JP2006244933A - 自発光パネルおよび自発光パネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】自発光パネル100は、電極対の間に発光層を有する複数の自発光素子102が設けられた基板101に設けられて、電極対における少なくとも一方の電極201および発光層を自発光素子102毎に絶縁する絶縁膜103と、基板101に対向配置され、当該基板101との間に自発光素子102を外気から遮断する封止領域208を形成する封止部材206と、自発光素子102の配列面内で最も外側に位置する自発光素子102aより外側に設けられて、基板101と封止部材206との対向方向に沿って絶縁膜103を分離するサイプ104と、を備える。これによって、外気に含まれる水分などの劣化因子が接着剤207中を伝わって封止領域208内に入り込んだ場合にも、この劣化因子が絶縁膜103中を伝わることをサイプ104によって阻害することができる。
【選択図】 図2
Description
図1は、本実施の形態における自発光パネルを示す平面図である。本実施の形態における自発光パネル100は、基板101上に設けられた複数の自発光素子102を有している。本実施の形態の自発光素子102は、有機EL素子によって実現されている。
つぎに、本実施の形態における自発光パネル100(自発光パネル300、自発光パネル400あるいは自発光パネル500でもよい)の製造方法1を用いたパッシブ駆動型の自発光パネル100の製造プロセスの一例について説明する。自発光パネル100の製造プロセスは、前処理工程と、蒸着装置(図10を参照)を用いた成膜工程と、封止部材206を用いた封止工程とからなる。前処理工程は、電極材料成膜工程、金属導電膜のパターニング工程、透明導電膜のパターニング工程および絶縁膜形成工程を含んでいる(図6〜図9参照)。
つぎに、本実施の形態における自発光パネル1100の製造方法2を用いたアクティブ駆動型の自発光パネル1100の製造プロセスの一例について説明する。自発光パネル1100の製造プロセスは、前処理工程と、成膜工程と、封止部材206を用いた封止工程とからなる。自発光パネルの製造方法2における成膜工程および封止工程は、上述した自発光パネルの製造方法1と同様の工程であるため、ここでは前処理工程のみについて説明する。自発光パネル1100の製造プロセスにおける前処理工程は、TFT形成工程、下部電極形成工程および絶縁膜形成工程を含んでいる。
101 基板
102 自発光素子
102a 自発光素子
103 絶縁膜
104 サイプ
206 封止部材
208 封止領域
300 自発光パネル
301 サイプ
400 自発光パネル
401 サイプ(第1のサイプ)
402 サイプ(第2のサイプ)
500 自発光パネル
501 サイプ(第1のサイプ)
502 サイプ(第2のサイプ)
1170 自発光素子
1170a 自発光素子
1180 絶縁膜
1190 サイプ
Claims (18)
- 電極対の間に発光層を有する複数の自発光素子が設けられた基板と、
前記基板に設けられて、前記電極対における少なくとも一方の電極および前記発光層を前記自発光素子毎に絶縁する絶縁膜と、
前記基板に対向配置され、当該基板との間に前記自発光素子を外気から遮断する封止領域を形成する封止部材と、
前記自発光素子の配列面内で最も外側に位置する自発光素子より外側に設けられて、前記基板と前記封止部材との対向方向に沿って前記絶縁膜を分離するサイプと、
を備えることを特徴とする自発光パネル。 - 前記サイプは、前記基板と前記封止部材との対向方向に沿って前記絶縁膜を完全に分離するように設けられていることを特徴とする請求項1に記載の自発光パネル。
- 前記サイプは、前記基板と前記封止部材との対向方向に沿って前記絶縁膜を途中まで分離するように設けられていることを特徴とする請求項1に記載の自発光パネル。
- 前記サイプは、前記自発光素子の配列面内で外側へ向かう方向に沿って複数設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の自発光パネル。
- 前記サイプは、前記基板と前記封止部材との対向方向に沿った深さが、それぞれ異なっていることを特徴とする請求項4に記載の自発光パネル。
- 前記サイプは、前記基板と前記封止部材との接着位置に対する距離が前記自発光素子の配列面内で最も短い位置に設けられた前記自発光素子より外側に設けられていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の自発光パネル。
- 前記サイプは、前記基板と前記封止部材との接着位置に対する距離が、所定距離よりも短い位置に設けられた前記自発光素子より外側に設けられていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の自発光パネル。
- 前記自発光素子の配列面内で最も外側に位置する自発光素子は、モニタ用の自発光素子であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の自発光パネル。
- 前記自発光素子は、有機EL素子であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の自発光パネル。
- 電極対の間に発光層を有する複数の自発光素子を基板上に形成する自発光素子形成工程と、
前記自発光素子形成工程に際して、前記電極対における少なくとも一方の電極および前記発光層を前記自発光素子毎に絶縁する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜形成工程によって形成された絶縁膜のうち、前記自発光素子の配列面内で最も外側に位置する自発光素子より外側に、前記絶縁膜の厚さ方向に沿って当該絶縁膜を分離するサイプを形成するサイプ形成工程と、
前記基板との間に前記自発光素子を外気から遮断する封止領域を形成する封止部材を前記基板に対向配置する封止領域形成工程と、
を含んだことを特徴とする自発光パネルの製造方法。 - 前記サイプ形成工程は、前記基板と前記封止部材との対向方向に沿って前記絶縁膜を完全に分離するサイプを形成することを特徴とする請求項10に記載の自発光パネルの製造方法。
- 前記サイプ形成工程は、前記基板と前記封止部材との対向方向に沿って前記絶縁膜を途中まで分離するサイプを形成することを特徴とする請求項10に記載の自発光パネルの製造方法。
- 前記サイプ形成工程は、前記自発光素子の配列面内で外側へ向かう方向に沿って複数のサイプを形成することを特徴とする請求項10〜12のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
- 前記サイプ形成工程は、前記基板と前記封止部材との対向方向に沿った深さが、それぞれ異なる複数のサイプを形成することを特徴とする請求項13に記載の自発光パネルの製造方法。
- 前記サイプ形成工程は、前記基板と前記封止部材との接着位置に対する距離が最も短い位置に設けられた前記自発光素子より外側にサイプを形成することを特徴とする請求項10〜14のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
- 前記サイプ形成工程は、前記基板と前記封止部材との接着位置に対する距離が、所定距離よりも短い位置に設けられた前記自発光素子より外側にサイプを形成することを特徴とする請求項10〜15のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
- 前記自発光素子の配列面内で最も外側に位置する自発光素子は、モニタ用の自発光素子であることを特徴とする請求項10〜16のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
- 前記自発光素子は、有機EL素子であることを特徴とする請求項10〜17のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
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