CN100468201C - 自适应的光刻临界尺寸增强 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了用于提高光刻系统中的CD均匀性的系统、装置和方法。该系统包括构造为曝光衬底的曝光装置、与该曝光装置和多个处理模块和装置可操作连接的流水线装置。该系统还包括测量装置，所述测量装置被构造成测量被曝光和处理的衬底的属性，并基于预先规定的衬底形貌信息评估被曝光和处理的衬底属性是否均匀。该系统还包括一种模块，该模块被构造成当确定所述属性不均匀时，就基于所测量的属性自适应地计算校正曝光数据。该校正曝光数据被构造成通过调节曝光装置的曝光剂量来校正衬底的不均匀性。一旦衬底被评估为具有了需要的均匀性，就根据校正曝光数据使用曝光装置来曝光衬底，继续监测被曝光衬底的均匀性并且根据需要更新剂量校正以保持均匀性。

Description

自适应的光刻临界尺寸增强
技术领域
本发明一般涉及光刻系统以及光刻曝光的方法。
背景技术
此处将使用的名词“制作图形的装置”应当被广义地解释为能够提供具有图形化截面部分的入射辐射束的设备，所述图形化截面部分对应于将要制造在衬底的目标部分中的图形。名词“光阀”也可能在本文中使用。通常，所述图形对应于在目标部分中制作的器件中的特定功能层，例如集成电路或其它器件(见下文).所述制作图形的装置的例子包括：
(a)掩模：在光刻中掩模的概念是众所周知的，其包括诸如复式(binary)、交变移相、衰减移相的掩模类型、以及各种混合掩模类型。根据掩模上的图形，在辐射束中放置这样的掩模使得照射到掩模上的辐射被选择性透射(在透射掩模的情况下)或反射(在反射掩模的情况下)。对于掩模而言，支撑结构通常是掩模台，其保证掩模能够被保持在入射辐射束中所需要的位置，并且如果需要的话其可以相对于该辐射束移动；
(b)可编程反射镜阵列：这种装置的一个例子是具有粘滞弹性控制层和反射表面的可寻址矩阵(matrix-addressable)表面.该装置的基本原理是(例如)该反射表面的被寻址的区域将入射光反射为衍射光，而不被寻址的区域将入射光反射为非衍射光.使用适当的滤光器，能够将所述非衍射光滤出反射束，只留下衍射光；这样，该光束根据可寻址矩阵表面的寻址图形被图形化。可以使用适当的电子装置进行矩阵寻址.所述反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利Nos.US 5,296,891和US 5,523,193中获知，其在此引用作为参考。对于可编程反射镜阵列，所述支撑结构可以用例如框架或工作台实现，其可以按需要被固定或移动；以及
(c)可编程LCD阵列：该结构的例子在美国专利No.US5,229,872中给出，其内容在此引用作为参考。同上，此例中的支撑结构可以用例如框架或工作台实现，其可以按需要被固定或移动。
为了简单起见，本文的其余部分在特定位置处可能具体针对涉及掩模和掩模台的例子；然而，在所述实例中讨论的一般性原理应在如前述制作图形的装置的更广范围内来看待。同样，投影系统在下文中可能被称作“透镜”；然而，这一术语应当被广义地解释为它包括了各种类型的投影系统，例如包括折射光学系统、反射光学系统、以及反折射的光学系统。根据这些设计类型中的任一种，辐射系统还可以包括用于引导、定型或控制辐射的投影束的操作部件，并且在下文中所述部件可能被统一地或简单地称作“透镜”。
光刻曝光装置例如可以使用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，制作图形的装置可以产生对应于IC的各层的电路图形，并且该图形能够被成像到已经被涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个芯片)上。通常，单个晶片包含相邻目标部分的整个网格，所述相邻目标部分的整个网格通过投影系统被依次逐个照射。
在当前的装置中，使用掩模工作台上的掩模来构图，两种不同类型的机器可能产生差异。在一种类型的光刻曝光装置中，通过在一次执行中将整个掩模图形曝光在该目标部分上的方式来照射每个目标部分；这种装置通常被称作晶片步进机(wafer stepper)。在一种可替换的装置中，通常称作分步-扫描装置，在给定的参考方向(“扫描”方向)，通过在投影束下逐步扫描掩模图形来照射每个目标部分，同时平行和反平行于该方向来同步扫描衬底工作台。由于通常投影系统具有放大因数M(通常<1)，所以扫描衬底工作台的速度V将是扫描掩模工作台的速度的因数M倍.关于此处描述的光刻设备的更多信息可以从例如美国专利No.6,046,792中得知，其内容在此引用作为参考。
应当注意该光刻装置可以是具有两个或更多衬底工作台(和/或两个或更多掩模工作台)的类型。在这种“多级”装置中，可以并行使用额外的工作台，或者在一个或多个其它工作台用于曝光时，在一个或多个工作台上进行预备步骤。在例如美国专利No.5,969,441和WO 98/40791中描述了双级光刻装置，其内容在此引用作为参考.
