切槽402、第一切槽501)，只要调节沿基板101和密封部件206的相对方向的切槽的深度即可，所以无需根据所形成的切槽的形状大幅度地变更切槽形成步骤的内容，即可形成具有上述切槽的自发光面板。
同样地，根据本实施方式的自发光面板的制造方法，在切槽形成步骤中，即使形成多个切槽(例如，第一切槽401和第二切槽402、或者第一切槽501和第二切槽502)的情况下，也无需根据所形成的切槽的数量大幅度地变更切槽形成步骤的内容，即可形成具有上述切槽的自发光面板。
鉴于上述方面，根据本实施方式的自发光面板的制造方法，在切槽形成步骤中，即使形成沿基板101和密封部件206的相对方向的深度分别不同的多个切槽(例如，第一切槽401和第二切槽402、或者第一切槽501和第二切槽502)的情况下，也无需根据所形成的切槽的形状或数量大幅度地变更切槽形成步骤的内容，即可形成具有上述切槽的自发光面板。
根据本实施方式的自发光面板的制造方法，在切槽形成步骤中，无论是在距基板101和密封部件206之间的粘合位置(即，粘合区域105)的距离最短的位置上所设置的自发光元件102a的外侧形成切槽104的情况，还是在距基板101和密封部件206之间的粘合位置(即，粘合区域105)的距离比预定距离短的位置上所设置的自发光元件102a的外侧形成切槽104的情况，均无需根据形成切槽的位置大幅度地变更切槽形成步骤的内容，就可以形成具有上述切槽的自发光面板。
图11—1是表示另一种实施方式中的自发光面板的纵剖视图。在图11—1中示出了有源驱动型自发光面板的一例。在本实施方式中，不限于无源驱动型自发光面板100(自发光面板300、自发光面板400、或自发光面板500)，也可以是有源驱动型自发光面板1100。
有源驱动型自发光面板1100具有TFT 1110，该TFT 1110由栅绝缘膜1101、栅极1102、漏极1103、源极1104、以及层间绝缘层1105形成。TFT 1110被设置于基板1120上。漏极1103和下部电极1130通过接触孔1140电连接。在下部电极1130上依次层叠了有机层1150、上部电极1160，设置有自发光元件(有机EL元件)1170。
可在基板1120上形成一个或多个有机EL元件1170。在自发光面板1100中，通过绝缘膜1180形成有自发光元件1170的各像素(发光)区域。如上所述，在位于自发光元件(有机EL元件)1170a的外侧的绝缘膜1180上形成有切槽1190，该自发光元件(有机EL元件)1170a在自发光元件1170的排列面内位于最外侧。
(自发光面板的制造方法2)
下面，对使用了本实施方式中的自发光面板1100的制造方法2的有源驱动型的自发光面板1100的制造工艺的一例进行说明。自发光面板1100的制造工艺由前处理步骤、成膜步骤、使用密封部件206的密封步骤构成。自发光面板的制造方法2中的成膜步骤和密封步骤与上述自发光面板的制造方法1相同，所以此处仅对前处理步骤进行说明。自发光面板1100的制造工艺中的前处理步骤包括TFT形成步骤、下部电极形成步骤以及绝缘膜形成步骤。
图11—2是表示TFT形成步骤的纵剖视图。在TFT形成步骤中，首先，通过激光退火在基板1120上形成p—Si膜。利用紫外光的准分子激光对成膜后的p—Si膜进行构图，之后，利用CVD法设置氮化硅等，从而形成栅绝缘膜1101。
然后，通过蚀刻对多晶硅-金属硅化物(polycide)结构的材料膜进行构图，该多晶硅-金属硅化物结构是由通过CVD法成膜的多晶硅膜和通过溅射法或CVD法成膜的金属硅化物膜层叠而成的。在进行蚀刻时，以通过光刻法形成的抗蚀图形作为掩模。这样，形成栅极1102。
形成栅极1102之后，通过离子掺杂法向栅极1102注入杂质。这样，形成了漏极1103、源极1104。
图11—3是表示下部电极形成步骤的纵剖视图。在下部电极形成步骤中，在覆盖栅极1102、漏极1103、源极1104的状态下，在基板1120的上方形成层间绝缘层1105。对于层间绝缘层1105使用例如氧化硅等的氧化硅类材料。
之后，对源极1104和数据线1106之间的接触孔1107以及漏极1103和下部电极1130之间的接触孔1140进行曝光、显影来形成。如上所述，形成了接触孔1107、1140之后，通过溅射等，由A1等形成数据线1106的图形，由ITO等形成下部电极1130的图形。
图11—4是表示绝缘膜形成步骤的纵剖视图。在绝缘膜形成步骤中，利用旋涂法将聚酰亚胺等成膜，从而在下部电极1130上形成绝缘膜。之后，利用光刻法等，进行构图，以使有机EL元件1170形成部分开口。此时，利用光刻法在与位于最外侧的有机EL元件1170a(参照图11—1)接触的绝缘膜1180的外侧形成切槽1190。
如上述说明，根据本实施方式的自发光面板1100的制造方法，在绝缘膜形成步骤的形成绝缘膜1180时，可以在形成绝缘膜1180(构图)的同时形成切槽1190。这样，即使是具有切槽1190的自发光面板1100，也可以在不增加步骤数的情况下进行制造。
