JPH11204267A

JPH11204267A - エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11204267A
Application number: JP10006180A
Authority: JP
Inventors: Shinji Yamana; 真司山名
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1998-01-14
Filing date: 1998-01-14
Publication date: 1999-07-30
Also published as: US6249084B1

Abstract

(57)【要約】【課題】微細化及び大面積化を容易に図ることがで
き、素子にダメージを与えることがなく、信頼性を向上
できるエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルを
提供する。【解決手段】ガラス基板１上に下部電極となるＩＴＯ
ストライプパターン２を形成し、その上に、ＩＴＯスト
ライプパターン２と直交するようにストライプ状の絶縁
膜５を形成する。絶縁膜５の表面中央には溝５ａが形成
され、この溝５ａによって、上部電極６ｂ−１を分断す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機材料のエレク
トロルミネッセンス現象を応用した発光素子を基板上に
マトリクス状に配列したエレクトロルミネッセンスディ
スプレイパネル及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種のエレクトロルミネッセンスディ
スプレイパネルの一従来例として、下部電極となるＩＴ
Ｏ透明電極がパターンニングされたガラス基板上に、エ
レクトロルミネッセンスを得るための有機材料と、電流
を注入するための金属電極（上部電極）とを真空蒸着の
手法で順次積層した構造のものが知られている。

【０００３】ここで、金属電極のパターニングは、所望
のパターンが開口されたメタルマスクを通して基板上に
金属材料を蒸着することにより行われる。

【０００４】このようにして、それぞれパターンニング
されたＩＴＯ電極と金属電極とで挟まれた有機材料の部
分が発光可能となる。そして、ＩＴＯ電極と金属電極と
をストライプパターンとし、お互いが直交（交差）する
ように構成すれば、ドットマトリクス表示が可能なエレ
クトロルミネッセンスディスプレイパネルとなる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
に、メタルマスクを用いて金属電極をパターニングする
場合は、以下に示す問題がある。

【０００６】即ち、画像表示のためのストライプパター
ンのように、開口部が大きくマスク部が小さいメタルマ
スクにあっては、メタルマスクの機械的強度が劣るた
め、メタルマスクに撓みが生じ、これに起因して、メタ
ルマスクと基板表面との間に部分的な隙間が発生する。

【０００７】ここで、メタルマスクと基板表面との間に
隙間が発生すると、この隙間に蒸着物が回り込み、金属
電極のパターン切れ不良等を引き起こすという問題があ
る。この問題は、大面積に微細なパターンニングを行う
場合は、特に深刻な問題となる。

【０００８】この問題を解消する方法として、金属電極
を形成した後に、フォトリソグラフィの手法で金属電極
をパターンニングする方法が考えられる。

【０００９】しかしながら、この方法では、レジスト中
の溶剤、現像液及びエッチング液、或いは、ドライエッ
チング時のプラズマ等が有機材料にダメージを与えるこ
とによって、発光素子（発光部）の素子特性が劣化する
という新たな問題がある。

【００１０】本発明は、このような現状に鑑みてなされ
たものであり、メタルマスクを用いることなく、上部電
極をパターニングできる結果、従来困難であった微細化
及び大面積化を容易に図ることができるエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法を提供
することを目的とする。

【００１１】また、本発明の他の目的は、素子形成後に
フォトリソグラフィ等の手法を用いることなく上部電極
をパターニングできる結果、素子にダメージを与えるこ
とがなく、信頼性を向上できるエレクトロルミネッセン
スディスプレイパネル及びその製造方法を提供すること
にある。

【００１２】また、本発明の他の目的は、絶縁膜の構造
が簡単であり、絶縁膜の生産性を向上できる結果、コス
ドダウンが可能になるエレクトロルミネッセンスディス
プレイパネル及びその製造方法を提供することにある。

【００１３】また、本発明の他の目的は、膜厚の均質性
を向上でき、輝度むらを低減できる結果、表示品位を向
上できるエレクトロルミネッセンスディスプレイパネル
及びその製造方法を提供することにある。

【００１４】また、本発明の他の目的は、素子の耐久性
を向上できる結果、この点においても、信頼性を向上で
きるエレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及び
その製造方法を提供することにある。

【００１５】また、本発明の他の目的は、特別なプロセ
スを必要とすることなく作製できる結果、この点におい
ても、コストダウンが可能になるエレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル及びその製造方法を提供するこ
とにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明のエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルは、導電膜からなり、基
板上の第１の方向に複数形成されたストライプ状の下部
電極と、該下部電極上において、該下部電極と交差する
第２の方向に複数形成されたストライプ状の絶縁膜であ
って、該第２の方向に伸長する溝を有する絶縁膜と、エ
レクトロルミネッセンスを可能とする有機膜であって、
隣接する該絶縁膜間の該下部電極上、該絶縁膜上及び該
絶縁膜の該溝内の該下部電極上に形成された有機膜と、
導電膜からなり、該有機膜上に形成された上部電極とを
備えており、そのことにより上記目的が達成される。

【００１７】好ましくは、前記溝が前記第２の方向に沿
って複数形成されている構成とする。

【００１８】また、好ましくは、前記絶縁膜を耐水性材
料で構成する。

【００１９】また、好ましくは、前記絶縁膜を吸湿性材
料で構成する。

【００２０】また、好ましくは、前記絶縁膜の伸長方向
の終端に前記上部電極が形成されていない構成とする。

【００２１】また、本発明のエレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルは、導電膜からなり、基板上の第１
の方向に複数形成されたストライプ状の下部電極と、該
下部電極上において、該下部電極と交差する第２の方向
に複数形成されたストライプ状の絶縁膜であって、側面
に、上下方向中間部が上部及び下部よりも窪んだ形状の
凹溝が上下方向に１又は複数形成されている絶縁膜と、
エレクトロルミネッセンスを可能とする有機膜であっ
て、少なくとも隣接する該絶縁膜間の該下部電極上及び
該絶縁膜上の２箇所に形成され、該２箇所に形成された
膜部分が該凹溝によって分離されている有機膜と、導電
膜からなり、該有機膜上に形成された上部電極とを備え
ており、そのことにより上記目的が達成される。

