KR20070028767A - 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조방법 - Google Patents

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KR20070028767A
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김영국
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 컬러 필터 기판 제조 라인에서 ITO 패턴을 형성하는 컬러 필터 기판의 제조 방법을 제공하기 위하여, 기판 상에 블랙 매트릭스(Black Matrix) 패턴을 형성하는 단계와, 블랙 매트릭스 패턴이 형성된 기판 상에 레드, 그린, 블루(RGB) 컬러 필터 패턴을 형성하는 단계와, RGB 컬러 필터 패턴 상에 평탄화막을 형성하는 단계 및 평탄화막 상에 공통 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하되, RGB 컬러 필터 패턴은 네가티브형 포토레지스트 및 네가티브형 포토레지스트용 현상액을 이용하여 형성하며, 공통 전극 패턴은 네가티브형 포토레지스트용 현상액으로 현상이 가능한 포지티브형 포토레지스트를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조 방법이 제공된다.
액정 표시 장치, 컬러 필터 기판, 네가티브 포토레지스트, 포지티브 포토레지스트, 현상, 공통 전극

Description

액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조방법 {Method for manufacturing color filter for liquid crystal display device}
도 1a 및 도 1b는 일반적인 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판의 평면도 및 단면도이다.
도 2는 종래 기술에 따른 컬러 필터 기판의 제조 공정을 개략적으로 나타내는 도이다.
도 3은 본 발명에 따른 컬러 필터 기판의 제조 공정을 개략적으로 나타내는 도이다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 컬러 필터 기판의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 포지티브형 포토레지스트를 이용한 공통 전극(ITO) 패턴의 제조 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 6a는 종래 기술에 따라 제조된 공통 전극 패턴을 나타내며, 도 6b는 본 발명에 따라 제조된 공통 전극 패턴을 나타내는 사진이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
410: 기판
420: 블랙 매트릭스
430: RGB 컬러 필터 패턴
435: 컬러 포토레지스트
440: 평탄화막
450: ITO
본 발명은 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 네가티브 포토레지스트용 현상액으로 현상이 가능한 포지티브 포토레지스트를 이용하여 컬러 필터 기판의 공통 전극 패턴을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 화소 전극 및 각 화소를 스위칭하는 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor) 등이 형성된 박막 트랜지스터 기판과, 공통 전극 등이 형성된 컬러 필터 기판 및 두 기판 사이에 밀봉된 액정으로 구성된다. 여기서, 액정 표시 장치는 두 개의 기판 사이에 전압을 인가하여 액정을 구동시키고 광의 투과율을 제어함으로써 화상을 디스플레이한다.
도 1a 및 도 1b는 일반적인 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판의 평면도 및 단면도이다.
상기 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 상기 컬러 필터 기판은 유리 기판(10), 상 기 유리 기판 상에 형성되며, 단위 화소 사이의 광을 차단하는 블랙 매트릭스(BM)(20), 색상을 구현하기 위한 레드, 그린, 블루(RGB) 컬러 필터 패턴(31, 33, 35), 상기 RGB 컬러 필터 패턴 상에 형성된 평탄화막(overcoat)(40) 및 상기 평탄화막 상에 형성되며, 액정 셀에 전압을 인가하기 위한 공통 전극(50)으로 구성된다.
상기 블랙 매트릭스(20)는 각 화소의 경계 부근에 설치되어, RGB 컬러 필터 패턴의 RGB를 각각 분리하는 동시에 박막 트랜지스터 기판의 화소 전극이 제어하지 못하는 영역의 액정 셀을 통과해 나오는 빛을 차단하여, 액정 표시 장치의 콘트라스트비를 향상시키는 역할을 한다.
상기 평탄화막(40)은 공통 전극 형성시 양호한 스텝 커버리지를 위하여, RGB 컬러 필터 패턴 상에 형성되며, 아크릴 수지 등을 코팅하는 방식으로 형성한다.
상기 공통 전극(50)은 컬러 필터 기판 전면에 스퍼터링 방법으로 증착하며, 대부분의 TFT-LCD 모드의 경우 공통 전극은 패턴을 형성하지 않고, LCD 화면 전체에 공통 전극 전압이 동일하게 인가될 수 있도록 면 저항이 충분히 작으면서, 투과율은 극대화 되도록 형성한다.
