CN100497258C - 用于多层陶瓷电子元件的介电糊和制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法 - Google Patents

用于多层陶瓷电子元件的介电糊和制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了生产多层陶瓷电子元件的多层单元的方法，它能够可靠地防止在多层陶瓷电子元件中产生缺陷并以所需方式形成间隔层。具体而言，本发明公开了生产多层陶瓷电子元件的多层单元的方法，其特征在于将含有作为粘结剂的具有110,000到190,000的表观重均分子量的乙基纤维素和作为溶剂的选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-酯、I-酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂的介电糊以预定图案印刷在含有作为粘结剂的缩丁醛系树脂的陶瓷生片上而形成间隔层。

Description

用于多层陶瓷电子元件的介电糊和制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法
本发明的领域
本发明涉及多层陶瓷电子元件的间隔层的介电糊和制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法，尤其涉及多层陶瓷电子元件的间隔层的介电糊，它不溶解在与多层陶瓷电子元件的间隔层相邻的层中所含的粘结剂中并且能够可靠地防止在多层陶瓷电子元件中产生缺陷，以及涉及制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法。
本发明的背景
最近，缩减各种电子器件的尺寸的需求使得需要缩小被引入到器件中的电子元件的尺寸并改进其性能。同样在多层陶瓷电子元件如多层陶瓷电容器中，强烈要求增加层的数量并使所层压的单元变得更薄。
当需要制造以多层陶瓷电容器为代表的多层陶瓷电子元件时，陶瓷粉末、粘结剂如丙烯酸系树脂，缩丁醛树脂或类似物、增塑剂如邻苯二甲酸酯，二醇，己二酸酯，磷酸酯或类似物，和有机溶剂如甲苯，甲基乙基酮，丙酮或类似物进行混合和分散，由此制备陶瓷生片的介电糊。
该介电糊然后通过使用挤压涂布机、凹槽辊涂布机或类似机器被施涂于由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯(PP)或类似物制成的载体片上形成涂层，然后将涂层加热至干燥，由此制造陶瓷生片。
此外，镍或类似物的导电性粉末和粘结剂溶解到溶剂如萜品醇中，由此制备导电糊，然后所制备的导电糊通过使用丝网印刷机以预定图案印刷在陶瓷生片上并加以干燥，由此形成电极层。
当电极层已经形成时，陶瓷生片(在它之上形成了电极层)从载体片上剥离，形成包括陶瓷生片和电极层的多层单元。然后，通过将所需数量的多层单元层压形成层压体，对层压体加压处理和切割该层压体来形成陶瓷生芯片(green chip)。
最后，将粘结剂从生芯片上除去，生芯片进行烘烤和形成外部电极，由此完成了多层陶瓷电子元件如多层陶瓷电容器。
现在，缩减电子元件的尺寸和改进其性能的需求使得有必要设定陶瓷生片的厚度(它决定了在多层陶瓷电容器的各个层之间的间距)等于或小于3μm或2μm并将三百或更多个的多层单元进行层压，各单元包括陶瓷生片和电极层。
然而，在普通的多层陶瓷电容器中，因为以预定图案在陶瓷生片上形成电极层，在电极层的表面与不形成电极层的陶瓷生片的表面之间形成台阶(step)。因此，对于将各自包括陶瓷生片和电极层的多个多层单元进行层压的情况，难以按照所需方式将包括在多个多层单元中的陶瓷生片粘结，这样通过层压多个多层单元所制造的层压体常常发生变形和有时候发生各层的层离。
为了解决这些问题，已经建议通过将介电糊按照与电极层的图案互补的图案印刷到陶瓷生片的表面上，从而在相邻的电极层之间形成间隔层，来消除在陶瓷生片的表面上的台阶。
对于以这一方式将间隔层印刷在相邻电极层之间的陶瓷生片上从而制造多层单元的情况，在各多层单元的陶瓷生片的表面上的台阶能够消除，甚至对于将各自包括陶瓷生片和电极层的多个多层单元进行层压和制造多层陶瓷电容器的情况，有可能将包括在多个多层单元中的陶瓷生片按所需方式进行粘结和有可能防止通过将各自包括陶瓷生片和电极层的多个多层单元进行层压所制造的层压体发生变形。
本发明的公开
本发明解决的问题
然而，对于将使用萜品醇(它非常普遍用作介电糊的溶剂)所制备的介电糊印刷到使用缩丁醛系树脂(它是陶瓷生片的最普遍的粘结剂)所形成的陶瓷生片上的情况，在陶瓷生片中所含的粘结剂被介电糊中所含的萜品醇所溶解并且陶瓷生片发生溶胀或部分地溶解，因此在在陶瓷生片和间隔层之间的界面上产生空隙或在间隔层的表面上产生裂缝或皱纹。结果，对于通过将多个多层单元进行层压制造层压体和烘烤该层压体来制造多层陶瓷电容器的情况，在多层陶瓷电容器中产生空隙。此外，对于在间隔层的表面上产生裂缝或皱纹的情况，因为间隔层的产生裂缝或皱纹的部分倾向于脱落，当多个多层单元进行层压制造层压体时，间隔层中产生裂缝或皱纹的各个部分作为外来物质混入到层压体中，由此在多层陶瓷电容器中引起内部缺陷并在间隔层消失的部分中产生空隙。
对于这些问题的一个建议解决方案是将烃系溶剂如煤油、癸烷或类似物作为溶剂。然而，因为烃系溶剂如煤油，癸烷或类似物不溶解用于介电糊的粘结剂组分，不可能用烃系溶剂如煤油、癸烷或类似物完全地代替常用溶剂如萜品醇。所以，因为作为粘结剂的在陶瓷生片中所含的丙烯酸系树脂在某种程度上仍然可溶于在介电糊中所含的溶剂，当陶瓷生片非常薄时难以防止在陶瓷生片中针孔和裂纹的产生，并且因为烃系溶剂如煤油、癸烷或类似物的粘度低于萜品醇的粘度，难以控制该导电糊的粘度。
此外，日本专利申请公开No.5-325633，日本专利申请公开No.7-21833和日本专利申请公开No.7-21832建议了使用氢化萜品醇如二氢萜品醇或萜烯系溶剂如二氢萜品醇乙酸酯代替萜品醇作为溶剂。然而，因为作为粘结剂的在陶瓷生片中所含的丙烯酸系树脂在某种程度上也可溶于氢化萜品醇如二氢萜品醇或萜烯系溶剂如二氢萜品醇乙酸酯中，当陶瓷生片非常薄时难以防止在陶瓷生片中针孔和裂纹的产生。
因此本发明的目的是提供不溶解在与多层陶瓷电子元件的间隔层相邻的层中所含的粘结剂并能够可靠地防止在多层陶瓷电子元件中产生缺陷的多层陶瓷电子元件的间隔层的介电糊。
本发明的另一个目的是提供制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法，它能够可靠地防止在多层陶瓷电子元件中产生缺陷并以所需方式形成间隔层。
解决问题的方式
本发明的发明人为了实现上述目的努力地进行了研究，结果发现，对于用于形成间隔层的介电糊是通过使用作为粘结剂的具有110,000-190,000的表观重均分子量的乙基纤维素和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-酯、I-
Figure C200580011650D00062
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂来制备的情况，有可能制备出具有适合于印刷的粘度的介电糊并且以所需方式将介电糊的粘结剂溶解在溶剂中，并且甚至当介电糊被印刷在陶瓷生片上由此形成间隔层时，在陶瓷生片中所含的粘结剂不溶于在介电糊中所含的溶剂中，并因此有可能可靠地防止陶瓷生片发生溶胀或部分地溶解而在该陶瓷生片和间隔层之间的界面上产生空隙或在间隔层的表面上产生裂缝或皱纹，并且因此可能有效地防止在多层陶瓷电子元件如多层陶瓷电容器中产生空隙。
本发明以这些发现为基础，因此，本发明的目的能够通过含有作为粘结剂的具有110,000到190,000的表观重均分子量的乙基纤维素和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00063
酯、I-
Figure C200580011650D00064
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂的用于间隔层的介电糊来实现。
在本发明中，用于间隔层的介电糊是通过将介电材料(陶瓷粉末)与由具有110,000到190,000的表观重均分子量的乙基纤维素溶于有机溶剂中所获得的有机媒介物进行捏合来制备的。
介电材料可以选自能够形成复合氧化物或氧化物的各种化合物，如碳酸盐，硝酸盐，氢氧化物，有机金属化合物等和它们的混合物。优选使用具有与在下面所述的陶瓷生片中所含的介电粉末相同的组成的介电粉末。介电材料通常以平均粒径大约0.1μm到约3.0μm的粉末形式使用。
在本发明中，介电糊优选含有具有115,000-180,000的表观重均分子量的乙基纤维素。
在本发明中，有可能混合两种或多种种类的具有不同平均分子量的乙基纤维素以便调节该乙基纤维素的表观重均分子量到110,000-190,000或使用具有110,000-190,000的重均分子量的乙基纤维素以便调节该乙基纤维素的表观重量平均分子量到110,000-190,000。对于通过混合两种或多种种类的具有不同平均分子量的乙基纤维素来调节乙基纤维素的表观重均分子量的情况，例如通过混合具有75,000的重均分子量的乙基纤维素和具有130,000的重均分子量的乙基纤维素或混合具有130,000的重均分子量的乙基纤维素和具有230,000的重均分子量的乙基纤维素能够将乙基纤维素的表观重均分子量能够调节到130,000-190,000。
用于形成间隔层的介电糊优选含有约4重量份到约15重量份，更优选，约4重量份到约10重量份的乙基纤维素和优选含有40重量份到约250重量份，更优选，60重量份到约140重量份，最优选，70重量份到约120重量份的溶剂，相对于100重量份的介电原材料的粉末。
用于形成间隔层的介电糊还含有，除介电原材料的粉末和缩丁醛系树脂之外。
在用于形成间隔层的介电糊中所含的增塑剂没有特别限制，它的举例性实例包括邻苯二甲酸酯，己二酸，磷酸酯，二醇等。在用于形成间隔层的介电糊中所含的增塑剂可以属于或不属于与在下面所述的陶瓷生片中所含的增塑剂相同的增塑剂组。用于形成间隔层的介电糊含有约0重量份到约200重量份(相对于100重量份的乙基纤维素)，优选约10重量份到约100重量份，最优选约20重量份到约70重量份的增塑剂。
在用于形成间隔层的介电糊中所含的防粘剂没有特别限制，它的举例性实例包括链烷烃，蜡，硅油等。用于形成间隔层的介电糊含有优选约0wt％到约100wt％(相对于100重量份的乙基纤维素)，优选约2重量份到约50重量份，更优选约5重量份到约20重量份的防粘剂。
本发明的以上目的也能够通过制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法来实现，该方法包括以下步骤：将含有作为粘结剂的具有110,000到190,000的表观重均分子量的乙基纤维素和作为溶剂的选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00081
酯、I-
Figure C200580011650D00082
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂的用于间隔层的介电糊以预定图案印刷在含有作为粘结剂的丙烯酸系树脂的陶瓷生片上形成电极层的步骤。
根据本发明，有可能制备具有适合于印刷的粘度的介电糊并以所需方式形成间隔层。此外，根据本发明，即使当介电糊被印刷在含有作为粘结剂的缩丁醛系树脂的非常薄的陶瓷生片上形成间隔层时，因为在陶瓷生片中所含的粘结剂不溶于在介电糊中所含的溶剂中，所以有可能可靠地防止陶瓷生片发生溶胀或部分地溶解以致于在该在陶瓷生片和间隔层之间的界面上产生空隙或在间隔层的表面上产生裂缝或皱纹，并因此有可能可靠地防止在多层陶瓷电子元件如多层陶瓷电容器中产生空隙。
在本发明中，介电糊优选含有作为粘结剂的具有115,000-180,000的表观重均分子量的乙基纤维素。
这里，乙基纤维素的表观重均分子量可通过混合两种或多种种类的具有不同重均分子量的乙基纤维素被调节到115,000-180,000或通过使用具有115,000到180,000的重均分子量的乙基纤维素被调节到115,000-180,000。
在本发明中，作为粘结剂在陶瓷生片中所含的缩丁醛系树脂的聚合度优选等于或大于1000。
在本发明中，作为粘结剂在陶瓷生片中所含的缩丁醛系树脂的缩丁醛化程度优选等于或大于64mol％和等于或小于78mol％。
在本发明的优选方面，在形成间隔层之前或在形成和干燥间隔层之后，含有下述粘结剂和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00083
酯、I-酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂的导电糊按照与间隔层的图案互补的图案被印刷在陶瓷生片上，由此形成电极层，该粘结剂含有按照X:(1-X)的重量比的重均分子量MWL的乙基纤维素和重均分子量MWH的乙基纤维素，其中MWL、MWH和X进行选择以使X*MWL+(1-X)*MWH落在155,000-205,000范围内。
因为普遍作为用于形成电极层的导电糊的溶剂的萜品醇和煤油，二氢萜品醇，萜品醇或类似物的混合溶剂溶解作为粘结剂在陶瓷生片中所含的丙烯酸系树脂，当导电糊被印刷在含有作为粘结剂的丙烯酸系树脂的陶瓷生片上形成电极层时，在陶瓷生片中所含的粘结剂被在导电糊中所含的溶剂溶解，因此在陶瓷生片中产生针孔或裂纹。然而，根据本发明的这一优选方面，因为用于形成电极层的导电糊含有粘结剂(该粘结剂含有按照X:(1-X)的重量比的重均分子量MWL的乙基纤维素和重均分子量MWH的乙基纤维素，其中MWL、MWH和X进行选择以使X*MWL+(1-X)*MWH落在155,000-205,000范围内)和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00091
酯、I-
Figure C200580011650D00092
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂，并且选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00093
酯、I-
Figure C200580011650D00094
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的溶剂几乎不溶解作为粘结剂在陶瓷生片中所含的缩丁醛系树脂，即使当导电糊被印刷在含有丙烯酸系树脂的非常薄的陶瓷生片上形成电极层时，在陶瓷生片中所含的粘结剂仍不被在导电糊中所含的溶剂溶解并且陶瓷生片没有溶胀或部分地溶解。因此，甚至对于陶瓷生片非常薄的情况，仍有可能可靠地防止在陶瓷生片中产生针孔和裂。