光刻系统是集成电路(IC)制造中所使用的系统之一。这些系统通常采用光刻曝光装置和晶片流水线(wafer track)装置。光刻曝光装置被构造成通过辐射投影束将光刻板(reticle)(如掩模)上的电路图形投影或曝光到硅晶片衬底层的目标区域上。投影束可包括不同类型的电磁辐射以及诸如离子束或电子束的粒子束，所述电磁辐射包括但不限于紫外(UV)辐射和超紫外(EUV)辐射。
通常，硅晶片层事先被涂敷有辐射敏感材料(例如抗蚀剂)，该辐射敏感材料与照射投影束相互作用从而将掩模电路图形的轮廓和特征复制在晶片衬底目标区域。通常，单个晶片层包括被依次照射的相邻目标部分的整个网格。
当前的光刻曝光装置分为两类：步进机装置以及分步-扫描装置。在步进机中，通过将整个掩模图形一次曝光在目标部分上来照射每个目标部分。在分步-扫描装备中，在扫描衬底的同时，通过在给定的参考方向，在投影束下逐步扫描掩模电路图形来照射各目标部分。
不管所使用的装置如何，衬底都要在曝光工艺之前经历各种工艺。例如，如上所述，衬底在曝光之前通常都要用抗蚀剂处理。在曝光之前，衬底还可能要经历清洗、蚀刻、离子注入(例如掺杂)，金属化、氧化、化学机械抛光、涂底(priming)，抗蚀剂涂敷，软烘烤处理以及测量过程。
衬底还可能经历一系列曝光后工艺，例如曝光后烘烤(PEB)，显影、硬烘烤、蚀刻、离子注入(例如掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光、清洗和测量过程。并且，如果通常需要几层的话，将对每一个新层重复整个工序或者这些工序的变型工序。
通过用于它们各自目的的工作站或模块设计来进行这些曝光前和曝光后的工艺。衬底以预先规定的顺序经历这些工艺模块的处理以及光刻曝光装置的处理。在这种安排中，衬底晶片经过预先规定的处理路径从而得到可被追踪的特定的工艺模块的处理。所述处理路径可以被监测、记录、控制和限制于特定的路径。
如图1A，其示意性描述了光刻系统100，晶片流水线装置104使光刻曝光装置102与一系列曝光前工艺模块104a、106和曝光后工艺模块104b、108互联。曝光前和曝光后工艺模块104a、104b、106、108可以是晶片流水线装置外部的装置或者晶片流水线装置内部的模块。为了能够在这些工艺步骤之间传送衬底，晶片流水线装置104还可以包括连接装置部分，所述连接装置部分被配置成向(和从)光刻曝光装置102、前工艺装置106、后工艺装置108输运晶片衬底，以及在晶片流水线装置104内部的不同工艺模块之间输运晶片衬底。晶片流水线外部的曝光前工艺106可以包括，例如清洗、蚀刻、离子注入(例如掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光和测量装置。晶片流水线内部的曝光前工艺模块104a可以包括例如，晶片供给、抗蚀剂涂敷、测量和软烘烤模块。晶片流水线内部的曝光后工艺模块104b可以包括，例如，曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤和测量模块。晶片流水线外的曝光后工艺108可以包括，例如清洗、蚀刻、离子注入(例如掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光和测量装置。
不言而喻，重要的是尽可能精确地复制曝光在晶片衬底层的目标区域上的图形的特征部件和轮廓。因此，为了表征图形的特征部件和轮廓并建立质量和均匀性的基准水平，制造商通常规定特性，所述特性可以被总称为是曝光图形的临界尺寸(CD)。该CD可以包括，例如，特征部件间的间隙、孔和/或柱的X和/或Y直径、孔和/或柱的椭圆率、特征部件的面积、特征部件侧壁角、特征部件顶部的宽度、特征部件中部的宽度、特征部件底部的宽度以及线边缘粗糙度。
然而，在光刻制作工艺中有大量的活动影响临界尺寸均匀性(CDU)，并且危害曝光图形的质量。实际上，正是沿晶片流水线装置处理衬底晶片的曝光前工艺和曝光后工艺，诸如，曝光后烘烤(PEB)工艺模块对CDU的变化有影响。这种变化可能发生在整个目标区域上，整个晶片上、以及晶片之间，并且最终导致产量降低。
发明内容
如本发明中所体现和广泛描述的根据本发明原理的系统、装置和方法，使得使用曝光装置和流水线装置的光刻系统提高了CD均匀性。在一个实施例中，本发明测量光刻系统处理的衬底的特性，基于预先规定的CD标准，评定经过处理的衬底CD是否均匀，并且响应于CD不均匀的确定，基于测量的CD属性自适应地计算校正的曝光数据。配置校正的曝光数据使其通过调整光刻系统的曝光
装置的曝光剂量来校正衬底中的不均匀.然后根据校正的曝光数据使用光刻系统的曝光装置将衬底曝光。
虽然在本文中是参照在IC制造中使用本发明的装置而进行说明的，但应当清楚地理解所述装置还有其它可能的应用。例如，其可以应用于集成光学系统、磁畴存储器的指引和探测图形、液晶显示面板、薄膜磁头等的制造中。
附图说明
将参照示意性附图仅以实例的方式描述本发明的实施方案，在附图中：
图1A是光刻系统的示意性说明；
图1B是光刻投影装置的示意性说明；
图2是说明本发明的实施方案的高级流程示意图；
图3是说明本发明的实施方案的示意性功能框图；
图4A、4B说明了曝光前计量学数据的实例；
图4C、4D分别说明了用于确定程序的增益因数的典型剂量布局和每单位剂量的对应晶片CD变化；
图4E、4F分别说明了剂量偏差设为零时的典型剂量布局和晶片CD的对应结果；以及
图4G、4H分别说明了典型的最佳校正剂量布局和晶片CD的对应结果。
在所有的图中，对应的参考标记表示对应的部分.
