CN100456135C - 光刻显影装置及采用该装置制造滤色片基板的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于制造用于显示面板的滤色片基板的光刻显影装置。所公开的光刻装置包括提供负显影溶液的显影溶液供应装置。该光刻装置还包括用于形成黑矩阵的形成使用的正光刻胶图案的第一光刻装置，其中通过采用负显影溶液和正光刻胶对基板上形成的光屏蔽层构图形成该正光刻胶图案。

Description

光刻显影装置及采用该装置制造滤色片基板的方法
本申请要求享有2004年6月30日递交的韩国专利申请号为P2004-50701的权益，在此引入作为参考。
技术领域
本发明涉及一种光刻显影装置及采用该装置制造显示面板的方法，尤其涉及一种光刻显影装置及采用该装置制造用于显示面板的滤色片基板的方法。
背景技术
液晶显示器件通过应用电场控制具有介电各向异性的液晶的透光率显示图像。因此，该液晶显示器件包括通过液晶单元矩阵显示图像的液晶显示面板和驱动该液晶显示面板的驱动电路。
如图1所示，现有技术的液晶显示面板包括：粘结在一起的滤色片基板10和薄膜晶体管20，在二者之间设有液晶24。
滤色片基板10包括在上玻璃基板2上顺序形成的黑矩阵4、滤色片6和公共电极8。在上玻璃基板上以矩阵形式形成黑矩阵4。该黑矩阵4将上玻璃基板2分为多个形成有滤色片的单元区域，并避免相邻单元间的光干涉和外界光反射。在由黑矩阵4分隔开的单元区域中所形成的滤色片6分别分为红R、绿G和蓝B三种以分别透射红光、绿光和蓝光。遍布滤色片6整个表面的透明公共电极8提供作为用于驱动液晶24的参考电压的公共电压Vcom。另外，为了使滤色片6平坦，在滤色片6和公共电极8之间形成涂覆层(未示出)。
薄膜晶体管基板20包括薄膜晶体管18和像素电极22，其中在由下玻璃基板12上的栅线14和数据线16交叉限定的各单元区域中形成薄膜晶体管18。该薄膜晶体管18响应来自栅线14的栅信号向像素电极22提供来自数据线16的数据信号。由透明导电层形成的像素电极22提供来自薄膜晶体管18的数据电压以驱动液晶24。
具有介电各向异性的液晶24沿由公共电极8的公共电压Vcom和像素电极22的数据电压形成的电场旋转以控制透光率，从而产生相应的灰度级图像。
液晶显示面板进一步包括在滤色片基板10和薄膜晶体管基板20之间维持盒间隙的衬垫料(未示出)。衬垫料分为球状衬垫料或柱状衬垫料。柱状衬垫料主要用于大尺寸液晶显示面板。柱状衬垫料主要用于通过滴注形成液晶的方法中并主要形成在覆盖滤色片的涂覆层上。
通过应用多轮掩模工艺形成液晶显示面板的滤色片基板10和薄膜晶体管基板20。一种制造方法包括诸如薄膜淀积(涂覆)工艺、清洗工艺、光刻工艺(以下称为“光刻工艺”)、刻蚀工艺、光刻胶剥离工艺、检查工艺等多个工艺。
光刻工艺以涂覆光刻胶、曝光、显影和烘烤的顺序进行。这里，光刻胶具有光感度并可以通过曝光工艺进行构图。光刻胶根据其特性可以分为正光刻胶和负光刻胶。正光刻胶和负光刻胶各自应该通过不同的显影溶液显影。通常正光刻胶是一种酚醛(novolak)树脂，应用TMAH显影溶液。负光刻胶为一种丙烯酸树脂，应用氢氧化钾(KOH)显影溶液。如果将这两种显影溶液少量均匀混合，则不会正确的产生光刻胶现象。因此出现的问题是两种类型的光刻胶不能同时应用于一个光刻装置中。
换句话说，在既有正光刻胶又有负光刻胶应用的情况下，需要单独的光刻装置来处理正光刻胶和负光刻胶。而且，向各光刻装置提供显影液的显影液提供装置也应该包括用于分别提供正显影溶液和负显影溶液的单独装置。
例如，在滤色片基板中，正光刻胶用于黑矩阵而负光刻胶用于滤色片。而且，负光刻胶用于涂覆层和柱状衬垫料。负光刻胶还用于主要用在水平电场型液晶显示面板的树脂黑矩阵中。因此，存在的缺点在于，因为分别需要正光刻装置和负光刻装置，并且分别需要正显影溶液提供装置和负显影溶液提供装置来形成滤色片基板，所以在操作备用装置时设备的工作效率降低。通过参考图2和图3说明现有技术的滤色片基板的制造装置和方法。
