KR20070072165A - 유기전계발광표시소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (34)
- 발광소자가 형성될 제1기판을 준비하는 단계;상기 제1기판 상에 상기 발광소자를 제어하기 위한 구동소자 및 스위칭소자를 형성하는 단계;상기 제1기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;상기 제1기판 상에 발광용유기패턴을 형성하기 위한 제2기판을 준비하는 단계;상기 제2기판 상에 발광용유기패턴을 형성하는 단계; 및상기 제1 및 제2기판을 부착시킨 후, 상기 발광용유기패턴이 형성된 영역과 그 외부영역의 압력차에 의해 상기 제2기판에 형성된 발광용유기패턴을 상기 제1전극 상에 전사시키는 단계를 포함하여 이루어지는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1기판 상에 전사된 발광용유기패턴 상에 제2전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제2기판을 준비하는 단계는,상기 제2기판 상에 발광용유기패턴 형성용 어레이패턴을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제3항에 있어서,상기 어레이패턴과 발광용유기패턴 사이에 발광용유기패턴이 제1기판으로의 전사를 용이하게 하기 위한 버퍼막을 추가로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 버퍼막은 무기막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 무기막은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 무기막 표면에 수소처리가 추가로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1기판 상의 제1전극은 애노드(anode)인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 제2기판 상에 발광용유기패턴을 형성하는 단계는,상기 제2기판 상에 전자주입층을 형성하는 단계;상기 전자주입층 상에 전자전송층을 형성하는 단계;상기 전자전송층 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 정공전송층을 형성하는 단계; 및상기 정공전송층 상에 제1정공주입층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 제1기판의 제1전극 상에 상기 제1정공주입층과의 접착특성을 향상시키기 위한 접착층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 제1기판의 제1전극 상에 제2정공주입층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 제2기판 상에 발광용유기패턴을 형성하는 단계는,상기 제2기판 상에 전자주입층을 형성하는 단계;상기 전자주입층 상에 전자전송층을 형성하는 단계;상기 제전자전송층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 상에 제1정공전송층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 제1기판의 제1전극 상에 정공주입층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 제1기판의 제1전극 상에 정공주입층을 형성하는 단계; 및상기 정공주입층 상에 제2정공전송층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 제2기판 상에 발광용유기패턴을 형성하는 단계는,상기 제2기판 상에 전자주입층을 형성하는 단계;상기 전자주입층 상에 전자전송층을 형성하는 단계; 및상기 전자전송층 상에 발광층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제15항에 있어서,상기 제1기판의 제1전극 상에 정공주입층을 형성하는 단계; 및상기 정공주입층 상에 정공전송층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1기판 상의 제1전극은 캐소드(cathode)인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자의 제조방법.
- 제17항에 있어서,상기 제2기판 상에 발광용유기패턴을 형성하는 단계는,상기 제2기판 상에 정공주입층을 형성하는 단계;상기 전자주입층 상에 정공전송층을 형성하는 단계;상기 정공전송층 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 전자전송층을 형성하는 단계; 및상기 전자전송층 상에 제1전자주입층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제18항에 있어서,상기 제1기판의 제1전극 상에 상기 제1전자주입층과의 접착특성을 향상시키기 위한 접착층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제18항에 있어서,상기 제1기판의 제1전극 상에 제2전자주입층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제17항에 있어서,상기 제2기판 상에 발광용유기패턴을 형성하는 단계는,상기 제2기판 상에 정공주입층을 형성하는 단계;상기 전자주입층 상에 정공전송층을 형성하는 단계;상기 정공전송층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 상에 제1전자전송층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제21항에 있어서,상기 제1기판의 제1전극 상에 전자주입층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제21항에 있어서,상기 제1기판의 제1전극 상에 전자주입층을 형성하는 단계; 및상기 전자주입층 상에 제2전자전송층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제17항에 있어서,상기 제2기판 상에 발광용유기패턴을 형성하는 단계는,상기 제2기판 상에 정공주입층을 형성하는 단계;상기 전자주입층 상에 정공전송층을 형성하는 단계; 및상기 정공전송층 상에 발광층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제24항에 있어서,상기 제1기판의 제1전극 상에 전자주입층을 형성하는 단계; 및상기 전자주입층 상에 전자전송층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1전극은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)과 같은 투명물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제26항에 있어서,상기 투명물질 표면에 발광용유기패턴과의 접착력을 향상시키기 위한 전처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제27항에 있어서,상기 전처리단계는 UV 조사로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제27항에 있어서,상기 전처리단계는 오존(ozone)처리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제27항에 있어서,상기 전처리단계는 플라즈마처리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제2기판을 준비하는 단계는 유기발광패턴들이 형성될 액티브영역의 외곽을 따라 실링재를 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제31항에 있어서,상기 제2기판의 발광용유기패턴을 상기 제1전극 상에 전사시키는 단계는,상기 제1 및 제2기판을 진공챔버 내부에서 얼라인하는 단계;상기 진공챔버 내부를 1차 펌핑하는 단계;상기 제2기판의 실링재를 통해 제1기판에 접촉시키는 단계; 및상기 진공챔버 내부를 벤팅시켜, 상기 실링재를 통해 액티브영역의 내부와 외부의 압력차이를 유지시켜주는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제32항에 있어서,상기 진공챔버 내부를 2차 펌핑하는 단계; 및상기 제2기판을 제1기판으로 부터 분리시키는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
- 제33항에 있어서,상기 제1기판으로 부터 제2기판을 분리시키는 단계는 진공챔버 상부의 진공척을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 제조방법.
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US5342817A (en) | 1992-06-29 | 1994-08-30 | Eastman Kodak Company | Noncontact donor and receiver holder for thermal printing |
JPH06115123A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-26 | Hoei Fuji Kogyo Kk | 熱転写方法 |
US6114088A (en) * | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
JP2001209981A (ja) * | 1999-02-09 | 2001-08-03 | Ricoh Co Ltd | 光ディスク基板成膜装置、光ディスク基板成膜方法、基板ホルダーの製造方法、基板ホルダー、光ディスクおよび相変化記録型光ディスク |
JP5030345B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2012-09-19 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置 |
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US6688365B2 (en) * | 2001-12-19 | 2004-02-10 | Eastman Kodak Company | Method for transferring of organic material from a donor to form a layer in an OLED device |
US6703179B2 (en) * | 2002-03-13 | 2004-03-09 | Eastman Kodak Company | Transfer of organic material from a donor to form a layer in an OLED device |
KR100433992B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2004-06-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
US6929048B2 (en) * | 2003-09-05 | 2005-08-16 | Eastman Kodak Company | Laser transfer of organic material from a donor to form a layer in an OLED device |
US20050276919A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method for dispensing a fluid on a substrate |
US7358538B2 (en) * | 2004-10-28 | 2008-04-15 | Zheng-Hong Lu | Organic light-emitting devices with multiple hole injection layers containing fullerene |
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
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