具体实施方式
如上所述，处理衬底晶片的工艺对CDU的变化有贡献，CDU的变化对曝光图形的质量和性能有负面影响.这种非均匀性可能在整个目标区域、整个晶片以及晶片之间发生。此外，这些不均匀还依赖于各种因素变化，例如衬底晶片经过的特定路径、异常的程序安排等。在如下更详细的描述中，本发明考虑了一种光刻系统，其使用自适应CD增强程序，因此这些变化和不均匀性被剔除从而提供可接受的CDU水平。所述程序采用与光刻系统有关的信息，例如晶片流水线处理数据、计量数据和/或衬底晶片历史数据，以反复到达和保持提高整体CDU性能的最佳校正剂量偏差。
图1A示意性说明了根据本发明的一个特定实施方案的光刻系统100。系统100包括光刻曝光装置102和晶片流水线装置104，该光刻曝光装置102被构造成将图形曝光在衬底晶片上，该晶片流水线装置104被构造成在各种曝光前和曝光后处理模块之间输运衬底晶片。
图1B提供了对光刻装置102的更详细的说明。如图1B中所示，光刻装置102包括辐射源LA和用于提供投影束PB的辐射系统IL，配有用于托住掩模MA(例如光刻板)的掩模支架的第一目标工作台(例如掩模工作台)MT，以及用于将掩模MA的被照射部分在衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个芯片)上成像的投影系统PL(例如透镜)。如上所述，光刻装置102是透射型的(即，具有透射掩模)。然而，通常光刻装置102也可是例如反射型的(使用反射掩模)，或者，装置102可以使用另一种制作图形的装置，诸如如前所述类型的可编程反射镜阵列。
光刻装置102还包括配有用于托住衬底W(例如涂敷有抗蚀剂的硅晶片)的衬底支架的第二目标工作台(如衬底工作台)WT.
源LA产生辐射束，该辐射束直接或穿过诸如束扩展器EX的调节装置后被提供到照明系统(即照明设备)IL中.照明设备IL包括用于设定辐射束中的强度分布的外和/或内半径范围(通常分别被称为σ-外和σ-内)的调节装置AM.此外，照明设备IL通常包括各种其它部件，诸如积分器IN和聚光镜CO。这样，照射到掩模MA上的辐射束PB具有需要的截面均匀性和强度分布。
关于图1B应当注意，源LA可以在光刻曝光装置102的外壳内(例如当源LA是汞灯时通常是这样的情况)。但是，源LA也可以远离装置102，如在使用准分子激光源的情况下.在这种情况下，远处的辐射源通过适当的定向反射镜被导入装置102中。本发明和权利要求包括这两种情况。
随后辐射束PB截取(intercept)托在掩模工作台MT上的掩模MA。经过掩模MA之后，辐射束PB经过透镜PL，透镜PL将辐射束PB聚焦在衬底W的目标部分C上。借助第二定位装置(和干涉测量装置IF)，衬底工作台WT可以精确地移动(例如，以便将不同目标部分C定位在辐射束PB的路径中)。类似地，可以使用第一定位装置使掩模MA相对于辐射束PB的路径而被精确定位(例如从掩模库中机械地检索掩模MA之后，或者在扫描期间)。
通常，借助未在图1中明确示出的长冲程模块(路线定位)和短冲程模块(细节定位)实现目标工作台MT、WT的移动。然而，在使用晶片步进机的情况下(相对于分步-扫描装置)，掩模工作台MT可以只连接到短冲程传动装置，或者可以被固定。
可以在两种不同的模式中使用光刻装置102：
(a)分步模式：掩模工作台MT基本保持固定，整个掩模图像在一次执行(即，单次“闪光”)中被投影到一个目标部分C。然后衬底工作台WT在x和/或y方向移动，从而不同的目标部分C可以被辐射束PB照射；以及
(b)扫描模式：应用情况基本上是相同的，只是给定目标部分C不在单次“闪光”中曝光.相反，掩模工作台MT可以在给定方向(所谓的“扫描方向”，例如y方向)以速度v移动，固而使得投影束PB在掩模图像上扫描。同时，衬底工作台WT同时沿相同或相反的方向以速度V＝Mv移动，其中M是透镜PL的放大率(典型地，M＝1/4或1/5)。这样，相对大的目标部分C可以被曝光，而不会影响分辨率。
图2示意性说明了根据本发明的特定实施方案构造和操作的自适应CD增强程序200的基本发明原理。如图2所示，增强程序200从步骤任务P202开始，其通过光刻曝光装置102，基于相关的初始曝光信息来曝光衬底晶片W.该相关初始信息可以包括曝光前晶片测量数据、初始曝光剂量要求、包括晶片W将经过的预先规定路径的晶片流水线处理数据、以及例如图4所示的计量数据。