图2所示为根据现有技术用于制造滤色片基板的光刻显影装置的方框图。图3所示为现有技术中应用图2所示的制造装置形成滤色片基板过程的分步示意图。
图2所示的滤色片基板的光刻显影装置包括用于形成黑矩阵的BM光刻装置62、用于分别形成R、G和B滤色片的R、G和B光刻装置64、66和68。光刻显影装置还包括用于向BM光刻装置62提供正显影溶液的第一显影溶液供应装置70，和用于向R、G和B光刻装置64、66和68提供负显影溶液的第二显影溶液供应装置72。
如图3所示，在第一步S1，通过单独的沉积装置(未示出)在上玻璃基板30上形成铬层32。在第二步S2，BM光刻装置62通过采用第一掩模的光刻工艺在铬层32上形成光刻胶图案34。BM光刻装置62在铬层32上涂覆正光刻胶并通过第一掩模将其曝光，然后采用来自第一显影溶液供应装置70的正显影溶液显影该正光刻胶，从而形成光刻胶图案34。在第三步S3，通过采用光刻胶图案34作为掩模的刻蚀工艺，单独的刻蚀装置(未示出)刻蚀铬层32以形成黑矩阵40。然后，剥离装置(未示出)去除留在黑矩阵40上的光刻胶图案34。
在第四步S4，R光刻装置64在对应于形成有黑矩阵40的基板30的像素区域形成R滤色片。R光刻装置64在形成有黑矩阵40的基板30上涂覆具有R色素的R光刻胶并将其曝光。然后R光刻装置64通过采用来自第二显影溶液供应装置72的负显影溶液显影该R光刻胶，从而形成该R滤色片。
在第五步S5，G光刻装置66通过与第四步相同的光刻工艺在对应的像素区域形成G滤色片，并且在第六步S6，B光刻装置68通过相同的光刻工艺在对应的像素区域形成B滤色片。
在第七步S7，公共电极沉积装置(未示出)形成覆盖R、G和B滤色片的公共电极42。
在通过应用现有技术的光刻显影装置制造具有树脂黑矩阵的滤色片基板的情况下，因为如图2所示的正型BM光刻装置62不能用于负型，因此负型BM光刻装置需单独提供。然而，正型和负型的BM光刻装置需要不时的停止工作以使其产量与R、G和B光刻装置64、66和68的产量相匹配。因此，存在的问题在于两个BM光刻装置的工作效率降低50％，从而使得生产率下降。
而且，对于为了提高生产率而提供备用光刻装置，需要分别提供正型备用装置和负型备用装置。例如，为了应用最少量的备用装置，可以使用一个备用正型BM光刻装置和一个负型备用光刻装置以连续的方式生产R、G和B滤色片的方法。然而，在这种情况下，当应用BM光刻备用装置形成黑矩阵时，色彩光刻备用装置应该形成R、G和B滤色片。因此，在备用装置间产生生产失调的问题，使得生产率仅比基本的光刻显影装置生产提高三分之一。
发明内容
因此，本发明提出一种光刻显影装置和采用该光刻显影装置制造用于显示面板的滤色片的方法，其实质上可以消除由于现有技术的局限和不足所导致的一个或多个问题。
本发明的目的是提供一种通过最少量的备用光刻装置得到最大产量的光刻显影装置和采用该光刻显影装置制造用于显示面板的滤色片的方法。
本发明的附加优点和特征将在后面的描述中得以阐明，通过以下描述，将使其对本领域技术人员来说显而易见，或者可通过实践本发明来认识它们。本发明的这些目的和优点可通过书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和得到。
为了实现本发明的这些和其他的目的，一种用于制造用于显示面板的滤色片基板的光刻显影装置，包括：用于提供负显影溶液的显影溶液供应装置，和第一光刻装置，用于形成黑矩阵的正光刻胶图案，其中通过采用负显影溶液和正光刻胶对形成在基板上的光屏蔽层构图形成该正光刻胶图案。