【００２２】好ましくは、前記絶縁膜は、底部に向かっ
て末広がりな断面形状であるとともに、最下部に凸部が
形成されている構成とする。

【００２３】また、好ましくは、前記絶縁膜をエッチン
グ速度の異なる絶縁膜を交互に積層して構成する。

【００２４】また、好ましくは、前記積層構造の絶縁膜
の一方を耐水性材料で構成し、他方を吸湿性材料で構成
する。

【００２５】また、好ましくは、前記ストライプ状の絶
縁膜の各々の表面に、少なくとも１本以上の溝が該絶縁
膜の伸長方向に形成されている構成とする。

【００２６】また、好ましくは、前記絶縁膜の伸長方向
の終端に前記上部電極が形成されていない構成とする。

【００２７】また、本発明のエレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルの製造方法は、請求項１〜請求項５
のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンスディスプ
レイパネルの製造方法であって、前記基板上に、前記下
部電極及び前記絶縁膜を順次形成した後に行われる少な
くとも前記上部電極の形成工程を、基板面に垂直な鉛直
軸から所定角度傾いた斜め方向から導電材料を供給して
行うようにしており、そのことにより上記目的が達成さ
れる。

【００２８】また、本発明のエレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルの製造方法は、請求項１〜請求項５
のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンスディスプ
レイパネルの製造方法であって、前記ストライプ状の絶
縁膜の各々の表面に形成される前記溝を、該絶縁膜の表
面に溝加工を施すか、或いは、一対の絶縁膜を近接させ
て配置することにより形成しており、そのことにより上
記目的が達成される。

【００２９】また、本発明のエレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルの製造方法は、請求項６〜請求項１
１のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンスディス
プレイパネルの製造方法方法であって、前記絶縁膜をエ
ッチングすることにより該絶縁膜の側面に前記凹溝を形
成する工程を包含しており、そのことにより上記目的が
達成される。

【００３０】好ましくは、少なくとも前記上部電極の形
成工程を、前記基板の基板面に略垂直な方向から導電材
料を供給して行う。

【００３１】また、本発明のエレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルの製造方法は、請求項１〜請求項１
１のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンスディス
プレイパネルの製造方法であって、前記絶縁膜の形成工
程を、該絶縁膜の蒸着する前に形成されたレジストをリ
フトオフすることにより形成するようにしており、その
ことにより上記目的が達成される。

【００３２】以下に、本発明の作用について説明する。

【００３３】上記構造のエレクトロルミネッセンスディ
スプレイパネルは、絶縁膜の表面に形成される溝の伸長
方向に垂直な面内で、上部電極を形成する導電材料を基
板に対し常に斜め方向から蒸着法によって堆積させるこ
とによって作製でき、蒸着時において、導電材料が蒸気
となって基板に直進し、一方の溝の側面が陰になり、そ
の溝の側面及び溝の底面に導電材料が達しない部分が形
成される。また、同様に、一方の絶縁膜の側面（エッ
ジ）部分と、この側面近傍の底面に導電材料が達しない
部分が形成される。

【００３４】例えば、溝の断面がコの宇型で深さがＤ、
そして斜めの角度がθのとき、理想状態では溝の側面
と、溝の底面のうち溝の側面からｄｓｉｎθだけ離れた
部分とに導電材料が達しない。

【００３５】このようにして、上部電極は溝の中と絶縁
膜の両側とでそれぞれ分断され、電気的に絶縁される。
従って、溝の両側で上部電極は絶縁性を有し、独立した
電極となり得る。

【００３６】これは、メタルマスクやフォトリソグラフ
ィの手法によらずに、上部電極をパターニングできるこ
とを意味する。

【００３７】よって、本発明によれば、メタルマスクを
用いることによる上記問題点を解消できる。

【００３８】また、下部電極、絶縁膜及びその溝は有機
膜を形成する前に形成できるので、素子になんらダメー
ジを与えることなく、フォトリソグラフィの手法でパタ
ーニングすることができる。このため、微細化或いは細
線化をフォトリソグラフィ技術の限界まで追求すること
ができる。

【００３９】更に、下部電極と絶縁膜がそれぞれ互いに
交差するストライプパターンであり、且つ絶縁膜の各々
の表面に溝が絶縁膜の伸長方向に沿って形成されている
ため、上記の理由により、溝の両側で上部電極はそれぞ
れ独立している。このため、下部電極と上部電極のそれ
ぞれ交差するストライプパターンによるマトリクス駆動
が可能となる。

【００４０】例えば、下部電極が幅Ｈ、ピッチＰのスト
ライプ、そしてそのストライプに直交するように絶縁膜
が幅（Ｐ−Ｈ）、ピッチＰのストライプを形成した上に
有機膜及び上部電極を形成すると、一辺の長さがＨの正
方形の発光面がピッチＰでマトリクス状に配列したマト
リクス表示が可能となる。

【００４１】ここで、導電材料を堆積するとき、導電材
料の蒸気の拡散により、本来溝や絶縁膜の側面によって
陰になっている部分にも到達することがあるが、この拡
散を見越し、絶縁膜の厚みを厚くし、かつより斜めから
導電材料を堆積させることでこの問題は解決される。

【００４２】また、絶縁膜の表面に、その伸長方向に沿
った複数の溝を有する構成によれば、溝１本につき分断
される箇所が１つ増すので、上部電極が分断される箇所
が増し、上部電極が分断される確率が高まるので、信頼
性を向上できる。

【００４３】また、これらの溝は、それぞれが平行で互
いに交わることのない溝であれば好ましいものになる。
なぜならば、溝が互いに交わるように形成されている
と、交差する部分では分断される場所が一箇所になるの
に対し、相交わらない２本の溝の場合は、分断される場
所が２箇所になり、効率が良いからである。

【００４４】また、下部電極、電極分離のための絶縁
膜、有機膜、そして上部電極の順に堆積すると、素子の
表面は絶縁膜と上部電極と下部電極が露出した状態とな
る。ここで、有機膜への水や酸素の侵入ルートは主に各
層の界面、即ち、上部電極及び絶縁膜となる。そのう
ち、上部電極は一般的に水や酸素を遮断するので、残り
は絶縁膜と各層の界面となる。