在根据初始曝光信息曝光晶片W后，在步骤任务P204中测量被曝光的晶片W的属性。测量任务P204可以被构造以测量和评估一系列晶片属性以及涉及CD均匀性的
Figure C200410078927D0013140027QIETU
象，诸如整个衬底的平均特征尺寸、单个目标区域的尺寸、抗蚀剂的厚度、抗反射涂层的厚度、特征部件之间的间隙、孔和/或柱的X和/或Y直径、孔和/或柱的椭圆率、特征部件的面积、特征部件的顶部宽度、特征部件的中间宽度、特征部件的底部宽度、特征部件侧壁角、线边缘粗糙度等等(例如见图4)。这些测量可以使用扫描电子显微镜(SEM)、光谱偏振光椭圆率测量仪、反射计、电线宽度测量(ELM)、聚焦离子束(FIB)、电子束、原子力显微镜(AFM)，散射仪、缺陷检查工具、空间成像套刻(Overlay)测量工具等等进行。
基于在步骤任务P206中被曝光晶片W的测量属性，程序200确定晶片是否足够均匀。CDU的充分性可以基于多个量度或预先规定的特征分布，诸如CD范围、CD标准偏差、区域之间的平均CD范围。如果晶片W是如由相关量度所规定的足够均匀，则进行步骤任务P212即保存和更新已保存的校正映射库320，以表示曝光剂量偏差不需要变化，且将使用现存的曝光信息来处理后面的晶片。
如果，相反，晶片W不足够均匀，程序200前进到步骤任务P208，在步骤任务P208中通过产生校正曝光剂量偏差的映射来自适应地弥补CDU的不足。该校正映射控制光刻曝光装置102使用的曝光级别以校正晶片W的CDU的变化。如图2所描述，为了有助于后面晶片的增强处理，该校正映射被保存或存储在校正映射库320中。
在步骤任务210中，使用存储在与晶片历史相关的校正映射库320中的最新校正曝光剂量偏差来曝光后面的晶片W.曝光后，程序200回到步骤任务P204，以测量该后面的晶片W的属性(例如，CD)，该后面的晶片W是使用所建立的用于特定晶片历史的校正剂量偏差而被曝光的.然后程序200再次回到步骤任务P206以确定晶片W的属性是否足够均匀，如果不均匀的话，使用控制限制产生用于每个特定晶片历史条件的校正曝光剂量偏差的更新映射，以最小化过校正或校正不足。程序200继续该重复过程直至后面的被曝光晶片W获得了所需要的CDU分布。伴随每次重复，使用最新更新的校正曝光剂量偏差来修改校正映射库320，以便一旦获得了所需要的CDU分布，所有后面的晶片都使用该相同的更新的校正映射而被曝光。程序200将继续监测CDU并且按需要根据测量结果来更新校正。
通过自适应地调节校正曝光剂量偏差，程序200有效地获得最佳校正剂量偏差，以剔除晶片W的变化和非均匀性，使得CDU级别提高。此外，程序200继续监测CDU级别随时间的变化，并且根据需要进行计算和剂量调整.
图3提供了详细说明上述本发明的某些特征和特点的示意性功能框图。如图3中所描述的，自适应CD增强程序使用曝光增强模块330、校正映射库增强模块310、以及前述的校正映射库320。这些模块以自适应的方式相互协作以获得最佳校正剂量偏差。
曝光增强模块330与曝光功能的特征和特性有关并且包括下面将更详细描述的逻辑装置335，该逻辑装置335提供监测、验证以及校正功能。校正映射库增强模块310涉及与校正曝光剂量偏差的计算和校正映射的产生和更新有关的特征和特性。
如图3中的功能块B302所示，从晶片流水线装置104中检索衬底晶片W，根据如功能块B308所示的被曝光W中产生的相关曝光信息，使用光刻曝光装置102来曝光。曝光信息被提供给逻辑装置335并由其处理。如上所讨论以及功能块B304-B306所表示，所述信息可以包括：包含晶片历史的晶片流水线处理数据、使用来处理晶片的模块和装置、曝光后被使用来处理晶片的模块和装置、膜厚度、计量数据。曝光信息还可以包括曝光前晶片测量数据、初始曝光剂量要求、以及类似的光刻数据。在图4A、4B中说明了曝光前计量数据的实例。
逻辑装置335将晶片历史、当前衬底数据以及曝光信息与存储在校正映射库320中的信息相关联，以确定将在曝光装置102中使用的相应的剂量校正映射。对于初始晶片W曝光，由于没有在先的校正映射可用，所以逻辑装置335不施加剂量校正B316，除非通过用户界面B310输入.初始晶片曝光后，逻辑装置335使晶片处理历史与相应的校正映射相关联，更新校正剂量偏差，并且监测和验证校正映射的变化。
如功能块B308和B312所示，在根据相关的曝光信息曝光晶片W之后，测量被曝光的晶片W的属性，评估CDU、计算校正剂量偏差、并且在校正映射中产生这些偏差.