이와는 달리, 액정 표시 장치의 시야각을 넓히기 위하여, 액정 분자를 상하 기판에 대하여 수직으로 배향하고 화소 전극과 그 대향 전극인 공통 전극에 도메인 규제수단으로 절개 패턴을 형성한 PVA(patterned vertically aligned) 모드의 액정표시 장치의 경우에는 상기 공통 전극(50)도 박막 트랜지스터 기판의 화소 전극과 마찬가지로 패턴을 형성한다.
도 2는 종래 기술에 따른 컬러 필터 기판의 제조 공정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
상기 도 2를 참조하여, 컬러 필터 기판의 제조 공정을 살펴보면, 우선, 기판상에 블랙 매트릭스 패턴을 형성한다. 그 다음에, RGB 컬러 필터 패턴을 형성한 후, 상기 블랙 매트릭스 패턴과 RGB 컬러 필터 패턴 상에 평탄화막을 형성한다. 여기서, 블랙 매트릭스 패턴과 RGB 컬러 필터 패턴 형성시, 일반적으로 네가티브형 포토레지스트를 사용하며, 이러한 네가티브형 포토레지스트를 현상하기 위하여, 네가티브형 포토레지스트용 현상액을 이용한다.
그리고 나서, 공통 전극으로서 ITO막을 상기 평탄화막 상에 증착시킨 후, ITO 패턴을 형성하는데, 이때 ITO 패턴은 PVA 모드의 경우 미세 패턴 형성을 요구하므로, 포지티브형 포토레지스트 및 이를 현상하기 위한 포지티브형 포토레지스트용 현상액을 이용하여 형성된다. 그러나, 컬러 필터 기판의 제조 라인에서는 네가티브형 포토레지스트용 현상액을 사용하기 때문에, 포지티브형 포토레지스트를 이용하여, ITO 패턴을 형성할 수 없다.
따라서, 컬러 필터 기판을 박막 트랜지스터 기판 제조 라인으로 이동하여, 박막 트랜지스터 기판의 화소 전극 패턴 형성 공정을 통하여 컬러 필터 기판의 ITO 패턴을 형성한 후, 다시 컬러 필터 기판의 제조 라인으로 이동하는 공정을 수행해야 하므로, 제조 라인의 동선이 길어지고, 컬러 필터 기판의 ITO 패턴의 수량이 증가할수록, 박막 트랜지스터 기판 제조 라인의 수율은 감소하게 되는 문제점이 발생한다.
ITO 패턴을 형성하기 위하여, 박막 트랜지스터 기판 제조 라인으로 이동하지 않기 위해서는, 컬러 필터 기판의 제조 라인에서 사용하는 현상액을 포지티브형 포토레지스트용 현상액으로 교환한 후, ITO 패턴을 형성할 수도 있으나, 현상액을 교환하는데 많은 시간이 소요되므로, 생산성이 떨어지고, 설비 개조로 인한 추가적인 비용이 발생하게 되는 문제점이 발생하게 된다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 네가티브형 포토레지스트용 현상액으로 현상이 가능한 포티지브형 포토레지스트를 이용하여 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판의 공통 전극 패턴을 형성하기 위한 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 상에 블랙 매트릭스(Black Matrix) 패턴을 형성하는 단계; 상기 블랙 매트릭스 패턴이 형성된 기판 상에 레드, 그린, 블루(RGB) 컬러 필터 패턴을 형성하는 단계; 상기 RGB 컬러 필터 패턴 상에 평탄화막을 형성하는 단계 및 상기 평탄화막 상에 공통 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 RGB 컬러 필터 패턴은 네가티브(negative)형 포토레지스트 및 상기 네가티브형 포토레지스트용 현상액을 이용하여 형성하며, 상기 공통 전극 패턴은 상기 네가티브형 포토레지스트용 현상액으로 현상이 가능한 포지티브(positive)형 포토레지스트를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조 방법이 제공된다.