另外，因为含有下述粘结剂和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00095
酯、I-
Figure C200580011650D00096
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂的导电糊具有适合于印刷的粘度，所以可以通过按照与间隔层的图案互补的图案将导电糊印刷在陶瓷生片上来以所需方式在陶瓷生片上形成电极层，其中该粘结剂含有按照X:(1-X)的重量比的重均分子量MWL的乙基纤维素和重均分子量MWH的乙基纤维素，其中MWL、MWH和X进行选择以使X*MWL+(1-X)*MWH落在155,000-205,000范围内。
此外，在由本发明人所进行的研究中发现，当将用于电极层的导电糊印刷在非常薄的陶瓷生片上形成电极层并将用于间隔层的介电糊印刷在非常薄的陶瓷生片上形成间隔层时，在用于形成电极层的导电糊中所含的溶剂和在用于形成间隔层的介电糊中所含的溶剂会溶解或溶胀在陶瓷生片中所含的粘结剂组分，和另一方面，导电糊和介电糊渗透到陶瓷生片中由此引起短路破坏，所以，优选的是与陶瓷生片分开地在载体片材上形成电极层和间隔层并在干燥它们之后经由粘合剂层将它们粘结于陶瓷生片的表面上。然而，当以这一方式与陶瓷生片分开地在载体片材上形成电极层和间隔层时，为了制造容易从电极层和间隔层上剥离的载体片材，优选的是在载体片材上形成含有与在陶瓷生片中所含的粘结剂相同的粘结剂的防粘层，然后将导电糊和介电糊印刷在防粘层上，由此形成电极层和间隔层。甚至对于将介电糊印刷在含有与在陶瓷生片中所含的粘结剂相同的粘结剂的防粘层上形成间隔层的情况，当防粘层含有作为粘结剂的丙烯酸系树脂且介电糊含有作为溶剂的萜品醇时，在防粘层中所含的粘结剂被在介电糊中所含的溶剂溶解使得防粘层溶胀或部分地溶解，由此在防粘层和间隔层之间的界面产生空隙或在间隔层的表面上产生裂缝或皱纹。结果，对于通过将多个多层单元进行层压制造层压体和烘烤该层压体来制造多层陶瓷电容器的情况，在多层陶瓷电容器中产生空隙。此外，对于在间隔层的表面上产生裂缝或皱纹的情况，因为间隔层的产生裂缝或皱纹的部分倾向于脱落，当多个多层单元进行层压制造层压体时，间隔层的产生裂缝或皱纹的部分作为外来物质混入到层压体中，由此在多层陶瓷电容器中引起内部缺陷和在间隔层消失的部分中产生空隙。
然而，根据本发明，因为用于形成间隔层的介电糊含有作为粘结剂的具有110,000到190,000的表观重均分子量的乙基纤维素和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00101
酯、I-
Figure C200580011650D00102
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂并且选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-酯、I-
Figure C200580011650D00104
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的溶剂几乎不溶解作为粘结剂在陶瓷生片中所含的缩丁醛系树脂，因此，甚至对于形成含有与在陶瓷生片中所含的粘结剂相同的粘结剂的防粘层和将介电糊印刷在防粘层上形成间隔层的情况，仍有可能可靠地防止防粘层发生溶胀或部分地溶解而在防粘层和间隔层之间的界面上产生空隙或在间隔层的表面上产生裂缝或皱纹并且因此可能有效地防止在多层陶瓷电子元件如多层陶瓷电容器中产生缺陷。
本发明的技术优点
根据本发明，有可能提供不溶解在与多层陶瓷电子元件的间隔层相邻的层中所含的粘结剂中的并且能够可靠地防止在多层陶瓷电子元件中产生缺陷的多层陶瓷电子元件的间隔层的介电糊。
此外，根据本发明，有可能提供制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法，它能够可靠地防止在多层陶瓷电子元件中产生缺陷并以所需方式形成间隔层。
优选实施方案的叙述
在本发明的优选实施方案中，首先制备含有作为粘结剂的缩丁醛系树脂的用于陶瓷生片的介电糊并使用挤出涂布器或绕线棒涂布器施涂于长的载体片上，由此形成涂层。
用于形成陶瓷生片的介电糊通常可通过将介电材料(陶瓷粉末)与将缩丁醛系树脂溶于有机溶剂中所获得的有机媒介物进行捏合来制备的。
缩丁醛系树脂的聚合度优选等于或大于1000。
此外，缩丁醛系树脂的缩丁醛化程度优选等于或大于64mol％和等于或小于78mol％。
用于制备有机媒介物的有机溶剂没有特别限制，诸如萜品醇，丁基卡必醇，丙酮，甲苯，乙酸乙酯等之类的有机溶剂能够用于制备该有机媒介物。
介电材料可以选自能够形成复合氧化物或氧化物的各种化合物，如碳酸盐，硝酸盐，氢氧化物，有机金属化合物等和它们的混合物。介电材料通常以平均粒径大约0.1μm到约3.0μm的粉末形式使用。介电原材料的粒径优选小于陶瓷生片的厚度。
在介电糊中所含的各成分的量没有特别限制，可以制备介电糊使之含有例如100重量份的介电材料，约2.5重量份到约10重量份的缩丁醛系树脂和约50重量份到约300重量份的溶剂。
遇必要时，介电糊可以含有选自各种分散剂，增塑剂，抗静电助剂，防粘剂，润湿剂等等中的添加剂。对于将这些添加剂添加到介电糊中的情况，优选将总含量设定为等于或低于20wt％。
作为涂有介电糊的载体片材，例如使用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，且载体片材的表面可以用硅树酯，醇酸树脂或类似物涂敷以改进它的可剥离性。
涂层然后在约50℃到约100℃的温度下干燥约1分钟到约20分钟，由此在载体片材上形成了陶瓷生片。
在本发明中，在干燥之后陶瓷生片的厚度优选等于或小于3μm和更优选等于或小于1.5μm。
接着，用于形成电极层的导电糊通过使用丝网印刷机、凹版印刷机等等以预定图案印刷在已在长载体片材上形成的陶瓷生片上。
优选形成具有约0.1μm到约5μm的干燥厚度的电极层，和更优选形成具有约0.1μm到约1.5μm的干燥厚度的电极层。
可用于形成电极层的导电糊是通过将含有各种导电性金属或合金中的任何一种、各种氧化物(它们将在烘烤之后形成含有各种导电性金属或合金中的任何一种的导电性材料)中的任何一种的导电材料，有机金属化合物，树脂酸盐或类似物，和一种由缩丁醛系树脂溶于有机溶剂中所制备的有机媒介物进行捏合来制备的。
在本发明的这一优选实施方案中，导电糊含有粘结剂(该粘结剂含有按照X:(1-X)的重量比的重均分子量MWL的乙基纤维素和重均分子量MWH的乙基纤维素，其中对MWL、MWH和X进行选择以使X*MWL+(1-X)*MWH落在155,000-205,000范围内)和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00121
酯、I-
Figure C200580011650D00122
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂，
因为选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-酯、I-
Figure C200580011650D00132
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的溶剂几乎不溶解作为粘结剂在陶瓷生片中所含的缩丁醛系树脂，所以甚至对于将导电糊印刷在非常薄的陶瓷生片上而形成电极层的情况，仍有可能有效地防止在陶瓷生片中所含的粘结剂被在导电糊中所含的溶剂溶解而使陶瓷生片溶胀或部分地溶解。因此甚至当陶瓷生片非常薄时，仍有可能可靠地防止在陶瓷生片中针孔和裂纹的产生。
此外，因为含有下述粘结剂和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00133
酯、I-
Figure C200580011650D00134
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂的导电糊具有适合于印刷的粘度，有可能使用丝网印刷机、凹版印刷机等将导电糊按照所需方式以预定图案印刷在陶瓷生片上形成电极层，该粘结剂含有按照X:(1-X)的重量比的重均分子量MWL的乙基纤维素和重均分子量MWH的乙基纤维素，其中对MWL、MWH和X进行选择以使X*MWL+(1-X)*MWH落在155,000-205,000范围内。
作为用于制备导电糊的导电性材料，优选使用Ni，Ni合金或它们的混合物。导电性材料的形状没有特别限制。导电性材料粒子可具有球形或鳞片状形状，或该导电性材料可以含有球形导电材料粒子和鳞片状导电材料粒子。导电材料的平均粒径没有特别限制，但通常具有约0.1μm到约2μm的平均粒径的导电材料用于制备电极糊并且优选具有约0.2μm到约1μm的平均粒径的导电材料用于制备电极糊。
导电糊优选含有约2.5重量份到约20重量的粘结剂，相对于100重量份的导电材料。
溶剂的含量优选是约40wt％到约60wt％，相对于导电糊的重量。
为了改进粘合性能，该导电糊优选含有增塑剂。在导电糊中所含的增塑剂没有特别限制，它的举例性实例包括邻苯二甲酸酯，己二酸，磷酸酯，二醇等。导电糊含有优选约10wt％到约300wt(相对于100重量份的粘结剂)，更优选约10重量份到约200重量份的增塑剂。对于被添加到导电糊中的增塑剂的量太大的情况，电极层的强度倾向于显著地低。
遇必要时，导电糊可以含有选自各种分散剂辅助成分化合物和类似物中的添加剂。
在本发明中，优选在形成电极层之前或在形成电极层并干燥它之后，适合于形成间隔层和含有作为粘结剂的具有110,000到190,000的表观重均分子量的乙基纤维素和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00141
酯、I-
Figure C200580011650D00142
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂的一种介电糊通过使用丝网印刷机、凹版印刷机等按照与电极层的图案互补的图案被印刷在陶瓷生片的表面上，由此形成间隔层。
对于以这一方式按照与电极层的图案互补的图案在陶瓷生片的表面上形成间隔层的情况，有可能防止在电极层的表面和没有形成电极层的陶瓷生片的表面之间形成台阶。因此，甚至当将各自包括陶瓷生片和电极层的多个多层单元进行层压并制造多层电子元件如多层陶瓷电容器时，仍有可能有效地防止所制造的多层电子元件发生变形，还有效地防止这些层发生层离。
此外，如上所述，因为选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00143
酯、I-
Figure C200580011650D00144
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的溶剂几乎不溶解在陶瓷生片中所含的作为粘结剂的缩丁醛系树脂，所以有可能可靠地防止陶瓷生片发生溶胀或部分地溶解而在该在陶瓷生片和间隔层之间的界面上产生空隙或在间隔层的表面上产生裂缝或皱纹。
另外，因为含有粘结剂(它含有作为粘结剂的具有110,000到190,000的表观重均分子量的乙基纤维素)和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00145
酯、I-
Figure C200580011650D00146
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂的介电糊具有适合于印刷的粘度，所以能够通过使用丝网印刷机、凹版印刷机等按照与电极层的图案互补的图案以所需方式在陶瓷生片上形成间隔层。
介电糊优选含有作为粘结剂的具有115,000-180,000的表观重均分子量的乙基纤维素。
在这一实施方案中，按照与用于形成陶瓷生片的介电糊类似的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是使用不同的粘结剂和溶剂。
然后，对电极层或电极层和间隔层进行干燥，由此制造出包括陶瓷生片和电极层的或包括被层压在载体片材上的电极层和间隔层的多层单元。
当需要制造多层陶瓷电容器时，载体片材从多层单元的陶瓷生片上剥离并且多层单元被裁切成预定尺寸。然后，将预定数量的多层单元层压在多层陶瓷电容器的外层上，并且多层陶瓷电容器的另一个外层进一步层压在多层单元上，由此制造层压体。接着，所获得的层压体进行压制模塑并裁切成预定尺寸，由此制造出陶瓷生芯片。
将所制造的陶瓷生芯片放置于还原性气氛中，以使粘结剂从其上面被除去并对该陶瓷生芯片进行烘烤。
必需的外部电极然后被附着于所烘烤的陶瓷生芯片上，由此制造多层陶瓷电容器。
根据这一实施方案，因为按照与电极层的图案互补的图案在陶瓷生片的表面上形成间隔层，有可能防止在电极层的表面和没有形成电极层的陶瓷生片的表面之间形成台阶。因此，甚至当将各自包括陶瓷生片和电极层的多个多层单元进行层压并制造多层电子元件如多层陶瓷电容器时，仍有可能有效地防止所制造的多层电子元件发生变形，还有效地防止这些层发生层离。
此外，根据这一实施方案，通过按照与电极层的图案互补的图案将含有作为粘结剂的具有110,000到190,000的表观重均分子量的乙基纤维素和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00151
酯、I-
Figure C200580011650D00152
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂的介电糊印刷在含有作为粘结剂的缩丁醛系树脂的陶瓷生片上而形成间隔层，并且选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00161
酯、I-
Figure C200580011650D00162
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的溶剂几乎不溶解作为粘结剂在陶瓷生片中所含的缩丁醛系树脂。因此，甚至对于将介电糊印刷在非常薄的陶瓷生片上而形成间隔层的情况，仍有可能可靠地防止在陶瓷生片中所含的粘结剂被在介电糊中所含的溶剂所溶解和防止陶瓷生片被溶胀或部分地溶解，而因此在陶瓷生片和间隔层之间的界面产生空隙或在间隔层的表面上产生裂缝或皱纹。因此，对于通过将各自包括陶瓷生片和电极层的多个多层单元进行层压制造多层陶瓷电容器的情况，有可能可靠地防止在多层陶瓷电容器中产生空隙，还有可能可靠地防止间隔层的产生裂缝或皱纹的部分在多个多层单元进行层压制造层压体的过程中发生脱落并作为外来物质混入到层压体中而在多层陶瓷电容器中引起内部缺陷。