【００４５】そこで、絶縁膜を耐水性材料で構成する場
合は、絶縁膜から有機膜への水の侵入を防ぐことができ
るので、耐久性を向上できる。

【００４６】また、絶縁膜を吸湿性材料で構成する場合
は、絶縁膜との界面からの水の侵入に対し、水を捕獲す
ることができるので、耐久性を向上できる。更には、上
部電極の形成後に耐水性材料を堆積させると、絶縁膜や
上部電極からの水の侵入を防ぐことができるので、耐久
性をより一層向上できる。

【００４７】また、上部電極を分断するための溝或いは
絶縁膜の終端のどちらか一方でも越えた部分に上部電極
が形成されると、その超えた部分で導通し、上部電極を
絶縁膜の両側で独立させることができなくなる。従っ
て、上部電極が絶縁膜の終端を覆わないように形成する
構成によれば、上部電極の分断を確実に図ることができ
る。

【００４８】また、絶縁膜の側面に上記形状の凹溝を形
成する構成によれば、基板の垂直方向からみて側面の凸
部分によって凹溝部分が陰になるので、この溝部分に、
上部電極の導電材料の蒸気が到達しない。また、側面の
伸長方向に垂直な面内において、ある角度をもって基板
を斜めから見ても、一方の側面においては、その凸部分
の裏側には導電材料の蒸気は到達しない。また、他方の
側面には凸の部分にも蒸気が到達しない部分ができる。

【００４９】従って、絶縁膜の側面に上記形状の溝を形
成する構成によれば、導電材料の堆積方向にかかわら
ず、容易に絶縁膜の両側で上部電極を分断することがで
きる。

【００５０】絶縁膜の形成後、有機膜と上部電極を形成
してエレクトロルミネッセンスを得るが、上述の作用に
よって、有機膜及び上部電極ともに分断される。このと
き、分断された端部付近で上部電極が有機膜以外の部分
に堆積する可能性があり、例えば、それが下部電極であ
ると、上下の電極間で短絡し、有機膜に必要な電界を発
生することができなくなるという問題がある。

【００５１】ここで、本発明では、上部電極が有機膜以
外のところに堆積しても、下部電極と接触しないよう
に、絶縁膜をその断面形状が底部に向かって末広がり状
になるように形成し、しかも、最下部の層を凸部とする
構成をとっているので、有機膜及び電極が分断されるこ
とによってできる蒸着膜の端部が、最下層の凸部に位置
するようになる。これにより、上部電極が有機膜以外の
所に堆積しても、最下部の凸部によってガードされるた
め、下部電極との接触を防ぐことができる。

【００５２】ここで、絶縁膜をエッチング速度の異なる
絶縁性材料を交互に積層することによって形成し、フォ
トリソグラフィの手法で絶縁膜のパターニングを行う
と、エッチング速度の遅い材料の層に比べ、速い材料の
層はより早くエッチングされるため、エッチング速度の
遅い材料の層は凹、また速い材料の層は凸形状となるた
め、結果的に絶縁膜の側面に凹溝を形成することができ
る。

【００５３】また等方的にエッチングが行われると、底
部に向かって末広がりな絶縁膜を形成することができ
る。

【００５４】また、エッチング速度が異なる絶縁性材料
をそれぞれ耐水性材料と吸湿性材料とで構成すると、下
部電極、有機膜及び上部電極のそれぞれの膜の界面から
の水分の浸入に対し、耐水性材料がそれを阻止し、ま
た、浸入する水分や素子内部や膜の界面に内在する水分
等を吸湿性材料が取り込むような働きをする。このた
め、エレクトロルミネッセンスの特性劣化要因となる水
の影響が少なくなるので、素子の信頼性が向上する。

【００５５】更には、下部電極と絶縁膜がそれぞれ互い
に交差するストライプパターンであり、絶縁膜の各々の
側面に溝が形成されている構成によれば、上記の作用か
ら側面の両側で上部電極はそれぞれ独立するから、結局
下部電極と上部電極のそれぞれ交差するストライプパタ
ーンによるマトリクス駆動が可能となる。

【００５６】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
に基づき具体的に説明する。

【００５７】（実施形態１）図１〜図３は本発明エレク
トロルミネッセンスディスプレイパネルの実施形態１を
示す。このエレクトロルミネッセンスディスプレイパネ
ルは、図１（ｅ）及びその部分拡大図に示すように、ガ
ラス基板１上に下部電極となるＩＴＯストライプパター
ン２が形成され、その上に絶縁膜ストライプパターン５
が形成されている。絶縁膜ストライプパターン５のスト
ライプ方向は、ＩＴＯストライプパターン２と直交して
いる。絶縁膜ストライプパターン５のストライプ状の各
絶縁膜５には、溝底がＩＴＯストライプパターン２上に
達する溝５ａが形成されている。

【００５８】加えて、隣接するストライプ状の絶縁膜
５，５間に位置するＩＴＯストライプパターン２上に
は、上下２層の有機膜６ａ−１、６ａ−２が形成され、
上層の有機膜６ａ−２上に上部電極６ｂ−１が形成され
ている。

【００５９】この上下２層の有機膜６ａ−１、６ａ−２
及び上部電極６ｂ−１は、同図（ｅ）の部分拡大図に示
すように、絶縁膜５上及び上記溝５ａの一部にも形成さ
れている。

【００６０】上記構造のエレクトロルミネッセンスディ
スプレイパネルは、図１（ａ）〜（ｅ）に示すプロセス
を経て作製される。以下にこのエレクトロルミネッセン
スディスプレイパネルの詳細をその製造プロセスと共に
説明する。

【００６１】まず、同図（ａ）に示すように、５０×５
０ｍｍ角のＩＴＯ付きガラス基板１（松浪ガラス社の製
品）に周知のフォトリソグラフィ手法によって、線幅３
００μｍ、ピッチ３３０μｍのＩＴＯストライプパター
ン２を形成する。なお、ストライプ数は６４本とした。

【００６２】次に、このガラス基板１をスピンナー（Ｍ
ＩＫＡＳＡ社の商品名１Ｈ−ＤＺ）にセットし、同図
（ｂ）に示すように、絶縁膜となる絶縁性の感光性レジ
スト３を塗布する。このとき、感光性レジスト３の膜厚
が約２μｍとなるように塗布材料の粘度及びスピンナー
の回転数を調節した。なお、絶縁材料として感光性ポリ
イミドを用いることも可能である。