另一方面，一种制造用于显示面板的滤色片的方法，包括：在基板上形成光屏蔽层；在该光屏蔽层上形成包括丙烯酸树脂和酚醛树脂的正光刻胶；采用掩模曝光正光刻胶的一部分；提供第一负显影溶液；通过控制第一负显影溶液的浓度提供第二负显影溶液；通过第二负显影溶液显影正光刻胶的曝光部分形成正光刻胶图案；并通过采用正光刻胶图案对光屏蔽层构图形成黑矩阵。
在本发明的第二实施例中，一种制造多个用于显示面板的滤色片基板的方法，包括：在第一基板上形成光屏蔽层；在该光屏蔽层上形成包括丙烯酸树脂和酚醛树脂的正光刻胶；采用掩模曝光正光刻胶的一部分；提供第一负显影溶液；通过控制第一负显影溶液的浓度提供第二负显影溶液；通过第二负显影溶液显影正光刻胶的曝光部分形成正光刻胶图案；并通过采用正光刻胶图案对光屏蔽层构图形成黑矩阵；在第二基板上形成黑树脂层；在该黑树脂层上形成负光刻胶；采用掩模曝光负光刻胶的一部分；通过第一负显影溶液显影负光刻胶的曝光部分以在第二基板上形成黑矩阵。
可以理解，本发明前述的概括说明和下述的详细描述均为示例性的和解释性的，旨在为所要求保护的发明提供进一步的解释。
附图说明
包括进来用于提供本发明的进一步解释并引入构成本申请的一部分的附图结合说明书来说明本发明的具体实施方式以说明本发明的原理，在附图中：
图1所示为现有技术的液晶显示面板结构的透视图；
图2所示为现有技术用于制造滤色片基板的光刻显影装置的方框图；
图3所示为采用图2所示的光刻显影装置制造滤色片基板的方法截面图；
图4所示为根据本发明第一实施方式用于制造滤色片基板的光刻显影装置的方框图；
图5所示为根据本发明第二实施方式用于制造滤色片基板的光刻显影装置的方框图；
具体实施方式
以下将参考附图中所示的实施例来详细描述本发明的优选实施方式。
本发明应用使显影溶液合为一体的方法使得可以通过同一光刻装置来处理正光刻胶和负光刻胶。对于统一的显影溶液，可以应用价格便宜而且主要用于负光刻胶显影溶液的氢氧化钾显影溶液。需要改变正光刻胶的成分以使该显影溶液与氢氧化钾成为一体。对于正光刻胶，酚醛树脂因为其生产成本低并且其工艺适用，可以用作主要成分，并且因为只采用酚醛树脂时会产生显影缺陷，因此可以加入丙烯酸树脂以减少显影缺陷。如果丙烯酸树脂比例太高，会产生残余层比例下降、较差的剥离缺陷的问题，并由于丙烯酸树脂价格较高而导致材料成本增加。另一方面，如果丙烯酸树脂过低，氢氧化钾类的显影溶液的显影特性降低从而产生图案缺陷。因此提出合适的酚醛树脂和丙烯酸树脂的混合比例。
对于本发明中正光刻胶的成分比例，固体含量与溶剂的适当比例为24～28％比72～76％，在固体含量中酚醛树脂对丙烯酸树脂的适当比例为1比0.4～0.6，例如，当酚醛树脂在整个光刻胶中的比例为14％，丙烯酸树脂的适当比例为14％。正光刻胶的成分及其成分比例如下述表1所示：
【表1】
  正光刻胶成分   成分比例
  酚醛树脂   12～17％
  丙烯酸树脂   5～10％
  光敏混合物PAC   3～5％
  溶剂   77～82％
在上述表1中，光敏混合物PAC决定与酚醛树脂混合在一起的正光刻胶特性，在曝光时其分子间的连接断开使得可以通过显影溶液很容易的去除曝光部分。这里，溶剂材料为公知的任何溶剂材料。例如，醋酸丙烯乙二醇单甲醚等用于溶剂材料。
因此，通常作为负光刻胶的氢氧化钾显影溶液可以用作以酚醛树脂作为基本成分并包含丙烯酸树脂的正光刻胶。因此，通过应用合成于同一光刻显影装置的氢氧化钾显影溶液选择性的显影正光刻胶和负光刻胶。
在通过采用氢氧化钾显影溶液显影正光刻胶的情况下，其显影特性可能变坏并且产生显影污点。因此，BM光刻装置162应用于下述方法以避免显影特性变坏和显影污点。
首先，作为在光刻显影装置中应用显影溶液的方法，应用使光刻胶放入或浸渍在显影溶液容器中的搅拌(puddle)方法，而不是向光刻胶喷射显影溶液的喷射方法。并且，如果现有装置使用喷射方法，那么在不改变装置结构的情况下可以适当调节喷嘴的旋角和喷射流量。例如，喷射角度控制在45°±5°范围内，并且喷射流量控制在15mL±2mL是适当的。
