CN106154754A - 套刻精度的控制方法以及装置 - Google Patents
套刻精度的控制方法以及装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106154754A CN106154754A CN201510155575.5A CN201510155575A CN106154754A CN 106154754 A CN106154754 A CN 106154754A CN 201510155575 A CN201510155575 A CN 201510155575A CN 106154754 A CN106154754 A CN 106154754A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- benefit value
- data
- alignment precision
- batch
- automatic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
本发明涉及一种套刻精度的自动补值方法及装置,该方法包括:获取每批正常检测器件的关于关键尺寸的数据;根据曝光机的当前工艺条件,对所获取的每批关键尺寸数据进行运算处理,以获得套刻精度的补值数据;将所获得的补值数据自动反馈给曝光机以对套刻精度进行补值。
Description
技术领域
本申请涉及半导体制造工艺,尤其涉及一种套刻精度的控制方法及装置。
背景技术
在当前制造有源矩阵有机发光二极管面板AMOLED的工艺中,对套刻精度(Overlay(OL)精度)管理控制是这种AMOLED工艺的关键因素。传统对OL的控制是通过分析统计过程控制图(statics process control chart,SPCchart)进行控制管理的。例如,如图1所示,当对正常检测的面板进行关键尺寸(CD)检测时,如果监控到该SPC图中OL精度值存在异常,例如OL精度值存在OOC(out of control limit)或存在OOS(Out of Spec limit),之后才由黄光工程师对曝光机精度进行补值。很显然,上述这种方式属于发现异常后的补救措施,且由于属于事后补救而不能使得OL精度值保持在最佳精度上,而且人为进行精度补值还存在补错值的可能性,因此,上述补值方式具有无法进行即时性、预防性、以及自动性的OL补值的缺陷。
尽管近年来套刻OL精度补值技术已经开始实现自动化,但是还是存在不能实时监控套刻OL精度补值的正确性和精确性,因而存在一种对可以实时性动态性进行套刻OL精度补值的需求。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种套刻精度的自动补值及装置,能够自动化对套刻精度进行动态的自动补偿。
根据本申请的一个技术方案,本申请提供一种套刻精度的自动补值方法,包括:获取每批正常检测器件的关于关键尺寸的数据;根据曝光机的当前工艺条件,对所获取的每批关键尺寸数据进行运算处理,以获得套刻精度的补值数据;将所获得的补值数据自动反馈给曝光机以对套刻精度进行补值。
根据本申请的一实施例,所述运算处理包括:对所获取的关键尺寸数据进行风险因素的滤除;对过滤之后的关键尺寸数据进行加权平均。
根据本申请的一实施例,所述风险因素的滤除包括:按照每个器件,检测到如果该器件的单点不超过一预定过滤值,则将该器件的关键尺寸的数据滤除;对于每批器件,检测到如果该批器件的平均值超过一参考平均值,则将该该批器件的关键尺寸的数据滤除。
根据本申请的一实施例,所述将所获得的补值数据自动反馈给曝光机以对套刻精度进行补值包括:对套刻精度进行多次补值,每次补值的上限不大于最大补值上限。
根据本申请的另一技术方案,本申请提供一种套刻精度的自动补值装置,包括:运算单元,与曝光机的测量装置相连接,获取来自该测量装置的每批正常检测器件的关键尺寸的数据,并根据曝光机的当前工艺条件,对所获取的每批关键尺寸数据进行运算处理,以获得套刻精度的补值数据;自动反馈单元,将所获得的补值数据自动反馈给曝光机以对套刻精度进行补值。
根据本申请的一实施例,所述运算处理包括:对所获取的关键尺寸数据进行风险因素的滤除;对过滤之后的关键尺寸数据进行加权平均。
根据本申请的一实施例,所述风险因素的滤除包括:按照每个器件,检测到如果该器件的单点不超过一预定过滤值,则将该器件的关键尺寸的数据滤除;对于每批器件,检测到如果该批器件的平均值超过一参考平均值,则将该该批器件的关键尺寸的数据滤除。
根据本申请的一实施例,所述自动反馈单元还用于对套刻精度进行多次补值,每次补值的上限不大于最大补值上限。
根据本申请提出的套刻精度的控制方法,能够自动化对套刻精度进行动态的自动补偿,利用正常检的数据,对即将补值的检测资料进行筛选及运算,以达到可自动补值又可完全降低自动补值所带来的补值异常风险。
附图说明
图1为相关技术中套刻精度的补值方法的系统框图;
图2为本申请的套刻精度的补值方法的系统框图;
图3为根据本申请一实施例的套刻精度的补值方法的流程图;
图4为根据本申请一实施例的套刻精度的补值方法的系统框图。
具体实施方式
将参照附图对本技术的优选实施例进行阐释。
本申请提出了一种套刻精度的控制方法,能够自动化对套刻精度进行动态的自动补偿,利用正常检的数据,对即将补值的检测资料进行筛选及运算,以达到可自动补值又可完全降低自动补值所带来的补值异常风险。
本申请提出的套刻精度补值方法采用数据运算,降低检测误差及单片晶圆异常导致的错误补值。
具体地,如图2所示,对于曝光机中正常检测的每批晶圆,获取它们关于关键尺寸的数据;然后根据曝光机的当前工艺条件,对所获取的每批关键尺寸数据进行数据运算处,以获得套刻精度的补值数据;将所获得的补值数据自动反馈给曝光机以对套刻精度进行补值。
其中,如图2和3所示,所述运算处理包括:
对所获取的关键尺寸数据进行风险因素的滤除;
对过滤之后的关键尺寸数据进行加权平均。
其中,所述风险因素的滤除包括:
按照每个晶圆,检测到如果该晶圆某一点处的尺寸不超过一个设定的滤除值(例如,2μm),则将该器件的关键尺寸的数据滤除,即将该晶圆的关键尺寸数据忽略不计;
对于每批晶圆,检测到如果该批晶圆的平均值超过一个参考平均值,则将该批晶圆的关键尺寸数据忽略不计,其中该参考平均值为一设定的观察值,根据需求而定。
然后对进行风险因素滤除之后的关键尺寸数据进行加权平均,以获取不大于补值上限的补值数据(例如,上限值为1μm),例如取平均值之后再除以加权系数(例如,1/2、1/4、或1/8),最终获得套刻精度补值数据,该加权系数依据不同的风险而具有不同的设定值,例如为1/2、1/4、或1/8。