【００６３】次に、メタルマスク４を用いて、同図
（ｃ）に示す露光、現像、べーク処理を経て、ＩＴＯス
トライプパターン２とストライプ方向が直交する絶縁膜
５のストライプパターン５を形成する（同図（ｄ）参
照）。

【００６４】ここで、絶縁膜５のストライプパターン
は、幅３０μｍ、その中央部に幅５μｍの溝５ａを有す
るピッチ３３０μｍのストライプとなるように露光、現
像を行った。また、ストライプ数は６５本とした。

【００６５】なお、図２は、図１（ｄ）の斜視図に相当
するものであり、上部電極６（なお、以下では、必要に
応じて上部電極６ｂ−１単体を上部電極６と総称する）
の分離を行うための絶縁膜５は、下部電極２であるＩＴ
Ｏ膜が形成されている部分とそうでない部分との高さの
違い（ＩＴＯ膜厚は約２００ｎｍ）によって段差が生じ
ているが、上部電極６の分離に特に支障はない。

【００６６】次に、ＩＴＯ２と絶縁膜５とがパターニン
グされたガラス基板１を抵抗加熱真空蒸着装置（ＵＬＶ
ＡＣ社の商品名ＥＸ−４００）の基板ホルダーにセット
し、昇華材料用Ｍｏボート（日本バックスメタル社の製
品）に有機材料を、また、Ｍｏ平ボート（日本バックス
メタル社の製品）に電極材料をセットし、真空引きを行
った。

【００６７】ここで、有機膜をホール輸送層と発光層と
の２層構造とするために、有機材料として、ホール輸送
材料のＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’
−ｈｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−１，
１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ）
と発光材料のＡｌｑ₃（Ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙ
ｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）との２種の有
機材料をセットした。また、電極材料にはＡｌＬｉ合金
を用いた。

【００６８】そして、抵抗加熱真空蒸着装置の真空度が
１０^-6Ｔｏｒｒ台に到達すると、まず、有機材料のホー
ル輸送材料であるＴＰＤを加熱し、蒸着レート０．１〜
０．２ｎｍ／ｓｅｃにて膜厚５０ｍｍ蒸着した。続い
て、有機材料の発光材料であるＡｌｑ₃を加熱し、蒸着
レート０．１〜０．２ｎｍ／ｓｅｃにて膜厚５０ｍｍ蒸
着した。なお、ＴＰＤ及びＡｌｑ₃の膜厚及び蒸着レー
トは、水晶発振式膜厚計（ＵＬＶＡＣ社の商品名ＣＲＴ
Ｍ−５０００）にてモニターしている。

【００６９】次に、上部電極６となるＡｌＬｉ合金を加
熱し、蒸着レート１ｎｍ／ｓｅｃにて蒸着し、膜厚１５
０ｎｍとした。このとき、絶縁膜５の溝５ａの伸長方向
に垂直な面内において、約２０度以上の角度θをもって
ガラス基板１を蒸着源である抵抗加熱真空蒸着装置に対
して傾けてセットした。

【００７０】この結果、ガラス基板１を基準にすると、
同図（ｅ）に示すように、その表面に垂直な鉛直軸から
約２０度以上の角度θだけ傾いた方向から有機材料及び
上部電極材料の蒸気７が到達することになる。なお、蒸
着源からガラス基板１までの距離は約２００ｍｍに設定
している。

【００７１】この蒸着工程により、同図（ｅ）の部分拡
大図に示すように、蒸着物は絶縁膜５の上部とその側面
の片側に付着する。なお、この部分拡大図では、有機膜
６ａとＡｌＬｉ膜６ｂとが堆積する様子を示している。
また、有機膜６ａはＴＰＤ膜６ａ−１とＡｌｑ₃膜６ａ
−２との２層構造になっている。

【００７２】ここで、上記の蒸着工程は、図３（ｃ）に
示すように、上部電極６となるＡｌＬｉの蒸着の範囲が
絶縁膜５の溝５ａの終端（伸長方向の終端）に及ばない
ように、ガラス基板１に不図示のメタルマスクを付けて
蒸着を行っている。また、図３（ａ）に示すように、絶
縁膜５によって分離された個々の上部電極６の取り出し
を、ガラス基板１上に予め形成した電極２’によって行
っている。

【００７３】この電極２’は、ＩＴＯのような透明電極
でもよいし、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の金属電極でも
よいし、更には合金や化合物からなる電極を用いること
も可能である。但し、ＩＴＯで形成すると、下部電極２
の作製プロセスと共通して行えるので、生産性の向上を
図る上で好ましいものになる。

【００７４】上記の工程を経て形成された上部電極６
は、絶縁膜５及びその溝５ａによって、絶縁膜５の片側
の側面部分と、溝５ａの側面の部分とで分断され、６５
本の絶縁膜５で挟まれた幅３００μｍの６４本の独立し
た電極となる。

【００７５】以上のプロセスによって作製された本実施
形態１のエレクトロルミネッセンスディスプレイパネル
において、基板／ＩＴＯ／ＴＰＤ／Ａｌｑ₃／ＡｌＬｉ
が積層された部分では、ＩＴＯ、つまり下部電極２を正
に、上部電極６であるＡｌＬｉを負にして電圧を印加す
ると、電圧１０Ｖで輝度５００ｃｄ／ｍ²の緑色発光が
得られることを確認できた。

【００７６】また、その他の部分では、基板／ＴＰＤ／
Ａｌｑ₃／ＡｌＬｉ、基板／ＩＴＯ／絶縁膜／ＴＰＤ／
Ａｌｑ₃／ＡｌＬｉ或いは基板／絶縁膜／ＴＰＤ／Ａｌ
ｑ₃／ＡｌＬｉの積層構造であり、下部電極２及び上部
電極６の一方の電極が無いか、又は絶縁膜５に阻まれる
等して、発光しない領域になっている。

【００７７】更に、絶縁膜５の溝５ａの部分では、Ａｌ
Ｌｉが到達した部分に基板／ＩＴＯ／ＴＰＤ／Ａｌｑ₃
／ＡｌＬｉからなる発光可能な積層構造が存在するが、
溝５ａ又絶縁膜５でＡｌＬｉの上部電極６が分断され、
相互に孤立しているので、この部分に電圧を印加しなけ
れば発光しない。