其次，在正光刻胶和掩模之间的曝光间隙设定为最大近似值。现有的正光刻胶曝光间隙典型值约为200～250μm，但是根据本发明的正光刻胶曝光间隙设定为小于该值。然而，如果该曝光间隙过小，可能会因为颗粒产生潜在的掩模损伤。因此，尽管可用的间隙可以更小，但适当的曝光间隙约为100～200μm。
第三，在现有的正光刻胶中曝光量典型值为20～30mJ。然而，在本发明中，形成图案的正光刻胶的曝光量设定为大于该值，即，约为40～70mJ。
第四，要求对氢氧化钾类显影溶液进行适当的浓度控制。例如，用于显影负光刻胶的氢氧化钾类显影溶液的适当浓度约为0.4％。另一方面，本发明中用于显影正光刻胶的氢氧化钾类显影溶液的适当浓度更高，例如，约为1％，即，氢氧化钾∶DI水＝1∶100。
因此，在通过应用通常为负显影溶液的氢氧化钾类显影溶液显影本发明正光刻胶时，可以改善显影性能，并可避免显影污点。
图4所示为采用根据本发明第一实施方式的统一显影溶液的滤色片基板的光刻显影装置的方框图。图4所示的滤色片基板的光刻显影装置包括用于形成铬黑矩阵和树脂黑矩阵的BM光刻装置162，和用于分别形成R、G和B滤色片的R、G和B光刻装置164、166和168。该光刻显影装置还包括：显影溶液供应装置170，向BM光刻装置162和R、G和B光刻装置164、166和168提供显影溶液。显影溶液供应装置170向各光刻装置162到168提供浓度维持在0.4％的氢氧化钾类显影溶液。
如果单独的沉积装置(未示出)或涂覆装置在基板上形成铬层或黑层并提供，则BM光刻装置162通过光刻工艺在其上形成光刻胶图案。
如果提供其上形成有铬层的基板，BM光刻装置162在铬层上形成以前述酚醛树脂作为基本成分并包含丙烯酸树脂的正光刻胶。然后，应用掩模对正光刻胶曝光。此时，正光刻胶以约100～200μm的曝光间隙和约40～70mJ的曝光量曝光。随后，采用统一的氢氧化钾类显影溶液显影该正光刻胶，从而形成光刻胶图案。如图4所示，氢氧化钾类显影溶液具有由添加到BM光刻装置162的自动浓度控制器174控制的浓度。自动浓度控制器174将由显影溶液供应装置170提供的浓度约为0.4％的氢氧化钾类显影溶液浓度调节为1％，然后将其提供给BM光刻装置162。采用喷射方法向正光刻胶喷射氢氧化钾类显影溶液或将其上具有正光刻胶的基板放于氢氧化钾类显影溶液中以显影光刻胶图案。这里，在应用喷射方法的情况下，喷射角度大约为45°±5°，喷射流量约为15mL±2mL。然后，BM光刻装置162烘干形成的光刻胶图案以将其转移到刻蚀装置。
另一方面，如果提供其上形成有黑树脂层的基板，那么该BM光刻装置162在黑树脂层上形成包含丙烯酸树脂的负光刻胶。然后，应用掩模对负光刻胶曝光。此时，负光刻胶以约200～250μm的曝光间隙和约350mJ的曝光量曝光。随后，采用由显影溶液提供装置170提供的浓度约为0.4％的统一氢氧化钾类显影溶液显影该负光刻胶，从而形成光刻胶图案。然后，烘干该光刻胶图案并将其转移到下一刻蚀装置。
该刻蚀装置(未示出)根据光刻胶图案刻蚀铬层或黑树脂层以形成铬黑矩阵或树脂黑矩阵。然后，通过剥离装置(未示出)去除光刻胶图案。
R光刻装置164在形成有铬或树脂黑矩阵的基板对应的像素区形成R滤色片。该R光刻装置164在形成有黑矩阵的基板上涂覆具有R色素的R负光刻胶并曝光该R负光刻胶。然后，采用由显影溶液供应装置170提供的氢氧化钾类显影溶液显影该曝光的R负光刻胶，并对其烘干从而形成R滤色片。
G光刻装置166和B光刻装置168采用与R光刻装置164同样的光刻工艺分别在对应的像素区域形成G滤色片和B滤色片。
根据本发明第一实施方式的滤色片基板的光刻显影装置通过应用统一的氢氧化钾类显影溶液在一个光刻装置中既可以形成铬黑矩阵又可以形成树脂黑矩阵。因此，不需要用于形成树脂黑矩阵的独立的光刻装置。因此，减少了设备投资成本，从而减少生产成本。而且，可以将设备工作效率提高到100％，从而提高生产率。