此外，根据这一实施方案，因为通过将含有粘结剂(该粘结剂含有按照X:(1-X)的重量比的重均分子量MWL的乙基纤维素和重均分子量MWH的乙基纤维素，其中对MWL、MWH和X进行选择以使X*MWL+(1-X)*MWH落在155,000-205,000范围内)和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00163
酯、I-
Figure C200580011650D00164
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂的导电糊以预定图案印刷在含有作为粘结剂的缩丁醛系树脂的陶瓷生片上而形成电极层，并且选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00165
酯、I-
Figure C200580011650D00166
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的溶剂几乎不溶解作为粘结剂在陶瓷生片中所含的缩丁醛系树脂。因此，甚至对于将导电糊印刷在非常薄的陶瓷生片上而形成电极层的情况，仍有可能可靠地防止在陶瓷生片中所含的粘结剂被在导电糊中所含的溶剂溶解以及陶瓷生片发生溶胀或部分地溶解。因此，甚至对于陶瓷生片是非常薄的情况，仍有可能有效地防止在陶瓷生片中针孔或裂纹的产生，并因此可能有效地防止在通过层压多个多层单元所制造的多层陶瓷电容器中发生短路破坏。
在本发明的另一个优选实施方案中，与用于形成陶瓷生片的长载体片材分开地提供第二载体片材，该长的第二载体片材通过使用绕线棒涂布器或类似装置用含有介电材料的颗粒的介电糊进行涂敷，由此形成涂层并对该涂层进行干燥形成防粘层，所述介电材料基本上具有与在陶瓷生片中所含的介电材料的组成相同的组成和与在陶瓷生片中所含的粘结剂相同的粘结剂。
作为第二载体片，例如使用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，且第二载体片的表面可用硅树酯，醇酸树脂或类似物涂敷从而改进它的可剥离性。
防粘层的厚度优选等于或小于电极层的厚度，更优选等于或小于电极层厚度的约60％和最优选等于或小于电极层厚度的约30％。
在防粘层已经干燥后，按上述方式制备的用于电极层的导电糊通过使用丝网印刷机、凹版印刷机等按照预定图案印刷在防粘层的表面上，由此形成电极层。
优选形成具有约0.1μm到约5μm的厚度的电极层，和更优选形成具有约0.1μm到约1.5μm的厚度的电极层。
在这一实施方案中，导电糊含有粘结剂(该粘结剂含有按照X:(1-X)的重量比的重均分子量MWL的乙基纤维素和重均分子量MWH的乙基纤维素，其中对MWL、MWH和X进行选择以使X*MWL+(1-X)*MWH落在155,000-205,000范围内)和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00171
酯、I-
Figure C200580011650D00172
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂。
因为选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00173
酯、I-
Figure C200580011650D00174
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的溶剂几乎不溶解作为粘结剂在陶瓷生片中所含的缩丁醛系树脂，所以甚至对于形成一种含有与陶瓷生片的粘结剂相同的粘结剂的防粘层和将导电糊印刷在防粘层上形成电极层的情况，仍有可能有效地防止防粘层发生溶胀或部分地溶解而在防粘层与电极层之间的界面上产生空隙或在电极层表面上产生裂缝或皱纹。
另外，因为含有下述粘结剂和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00181
酯、I-
Figure C200580011650D00182
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂的导电糊具有适合于印刷的粘度，所以通过使用丝网印刷机、凹版印刷机等等以预定图案按照所需方式在陶瓷生片上形成电极层，该粘结剂含有按照X:(1-X)的重量比的重均分子量MWL的乙基纤维素和重均分子量MWH的乙基纤维素，其中对MWL、MWH和X进行选择以使X*MWL+(1-X)*MWH落在155,000-205,000范围内。
在本发明中，优选在形成电极层之前或在形成电极层并干燥它之后，含有粘结剂(该粘结剂含有作为粘结剂的具有110,000到190,000的表观重均分子量的乙基纤维素)和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00183
酯、I-酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂的并且按照上述方法制备的一种介电糊通过使用丝网印刷机、凹版印刷机等按照与电极层的图案互补的图案被印刷在防粘层的表面上，由此形成间隔层。
对于以这一方式按照与电极层的图案互补的图案在防粘层的表面上形成间隔层的情况，有可能防止在电极层的表面和没有形成电极层的防粘层的表面之间形成台阶。因此，甚至当将各自包括陶瓷生片和电极层的多个多层单元进行层压并制造多层电子元件如多层陶瓷电容器时，仍有可能有效地防止所制造的多层电子元件发生变形和还有效地防止这些层发生层离。
此外，如上所述，因为选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00185
酯、I-酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的溶剂几乎不溶解作为粘结剂的在陶瓷生片中所含的缩丁醛系树脂，所以甚至对于形成一种含有与陶瓷生片的粘结剂相同的粘结剂的防粘层和将介电糊印刷在防粘层上形成间隔层的情况，仍有可能有效地防止防粘层发生溶胀或部分地溶解而在防粘层与间隔层之间的界面上产生空隙或在间隔层的表面上产生裂缝或皱纹。
另外，因为含有粘结剂(它含有作为粘结剂的具有110,000到190,000的表观重均分子量的乙基纤维素)和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00191
酯、I-
Figure C200580011650D00192
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂的介电糊具有适合于印刷的粘度，所以能够通过使用丝网印刷机、凹版印刷机等按照与电极层的图案互补的图案以所需方式在防粘层的表面上形成间隔层。
此外，提供了长的第三载体片，第三载体片的表面通过使用刮棒涂布机，挤出涂布器，逆向涂布器，浸渍涂布器，吻式涂布器或类似装置用粘合剂溶液涂敷，然后涂层进行干燥，由此形成粘合剂层。
粘合剂溶液优选含有：属于与在陶瓷生片中所含的粘结剂所属的组相同的组之中的粘结剂，基本上具有与在陶瓷生片中所含的介电粒子的组成相同的组成的介电材料的颗粒，增塑剂，抗静电剂和脱模剂。
优选形成厚度薄于约0.3μm的粘合剂层，更优选形成具有约0.02μm-约0.3μm的厚度的粘合剂层，特别优选形成具有约0.02μm-约0.2μm的厚度的粘合剂层。
以这一方式将在长的第三载体片上形成的粘合剂层粘结于电极层的表面上或在长的第二载体片上形成的电极层和间隔层的表面上或在该载体片材上形成的陶瓷生片的表面上，然后第三载体片从粘合剂层上剥离，由此粘合剂层被转移到电极层的表面上或电极层和间隔层的表面上或陶瓷生片的表面上。
对于粘合剂层被转移到电极层的表面上或电极层和间隔层的表面上的情况，在长的载体片上形成的陶瓷生片粘结于粘合剂层上并且第一载体片从陶瓷生片上剥离以使陶瓷生片转移到粘合剂层的表面上，由此制造出包括陶瓷生片和电极层或电极层和间隔层的多层单元。
粘合剂层按照与将粘合剂层转移到电极层的表面上或电极层和间隔层的表面上的方式相类似的方式被转移到所制造的多层单元的陶瓷生片的表面上，并且将包括被转移到其表面上的粘合剂层的多层单元被裁切成预定尺寸。
类似地，制造了预定数量的各自包括被转移到其表面上的粘合剂层的一些多层单元，并对该预定数量的多层单元进行层压，由此制造多层模块。
当需要制造多层模块时，多层单元首先以下述方式放置在由聚对苯二甲酸乙二醇酯或类似物形成的载体上使得转移到多层单元的表面上的粘合剂层与载体接触，并且对多层单元由加压处理机或类似装置进行加压处理，由此多层单元经由粘合剂层粘结于载体上。
然后，第二载体片从防粘层上剥离和多层单元层压到载体上。
然后，新的多层单元以下述方式放置在已层压在载体上的多层单元的防粘层表面上使得在新的多层单元上形成的粘合剂层与防粘层的表面接触以及多层单元使用加压处理机或类似装置进行加压处理，由此，将新的多层单元层经由粘合剂层层压在已层压在载体上的多层单元的防粘层的表面上。然后，第二载体片从新的多层单元的防粘层上剥离。
重复类似的过程，由此制造出包括预定数量的已层压多层单元的多层模块。
另一方面，对于粘合剂层转移到陶瓷生片的表面上的情况，在第二载体片上形成的电极层或电极层和间隔层粘结于粘合剂层上，然后将第二载体片从防粘层上剥离，电极层或电极层和间隔层和防粘层转移到粘合剂层的表面上。这样，制造出包括陶瓷生片和电极层的多层单元。
将粘合剂层按照与将粘合剂层转移到陶瓷生片的表面上的方式相类似的方式转移到所获得的多层单元的防粘层的表面上，并将包括被转移到其表面上的粘合剂层的多层单元裁切成预定尺寸。
类似地，制造了预定数量的各自包括被转移到其表面上的粘合剂层的一些多层单元，将该预定数量的多层单元进行层压，由此制造多层模块。
当需要制造多层模块时，多层单元首先以下述方式放置在由聚对苯二甲酸乙二醇酯或类似物形成的载体上使得转移到多层单元的表面上的粘合剂层与载体接触，并对多层单元由加压处理机或类似装置进行加压处理，由此多层单元经由粘合剂层粘结于载体上。
然后，载体片材从陶瓷生片上剥离并将多层单元层压到载体上。
然后，新的多层单元以下述方式放置在已层压在载体上的多层单元的陶瓷生片表面上使得在新的多层单元上形成的粘合剂层与陶瓷生片的表面接触，并对多层单元使用加压处理机或类似装置进行加压处理，由此，新的多层单元层经由粘合剂层被层压在已层压在载体上的多层单元的陶瓷生片的表面上。然后，将载体片材从新的多层单元的防粘层上剥离。
重复类似的过程，由此制造出包括预定数量的已层压多层单元的多层模块。
将包括预定数量的已层压的多层单元的所制造多层模块层压在多层陶瓷电容器的外层上，并将多层陶瓷电容器的另一个外层进一步层压在多层模块上，由此制造层压体。接着，所获得的层压体进行压制模塑并裁切成预定尺寸，由此制造出许多的陶瓷生芯片。
将所制造的陶瓷生芯片放置于还原性气氛中，以使粘结剂从其上面被除去，并对该陶瓷生芯片进行烘烤。
必需的外部电极然后被附着于所烘烤的陶瓷生芯片上，由此制造多层陶瓷电容器。
根据这一优选实施方案，因为在第二载体片上形成的电极层和间隔层进行干燥，并然后经由粘合剂层粘结于陶瓷生片的表面上，所以与在陶瓷生片表面上印刷导电糊形成电极层和在陶瓷生片表面上印刷介电糊形成间隔层的情况不同，有可能防止导电糊和介电糊渗透到陶瓷生片中并因此有可能按照所需方式将电极层和间隔层层压到陶瓷生片表面上。
此外，根据这一优选实施方案，通过使用含有粘结剂(它含有作为粘结剂的具有110,000到190,000的表观重均分子量的乙基纤维素)和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00221
酯、I-
Figure C200580011650D00222
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂的介电糊来形成间隔层，并且选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00223
酯、I-
Figure C200580011650D00224
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的溶剂几乎不溶解作为粘结剂在陶瓷生片中所含的缩丁醛系树脂。结果，甚至对于形成含有与在陶瓷生片中所含的粘结剂相同的粘结剂的防粘层和将介电糊印刷在防粘层的表面上因此形成间隔层的情况，仍有可能有效地防止防粘层发生溶胀或部分地溶解而在防粘层和间隔层之间的界面上产生空隙或在间隔层的表面上产生裂缝或皱纹。因此，对于通过将各自包括陶瓷生片和电极层的多个多层单元进行层压制造多层陶瓷电容器的情况，有可能可靠地防止在多层陶瓷电容器中产生空隙，还有可能可靠地防止间隔层的产生裂缝或皱纹的部分在多个多层单元进行层压制造层压体的过程中发生脱落并作为外来物质混入到层压体中而在多层陶瓷电容器中引起内部缺陷。
此外，根据这一优选实施方案，通过使用含有粘结剂(它含有按照X:(1-X)的重量比的重均分子量MWL的乙基纤维素和重均分子量MWH的乙基纤维素，其中对MWL、MWH和X进行选择以使X*MWL+(1-X)*MWH落在155,000-205,000范围内)和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00225
酯、I-
Figure C200580011650D00226
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂的导电糊来形成电极层，并且选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-酯、I-
Figure C200580011650D00228
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的溶剂几乎不溶解作为粘结剂在陶瓷生片中所含的缩丁醛系树脂。结果，甚至对于形成含有与在陶瓷生片中所含的粘结剂相同的粘结剂的防粘层和将导电糊印刷在防粘层上而形成电极层的情况，仍有可能有效地防止防粘层发生溶胀或部分地溶解而在防粘层中产生针孔或裂纹或有效地防止在多层陶瓷电容器中产生缺陷。
而且，根据这一优选实施方案，因为有可能防止防粘层发生溶胀或部分地溶解，由此改变在防粘层与电极层之间和间隔层或防粘层与电极层之间的防粘强度，所以有可能有效地防止当制造多层单元时产生缺陷。
在另一个优选实施方案中，对于粘合剂层转移到电极层的表面上或电极层和间隔层的表面上的情况，粘合剂层转移到通过将防粘层、电极层或电极层和间隔层、粘合剂层和陶瓷生片层压到长的第二载体片上所制造的多层单元(且不裁切该多层单元)的陶瓷生片的表面上，然后由陶瓷生片、粘合剂层、电极层或电极层和间隔层、和防粘层层压在长的载体片上所制造的另一个多层单元的防粘层粘结于粘合剂层上并将该载体片材从陶瓷生片上剥离，由此两个多层单元层压在长的第二载体片上。