【００７８】このようにして、３００μｍ幅のＩＴＯ
と、３００μｍ幅のＡｌＬｉとが交差する、つまりスト
ライプ状の下部電極２と上部電極６とが交差する３００
×３００μｍ角の発光領域を最小単位とするピッチ３３
０μｍの６４×６４ドットのドットマトリクス表示が可
能なエレクトロルミネッセンスパネルを作製することが
できた。

【００７９】そして、下部電極２のＩＴＯをデータライ
ン、上部電極６のＡｌＬｉ電極をスキャンラインとし、
周知のダイナミック駆動方式によりフレーム周波数１５
０Ｈｚで動作させて、６４×６４ドットのキャラクター
表示を得た。

【００８０】なお、基板の斜め方向から上部電極材料を
供給する手法を採用するエレクトロルミネッセンスディ
スプレイパネルの製造方法として、特開平５−２５８８
５９号公報に記載されたものがあるが、この方法によっ
て作製されるエレクトロルミネッセンスディスプレイパ
ネルの絶縁膜は上記の溝５ａを有しておらず、本実施形
態１のエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルと
は全く異なるものである。

【００８１】（実施形態２）次に、本発明エレクトロル
ミネッセンスディスプレイパネルの実施形態２について
説明する。本実施形態２のエレクトロルミネッセンスデ
ィスプレイパネルは、実施形態１のエレクトロルミネッ
センスディスプレイパネルと同様の構造であるが、以下
に示すようにその製造プロセスが異なっている。なお、
以下の説明では、実施形態１と対応する部分には同一の
符号を用いて説明する。

【００８２】まず、上記の図１（ａ）〜（ｃ）に示す工
程を経て、ガラス基板１上に、線幅３００μｍ、ピッチ
３３０μｍのＩＴＯストライプパターン２を形成する。

【００８３】次に、ガラス基板１を実施形態１同様のス
ピンナーにセットし、ガラス基板１上にレジストを塗布
する。このとき、レジストの膜厚は１μｍ以下になるよ
うに塗布材料の粘度とスピンコーターの回転数を調節し
た。

【００８４】続いて、露光、現像工程を行い、ＩＴＯス
トライプパターン２と交差するように、レジストのスト
ライプパターンを形成する。なお、レジストのパターン
化においては、幅３００μｍ、ピッチ３３０μｍで、線
間中央部に幅５μｍのストライプ状のレジストが残るよ
うに露光を行った。

【００８５】ここで、ストライプ状のレジストは、後の
プロセスでリフトオフしやすいように密着性を弱めるた
め、ベーク処理を行っていない。

【００８６】次に、絶縁膜を形成するために、レジスト
を塗布したガラス基板１を実施形態１同様の抵抗加熱真
空蒸着装置の基板ホルダーにセットし、同様のＭｏ平ボ
ートにポリビニルアルコール（以下ではＰＶＡと称す
る）をチャージした状態で真空引きを行う。

【００８７】そして、抵抗加熱真空蒸着装置の真空度が
１０^-6Ｔｏｒｒ台に到達すると、ＰＶＡを加熱し、蒸着
レート１〜２ｎｍ／ｓｅｃにて膜厚１〜２μｍ蒸着し
た。次に、抵抗加熱真空蒸着装置からガラス基板１を取
り出し、アセトンに浸して、３０分間超音波洗浄を行っ
た。

【００８８】超音波洗浄後のガラス基板１は、ＰＶＡを
蒸着する前に形成されたレジストの部分でリフトオフさ
れ、これにより、幅３０μｍ、その中央部に幅５μｍの
溝５ａを有するピッチ３３０μｍの絶縁膜５となるＰＶ
Ａパターンが形成される。

【００８９】以下、図１（ｅ）同様の蒸着工程を行っ
て、有機膜及び上部電極６を形成し、上記同様の構造の
エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルを作製し
た。

【００９０】なお、本実施形態２では、絶縁膜５の材料
として、ＰＶＡを用いたが、他の高分子材料であるポリ
イミド、ナイロン、ポリ尿素等を蒸着又は塗布によって
形成しても同様の効果を得ることができる。

【００９１】更には、無機材料であるＳｉＯ₂，Ｓｉ
Ｎ，ＡｌＮ_x等を真空蒸着又はスパッタリング法によっ
て形成しても同様の効果を得ることができる。

【００９２】また、本実施形態２では、リフトオフを行
う溶剤としてアセトンを用いているが、他に酢酸メチル
やメチルエチルケトン等を用いて超音波洗浄を行うこと
も可能である。

【００９３】（実施形態３）図４及び図５は本発明エレ
クトロルミネッセンスディスプレイパネルの実施形態３
を示す。本実施形態３のエレクトロルミネッセンスディ
スプレイパネルは、絶縁膜１０の構造が実施形態１のエ
レクトロルミネッセンスディスプレイパネルとは異なっ
ている。即ち、図４（ｆ）及び図５に示すように、本実
施形態２では、ストライプ状の絶縁膜の両側面に上下方
向中央部が上下端部よりも狭幅になった凹溝１０ｂを形
成し、これにより、上部電極６の分断を行う構成をとっ
ており、この点で、実施形態１及び実施形態２とは異な
っている。以下にその製造プロセスを図４に基づき説明
する。

【００９４】まず、本実施形態３においても、同図
（ａ）〜（ｃ）に示すように、実施形態１同様の工程を
経て、ガラス基板１上に線幅３００μｍ、ピッチ３３０
μｍのＩＴＯストライプパターン２を形成する。

【００９５】次に、同図（ｄ）に示すように、ガラス基
板１上にリフトオフのための感光性レジスト３を幅３０
０μｍ、ピッチ３３０μｍのストライプとなるようにパ
ターニングして、レジストパターン８を形成する。

【００９６】次に、その上に絶縁膜９を形成する。同図
（ｅ）に示すように、この絶縁膜９は、後のプロセスで
行うエッチング条件において、エッチングレートの小さ
い材料９ａと大きい材料９ｂとを交互に積層して形成さ
れている。即ち、エッチングレートの小さい材料９ａ、
エッチングレートの大きい材料９ｂ及びエッチングレー
トの小さい材料９ａをこの順に堆積して形成されてい
る。