另外，根据本实施方式的自发光面板1100的制造方法，在发挥上述各种自发光面板100、300、400、500的各种效果的同时，可以实现形成切槽1190时的步骤的简化。
Claims (18)
1.一种自发光面板，将在基板上形成的、在电极对之间至少夹有发光层的自发光元件作为一个像素，具有一个或多个该自发光元件，其特征在于，具有：
基板，其设有自发光元件；
绝缘膜，其设置在所述基板上，针对每个所述自发光元件将所述电极对中的至少一个电极与所述发光层绝缘；
密封部件，其与所述基板相对配置，用于在与该基板之间形成将所述自发光元件与大气隔离开的密封区域；以及
切槽，其被设置于在所述自发光元件的排列面内位于最外侧的自发光元件的外侧，沿所述基板和所述密封部件的相对方向形成于所述绝缘膜上。
2.根据权利要求1所述的自发光面板，其特征在于，所述切槽被设置成沿所述基板和所述密封部件的相对方向完全分隔所述绝缘膜。
3.根据权利要求1所述的自发光面板，其特征在于，所述切槽被设置成沿所述基板和所述密封部件的相对方向将所述绝缘膜部分地分隔开。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的自发光面板，其特征在于，
在所述自发光元件的排列面内、沿朝向外侧的方向设置有多个所述切槽。
5.根据权利要求4所述的自发光面板，其特征在于，
所述切槽沿所述基板和所述密封部件的相对方向的深度各不相同。
6.根据权利要求1所述的自发光面板，其特征在于，
所述切槽被设置于在所述自发光元件的排列面内、距所述基板和所述密封部件之间的粘合位置的距离最短的位置上所设置的所述自发光元件的外侧。
7.根据权利要求1所述的自发光面板，其特征在于，
所述切槽被设置于在距所述基板和所述密封部件之间的粘合位置的距离比容易受到劣化因素所致的影响的距离短的位置上所设置的所述自发光元件的外侧。
8.根据权利要求1所述的自发光面板，其特征在于，
在所述自发光元件的排列面内位于最外侧的自发光元件是监视用的自发光元件。
9.根据权利要求1所述的自发光面板，其特征在于，
所述自发光元件是有机EL元件。
10.一种自发光面板的制造方法，制造将在电极对之间至少夹有发光层的自发光元件作为一个像素、具有一个或多个该自发光元件的自发光面板，其特征在于，包括：
自发光元件形成步骤，在基板上形成自发光元件；
绝缘膜形成步骤，在所述自发光元件形成步骤时形成绝缘膜，该绝缘膜针对每个所述自发光元件将所述电极对中的至少一个电极与所述发光层绝缘；
切槽形成步骤，在通过所述绝缘膜形成步骤形成的绝缘膜之中、在所述自发光元件的排列面内位于最外侧的自发光元件的外侧，形成沿所述绝缘膜的厚度方向分隔该绝缘膜的切槽；以及
密封区域形成步骤，与所述基板相对地配置密封部件，该密封部件用于在与所述基板之间形成将所述自发光元件与大气隔离开的密封区域。
11.根据权利要求10所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，
所述切槽形成步骤形成沿所述基板和所述密封部件的相对方向完全分隔所述绝缘膜的切槽。
12.根据权利要求10所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，
所述切槽形成步骤形成沿所述基板和所述密封部件的相对方向将所述绝缘膜部分地分隔开的切槽。
13.根据权利要求10～12中的任意一项所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，
所述切槽形成步骤在所述自发光元件的排列面内、沿朝向外侧的方向形成多个切槽。
14.根据权利要求13所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，
所述切槽形成步骤形成沿所述基板和所述密封部件的相对方向的深度分别不同的多个切槽。
15.根据权利要求10所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，
所述切槽形成步骤在距所述基板和所述密封部件之间的粘合位置的距离最短的位置上所设置的所述自发光元件的外侧形成切槽。
16.根据权利要求10所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，
所述切槽形成步骤在距所述基板和所述密封部件之间的粘合位置的距离比容易受到劣化因素所致的影响的距离短的位置上所设置的所述自发光元件的外侧形成切槽。
17.根据权利要求10所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，
在所述自发光元件的排列面内位于最外侧的自发光元件是监视用的自发光元件。
18.根据权利要求10所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，
所述自发光元件是有机EL元件。
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