正常检站点加检并进行自动反馈补值,会自动取一批晶圆进行加检(异常检站点),以确认补值后的套刻精度状况。
另外,本申请还可通过步进方式进行补值,即每次小幅度进行补值,例如,每次补值上限值不超过最大补值上限,例如为1μm,从而根据实时的工艺情况进行多次补值。
在实际操作中,如图4所示,正常检站点的检测机台检测晶圆,将获取的SPC数据传给通讯接口管理系统,然后经过数据运算系统进行补值运算处理,之后将进行补值运算处理之后的数据再经过通讯接口管理系统传送给曝光机然后进行步进补值。
在一个实施例中,这里所述的步进补值依据晶圆的不同层依次进行,对于不同的层,加检的频率也不同,例如,可以每600片加检一次,该频率需依据对不同的风险而制定。
本申请可在每次晶片加检时,进行自动补值,从而能够使套刻精度一直维持在机台的精度极限范围内。
选择并描述这些实施例是为了说明本发明的原理和其实践性应用,从而激发本领域普通技术人员利用本发明和各种实施例,并利用适于期望的特殊使用的各种变型。对本发明所属的本领域普通技术人员而言,替代实施例将变得显而易见,而并未背离其精神和范围。因此,通过所附权利要求而不是上述说明书和其中所描述的示例实施例来限定本发明的范围。
Claims (8)
1.一种套刻精度的自动补值方法,包括:
获取每批正常检测器件的关键尺寸的数据;
根据曝光机的当前工艺条件,对所获取的每批关键尺寸数据进行运算处理,以获得套刻精度的补值数据;
将所获得的补值数据自动反馈给曝光机以对套刻精度进行补值。
2.根据权利要求1所述的自动补值方法,所述运算处理包括:
对所获取的关键尺寸数据进行风险因素的滤除;
对过滤之后的关键尺寸数据进行加权平均。
3.根据权利要求2所述的自动补值方法,所述风险因素的滤除包括:
按照每个器件,检测到如果该器件的单点不超过一预定过滤值,则将该器件的关键尺寸的数据滤除;
对于每批器件,检测到如果该批器件的平均值超过一参考平均值,则将该该批器件的关键尺寸的数据滤除。
4.根据权利要求1所述的自动补值方法,所述将所获得的补值数据自动反馈给曝光机以对套刻精度进行补值包括:对套刻精度进行多次补值,每次补值的上限不大于最大补值上限。
5.一种套刻精度的自动补值装置,包括:
运算单元,与曝光机的测量装置相连接,获取来自该测量装置的每批正常检测器件的关键尺寸的数据,并根据曝光机的当前工艺条件,对所获取的每批关键尺寸数据进行运算处理,以获得套刻精度的补值数据;
自动反馈单元,将所获得的补值数据自动反馈给曝光机以对套刻精度进行补值。
6.根据权利要求5所述的套刻精度的自动补值装置,所述运算处理包括:
对所获取的关键尺寸数据进行风险因素的滤除;
对过滤之后的关键尺寸数据进行加权平均。
7.根据权利要求6所述的套刻精度的自动补值装置,所述风险因素的滤除包括:
按照每个器件,检测到如果该器件的单点不超过一预定过滤值,则将该器件的关键尺寸的数据滤除;
对于每批器件,检测到如果该批器件的平均值超过一参考平均值,则将该批器件的关键尺寸的数据滤除。
8.根据权利要求5所述的套刻精度的自动补值装置,所述自动反馈单元还用于对套刻精度进行多次补值,每次补值的上限不大于最大补值上限。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510155575.5A CN106154754A (zh) | 2015-04-02 | 2015-04-02 | 套刻精度的控制方法以及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510155575.5A CN106154754A (zh) | 2015-04-02 | 2015-04-02 | 套刻精度的控制方法以及装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106154754A true CN106154754A (zh) | 2016-11-23 |
Family
ID=57338325
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510155575.5A Pending CN106154754A (zh) | 2015-04-02 | 2015-04-02 | 套刻精度的控制方法以及装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106154754A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106783697A (zh) * | 2017-02-14 | 2017-05-31 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种增强半导体工艺中补值精确性的方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1629729A (zh) * | 2003-09-17 | 2005-06-22 | Asml荷兰有限公司 | 自适应的光刻临界尺寸增强 |
CN101330030A (zh) * | 2007-06-21 | 2008-12-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 检测数据中异常点的去除方法 |
CN101458456A (zh) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 套刻精度的控制方法和装置 |
CN102737960A (zh) * | 2011-04-14 | 2012-10-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于前馈先进工艺控制的方法和系统 |
CN103681250A (zh) * | 2012-09-17 | 2014-03-26 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 两次刻蚀成型图形的关键尺寸的控制方法 |
-
2015
- 2015-04-02 CN CN201510155575.5A patent/CN106154754A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1629729A (zh) * | 2003-09-17 | 2005-06-22 | Asml荷兰有限公司 | 自适应的光刻临界尺寸增强 |