【００９７】ここで、本実施形態３では、エッチングレ
ートの小さい材料９ａとして、ポリイミドを用い、エッ
チングレートの大きい材料９ｂとしてＰＶＡを用いた。
ポリイミド、ＰＶＡともにスピンコーターを用いた塗布
で膜を形成した。そして、ポリイミドとＰＶＡの膜厚が
それぞれ１μｍになるように塗布材料の粘度とスピンコ
ーターの回転数を調整した。

【００９８】次に、ガラス基板１をアセトン中に浸し、
レジストパターン８によってリフトオフする。これによ
り、上部電極６を分離するためのストライプ状の絶縁膜
１０が残る。更に、ポリイミドとＰＶＡとのエッチング
レートの違いによって絶縁膜１０の両側面に凹凸、つま
り、上記の凹溝１０ｂができるまで、酸素プラズマ下で
アッシングを行った。

【００９９】この結果、幅３０μｍ、ピッチ３３０μｍ
の絶縁膜１０のストライプパターンが形成されるととも
に、絶縁膜１０の両側面に幅１μｍ、深さ０．５μｍの
凹溝１０ｂを形成することができた（同図（ｆ）及び図
５参照）。なお、本実施形態３において、絶縁膜１０の
本数は６５本である。

【０１００】次に、同図（ｇ）に示すように、下部電極
となるＩＴＯストライプパターン２とストライプ状の絶
縁膜１０とがパターニングされたガラス基板１に有機膜
（図示せず）と上部電極１２を真空蒸着法によって形成
した。ここで、本実施形態３では、同図（ｇ）に示すよ
うに有機材料及び上部電極材料の蒸気７をガラス基板１
の略真上から供給して有機膜と上部電極１２とを形成し
ており、この点で、実施形態１及び実施形態２とは異な
っている。また、膜厚の均一性を高めるために、ガラス
基板１を回転させながら蒸着を行った。なお、蒸着膜の
構成及び蒸着条件等は実施形態１と同様である。

【０１０１】このようなプロセスによれば、絶縁膜１０
の両側面に形成された凹溝１０ｂには、有機材料及び上
部電極材料は堆積されないので、この凹溝１０ｂによっ
て上部電極１２は、隣接する絶縁膜１０間に位置する部
分と、絶縁膜１０上の部分とに分断され、６５本の絶縁
膜１０で挟まれた幅３００μｍの６４本の独立した電極
となった。

【０１０２】このようにして、３００μｍ幅のＩＴＯス
トライプパターン２と、３００μｍ幅のＡｌＬｉとが交
差する３００×３００μｍ角の発光領域を最小単位とす
るピッチ３３０μｍの６４×６４ドットのドットマトリ
クス表示が可能となった本実施形態３のエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルを作製できた。

【０１０３】そして、ＩＴＯストライプパターン２をデ
ータライン、ＡｌＬｉをスキャンラインとし、周知のダ
イナミック駆動方式によりフレーム周波数１５０Ｈｚで
動作させて、６４×６４ドットのキャラクター表示を得
た。

【０１０４】本実施形態３によれば、以下の特有の効果
を奏することができる。即ち、絶縁膜１０を構成するＰ
ＶＡは吸湿性を有し、ポリイミドは耐水性を有している
ので、絶縁膜１０からの水分の進入がポリイミドである
絶縁膜１０の凸部１０ａで防げ、またガラス基板１等に
付着した付着水の捕獲が絶縁膜１０の凹溝１０ｂで行わ
れるため、有機材料及び電極材料への水分の進入を長期
にわたり防止することができる。このため、素子の耐久
性が向上するので、その分、エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルの信頼性を向上できる。

【０１０５】（実施形態４）図６は本発明エレクトロル
ミネッセンスディスプレイパネルの実施形態４を示す。
本実施形態４のエレクトロルミネッセンスディスプレイ
パネルは、同図（ｇ）に示すように、絶縁膜１０を５層
構造とし、上記同様の凹溝１０ｂを絶縁膜１０の両側面
の上下２箇所に形成しており、この点で、実施形態４と
は異なっている。以下に図６に基づきその構造を製造プ
ロセスとともに説明する。

【０１０６】なお、ガラス基板１上に線幅３００μｍ、
ピッチ３３０μｍのＩＴＯストライプパターン２を形成
するまでの工程は、実施形態１等と同じである（同図
（ａ）参照）。

【０１０７】ガラス基板１上にＩＴＯストライプパター
ン２が形成されると、次に、その上に絶縁膜９を形成す
る。この絶縁膜９は、同図（ｂ）に示すように、後のプ
ロセスで行うエッチング条件において、エッチングレー
トの小さい材料９ａと大きい材料９ｂとを交互に５層積
層して形成されている。即ち、エッチングレートの小さ
い材料９ａ、大きい材料９ｂ、小さい材料９ａ、大きい
材料９ｂ及び小さい材料９ａをこの順に堆積して形成さ
れている。

【０１０８】ここで、本実施形態４では、エッチングレ
ートの小さい材料９ａとして、ＳｉＯ₂を用い、エッチ
ングレートの大きい材料９ｂとしてＳｉを用いた。Ｓｉ
Ｏ₂及びＳｉはともに周知のスパッタリング法によって
形成した。膜厚は双方とも５００ｎｍとした。

【０１０９】次に、同図（ｃ）に示すように、絶縁膜９
の上に感光性レジスト３を塗布し、続いて、露光、現像
工程を行って（同図（ｄ）参照）、幅３００μｍ、ピッ
チ３３０μｍのストライプとなるように感光性レジスト
３をパターニングし、絶縁膜９の上にレジストパターン
１１を形成した（同図（ｅ）参照）。

【０１１０】次に、ＣＦ₄ガスによるドライエッチング
を行い、電極分離のための絶縁膜１０を形成した。ここ
で、ＣＦ₄ガスの流量は２５ｃｃ／ｍｉｎ、そのガス圧
は５Ｔｏｒｒ、ＲＦ（高周波電源）パワー２００Ｗとし
た。このドライエッチング条件下では、ＳｉＯ₂よりも
Ｓｉが速くエッチングされるため、レジストパターン１
１で覆われた部分に、側面に上下２つの凹溝１０ｂ、１
０ｂが形成された絶縁膜１０が残る。