图5所示为采用根据本发明第二实施方式的统一显影溶液滤色片基板的光刻显影装置的方框图。图5所示的滤色片基板的光刻显影装置包括用于形成铬黑矩阵的BM光刻装置192，和用于分别形成R、G和B滤色片的R、G和B光刻装置164、166、和168。光刻显影装置还包括：用于形成黑矩阵和G滤色片的BM/G备用光刻装置182，和用于形成R滤色片或B滤色片的R/B备用光刻装置186。而且，光刻显影装置还包括用于向光刻装置192、164、166、168以及备用光刻装置182和186提供统一的显影溶液的显影溶液供应装置200。该显影溶液供应装置200向各光刻装置192、164、166和168提供浓度保持在0.4％的氢氧化钾类显影溶液。
如果单独的沉积装置(未示出)或涂覆装置在基板上形成铬层并提供，则BM光刻装置192通过光刻工艺在其上形成光刻胶图形。BM光刻装置192通过光刻工艺在其上形成光刻胶图案。与图4所示的BM光刻装置162BM一样，光刻装置192采用氢氧化钾显影溶液和以酚醛树脂作为基本成分并包含丙烯酸树脂的正光刻胶在铬层上形成光刻胶图案。如图5所示，所提供的自动浓度控制器194用于调节从显影溶液供应装置200提供的氢氧化钾显影溶液浓度，并在提供给BM光刻装置192之前将其浓度调节到更高。
R光刻装置164在形成有铬黑矩阵的基板的对应区域形成R滤色片。该R光刻装置164在形成有黑矩阵的基板上涂覆具有R色素的负光刻胶并曝光该涂覆的R负光刻胶。然后，通过采用从显影溶液供应装置200提供的氢氧化钾类显影溶液显影曝光的R负光刻胶，然后烘干，从而形成R滤色片。
G光刻装置166和B光刻装置168采用与R光刻装置164一样的光刻工艺在对应的像素区分别形成G滤色片和B滤色片。
如果向BM/G备用光刻装置182提供其上形成有铬层的基板，该BM/G备用光刻装置182在铬层上形成光刻胶图案并以与BM光刻装置192同样的方式将基板转移到下一个刻蚀装置。此外，如果向BM/G备用光刻装置182提供其上形成有黑矩阵的基板，BM/G备用光刻装置182采用与G光刻装置166一样的光刻工艺形成G滤色片。
R/B备用光刻装置186通过与R光刻装置164和B光刻装置168一样的光刻工艺形成R滤色片和B滤色片。
根据本发明第二实施方式的滤色片基板的光刻显影装置包括产生黑矩阵和三个滤色片中的任意一个的两个备用光刻装置中的一个，以及产生另外两个滤色片的另一备用光刻装置。因此，可以防止备用装置的生产失调现象，并达到对应于基本光刻显影装置所能实现的生产率的一半。
根据本发明实施方式的光刻显影装置以及制造滤色片基板的方法可以用于液晶面板，以及具有滤色片基板的其他各种各样的显示面板。
此外，图4和图5所示的滤色片基板的光刻显影装置进一步包括用于在滤色片上形成涂覆层的负型光刻装置和用于在涂覆层上形成柱状衬垫料的负型光刻装置。涂覆层光刻装置在滤色片上形成负光刻胶并将其曝光以通过相对低浓度的氢氧化钾显影溶液对其显影，从而形成使滤色片平坦的涂覆层。柱状衬垫料光刻装置在涂覆层上形成负光刻胶并将其曝光以通过相对低浓度的氢氧化钾显影溶液对其显影，从而形成柱状衬垫料。
如上所述，根据本发明具体实施方式的光刻显影装置以及采用其制造显示面板滤色片基板的方法应用通常为负光刻胶显影溶液的氢氧化钾类显影溶液和以酚醛树脂为基本成分并具有丙烯酸树脂的正光刻胶显影溶液。这使得正光刻胶和负光刻胶可以在一个光刻装置中构图。特别地，在构图正光刻胶时可以适当的控制曝光间隙、曝光量、显影溶液密度、喷射角以及其他特性，从而避免由于氢氧化钾显影溶液产生的显影缺陷和污点。
因此，根据本发明具体实施方式的光刻显影装置和采用其制造显示面板的滤色片基板的方法可以在一个光刻装置中形成铬黑矩阵和树脂黑矩阵所需的光刻胶图案。因此，设备工作效率可以提高到100％，并可以减少设备成本。