如功能块B312所示，测量的属性包括晶片W的CD以及各目标区域的CD。如上所讨论的，还可测量与CDU相关的其它属性，诸如抗蚀剂的厚度、抗反射涂层的厚度、特征部件之间的间隙、孔的X和Y直径，CD侧壁角度、顶部CD、中部CD、底部CD、线边缘粗糙度等等。这些测量可以使用扫描电子显微镜(SEM)、光谱偏振光椭圆率测量仪、反射计、电线宽度测量(ELM)、聚焦离子束(FIB)、电子束、原子力显微镜(AFM)，散射仪、缺陷检查工具、空间成像套刻测量工具等等。
一旦相关属性测量之后，根据预先规定的特征或度量分布，诸如CD范围、CD标准偏差、区域之间的平均CD范围，作出评估以确定晶片和/或单个目标区域是否充分均匀。如果晶片W不足够均匀，则计算校正曝光剂量偏差以校正晶片W的CDU的变化.如上所讨论的，校正曝光剂量偏差调节光刻曝光装置102所使用的曝光剂量水平。
在校正曝光剂量偏差的计算中，进行如功能块B314-B316所示的初步计算，以使用已知的校正偏差确定基准增益因子。用于程序的增益因子是通过使用在功能块B314中已知量级的固定剂量偏差范围代替校正曝光剂量偏差来曝光晶片W而确定。图4C示出了如功能块B314中说明的典型的剂量布局和范围。
测量得到的晶片W，并在B315中计算每单位曝光剂量的CD变化(增益因子).图4D说明了由功能块B315计算的每单位曝光剂量的典型的CD变化。对于初次重复时，通过使用设定为零的校正曝光剂量偏差来曝光具有特定历史的晶片而确定了初始剂量映射，如功能块B316所示。图4E示出了剂量偏差设为零时典型的剂量布局，如功能块B316所示，图4F说明了剂量偏差设为零时晶片W的CD的结果。
然后，如功能块B318所示，使校正映射与相应的晶片W的历史相关，并且监测和确定校正映射的任何变化。此外，该被关联和确定的校正映射被存储在校正映射库320中。
如图3所示，将对应于各晶片路径的被存储的校正映射提供给逻辑装置335，如上所述，在逻辑装置335中使晶片处理路径与相应的校正映射相关，并且用于各晶片W的路径的校正映射被更新。然后该信息被提供给光刻曝光装置102，用于曝光后面的多个晶片W。
如上所讨论，重复自适应CD增强程序，以逐步产生修正的校正曝光剂量偏差值，并更新校正映射库直至被曝光的晶片W被评估为具有需要的CDU，这表示已经获得最佳校正剂量偏差。图4G示出了重复两次之后，在功能块B312测量的，于功能块B308获得的典型的最佳已校正剂量布局，并且图4H说明了使用最佳已校正剂量布局获得的晶片W的CD.这时候，使用相同的更新校正映射来曝光后面的晶片并且继续监测该程序。如果CDU偏离了所需要的CDU，程序将识别这种情况、计算改善的剂量校正映射，并将其应用到曝光中以继续保持最佳CDU。如功能块B310所表示的，允许用户以电子方式和/或视觉方式获得在该程序中收集的数据和所作的决定，从而允许对系统的手动或自动监测。此外，功能块B310允许用户输入信息，并且将本发明的应用最优化。
采用这样的方式，自适应程序集中在最佳校正剂量偏差、监测该程序并且校正该程序随时间的变化。这样做的话，在整个目标区域、整个晶片以及在晶片之间发生的晶片W变化和非均匀性被有效地校正，从而产生需要的CDU分布。
下面的详细说明参考了说明本发明的典型实施方案的附图.在不背离本发明的精神和范围的情况下，其它实施方案也是可能的，并且可以对上述实施方案进行修改.例如，下面描述的实施方案可以以不同于图中说明的实体中的软件、固件、硬件的实施方案来实现。因此，本发明的运作和性能的描述是建立在这样的理解上的，即在此处表明的详细的给定标准下，所述实施方案的修改和变化是可能的。固此下面的详细描述并不意味着或意图限制本发明-更确切地说，本发明的范围由所附权利要求书来限定。

Claims (20)

1.一种用于提高由光刻系统处理的衬底的均匀性的方法，该光刻系统具有曝光衬底的曝光装置、在曝光前处理衬底的曝光前装置、以及在曝光后处理衬底的曝光后装置，所述方法包括:
测量由所述光刻系统处理的衬底的属性；
基于预先规定的衬底形貌信息，评估所述测量衬底属性是否均匀；
当确定所述测量衬底属性不均匀时，就基于所述测量衬底属性计算校正曝光数据，通过调节所述光刻系统的所述曝光装置中的曝光剂量，构造所述校正的曝光数据，以校正所述衬底属性的不均匀；和
根据所述校正的曝光数据来曝光衬底。
2.权利要求1的方法，还包括将所述校正曝光数据的集合作为校正映射存储。
3.权利要求2的方法，其中所述校正曝光数据的计算包括，
基于处理所述衬底使用的所述曝光前装置和曝光后装置的具体装置的信息，获得处理模块信息，
获得计量信息，该计量信息包括与处理所述衬底使用的所述曝光前装置和曝光后装置的所述具体装置有关的信息，
确定曝光剂量增益因子，
获得在前处理的衬底的历史，
使每个所述校正映射与所述处理模块信息、所述计量信息、所述衬底历史、所述曝光剂量增益因子和所述测量衬底属性中的至少一个相关联，
基于所述处理模块信息、所述计量信息、所述衬底历史、所述曝光剂量增益因子和所述测量衬底属性中的至少一个来重复计算和更新所述校正曝光数据，
其中，所述重复的校正曝光数据计算和更新持续进行直至所述衬底属性被确定为均匀。
4.权利要求3的方法，还包括，
使用逻辑装置监测和验证所述校正映射相关性，以及
通过所述逻辑装置与所述校正映射、所述处理模块信息、所述计量信息、所述衬底历史、所述曝光剂量增益因子和所述测量衬底属性中的至少一个进行通信。
5.权利要求4的方法，还包括，
当确定所述衬底属性是均匀时，就通过所述逻辑装置监测所述衬底属性，以及
当确定所述衬底属性不再均匀时，就通过所述逻辑装置开始校正曝光数据的计算和更新。
6.权利要求3的方法，其中所述处理模块信息还包括与由所述曝光前装置和曝光后装置的所述具体装置处理的所述衬底的处理路径有关的数据。
7.权利要求5的方法，其中所述重复的校正曝光数据的计算和更新、所述衬底属性的所述监测、以及所述校正曝光数据的计算和更新的开始是由所述逻辑装置控制。