CN101330030A (zh) * | 2007-06-21 | 2008-12-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 检测数据中异常点的去除方法 |
CN101458456A (zh) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 套刻精度的控制方法和装置 |
CN102737960A (zh) * | 2011-04-14 | 2012-10-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于前馈先进工艺控制的方法和系统 |
CN103681250A (zh) * | 2012-09-17 | 2014-03-26 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 两次刻蚀成型图形的关键尺寸的控制方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106783697A (zh) * | 2017-02-14 | 2017-05-31 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种增强半导体工艺中补值精确性的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AT517250B1 (de) | Stichprobenmessverfahren mit Stichprobenentnahmeratenentscheidungsschema und Computerprogrammprodukt dazu | |
WO2015115432A1 (ja) | 品質管理装置および品質管理装置の制御方法 | |
CN104867840B (zh) | Ye在线检测管控方法 | |
JP5091604B2 (ja) | 分布の評価方法、製品の製造方法、分布の評価プログラム及び分布の評価システム | |
EP3189542B1 (en) | Breakdown analysis of geometry induced overlay and utilization of breakdown analysis for improved overlay control | |
DE112005002576T5 (de) | Fehlererkennungssystem und Verfahren auf der Grundlage einer gewichteten Hauptkomponentenanalyse | |
DE112004001259B4 (de) | Verfahren und System zum Ausführen einer Messverteilung auf der Grundlage einer Fehlererkennung und computerlesbares Speichermedium | |
CN113448298B (zh) | 一种用于自动化生产设备数据采集系统 | |
DE112016002803T5 (de) | Detektion von prozessinduzierten asymmetrien, quantifizierung und steuerung unter verwendung von messungen der wafergeometrie | |
DE102006001257A1 (de) | Automatisiertes Zustandabschätzungssystem für Cluster-Anlagen und Verfahren zum Betreiben des Systems | |
DE112004002106B4 (de) | Fehlerkennungs- und Steuerungsverfahren für Ionenimplantationsprozesse, und System zum Ausführen davon | |
CN104425300B (zh) | 在制品测量采样方法及装置 | |
CN106017729A (zh) | 一种基于统计过程控制的电机温度监控方法 | |
CN105700490B (zh) | 一种提高产品良率的方法及系统 | |
DE10203761A1 (de) | System und Verfahren zum automatischen Analysieren und Verarbeiten von Verlustfaktordaten in einem Testprozess | |
CN104779144A (zh) | 改善制造半导体组件的微影制程的设计特征分析法 | |
CN104701211B (zh) | 根据集成电路制程能力指数自动调整抽检频率的量测方法 | |
CN106154754A (zh) | 套刻精度的控制方法以及装置 | |
DE102012216641B4 (de) | Halbleiterchiptestverfahren und Halbleiterchiptestvorrichtung | |
CN107731705B (zh) | 在缺陷检测中设定抽样率的方法以及产线的检测管控方法 | |
CN116339262A (zh) | 一种基于人工智能的数控加工生产质量监测系统 | |
CN104134620B (zh) | 半导体制造过程的监控方法及半导体生产方法 | |
US10146215B2 (en) | Monitor system and method for semiconductor processes | |
DE102017126262A1 (de) | Verfahren zur Bestimmung mindestens eines elektrischen oder optischen Parameters einer Vielzahl von Halbleiterchips auf einem Wafer | |
US10133263B1 (en) | Process condition based dynamic defect inspection |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20161123 |