然后，在第三载体片上形成的粘合剂层转移到位于已层压的两个多层单元的表面的侧边上的陶瓷生片上，并且由陶瓷生片，粘合剂层、电极层或电极层和间隔层、和防粘层层压在长的载体片所制造的另一个多层单元的防粘层粘结于粘合剂层上并将载体片材从防粘层上剥离。
重复类似的过程，由此制造出包括预定数量的已层压多层单元的多层单元组。此外，在第三载体片上形成的粘合剂层转移到位于多层单元组的表面的侧边上的陶瓷生片的表面上而制造出层压体，然后将层压体裁切成预定尺寸而制造出多层模块。
另一方面，对于粘合剂层转移到陶瓷生片的表面上的情况，粘合剂层转移到通过将陶瓷生片、粘合剂层、电极层或电极层和间隔层、和防粘层层压到长的载体片上所制造的多层单元(且不裁切该多层单元)的防粘层的表面上，然后由防粘层、电极层或电极层和间隔层、粘合剂层和陶瓷生片层压在长的第二载体片上所制造的另一个多层单元的陶瓷生片粘结于粘合剂层上并将第二载体片从防粘层上剥离，由此两个多层单元层压在长的第二载体片上。
然后，在第三载体片上形成的粘合剂层转移到位于已层压的两个多层单元的表面的侧边上的防粘层上，并且由防粘层，电极层或电极层和间隔层、粘合剂层和陶瓷生片层压在长的第二载体片上所制造的多层单元的陶瓷生片进一步层压在粘合剂层上。然后，将第二载体片从防粘层上剥离。
重复类似的过程，由此制造出包括预定数量的已层压多层单元的多层单元组。此外，在第三载体片上形成的粘合剂层转移到位于多层单元组的表面的侧边上的防粘层的表面上而制造出层压体，然后将层压体裁切成预定尺寸而制造出多层模块。
按照前面的优选实施方案的方式，使用所制造的多层模块来制造多层陶瓷电容器。
根据这一优选实施方案，因为这些多层单元相继层压在长的第二载体片或载体片上而制造包括预定数量的多层单元的多层单元组并将多层单元组裁切成预定尺寸而制造出多层模块，所以，与通过层压多个多层单元(每一个已裁切成预定尺寸)制造多层模块的情况相比，有可能显著地改进多层模块的制造效率。
在本发明的再一个优选实施方案中，对于粘合剂层转移到电极层的表面上或电极层和间隔层的表面上的情况，粘合剂层转移到通过将防粘层、电极层或电极层和间隔层、粘合剂层和陶瓷生片层压到长的第二载体片上所制造的多层单元(且不裁切该多层单元)的陶瓷生片的表面上，在第二载体片上形成的电极层或电极层和间隔层粘结于粘合剂层上并将第二载体片从防粘层上剥离，由此电极层和间隔层、和防粘层转移到粘合剂层的表面上。
然后，在第三载体片上形成的粘合剂层转移到已转移到粘合剂层上的防粘层的表面上，在载体片材上形成的陶瓷生片粘结到粘合剂层上并将载体片材从陶瓷生片上剥离，由此陶瓷生片转移到粘合剂层的表面上。
此外，在第三载体片上形成的粘合剂层转移到已转移到粘合剂层表面上的陶瓷生片的表面上，在第二载体片上形成的电极层或电极层和间隔层粘结到粘合剂层上并将第二载体片从防粘层上剥离，由此电极层或电极层和间隔层，和防粘层转移到粘合剂层的表面上。
重复类似的过程，由此制造出包括预定数量的已层压多层单元的多层单元组。此外，在第三载体片上形成的粘合剂层转移到位于多层单元组的表面的侧边上的陶瓷生片的表面上而制造出层压体，然后将层压体裁切成预定尺寸而制造出多层模块。
另一方面，对于粘合剂层转移到陶瓷生片的表面上的情况，粘合剂层转移到通过将陶瓷生片、粘合剂层、电极层或电极层和间隔层、和防粘层层压到长的载体片上所制造的多层单元(且不裁切该多层单元)的防粘层的表面上，载体片材的陶瓷生片粘结于粘合剂层上并将载体片材从陶瓷生片上剥离，由此陶瓷生片转移到粘合剂层上。
此外，在第三载体片上形成的粘合剂层转移到已转移到粘合剂层上的陶瓷生片上，以及在第二载体片上形成的电极层或电极层和间隔层粘结于粘合剂层上。然后，将第二载体片从防粘层上剥离，由此，电极层或电极层和间隔层、和防粘层转移到粘合剂层的表面上。
此外，在第三载体片上形成的粘合剂层转移到已转移到粘合剂层上的防粘层上以及在载体片材上形成的陶瓷生片粘结于粘合剂层上。然后，将载体片材从陶瓷生片上剥离，由此陶瓷生片转移到粘合剂层的表面上。
重复类似的过程，由此制造出包括预定数量的已层压多层单元的多层单元组。此外，粘合剂层转移到位于多层单元组的表面的侧边上的防粘层的表面上而制造出层压体，然后将层压体裁切成预定尺寸而制造出多层模块。
按照前面的实施方案的方式，使用所制造的多层模块来制造多层陶瓷生片。
根据这一优选实施方案，重复了粘合剂层的转移，电极层或电极层和间隔层和防粘层的转移，粘合剂层的转移以及陶瓷生片的转移到长的第二载体片或载体片上的操作，由此相继层压了多个多层单元以制造出包括预定数量的多层单元的多层单元组，然后将多层单元组裁切成预定尺寸而制造出多层模块。这样，与通过层压多个多层单元(每一个已裁切成预定尺寸)制造多层模块的情况相比，有可能显著地改进多层模块的制造效率。
工作实施例
以下给出工作实施例和对比实施例，以进一步阐明本发明的优点。
工作实施例1
用于形成陶瓷生片的介电糊的制备
1.48重量份的(BaCa)SiO3，1.01重量份的Y2O3，0.72重量份的MgCO3，0.13重量份的MnO和0.045重量份的V2O5进行混合，由此制备添加剂粉末。
将72.3重量份的乙醇，72.3重量份的丙醇，25.8重量份的二甲苯和0.93重量份的聚乙二醇体系分散剂添加到100重量份的所制备的添加剂粉末中以制备淤浆，然后粉碎在淤浆中所含的添加剂。
当需要粉碎在淤浆中所含的添加剂时，将11.65克的淤浆和450克的直径2mm的ZrO2珠粒加入到内容积250cc的聚乙烯容器中，然后聚乙烯容器在45m/min的圆周速度下旋转十六个小时，由此粉碎该添加剂粉末以制备添加剂淤浆。
在粉碎之后添加剂的中值粒径是0.1μm。
然后，在50℃下将15重量份的聚合度是1450和缩丁醛化度是69mol％的聚乙烯醇缩丁醛溶解到42.5重量份的乙醇和42.5重量份的丙醇的混合物中，由此制备15％有机媒介物溶液。此外，使用内容积500cc的球磨机将具有以下所列出的组成的淤浆与有机媒介物溶液混合二十个小时，由此制备介电糊。当淤浆将与有机媒介物溶液混合时，将330.1克淤浆和900克的直径2mm的ZrO2珠粒加入到聚乙烯容器中，和聚乙烯容器在45m/min的圆周速度下旋转。
BaTiO3粉末(由SAKAI CHEMICAL INDUSTRY CO.，LTD 100重量份制造的“BT-02”(产物名称)：粒径0.2μm)
添加剂淤浆                   11.65重量份
乙醇                         35.32重量份
丙醇                         35.32重量份
二甲苯                       16.32重量份
邻苯二甲酸苄基丁基酯(增塑剂)         2.61重量份
矿油精                               7.3重量份
聚乙二醇体系分散剂                   2.36重量份
咪唑啉体系抗静电助剂                 0.42重量份
有机媒介物                           33.74重量份
甲基乙基酮                           3.81重量份
2-丁氧基乙基醇                       43.81重量份
作为聚乙二醇体系分散剂，可使用通过用脂族酸将聚乙二醇变性所获得的并且亲水-亲油平衡(HLB)是5-6的分散剂。
陶瓷生片的形成
聚对苯二甲酸乙二醇酯膜通过使用模头涂敷器在50m/分钟的涂敷速度下用所制备的介电糊进行涂敷而形成涂层，所形成的涂层在温度保持于80℃的干燥炉中进行干燥，形成具有1μm厚度的陶瓷生片。
陶瓷生片的形成
聚对苯二甲酸乙二醇酯膜通过使用模头涂敷器在50m/分钟的涂敷速度下用所制备的介电糊进行涂敷而形成涂层，所形成的涂层在温度保持于80℃的干燥炉中进行干燥，形成具有1μm厚度的陶瓷生片。
用于形成电极层的介电糊的制备
1.48重量份的(BaCa)SiO3，1.01重量份的Y2O3，0.72重量份的MgCO3，0.13重量份的MnO和0.045重量份的V2O5进行混合，由此制备添加剂粉末。
将150重量份的丙酮，104.3重量份的乙酸异冰片酯和1.5重量份的聚乙二醇体系分散剂添加到100重量份的所制备的添加剂粉末中以制备淤浆，然后，在淤浆中所含的添加剂通过使用由AshizawaFinetech Co.，Ltd制造的粉碎机“LMZO.6”(产品名称)来粉碎。
当在淤浆中所含的添加剂需要粉碎时，将直径0.1mm的ZrO2珠粒加入到容器中以占据容器的80体积％，转子在14m/min的圆周速度下旋转和淤浆在容器和淤浆罐之间循环直至全部淤浆的保持时间达到5分钟为止，由此粉碎了在淤浆中所含的添加剂。
在粉碎之后添加剂的中值粒径是0.1μm。
然后，丙酮通过使用蒸发器进行蒸发并从淤浆中除去，由此制备了有添加剂分散在乙酸异冰片酯中的添加剂浆料。在添加剂浆料中所含的添加剂的浓度是49.3wt％。
然后，将8重量份的含有按照25:75重量比的具有75,000的重均分子量的乙基纤维素和具有130,000的重均分子量的乙基纤维素的粘结剂在70℃下溶于92重量份的乙酸异冰片酯中，由此制备8％有机媒介物溶液。此外，使用球磨机将具有以下所列出的组成的淤浆在有机媒介物溶液中分散十六小时。设定分散条件以使所加入的直径2.0mm的ZrO2的量是球磨机的30体积％，在球磨机中淤浆的量是60体积％和球磨机的圆周速度是45m/min。
添加剂浆料                                         8.87重量份
BaTiO3粉末(由SAKAI CHEMICAL INDUSTRY CO.，LTD      95.70重量份
制造：粒径0.05μm)
有机媒介物                                         104.36重量份
聚乙二醇体系分散剂                                 1.00重量份
邻苯二甲酸二辛酯(增塑剂)                           2.61重量份
咪唑啉体系表面活性剂                               0.4重量份
丙酮                                               57.20重量份
然后，丙酮通过使用具有蒸发器和加热机构的搅拌装置进行蒸发并从淤浆中除去，由此制备介电糊。
所获得的介电糊的粘度通过使用由HAAKE Co.，Ltd.制造的流变仪，在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量，并且也可以在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是7.99Ps·s和在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是4.24Ps·s。
用于形成电极层的介电糊的制备
1.48重量份的(BaCa)SiO3，1.01重量份的Y2O3，0.72重量份的MgCO3，0.13重量份的MnO和0.045重量份的V2O5进行混合，由此制备添加剂粉末。
将150重量份的丙酮，104.3重量份的乙酸异冰片酯和1.5重量份的聚乙二醇体系分散剂添加到100重量份的所制备的添加剂粉末中以制备淤浆，然后，在淤浆中所含的添加剂通过使用由AshizawaFinetech Co.，Ltd制造的粉碎机“LMZO.6”(产品名称)来粉碎。
当在淤浆中所含的添加剂需要粉碎时，将直径0.1mm的ZrO2珠粒加入到容器中以占据容器的80体积％，转子在14m/min的圆周速度下旋转和淤浆在容器和淤浆罐之间循环直至全部淤浆的保持时间达到5分钟为止，由此粉碎了在淤浆中所含的添加剂。
在粉碎之后添加剂的中值粒径是0.1μm。
然后，丙酮通过使用蒸发器进行蒸发并从淤浆中除去，由此制备了有添加剂分散在萜品醇中的添加剂浆料。在添加剂浆料中所含的添加剂的浓度是49.3wt％。
然后，将8重量份的含有按50:50重量比的具有130,000的重均分子量(MWL)的乙基纤维素和具有230,000的重均分子量(MWH)的乙基纤维素(即，8重量份的具有180,000的表观重均分子量的乙基纤维素，定义为X*MWL+(1-X):*MWH)的粘结剂在70℃下溶于92重量份的乙酸异冰片酯中，由此制备8％有机媒介物溶液。此外，使用球磨机将具有以下所列出的组成的淤浆在有机媒介物溶液中分散十六小时。设定分散条件以使所加入的直径2.0mm的ZrO2的量是球磨机的30体积％，在球磨机中淤浆的量是60体积％和球磨机的圆周速度是45m/min。
由Kawatetsu Industry Co.，Ltd.制造和具有0.2     100重量份
μm的粒径的镍粉
添加剂浆料                                      1.77重量份
由SAKAI CHEMICAL INDUSTRY CO.，LTD制造的        19.14重量份
BaTiO3粉末
有机媒介物                                      56.25重量份
聚乙二醇体系分散剂                              1.19重量份
乙酸异冰片酯              32.19重量份
丙酮                      56重量份
然后，丙酮通过使用具有蒸发器和加热机构的搅拌装置进行蒸发并从淤浆中除去，由此制备导电糊。在导电糊中所含的介电材料的浓度是47wt％。
间隔层的形成
使用丝网印刷机按照预定图案将所制备的介电糊印刷在陶瓷生片的表面上并在90℃下干燥五分钟，由此在陶瓷生片的表面上形成了间隔层。
此外，间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。因此发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
电极层的形成以及多层单元的制造
所制备的导电糊通过使用丝网印刷机按照与间隔层的图案互补的图案被印刷在陶瓷生片上并在90℃下干燥五分钟，由此形成厚度1μm的电极层。这样，制造了包括已层压在聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上的陶瓷生片、电极层和间隔层的多层单元。
此外，电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
陶瓷生芯片的制造
聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的表面通过使用模头涂敷器用按上述方式制备的介电糊进行涂敷而形成涂层，然后干燥涂层，由此形成具有10μm厚度的陶瓷生片。