8.权利要求3的方法，其中所述确定曝光剂量增益因子包括确定每单位曝光剂量的所述衬底的所述测量属性的变化。
9.权利要求7的方法，还包括提供用户界面以便传递关于所述曝光装置，所述曝光前装置、所述曝光后装置、所述校正映射、所述处理模块信息、所述计量信息、所述衬底历史、所述曝光剂量增益因子，所述测量衬底属性和所述逻辑装置中的至少一个的信息。
10.权利要求2的方法，还包括，
基于处理所述衬底中使用的所述曝光前装置和曝光后装置的具体装置以及处理路径的信息，来获得处理模块信息，
获得计量信息，该计量信息包括与处理所述衬底使用的所述曝光前装置和曝光后装置的所述具体装置有关的信息，
确定曝光计量增益因子，包括计算每单位曝光剂量所述衬底的所述测量属性变化，
获得在前处理的衬底的历史，
将每个所述校正映射与所述处理模块信息、所述计量信息、所述衬底历史，所述曝光剂量增益因子和所述测量衬底属性中的至少一个相关联，
基于所述处理模块信息、所述计量信息、所述衬底历史、所述曝光剂量增益因子和所述测量衬底属性中的至少一个来重复计算和更新所述校正曝光数据，以及
提供逻辑装置，
其中所述逻辑装置监测、控制并使所述校正曝光数据的重复计算和更新能持续，直至当确定所述衬底属性是均匀时所述衬底属性才被确定为均匀，以及
其中当确定所述衬底属性不再均匀时，所述逻辑装置就开始校正曝光数据的计算和更新。
11.一种提高衬底均匀性的光刻系统，包括:
构造用于曝光衬底的曝光装置；
构造用于在曝光前处理衬底的曝光前装置；
与所述曝光装置和多个处理模块可操作连接的流水线装置；
构造用于在曝光后处理衬底的曝光后装置；
构造用于测量所述衬底的属性的测量装置；以及
校正曝光模块，当确定所述衬底不均匀时，就基于所述测量属性计算校正曝光数据，
其中构造所述校正曝光数据，以通过调节所述曝光装置中的曝光剂量来校正所述衬底中的不均匀性，以及
其中根据所述校正曝光数据，使用所述曝光装置曝光所述衬底。
12.权利要求11的系统，其中所述校正曝光数据的集合是作为校正映射被存储在校正映射库中。
13.权利要求12的系统，其中所述校正曝光模块的所述校正曝光数据的所述计算包括，
基于处理所述衬底中使用的所述曝光前装置和曝光后装置的具体装置信息，获得处理模块信息，
获得计量信息，该计量信息包括与处理所述衬底中所使用的所述曝光前装置和曝光后装置的所述具体装置有关的信息，
确定曝光剂量增益因子，
获得在前处理的衬底的历史，
将每个所述校正映射与所述处理模块信息、所述计量信息、所述衬底历史、所述曝光剂量增益因子和所述测量衬底属性中的至少一个相关联，
基于所述处理模块信息、所述计量信息，所述衬底历史、所述曝光剂量增益因子和所述测量衬底属性中的至少一个，来重复计算和更新所述校正曝光数据，
其中持续所述校正曝光数据的重复计算和更新直至所述衬底属性被确定为均匀。
14.权利要求13的系统，还包括用于监测和验证所述校正映射相关性的逻辑装置，构造所述逻辑装置使其与所述校正映射、所述处理模块信息、所述计量信息、所述衬底历史、所述曝光剂量增益因子和所述测量衬底属性中的至少一个进行通信。
15.权利要求14的系统，其中当确定所述衬底属性是均匀时，所述逻辑装置就监测所述衬底属性，并且当确定所述衬底属性不再均匀时，就开始校正曝光数据的计算和更新。
16.权利要求13的系统，其中所述处理模块信息还包括与使用所述曝光前装置和曝光后装置的所述具体装置处理所述衬底的处理路径有关的数据。
17.权利要求15的系统，其中所述校正曝光数据的重复计算和更新、所述衬底属性的所述监测，以及所述校正曝光数据的计算和更新的开始由所述逻辑装置控制。
18.权利要求13的系统，其中所述确定曝光剂量增益因子包括确定每单位曝光剂量所述衬底的所述测量属性的变化。
19.权利要求17的系统，还包括用户界面以便传递关于所述曝光装置、所述曝光前装置、所述曝光后装置、所述校正映射、所述处理模块信息、所述计量信息、所述衬底历史、所述曝光剂量增益因子、所述测量衬底属性和所述逻辑装置中的至少一个的信息。
20.权利要求12的系统，其中所述校正曝光模块的校正曝光数据的自适应计算包括，
基于处理所述衬底所使用的所述曝光前装置和曝光后装置的具体装置和处理路径的信息，获得处理模块信息，
获得计量信息，该计量信息包括与处理所述衬底使用的所述曝光前装置和曝光后装置的所述具体装置有关的信息，
确定曝光剂量增益因子，包括计算每单位曝光剂量所述衬底的所述测量属性的变化，
获得在前处理衬底的历史，
将所述每个校正映射与所述处理模块信息、所述计量信息、所述衬底历史、所述曝光剂量增益因子和所述测量衬底属性中的至少一个相关联，
基于所述处理模块信息、所述计量信息、所述衬底历史、所述曝光剂量增益因子和所述测量衬底属性中的至少一个，重复计算和更新所述校正曝光数据，
提供逻辑装置，
其中所述逻辑装置监测、控制并使所述校正曝光数据的重复计算和更新能持续，直至当确定所述衬底属性是均匀时所述衬底属性才被确定为均匀的，以及
其中当确定所述衬底属性不再均匀时，所述逻辑装置就开始校正曝光数据计算和更新。
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Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL148485A (en) * 2002-03-04 2008-07-08 Nova Measuring Instr Ltd Optical measurements of properties of modeled buildings
US7234128B2 (en) * 2003-10-03 2007-06-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for improving the critical dimension uniformity of patterned features on wafers