【０１１１】以下、実施形態３同様にして、有機膜及び
上部電極の蒸着工程が行われ、これにより、本実施形態
４のエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルが作
製される。

【０１１２】ここで、上記のドライエッチングによって
略等方的にエッチングが進行すると、図７（ａ）、
（ｂ）に示すように、絶縁膜１０の断面形状を全体とし
て下方に向けて末広がり形状に形成することができる。

【０１１３】このとき、図８に示すように、絶縁膜１０
の最下層の凸部１０ａにて、ＩＴＯストライプパターン
２からなる下部電極２と、ＡｌＬｉ電極からなる上部電
極６ｂとが接触することによって生じる上下電極間の短
絡現象を確実に防止することができる。

【０１１４】（実施形態５）図９は本発明エレクトロル
ミネッセンスディスプレイパネルの実施形態５を示す。
本実施形態５のエレクトロルミネッセンスディスプレイ
パネルは、実施形態１と実施形態４とを組み合わせたも
のである。即ち、本実施形態５では、絶縁膜１０の側面
に上下２つの凹溝１０ｂ、１０ｂを形成するとともに、
絶縁膜１０の中央部にも実施形態１同様の溝１０ｃを形
成し、これにより、上部電極が分断される箇所を増大し
て、歩留まりの一層の向上を図っている。

【０１１５】（比較例）なお、絶縁膜の側面に凹凸を形
成することにより上部電極の分断を図る手法として、特
開平８−３１５９８１号公報に記載されたものがある
が、以下に示すように、この手法は、例えば、実施形態
４で説明した本願発明とは明確に異なるものであり、上
記した本願発明特有の効果である、上下電極間の短絡現
象の防止を図ることができない。

【０１１６】以下に、この公報に記載された手法を比較
例として、図１０に基づき説明する。同図に示すよう
に、このエレクトロルミネッセンスディスプレイパネル
では、絶縁膜１３の断面形状を上端部から下端部に向け
て狭幅になった形状に形成し、これにより、上部電極を
図上左右方向において分断している。

【０１１７】しかしながら、この絶縁膜形状では、同図
（ａ）に示すように、絶縁膜１３によって分離された有
機膜６ａ及び上部電極６ｂの分断部分において、上部電
極６ｂが下部電極２と接触する場合がある。このため、
下部電極２と上部電極６ｂとの間に必要な電界が得られ
ず、有機膜６ａにキャリアが注入されずに、エレクトロ
ルミネッセンスが得られないという問題が発生する。

【０１１８】そこで、上記公報では、同図（ｂ）に示す
ように、電極分離のための絶縁膜１３の下に予め、別の
絶縁膜１４を形成することによって、上記問題点を解決
している。

【０１１９】しかしながら、このような手法によれば、
絶縁膜１３と絶縁膜１４とを別々のプロセスで形成しな
ければならず、また絶縁膜１４の上に正確に絶縁膜１３
を形成するために位置合わせが必要になるため、まず、
第１に生産性が低下するという問題がある。

【０１２０】第２に、前記位置合わせのずれによる、上
下電極間の短絡の問題も生じ、信頼性も低下する問題が
ある。

【０１２１】これに対して、本願発明の絶縁膜構造によ
れば、下部に絶縁膜を形成することなく上下の電極の短
絡防止を確実に行えるので、かかる問題は発生しない。

【０１２２】（その他の実施形態）上記の実施形態で
は、絶縁膜の表面に溝を１本形成しているが、この溝の
本数については１本に限定されるものではなく、例え
ば、複数の溝を互いに平行に形成することも可能であ
る。

【０１２３】また、上記の凹溝については、３本以上形
成することも可能であり、更には、絶縁膜の片側の側面
のみに形成することも可能である。

【０１２４】

【発明の効果】以上の本発明エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルによれば、絶縁膜にその伸長方向に
沿った溝が形成されており、この溝によって上部電極が
分断され、溝の両側で上部電極は絶縁性を有し、独立し
た電極となり得、これは、メタルマスクやフォトリソグ
ラフィの手法によらずに、上部電極をパターニングでき
ることを意味するので、本発明によれば、メタルマスク
を用いることによる上記従来技術の問題点を解消でき
る。

【０１２５】また、下部電極、絶縁膜及びその溝は有機
膜を形成する前に形成できるので、素子になんらダメー
ジを与えることなく、フォトリソグラフィの手法でパタ
ーニングすることができる。このため、微細化或いは細
線化をフォトリソグラフィ技術の限界まで追求すること
ができる。

【０１２６】更に、下部電極と絶縁膜がそれぞれ互いに
交差するストライプパターンであり、且つ絶縁膜の各々
の表面に溝が絶縁膜の伸長方向に沿って形成されている
ため、溝の両側で上部電極はそれぞれ独立しており、下
部電極と上部電極のそれぞれ交差するストライプパター
ンによるマトリクス駆動が可能となる。

【０１２７】また、特に請求項２記載のエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルによれば、絶縁膜の表面
に、その伸長方向に沿った複数の溝が形成されているの
で、溝１本につき分断される箇所が１つ増すので、上部
電極が分断される箇所が増し、上部電極が分断される確
率が高まるので、信頼性を向上できる。

【０１２８】また、特に請求項３記載のエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルによれば、絶縁膜を耐水
性材料で構成しているので、絶縁膜から有機膜への水の
侵入を防ぐことができるので、素子の耐久性を向上でき
る。

【０１２９】また、特に請求項４記載のエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルによれば、絶縁膜を吸湿
性材料で構成しているので、絶縁膜との界面からの水の
侵入に対し、水を捕獲することができるので、素子の耐
久性を向上できる。

【０１３０】また、特に請求項５記載のエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルによれば、上部電極を分
断するための溝或いは絶縁膜の終端のどちらか一方でも
越えた部分に上部電極を形成しない構成をとるので、上
部電極の分断を確実に図ることができる。

【０１３１】また、特に請求項６記載のエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルによけば、絶縁膜の側面
に凹溝を形成する構成をとるので、導電材料の堆積方向
にかかわらず、容易に絶縁膜の両側で上部電極を分断す
ることができる。