所形成的陶瓷生片从聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上剥离并裁切。将五个的裁切的陶瓷生片单元进行层压，形成厚度50μm的覆盖层。此外，将多层单元从聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上剥离和裁切，然后将五十个的裁切的多层单元层压在覆盖层上。
然后，将10μm厚度的陶瓷生片从聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上剥离和裁切并将五个的陶瓷生片单元层压在已层压在覆盖层上的多层单元上而制造出层压体，后者包括50μm厚度的下覆盖层，具有100μm厚度的且包括层压的五十个多层单元(各包括1μm厚度的陶瓷生片，1μm厚度的电极层和1μm厚度的间隔层)的活性层，和50μm厚度的上覆盖层。
此外，在70℃下将100MPa的压力施加于所制造的层压体上，由此加压模塑该层压体，然后使用裁切机将层压体裁切成预定尺寸而制造出陶瓷生芯片。
按照与前面类似的方式制造出总共三十个陶瓷生芯片。
陶瓷生芯片的烘烤和它的退火处理
所制造的陶瓷生芯片的每一个在空气氛围中在下列条件下进行处理以除去粘结剂。
温度升高速率：50℃/小时
保温温度：240℃
保持时间：8小时
在除去粘结剂后，该陶瓷生芯片在氮气和氢气的混合气体气氛(它的温度被控制在露点20℃)中在下列条件下进行处理和烘烤。在混合气体中所含的氮气和氢气的含量分别是95体积％和5体积％。
温度升高速率：300℃/小时
保温温度：1200℃
保持时间：2小时
冷却速率：300℃/小时
[0151]所烘烤的陶瓷生芯片在氮气气氛(它的温度被控制到露点20℃)中在下列条件下进行退火处理。
温度升高速率：300℃/小时
保温温度：1000℃
保持时间：3小时
冷却速率：300℃/小时
空隙的观察
已经按照这一方式进行退火处理的陶瓷生芯片嵌入到两种液体可固化型环氧树脂中使侧面暴露于外侧，在两种液体可固化型环氧树脂固化之后，具有3.2mm x 1.6mm尺寸的陶瓷生芯片通过使用#400砂纸，#800砂纸，#1000砂纸和#2000砂纸(按照这一顺序)打磨了1.6mm。
陶瓷生芯片的打磨表面通过使用1μm金刚石研磨膏进行镜面抛光处理，陶瓷生芯片的抛光表面使用光学显微镜在四百放大倍数下观察以检查是否存在任何空隙。
结果，在三十个陶瓷生芯片中的任何一个中没有观察到空隙。
工作实施例2
按照与工作实施例1的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是具有130,000的重均分子量的乙基纤维素用作介电糊的粘结剂并且所制备的导电糊的粘度是在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量并且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是12.8Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是6.45Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，然后所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片，由此制造包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
工作实施例3
按照工作实施例1的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是按照75:25重量比的具有130,000的重均分子量的乙基纤维素和具有230,000的重均分子量的乙基纤维素，即具有155,000的表观重均分子量的乙基纤维素，用作介电糊的粘结剂，并且所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是15.1Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是7.98Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，然后所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片，由此制造包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
工作实施例4
按照工作实施例1的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是按照50:50重量比的具有130,000的重均分子量的乙基纤维素和具有230,000的重均分子量的乙基纤维素，即具有180,000的表观重均分子量的乙基纤维素，用作介电糊的粘结剂，并且所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是19.9Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是10.6Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，然后所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片，由此制造包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
对比实施例1
按照工作实施例1的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是按照50:50重量比的具有75,000的重均分子量的乙基纤维素和具有130,000的重均分子量的乙基纤维素，即具有102,500的表观重均分子量的乙基纤维素，用作介电糊的粘结剂，并且所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是4.61Ps·s并且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是2.89Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上。然而，因为介电糊的粘度太低，间隔层不能形成。
对比实施例2
按照工作实施例1的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是按照25:75重量比的具有130,000的重均分子量的乙基纤维素和具有230,000的重均分子量的乙基纤维素，即具有205,000的表观重均分子量的乙基纤维素，用作介电糊的粘结剂，并且所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是25.4Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是14.6Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上。然而，因为介电糊的粘度太高，丝网印刷版发生阻塞并且无法形成连续的间隔层。
对比实施例3
按照与工作实施例1的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是具有230,000的重均分子量的乙基纤维素用作介电糊的粘结剂并且所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是34.4Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是19.2Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上。然而，因为介电糊的粘度太高，丝网印刷版发生阻塞并且无法形成连续的间隔层。
对比实施例4
按照工作实施例1的方式制备用于形成陶瓷生片的介电糊，不同的是聚合度为800和缩丁醛化度为69mol％的缩丁醛系树脂用作用于形成陶瓷生片的介电糊的粘结剂，由此形成陶瓷生片。
此外，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机按照工作实施例4的方式被印刷在按照工作实施例1的方式所形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
然后，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现在间隔层的表面上产生裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，然后所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片，由此制造包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现在电极层的表面上产生裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在三十个陶瓷生芯片当中的两个陶瓷生芯片中观察到空隙。
工作实施例5
按照工作实施例1的方式制备介电糊，不同的是二氢萜品基甲基醚代替乙酸异冰片酯用作溶剂并且所制备的介电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是7.76Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是4.39Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，不同的是二氢萜品基甲基醚代替乙酸异冰片酯用作溶剂和所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片上，由此制造出包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
工作实施例6
按照与工作实施例5的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是具有130,000的重均分子量的乙基纤维素用作介电糊的粘结剂并且所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是11.4Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是6.05Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，不同的是二氢萜品基甲基醚代替乙酸异冰片酯用作溶剂，并且所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片上，由此制造出包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
工作实施例7
按照工作实施例5的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是按照75∶25重量比的具有130,000的重均分子量的乙基纤维素和具有230,000的重均分子量的乙基纤维素，即具有155,000的表观重均分子量的乙基纤维素，用作介电糊的粘结剂，并且所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是14.9Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是8.77Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，不同的是二氢萜品基甲基醚代替乙酸异冰片酯用作溶剂，并且所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片上，由此制造出包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
工作实施例8
按照工作实施例5的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是按照50:50重量比的具有130,000的重均分子量的乙基纤维素和具有230,000的重均分子量的乙基纤维素，即具有180,000的表观重均分子量的乙基纤维素，用作介电糊的粘结剂，以及所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是19.0Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是11.2Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，不同的是二氢萜品基甲基醚代替乙酸异冰片酯用作溶剂和所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片上，由此制造出包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。这样发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
对比实施例5
按照工作实施例5的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是按照50:50重量比的具有75,000的重均分子量的乙基纤维素和具有130,000的重均分子量的乙基纤维素，即具有102，500的表观重均分子量的乙基纤维素，用作介电糊的粘结剂，并且所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度且50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是4.30Ps·s和在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是3.10Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上。然而，因为介电糊的粘度太低，间隔层不能形成。
对比实施例6
按照工作实施例5的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是按照25:75重量比的具有130,000的重均分子量的乙基纤维素和具有230,000的重均分子量的乙基纤维素，即具有205,000的表观重均分子量的乙基纤维素，用作介电糊的粘结剂，并且所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是23.9Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是14.0Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上。然而，因为介电糊的粘度太高，丝网印刷版发生阻塞并且无法形成连续的间隔层。