US7198873B2 (en) * 2003-11-18 2007-04-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic processing optimization based on hypersampled correlations
JP5008280B2 (ja) * 2004-11-10 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5154008B2 (ja) * 2004-11-10 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4926433B2 (ja) * 2004-12-06 2012-05-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4794232B2 (ja) * 2004-12-06 2011-10-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5154007B2 (ja) * 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US7738075B2 (en) * 2005-05-23 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic attribute enhancement
JP5147167B2 (ja) * 2005-07-29 2013-02-20 キヤノン株式会社 決定方法及びプログラム
KR100641505B1 (ko) 2005-09-05 2006-11-01 동부일렉트로닉스 주식회사 포토레지스트 패턴 시디의 균일도 향상 방법
JP4761907B2 (ja) * 2005-09-28 2011-08-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4898419B2 (ja) * 2006-01-05 2012-03-14 キヤノン株式会社 露光量のおよびフォーカス位置のオフセット量を求める方法、プログラムおよびデバイス製造方法
JP2007184378A (ja) * 2006-01-05 2007-07-19 Canon Inc 露光装置における露光量および／または焦点合わせのための基板の位置を求める方法および装置
US7511799B2 (en) * 2006-01-27 2009-03-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method
US8294907B2 (en) * 2006-10-13 2012-10-23 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
US7571021B2 (en) * 2007-02-13 2009-08-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method and system for improving critical dimension uniformity
US7829249B2 (en) * 2007-03-05 2010-11-09 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, computer program and lithographic apparatus
US7957826B2 (en) * 2007-08-21 2011-06-07 International Business Machines Corporation Methods for normalizing error in photolithographic processes
US7871745B2 (en) * 2007-12-27 2011-01-18 United Microelectronics Corp. Exposure method
TWI380349B (en) * 2008-07-09 2012-12-21 Nanya Technology Corp Exposure method
US9323140B2 (en) 2008-09-01 2016-04-26 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US20120219886A1 (en) 2011-02-28 2012-08-30 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage
US9341936B2 (en) 2008-09-01 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US8473875B2 (en) 2010-10-13 2013-06-25 D2S, Inc. Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography
NL2003364A (en) * 2008-09-26 2010-03-29 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
NL2004770A (nl) * 2009-05-29 2010-11-30 Asml Holding Nv Lithographic apparatus and method for illumination uniformity correction and uniformity drift compensation.