此外，根据本发明具体实施方式的光刻显影装置和采用其制造显示面板的滤色片基板的方法通过增加两个备用光刻装置并等效利用这些装置形成R、G和B滤色片和铬黑矩阵的光刻胶图案。因此，可以改善生产率，防止备用装置的生产失调的情况。
很显然，本领域的熟练技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围内对根据本发明的光刻显影装置和采用其制造显示面板的滤色片基板的方法进行各种各样的修改和改进。因此，本发明旨在包括所有落入所附权利要求及其等同物范围内的对本发明进行的修改和改进。

Claims (33)

1、一种用于制造用于显示面板的滤色片基板的光刻显影装置，包括：
显影溶液供应装置，其用于提供负显影溶液；以及
第一光刻装置，其形成用于形成黑矩阵的正光刻胶图案，其中通过采用负显影溶液和正光刻胶对形成在基板上的光屏蔽层构图形成正光刻胶图案。
2、根据权利要求1所述的光刻显影装置，其特征在于，所述第一光刻装置包括用于控制来自显影溶液供应装置的负显影溶液浓度的自动浓度控制器。
3、根据权利要求2所述的光刻显影装置，其特征在于，所述第一光刻装置通过采用来自显影溶液供应装置的负显影溶液和负光刻胶对形成在基板上的黑树脂层构图形成用于形成黑矩阵的负光刻胶图案。
4、根据权利要求1所述的光刻显影装置，其特征在于，该光刻显影装置进一步包括通过在基板和黑矩阵上采用负显影溶液和彩色负光刻胶分别形成R、G和B滤色片的第二、第三和第四光刻装置。
5、根据权利要求4所述的光刻显影装置，其特征在于，该光刻显影装置进一步包括：
第一备用光刻装置，其形成R、G和B滤色片之一和用于形成黑矩阵的正光刻胶；和
第二备用光刻装置，其形成另外两个滤色片。
6、根据权利要求5所述的光刻显影装置，其特征在于，所述第一备用光刻装置包括用于控制来自显影溶液供应装置用于构图正光刻胶的负显影溶液浓度的自动浓度控制器。
7、根据权利要求4所述的光刻显影装置，其特征在于，其进一步包括第五光刻装置，其采用来自显影溶液供应装置的负显影溶液和滤色片上的涂覆负光刻胶形成涂覆层。
8、根据权利要求7所述的光刻显影装置，其特征在于，其进一步包括第六光刻装置，其采用来自显影溶液供应装置的负显影溶液和涂覆层上的衬垫料负光刻胶形成柱状衬垫料。
9、根据权利要求1所述的光刻显影装置，其特征在于，所述负显影溶液包括氢氧化钾类显影溶液。
10、根据权利要求9所述的光刻显影装置，其特征在于，所述显影溶液供应装置保持负显影溶液氢氧化钾的浓度为0.4％，并且自动浓度控制器保持负显影溶液氢氧化钾的浓度为1％。
11、根据权利要求1所述的光刻显影装置，其特征在于，所述第一光刻装置将正光刻胶的曝光间隙保持在100～200μm范围内。
12、根据权利要求1所述的光刻显影装置，其特征在于，所述第一光刻装置将正光刻胶的曝光量保持在40～70mJ范围内。
13、根据权利要求1所述的光刻显影装置，其特征在于，通过喷射方法向正光刻胶提供负显影溶液的喷射角在40～50度范围内。
14、根据权利要求13所述的光刻显影装置，其特征在于，所述第一光刻装置将负显影溶液的喷射量保持在13～17mL范围内。
15、根据权利要求1所述的光刻显影装置，其特征在于，通过将正光刻胶浸渍在负显影溶液中的方法向正光刻胶提供负显影溶液。
16、根据权利要求1所述的光刻显影装置，其特征在于，所述正光刻胶包括丙烯酸树脂和酚醛树脂。
17、根据权利要求16所述的光刻显影装置，其特征在于，正光刻胶中包括的酚醛树脂对丙烯酸树脂的比例在1∶0.4和1∶0.6的范围之间。
18、根据权利要求1所述的光刻显影装置，其特征在于，所述正光刻胶的成分是12％到17％的酚醛树脂、5％到10％的丙烯酸树脂、3％到5％的光敏混合物和72％到76％的溶剂。