【０１３２】また、特に請求項７記載のエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルによれば、上部電極が有
機膜以外のところに堆積しても、下部電極と接触しない
ように、絶縁膜をその断面形状が底部に向かって末広が
り状になるように形成し、しかも、最下部の層を凸部と
する構成をとっているので、有機膜及び電極が分断され
ることによってできる蒸着膜の端部が、最下層の凸部に
位置するようになる。これにより、上部電極が有機膜以
外の所に堆積しても、最下部の凸部によってガードされ
るため、下部電極との接触を防ぐことができる。

【０１３３】また、特に請求項８記載のエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルによれば、上記の凹溝を
効率よく形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｅ）は実施形態１のエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルの製造工程を示す工程
図。

【図２】図１（ｄ）の工程で形成される溝を有する絶縁
膜が形成された状態を示す斜視図。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は実施形態１のエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルの製造工程を示す平面
図。

【図４】（ａ）〜（ｇ）は実施形態３のエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルの製造工程を示す工程
図。

【図５】図４（ｆ）の工程で形成される凹溝を側面に有
する絶縁膜が形成された状態を示す斜視図。

【図６】（ａ）〜（ｇ）は実施形態４のエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルの製造工程を示す工程
図。

【図７】（ａ），（ｂ）共に絶縁膜の断面形状を示す
図。

【図８】実施形態４のエレクトロルミネッセンスディス
プレイパネルの絶縁膜構造による効果を説明するための
図。

【図９】実施形態５のエレクトロルミネッセンスディス
プレイパネルを示す断面図。

【図１０】（ａ），（ｂ）共に特開平８−３１５９８１
号公報に記載されたエレクトロルミネッセンスディスプ
レイパネルの断面図。

【符号の説明】

１ガラス基板２ＩＴＯストライプパターン（下部電極）３感光性レジスト５絶縁膜５ａ絶縁膜５の表面中央に形成された溝６上部電極６ａ−１，６ａ−２有機膜６ｂ−１上部電極７蒸気１０絶縁膜１０ｂ凹溝１２上部電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電膜からなり、基板上の第１の方向に
複数形成されたストライプ状の下部電極と、該下部電極上において、該下部電極と交差する第２の方
向に複数形成されたストライプ状の絶縁膜であって、該
第２の方向に伸長する溝を有する絶縁膜と、エレクトロルミネッセンスを可能とする有機膜であっ
て、隣接する該絶縁膜間の該下部電極上、該絶縁膜上及
び該絶縁膜の該溝内の該下部電極上に形成された有機膜
と、導電膜からなり、該有機膜上に形成された上部電極とを備えたエレクトロルミネッセンスディスプレイパネ
ル。
【請求項２】前記溝が前記第２の方向に沿って複数形
成されている請求項１記載のエレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネル。
【請求項３】前記絶縁膜が耐水性材料で構成されてい
る請求項１又は請求項２記載のエレクトロルミネッセン
スディスプレイパネル。
【請求項４】前記絶縁膜が吸湿性材料で構成されてい
る請求項１又は請求項２記載のエレクトロルミネッセン
スディスプレイパネル。
【請求項５】前記絶縁膜の伸長方向の終端に前記上部
電極が形成されていない請求項１〜請求項４のいずれか
に記載のエレクトロルミネッセンスディスプレイパネ
ル。
【請求項６】導電膜からなり、基板上の第１の方向に
複数形成されたストライプ状の下部電極と、該下部電極上において、該下部電極と交差する第２の方
向に複数形成されたストライプ状の絶縁膜であって、側
面に、上下方向中間部が上部及び下部よりも窪んだ形状
の凹溝が上下方向に１又は複数形成されている絶縁膜
と、エレクトロルミネッセンスを可能とする有機膜であっ
て、少なくとも隣接する該絶縁膜間の該下部電極上及び
該絶縁膜上の２箇所に形成され、該２箇所に形成された
膜部分が該凹溝によって分離されている有機膜と、導電膜からなり、該有機膜上に形成された上部電極とを
備えたエレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。
【請求項７】前記絶縁膜は、底部に向かって末広がり
な断面形状であるとともに、最下部に凸部が形成されて
いる請求項６記載のエレクトロルミネッセンスディスプ
レイパネル。
【請求項８】前記絶縁膜はエッチング速度の異なる絶
縁膜を交互に積層して構成されている請求項６又は請求
項７記載のエレクトロルミネッセンスディスプレイパネ
ル。
【請求項９】前記積層構造の絶縁膜の一方は耐水性材
料で構成され、他方は吸湿性材料で構成されているエレ
クトロルミネッセンスディスプレイパネル。
【請求項１０】前記ストライプ状の絶縁膜の各々の表
面に、少なくとも１本以上の溝が該絶縁膜の伸長方向に
形成されている請求項６〜請求項９のいずれかに記載の
エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。
【請求項１１】前記絶縁膜の伸長方向の終端に前記上
部電極が形成されていない請求項６〜請求項１０のいず
れかに記載のエレクトロルミネッセンスディスプレイパ
ネル。
【請求項１２】請求項１〜請求項５のいずれかに記載
のエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造
方法であって、前記基板上に、前記下部電極及び前記絶縁膜を順次形成
した後に行われる少なくとも前記上部電極の形成工程
を、基板面に垂直な鉛直軸から所定角度傾いた斜め方向
から導電材料を供給して行うエレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１３】請求項１〜請求項５のいずれかに記載
のエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造
方法であって、前記ストライプ状の絶縁膜の各々の表面に形成される前
記溝を、該絶縁膜の表面に溝加工を施すか、或いは、一
対の絶縁膜を近接させて配置することにより形成したエ
レクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方
法。
【請求項１４】請求項６〜請求項１１のいずれかに記
載のエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製
造方法方法であって、前記絶縁膜をエッチングすることにより該絶縁膜の側面
に前記凹溝を形成する工程を包含するエレクトロルミネ
ッセンスディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１５】少なくとも前記上部電極の形成工程
を、前記基板の基板面に略垂直な方向から導電材料を供
給して行う請求項１４記載のエレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１６】請求項１〜請求項１１のいずれかに記
載のエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製
造方法であって、前記絶縁膜の形成工程を、該絶縁膜の蒸着する前に形成
されたレジストをリフトオフすることにより形成するエ
レクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方
法。