对比实施例7
按照与工作实施例5的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是具有230,000的重均分子量的乙基纤维素用作介电糊的粘结剂，并且所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是32.2Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是18.8Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上。然而，因为介电糊的粘度太高，丝网印刷版发生阻塞并且无法形成连续的间隔层。
对比实施例8
按照工作实施例1的方式制备用于形成陶瓷生片的介电糊，不同的是聚合度为800和缩丁醛化度为69mo1％的缩丁醛系树脂用作用于形成陶瓷生片的介电糊的粘结剂，由此形成陶瓷生片。
此外，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机按照工作实施例81的方式被印刷在按照工作实施例1的方式所形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现在间隔层的表面上产生裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，然后所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片，由此制造包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现在电极层的表面上产生裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，每一个陶瓷生芯片的表面进行观察。结果，在三十个陶瓷生芯片当中的两个陶瓷生芯片中观察到空隙。
工作实施例9
按照工作实施例1的方式制备介电糊，不同的是萜品基甲基醚代替乙酸异冰片酯用作溶剂，并且所制备的介电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是7.51Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是4.38Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，不同的是萜品基甲基醚代替乙酸异冰片酯用作溶剂和所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片上，由此制造出包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
工作实施例10
按照工作实施例9的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是具有130,000的重均分子量的乙基纤维素用作介电糊的粘结剂，并且所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是10.6Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是6.34Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，不同的是萜品基甲基醚代替乙酸异冰片酯用作溶剂和所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片上，由此制造出包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
工作实施例11
按照工作实施例9的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是按照75:25重量比的具有130,000的重均分子量的乙基纤维素和具有230,000的重均分子量的乙基纤维素，即具有155,000的表观重均分子量的乙基纤维素，用作介电糊的粘结剂，并且所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是14.7Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是8.56Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，不同的是萜品基甲基醚代替乙酸异冰片酯用作溶剂和所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片上，由此制造出包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
工作实施例12
按照工作实施例9的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是按照50:50重量比的具有130,000的重均分子量的乙基纤维素和具有230,000的重均分子量的乙基纤维素，即具有180,000的表观重均分子量的乙基纤维素，用作介电糊的粘结剂，并且所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是18.8Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是10.9Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，不同的是萜品基甲基醚代替乙酸异冰片酯用作溶剂和所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片上，由此制造出包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
按照工作实施例9的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是按照50:50重量比的具有75,000的重均分子量的乙基纤维素和具有130,000的重均分子量的乙基纤维素，即具有102，500的表观重均分子量的乙基纤维素，用作介电糊的粘结剂，并且所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是4.22Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是2.91Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上。然而，因为介电糊的粘度太低，间隔层不能形成。
对比实施例10
按照工作实施例9的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是按照25:75重量比的具有130,000的重均分子量的乙基纤维素和具有230,000的重均分子量的乙基纤维素，即具有205,000的表观重均分子量的乙基纤维素，用作介电糊的粘结剂，并且所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是24.2Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是13.7Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上。然而，因为介电糊的粘度太高，丝网印刷版发生阻塞并且无法形成连续的间隔层。
对比实施例11
按照工作实施例9的方式制备用于形成间隔层的介电糊，不同的是具有230,000的重均分子量的乙基纤维素用作介电糊的粘结剂，并且所制备的导电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是32.0Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是18.7Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上。然而，因为介电糊的粘度太高，丝网印刷版发生阻塞并且无法形成连续的间隔层。
对比实例12
按照工作实施例1的方式制备用于形成陶瓷生片的介电糊，不同的是聚合度为800和缩丁醛化度为69mol％的缩丁醛系树脂用作用于形成陶瓷生片的介电糊的粘结剂，由此形成陶瓷生片。
此外，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机按照工作实施例12的方式被印刷在按照工作实施例1的方式所形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现在间隔层的表面上产生裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，不同的是萜品基甲基醚代替乙酸异冰片酯用作溶剂和所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片上，由此制造出包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现在电极层的表面上产生裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，每一个陶瓷生芯片的表面进行观察。结果，在三十个陶瓷生芯片当中的两个陶瓷生芯片中观察到空隙。
工作实施例13
按照工作实施例2的方式制备介电糊，不同的是乙酸α-萜品酯代替乙酸异冰片酯用作溶剂，并且所制备的介电糊的粘度是在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是11.2Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是5.69Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，不同的是萜品基氧基乙醇代替乙酸异冰片酯用作溶剂，并且所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片上，由此制造出包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
工作实施例14
按照工作实施例2的方式制备介电糊，不同的是乙酸I-二氢香芹酯代替乙酸异冰片酯用作溶剂，并且所制备的介电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是10.8Ps·s和在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是6.62Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊然后按照工作实施例1的方式来制备，不同的是乙酸I-二氢香芹酯代替乙酸异冰片酯用作溶剂和所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片上，由此制造出包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
工作实施例15
按照工作实施例2的方式制备介电糊，不同的是乙酸I-酯代替乙酸异冰片酯用作溶剂，并且所制备的介电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是9.95Ps·s和在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是5.59Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊然后按照工作实施例1的方式来制备，不同的是乙酸I-酯代替乙酸异冰片酯用作溶剂和所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片上，由此制造出包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
工作实施例16
按照工作实施例2的方式制备介电糊，不同的是I-
Figure C200580011650D00472
酮代替乙酸异冰片酯用作溶剂，并且所制备的介电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是11.6Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是6.43Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。这样发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊然后按照工作实施例1的方式来制备，不同的是I-酮代替乙酸异冰片酯用作溶剂和所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片上，由此制造出包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
工作实施例17
按照工作实施例2的方式制备介电糊，不同的是乙酸I-紫苏酯代替乙酸异冰片酯用作溶剂，并且所制备的介电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是11.0Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是5.87Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊然后按照工作实施例1的方式来制备，不同的是乙酸I-紫苏酯代替乙酸异冰片酯用作溶剂和所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片上，由此制造出包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
工作实施例18