19、一种制造用于显示面板的滤色片的方法，包括：
在基板上形成光屏蔽层；
在该光屏蔽层上形成包括丙烯酸树脂和酚醛树脂的正光刻胶；
采用掩模曝光正光刻胶的一部分；
提供第一负显影溶液；
通过控制第一负显影溶液的浓度提供第二负显影溶液；
通过第二负显影溶液显影正光刻胶的曝光部分形成正光刻胶图案；以及
通过采用正光刻胶图案构图光屏蔽层形成黑矩阵。
20、根据权利要求19所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在基板和黑矩阵上形成彩色负光刻胶；
采用掩模曝光彩色负光刻胶的一部分；以及
通过第一负显影溶液显影彩色负光刻胶的曝光部分形成滤色片。
21、根据权利要求20所述的方法，其特征在于，通过重复形成彩色负光刻胶、曝光彩色负光刻胶的一部分、以及显影彩色负光刻胶的曝光部分在对应的像素区域形成R、G和B滤色片。
22、根据权利要求20所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在滤色片上形成涂覆负光刻胶；
应用掩模曝光涂覆负光刻胶的一部分；以及
通过第一负显影溶液显影涂覆负光刻胶的一部分以形成涂覆层。
23、根据权利要求22所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在涂覆层上形成衬垫料负光刻胶；
应用掩模曝光衬垫料负光刻胶的一部分；以及
通过第一负显影溶液显影衬垫料负光刻胶的一部分以形成柱状衬垫料。
24、根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述第一和第二负显影溶液均包含氢氧化钾类显影溶液。
25、根据权利要求24所述的方法，其特征在于，所述第一负显影溶液具有0.4％的氢氧化钾浓度，并且第二负显影溶液具有1％的氢氧化钾浓度。
26、根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述正光刻胶的曝光间隙在100～200μm范围内。
27、根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述正光刻胶的曝光量在40～70mJ范围内。
28、根据权利要求19所述的方法，其特征在于，通过喷射方法向正光刻胶提供第二负显影溶液的喷射角在40～50度范围内。
29、根据权利要求28所述的方法，其特征在于，所述第二负显影溶液的喷射量为13～17mL。
30、根据权利要求19所述的方法，其特征在于，通过将正光刻胶浸渍在第二负显影溶液中向正光刻胶提供第二负显影溶液。
31、根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述正光刻胶中包括的酚醛树脂对丙烯酸树脂的比例在1∶0.4和1∶0.6之间。
32、根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述正光刻胶的成分是12％到17％的酚醛树脂、5％到10％的丙烯酸树脂、3％到5％的光敏混合物和72％到76％的溶剂。
33、一种制造用于显示面板的多个滤色片基板的方法，包括：
在第一基板上形成光屏蔽层；
在该光屏蔽层上形成包括丙烯酸树脂和酚醛树脂的正光刻胶；
采用掩模曝光正光刻胶的一部分；
提供第一负显影溶液；
通过控制第一负显影溶液的浓度提供第二负显影溶液；
通过第二负显影溶液显影正光刻胶曝光的部分形成正光刻胶图案；
通过采用正光刻胶图案构图光屏蔽层形成黑矩阵；
在第二基板上形成黑树脂层；
在该黑树脂层上形成负光刻胶；
采用掩模曝光负光刻胶的一部分；以及
通过第一负显影溶液显影负光刻胶的曝光部分以在第二基板上形成黑矩阵。
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