JP2011081317A (ja) * 2009-10-09 2011-04-21 San Ei Giken Inc 露光装置および露光方法
US8219938B2 (en) * 2009-10-16 2012-07-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor inter-field dose correction
JP5165731B2 (ja) * 2010-06-30 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 局所露光装置及び局所露光方法
US8703389B2 (en) 2011-06-25 2014-04-22 D2S, Inc. Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography
US9612530B2 (en) 2011-02-28 2017-04-04 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography
US9034542B2 (en) 2011-06-25 2015-05-19 D2S, Inc. Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography
US8719739B2 (en) 2011-09-19 2014-05-06 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography
TWI562319B (en) * 2011-12-07 2016-12-11 United Microelectronics Corp Monitoring testkey used in semiconductor fabrication
US9177370B2 (en) * 2012-03-12 2015-11-03 Kla-Tencor Corporation Systems and methods of advanced site-based nanotopography for wafer surface metrology
JP5642101B2 (ja) 2012-03-22 2014-12-17 株式会社東芝 ドーズ量の補正マップの作成方法、露光方法及び半導体装置の製造方法
US9343267B2 (en) 2012-04-18 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography
KR20150001834A (ko) * 2012-04-18 2015-01-06 디2에스, 인코포레이티드 하전 입자 빔 리소그래피를 사용한 임계 치수 균일성을 위한 방법 및 시스템
US8658336B2 (en) 2012-04-30 2014-02-25 Micron Technology, Inc. Methods of correcting for variation across substrates during photolithography
JP2018056143A (ja) * 2014-12-26 2018-04-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光条件評価装置
CN106154754A (zh) * 2015-04-02 2016-11-23 上海和辉光电有限公司 套刻精度的控制方法以及装置
KR102334937B1 (ko) * 2016-10-21 2021-12-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 패터닝 프로세스용 보정 결정 방법
US10503850B2 (en) * 2016-11-22 2019-12-10 Tokyo Electron Limited Generation of a map of a substrate using iterative calculations of non-measured attribute data
CN108121163B (zh) 2016-11-29 2019-10-25 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种光源曝光剂量控制系统及控制方法
EP3415988A1 (en) * 2017-06-14 2018-12-19 ASML Netherlands B.V. Device manufacturing methods
KR102570888B1 (ko) 2017-11-23 2023-08-28 삼성전자주식회사 마스크 레이아웃의 보정 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US11764111B2 (en) * 2019-10-24 2023-09-19 Texas Instruments Incorporated Reducing cross-wafer variability for minimum width resistors
EP4155822A1 (en) * 2021-09-28 2023-03-29 ASML Netherlands B.V. Metrology method and system and lithographic system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4500615A (en) * 1981-09-22 1985-02-19 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Wafer exposure method and apparatus
EP1205806A1 (en) * 2000-11-09 2002-05-15 Semiconductor300 GmbH &amp; Co KG Method for exposing a semiconductor wafer
US20020106821A1 (en) * 2001-02-02 2002-08-08 Bode Christopher A. Method of varying stepper exposure dose to compensate for across-wafer variations in photoresist thickness, and system for accomplishing same
EP1253497A1 (en) * 2001-04-27 2002-10-30 Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG Method for adjusting processing parameters of plate-like objects in a processing tool

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US529872A (en) * 1894-11-27 Separator
JPS58156938A (ja) * 1982-03-12 1983-09-19 Hitachi Ltd 露光装置
US5079600A (en) * 1987-03-06 1992-01-07 Schnur Joel M High resolution patterning on solid substrates
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
JP2938568B2 (ja) 1990-05-02 1999-08-23 フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン 照明装置
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
WO1997033205A1 (en) 1996-03-06 1997-09-12 Philips Electronics N.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
DE69735016T2 (de) 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
US6689519B2 (en) * 2000-05-04 2004-02-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for lithography process control
JP2002198289A (ja) 2000-12-26 2002-07-12 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4500615A (en) * 1981-09-22 1985-02-19 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Wafer exposure method and apparatus
EP1205806A1 (en) * 2000-11-09 2002-05-15 Semiconductor300 GmbH &amp; Co KG Method for exposing a semiconductor wafer
US20020106821A1 (en) * 2001-02-02 2002-08-08 Bode Christopher A. Method of varying stepper exposure dose to compensate for across-wafer variations in photoresist thickness, and system for accomplishing same
EP1253497A1 (en) * 2001-04-27 2002-10-30 Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG Method for adjusting processing parameters of plate-like objects in a processing tool

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