按照工作实施例2的方式制备介电糊，不同的是乙酸I-香芹酯代替乙酸异冰片酯用作溶剂，并且所制备的介电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是10.2Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是5.69Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现间隔层的表面没有裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊然后按照工作实施例1的方式来制备，不同的是乙酸I-香芹酯代替乙酸异冰片酯用作溶剂和所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片上，由此制造出包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，陶瓷生芯片中每一个的表面按照工作实施例1的方式进行观察。结果，在任何陶瓷生芯片中没有观察到空隙。
对比实施例13
按照工作实施例2的方式制备介电糊，不同的是萜品醇和煤油的混合溶剂(50:50的混合比率(质量比))代替乙酸异冰片酯用作溶剂，并且所制备的介电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是10.0Ps·s且在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是6.43Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现在间隔层的表面上产生裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，然后所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片，由此制造包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，每一个陶瓷生芯片的表面进行观察。结果，在三十个陶瓷生芯片当中的八个陶瓷生芯片中观察到空隙。
对比实施例14
按照工作实施例2的方式制备介电糊，不同的是萜品醇代替乙酸异冰片酯用作溶剂，并且所制备的介电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是12.2Ps·s和在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是6.62Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现在间隔层的表面上产生裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，然后所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片，由此制造包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，每一个陶瓷生芯片的表面进行观察。结果，在三十个陶瓷生芯片当中的十五个陶瓷生芯片中观察到空隙。
对比实施例15
按照工作实施例2的方式制备介电糊，不同的是丁基卡必醇代替乙酸异冰片酯用作溶剂，并且所制备的介电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是5.12Ps·s和在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是3.36Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上。然而，因为介电糊的粘度太低，间隔层不能形成。
对比实施例16
按照工作实施例2的方式制备介电糊，不同的是二氢萜品醇代替乙酸异冰片酯用作溶剂，并且所制备的介电糊的粘度在25℃的温度和8sec-1的剪切速度的条件下测量而且也在25℃的温度和50sec-1的剪切速度的条件下测量。
结果发现，在8sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是12.5Ps·s和在50sec-1的剪切速度条件下测量的介电糊粘度是6.52Ps·s。
然后，所制备的介电糊通过使用丝网印刷机被印刷在按照工作实施例1的方式形成的陶瓷生片上，由此形成间隔层。
此外，所形成间隔层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现在间隔层的表面上产生裂纹和皱纹。
用于形成电极层的导电糊按照工作实施例1的方式来制备，然后所制备的导电糊被印刷在陶瓷生片，由此制造包括层压在陶瓷生片上的电极层和间隔层的多层单元。
此外，所形成电极层的表面通过使用金相显微镜在四百放大倍数下进行观察。结果发现电极层的表面没有裂纹和皱纹。
此外，按照工作实施例1的方式制造总共三十个退火处理的陶瓷生芯片，每一个陶瓷生芯片的表面进行观察。结果，在三十个陶瓷生芯片当中的九个陶瓷生芯片中观察到空隙。
从工作实施例1-18和对比实施例13-16中发现：对于适合于形成间隔层和含有作为粘结剂的具有130,000的重均分子量的乙基纤维素和作为溶剂的萜品醇和煤油(50:50的混合比(质量比))的混合溶剂的介电糊，适合于形成间隔层和含有作为粘结剂的具有130,000的重均分子量的乙基纤维素和作为溶剂的萜品醇的介电糊，适合于形成间隔层和含有作为粘结剂的具有130,000的重均分子量的乙基纤维素和作为溶剂的丁基卡必醇的介电糊，或适合于形成间隔层和含有作为粘结剂的具有130,000的重均分子量的乙基纤维素和作为溶剂的二氢萜品醇的介电糊被印刷在通过使用含有聚合度为1450和缩丁醛化度为69mol％的聚乙烯醇缩丁醛的介电糊作为粘结剂所形成的陶瓷生片上而制造多层单元，以及将五十个多层单元进行层压而制造陶瓷生芯片的情况，间隔层本身不能形成或即使间隔层能够形成，会在间隔层的表面上产生裂纹和皱纹以及在通过层压这些多层单元形成层压体和烘烤该层压体所制造的陶瓷生芯片中产生空隙，然而对于适合于形成间隔层和含有作为粘结剂的具有116，250-180,000的表观重均分子量的乙基纤维素和作为溶剂的乙酸异冰片酯，二氢萜品基甲基醚，萜品基甲基醚，乙酸α-萜品酯，乙酸I-二氢香芹酯，乙酸I-
Figure C200580011650D00521
酯，I-
Figure C200580011650D00522
酮，乙酸I-紫苏酯或乙酸I-香芹酯的介电糊被印刷在通过使用含有聚合度为1450和缩丁醛化度为69mol％的聚乙烯醇缩丁醛作为粘结剂所形成的陶瓷生片上而制造多层单元，以及将五十个多层单元进行层压而制造陶瓷生芯片的情况，在间隔层表面没有观察到裂纹或皱纹的产生以及在通过层压这些多层单元形成层压体和烘烤该层压体所制造的陶瓷生芯片中没有观察到空隙的产生。
合理地推断，这是因为在对比实施例15中用作用于形成间隔层的介电糊的溶剂的丁基卡必醇不溶解在用于形成陶瓷生片的介电糊中用作粘结剂的聚乙烯醇缩丁醛但是所制备的介电糊的粘度太低，以及因为在对比实施例13、14和16中用作用于形成间隔层的介电糊的溶剂的萜品醇和煤油(50:50的混合比率(质量比))的混合溶剂、萜品醇和二氢萜品醇溶解了在用于形成陶瓷生片中的介电糊中所含的聚乙烯醇缩丁醛，因此陶瓷生片发生溶胀或部分地溶解，由此在陶瓷生片和间隔层之间的界面上产生空隙，或在间隔层的表面上产生裂纹和皱纹，以及在通过层压这些多层单元形成层压体和烘烤该层压体所制造的陶瓷生芯片中产生空隙，或在这些多层单元的层压过程中间隔层的产生了裂纹和皱纹的部分掉落，由此在烘烤之后容易在陶瓷生芯片中产生空隙，然而，在工作实施例1-18中用作用于形成间隔层的介电糊的溶剂的乙酸异冰片酯、乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650D00531
酯、I-
Figure C200580011650D00532
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯几乎不溶解在用于形成陶瓷生片的介电糊中所含的聚乙烯醇缩丁醛，因此有可能防止在间隔层表面上产生裂纹和皱纹和防止在烘烤之后在陶瓷生片中产生空隙。
此外，从工作实施例1-12，对比实施例1，5和9和对比实施例2，3，6，7，10和11中发现，对于甚至适合于形成间隔层和含有作为溶剂的乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚或萜品基甲基醚的介电糊被印刷在通过使用含有作为粘结剂的聚合度为1450和缩丁醛化度为69mol％的聚乙烯醇缩丁醛的介电糊所形成的陶瓷生片上而形成间隔层的情况，当具有102，500的表观重均分子量的乙基纤维素用作用于形成间隔层的介电糊的粘结剂时，用于形成间隔层的介电糊的粘度是如此的低以致于不能形成间隔层，而且另一方面，甚至对于适合于形成间隔层和含有作为溶剂的乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚或萜品基甲基醚的介电糊被印刷在通过使用含有作为粘结剂的聚合度为1450和缩丁醛化度为69mol％的聚乙烯醇缩丁醛的介电糊所形成的陶瓷生片上而形成间隔层的情况，当具有等于或大于205,000的表观重均分子量的乙基纤维素用作用于形成间隔层的介电糊的粘结剂时，用于形成间隔层的介电糊的粘度是如此的高以致于发生了丝网印刷版的阻塞，以及优选使用具有大于102，500和小于205,000的表观重均分子量的乙基纤维素作为用于形成间隔层的介电糊的粘结剂。
此外，从工作实施例1-12和对比实施例4、8和12中发现：甚至对于适合于形成间隔层和含有作为粘结剂的具有大于102，500和小于205,000的表观重均分子量的乙基纤维素和作为溶剂的乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚或萜品基甲基醚的介电糊用来形成间隔层的情况，当通过使用含有作为粘结剂的聚合度为800和缩丁醛化度为69mol％的聚乙烯醇缩丁醛的介电糊形成陶瓷生片时，因为用于形成陶瓷生片的介电糊的粘结剂的一部分被在用于形成间隔层的介电糊及用于形成电极层的导电糊中所含的溶剂溶胀或溶解，所以在陶瓷生片和间隔层和电极层之间的界面上产生空隙或在间隔层和电极层的表面上产生裂纹和皱纹，以及在通过层压这些多层单元形成层压体和烘烤该层压体所制造的陶瓷生芯片中产生空隙或者在这些多层单元的层压过程中间隔层和电极层的产生了裂纹和皱纹的部分掉落，由此在烘烤之后容易在陶瓷生芯片中产生空隙。
本发明已经参考优选的实施方案和工作实施例进行表述和描述。然而，应该指出的是，本发明无论如何不限于所述列举的细节而是在不脱离所附权利要求的范围的前提下可以进行以下变化和改进。
根据本发明，有可能提供不溶解在与多层陶瓷电子元件的间隔层相邻的层中所含的粘结剂中并且能够可靠地防止在多层陶瓷电子元件中产生缺陷的多层陶瓷电子元件的间隔层的介电糊。
此外，根据本发明，有可能提供制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法，它能够可靠地防止在多层陶瓷电子元件中产生缺陷并以所需方式形成间隔层。

Claims (7)

1.介电糊，它含有作为粘结剂的具有110,000到190,000的表观重均分子量的乙基纤维素和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650C0002111415QIETU
酯、I-
Figure C200580011650C0002111415QIETU
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂。
2.根据权利要求1的适合于形成间隔层的介电糊，其中含有作为粘结剂的具有115,000-180,000的表观重均分子量的乙基纤维素。
3.制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法，该方法包括将含有作为粘结剂的具有110,000到190,000的表观重均分子量的乙基纤维素和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、萜品基甲基醚、乙酸α-萜品酯、乙酸I-二氢香芹酯、乙酸I-
Figure C200580011650C0002111415QIETU
酯、I-
Figure C200580011650C0002111415QIETU
酮、乙酸I-紫苏酯和乙酸I-香芹酯中的至少一种溶剂的介电糊以预定图案印刷在含有作为粘结剂的缩丁醛系树脂的陶瓷生片上而形成间隔层的步骤。
4.根据权利要求3的制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法，其中介电糊含有作为粘结剂的具有115,000-180,000的表观重均分子量的乙基纤维素。
5.根据权利要求3或4的制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法，其中缩丁醛系树脂的聚合度等于或大于1000。
6.根据权利要求3或4的制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法，其中缩丁醛系树脂的缩丁醛化程度等于或大于64mol％和等于或小于78mol％。
7.根据权利要求5的制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法，其中缩丁醛系树脂的缩丁醛化程度等于或大于64mol％和等于或小于78mol％。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101141442B1 (ko) * 2009-12-30 2012-05-03 삼성전기주식회사 내부전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 커패시터의제조방법
JP5929279B2 (ja) * 2012-02-10 2016-06-01 Tdk株式会社 積層コンデンサ
KR101761940B1 (ko) 2012-05-04 2017-07-26 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품 및 이의 제조방법
CN112142480B (zh) * 2020-09-22 2022-06-21 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) 一种湿法工艺多层片式瓷介电容器的瓷浆及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5106796A (en) * 1991-09-13 1992-04-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low-firing capacitors dielectrics

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4415703A (en) * 1981-01-13 1983-11-15 Daicel Chemical Industries, Ltd. Aqueous dispersion of a cellulose derivative
US4959330A (en) * 1989-06-20 1990-09-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Crystallizable glass and thick film compositions thereof
JP2702796B2 (ja) * 1990-02-23 1998-01-26 旭化成工業株式会社 銀合金導電性ペースト
US5283007A (en) * 1992-04-28 1994-02-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive polymer compositions
JP3147409B2 (ja) * 1991-06-20 2001-03-19 株式会社日立製作所 セラミック多層配線基板製作用ペースト
US5412865A (en) * 1991-08-30 1995-05-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing multilayer electronic component
US5179773A (en) * 1991-08-30 1993-01-19 Bmc Technology Corporation Process of manufacturing multilayer ceramic capacitors
US5766392A (en) * 1993-01-08 1998-06-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing a multilayer ceramic electronic component
JPH06236827A (ja) * 1993-02-10 1994-08-23 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 積層セラミックコンデンサー内部電極用ペースト
JP3343397B2 (ja) * 1993-05-11 2002-11-11 旭硝子株式会社 誘電体ペースト
US5480503A (en) * 1993-12-30 1996-01-02 International Business Machines Corporation Process for producing circuitized layers and multilayer ceramic sub-laminates and composites thereof
JP3114529B2 (ja) * 1994-10-06 2000-12-04 住友金属鉱山株式会社 積層セラミックコンデンサー内部電極用ペースト
EP0709866B1 (en) * 1994-10-31 2003-05-07 TDK Corporation Manufacturing method and manufacturing apparatus for ceramic electronic components
JPH08148787A (ja) * 1994-11-21 1996-06-07 Sumitomo Kinzoku Ceramics:Kk 厚膜ペースト
DE69635566T2 (de) * 1995-03-16 2006-06-14 Murata Manufacturing Co Monolithisches Keramikbauelement und seine Herstellung
US6007900A (en) * 1995-04-28 1999-12-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dielectric paste and thick-film capacitor using same
US5603147A (en) * 1995-06-07 1997-02-18 Microelectronic Packaging, Inc. Method of making a high energy multilayer ceramic capacitor
US6197480B1 (en) * 1995-06-12 2001-03-06 Toray Industries, Inc. Photosensitive paste, a plasma display, and a method for the production thereof
SE505546C2 (sv) * 1995-12-11 1997-09-15 Moelnlycke Ab Metod att åstadkomma en svets eller ett klipp medelst ultraljud
US5718722A (en) * 1996-09-11 1998-02-17 Kiefer; John Steven Lower back heater mat with a leg support
US6054368A (en) * 1997-06-30 2000-04-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of making an improved field oxide isolation structure for semiconductor integrated circuits having higher field oxide threshold voltages
US5840107A (en) * 1998-03-25 1998-11-24 Motorola, Inc. Binder solution for a sealing composition and method of use
JP3080922B2 (ja) * 1998-04-13 2000-08-28 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US5935358A (en) * 1998-04-17 1999-08-10 New Create Corporation Method of producing a laminate ceramic capacitor
US6245171B1 (en) * 1998-11-23 2001-06-12 International Business Machines Corporation Multi-thickness, multi-layer green sheet lamination and method thereof
US6641933B1 (en) * 1999-09-24 2003-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting EL display device
JP2001237140A (ja) * 1999-12-13 2001-08-31 Murata Mfg Co Ltd 積層型セラミック電子部品およびその製造方法ならびにセラミックペーストおよびその製造方法
US20020056641A1 (en) * 1999-12-15 2002-05-16 December Timothy S. Cured multilayer coating providing improved edge corrosion resistance to a substrate and a method of making same
JP3734662B2 (ja) * 2000-02-16 2006-01-11 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサとその製造方法
JP3633435B2 (ja) * 2000-04-10 2005-03-30 株式会社村田製作所 多層セラミック基板、その製造方法および設計方法、ならびに電子装置
US6893490B2 (en) * 2000-04-17 2005-05-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ink for display panel and method for producing plasma display panel using the same
DE10126099B4 (de) * 2000-05-30 2008-11-13 Tdk Corp. Keramischer Vielschichtkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3722275B2 (ja) * 2000-06-15 2005-11-30 Ｔｄｋ株式会社 金属粒子含有組成物、導電ペースト及びその製造方法
US7052824B2 (en) * 2000-06-30 2006-05-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for thick film circuit patterning
US20030138635A1 (en) * 2000-07-11 2003-07-24 Naoya Haruta Multi-layer application film and method of laminating the same
TW543052B (en) * 2001-03-05 2003-07-21 Nitto Denko Corp Manufacturing method of ceramic green sheet, manufacturing method of multilayer ceramic electronic components, and carrier sheet for ceramic green sheets
DE10113361A1 (de) * 2001-03-20 2002-09-26 Andreas Roosen Verfahren zur Verbindung keramischer Grünkörper unter Verwendung eines Transfertapes und Überführung dieser verklebten Grünkörper in einen Keramikkörper
US7517418B2 (en) * 2002-12-27 2009-04-14 Tdk Corporation Production method of electronic device having internal electrode
TWI228261B (en) * 2003-03-31 2005-02-21 Tdk Corp Production method for laminated ceramic electronic component
US20060196592A1 (en) * 2003-03-31 2006-09-07 Masahiro Karatsu Production method for laminated ceramic electronic component
CN1791952A (zh) * 2003-04-18 2006-06-21 Tdk株式会社 用于制造多层电子组件的多层单元的方法
US7585907B2 (en) * 2003-07-24 2009-09-08 Nitto Denko Corporation Inorganic powder-containing resin composition, a film-forming material layer, a transfer sheet, method of producing a substrate having a dielectric layer formed thereon, and a substrate having a dielectric layer formed thereon
KR100853279B1 (ko) * 2003-09-30 2008-08-20 티디케이가부시기가이샤 적층 세라믹 전자 부품의 내부 전극용 도전체 페이스트의제조 방법
WO2005032785A1 (ja) * 2003-09-30 2005-04-14 Tdk Corporation 積層セラミック電子部品用の誘電体ペーストの製造方法
JP4487595B2 (ja) * 2004-02-27 2010-06-23 Ｔｄｋ株式会社 積層セラミック電子部品用の積層体ユニットの製造方法
JP4487596B2 (ja) * 2004-02-27 2010-06-23 Ｔｄｋ株式会社 積層セラミック電子部品用の積層体ユニットの製造方法
JP4412012B2 (ja) * 2004-03-16 2010-02-10 Ｔｄｋ株式会社 積層セラミック電子部品用の誘電体ペーストおよび積層セラミック電子部品用の積層体ユニットの製造方法
CN101010758A (zh) * 2004-06-28 2007-08-01 Tdk株式会社 叠层型电子部件的制造方法
JP2007214452A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Tdk Corp 剥離層用ペースト及び積層型電子部品の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5106796A (en) * 1991-09-13 1992-04-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low-firing capacitors dielectrics

Also Published As

Publication number Publication date
TWI262518B (en) 2006-09-21
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JP2005263502A (ja) 2005-09-29
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