상기 네가티브형 포토레지스트용 현상액은 계면 활성제 및 수산화칼륨 수용액을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 포지티브형 포토레지스트는 디아지드계 감광성 화합물; 노볼락 수지 및 아크릴레이트계 수지를 포함한 고분자 수지; 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 및 에틸 락테이트를 포함한 용매; 멜라민계 가교제 및 실리콘계 계면 활성제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 포지티브형 포토레지스트는 상기 디아지드계 감광성 화합물 3 내지 7 중량%, 상기 고분자 수지 11 내지 18 중량%, 상기 용매 70 내지 85 중량%, 상기 가교제와 계면 활성제 1 내지 5 중량%를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 고분자 수지는 상기 노볼락 수지 35 내지 45 중량% 및 상기 아크릴레이트계 수지 55 내지 65 중량%를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 블랙 매트릭스 패턴은 상기 네가티브형 포토레지스트용 현상액으로 현상이 가능한 포지티브(positive)형 포토레지스트를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 평탄화막 상에 공통 전극 패턴을 형성하는 단계는 상기 평탄화막 상에 ITO(Indium-Tin Oxide)를 증착하는 단계; 상기 포지티브형 포토레지스트를 코팅하는 단계; 상기 코팅된 포지티브형 포토레지스트를 소정 온도로 프리 베이크(pre bake)하는 단계; 소정 패턴이 형성된 마스크를 이용하여 노광하는 단계; 상기 네가티브형 포토레지스트용 현상액을 이용하여 현상하는 단계; 소정 온도로 포스트 베이크(post bake)하는 단계 및 상기 ITO를 식각한 후, 상기 포지티브형 포토레지스 트를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 프리 베이크는 80 내지 100℃에서 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 노광하는 단계에서, 노광량은 200 내지 300mJ/cm2 인 것을 특징으로 한다.
상기 네가티브형 포토레지스트용 현상액의 온도는 20 내지 30℃ 인 것을 특징으로 한다.
상기 포스트 베이크는 110 내지 130℃에서 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 컬러 필터 기판의 제조 공정을 개략적으로 나타내는 도이며, 도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 컬러 필터 기판의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
상기 도 3을 참조하여, 컬러 필터 기판의 제조 공정을 개략적으로 살펴보면, 우선 기판상에 블랙 매트릭스 패턴을 형성하고(S310), 그 다음에, RGB 컬러 필터 패턴을 형성하는 과정을 수행한다(S320). 기판상에 블랙 매트릭스 패턴과 RGB 컬러 필터 패턴이 형성되면, 그 상부에 평탄화막(Overcoat)을 형성한다(S330). 그리고 나서, 공통 전극으로서 ITO막을 평탄화막 상에 증착(S340)시킨 후, 포지티브형 포토레지스트를 이용하여 ITO 패턴을 형성한다(S350). 그 다음, 배향막을 형성하고, 액정 셀의 갭(gap)을 일정하게 유지하기 위하여, 스페이서를 산포하는 과정을 수행 한다(S360).
이러한 일련의 공정이 컬러 필터 기판의 제조라인에서 수행될 수 있도록, 상기 포지티브형 포토레지스트는 네가티브형 포토레지스트용 현상액으로도 현상이 가능한 포토레지스트를 사용한다. 이에 대한 내용은 이하의 도 4를 참조하여 상세히 설명한다.
상기 도 4a를 참조하면, 우선 기판(410) 상에 블랙 매트릭스 패턴(420)을 형성한다(S310). 이때, 블랙 매트릭스의 재질로는 카본 계열의 유기 재료나 크롬(Cr) 등의 금속 박막을 주로 사용한다. 본 실시예의 경우, 블랙 매트릭스(420)는 크롬 옥사이드 및 크롬 2층 박막으로 형성하며, 이와 같이 2층 박막으로 형성할 경우에는 LCD 화면의 표면 반사율을 낮추는 기능을 한다.
카본 계열의 유기 재료를 사용하는 경우에는 네가티브형 포토레지스트를 이용하여 블랙 매트릭스 패턴을 형성하며, 크롬을 사용하는 경우에는 이하에서 상술될 ITO 패턴과 마찬가지로 네가티브형 포토레지스트용 현상액으로 현상이 가능한 포지티브형 포토레지스트를 이용하여 블랙 매트릭스 패턴을 형성한다. 이에 대한 상세한 설명은 ITO 패턴 형성 과정에서 살펴본다.
상기 도 4b를 참조하면, 상기 블랙 매트릭스가 형성된 기판 상에 RGB 컬러 필터 패턴(430)을 형성한다.
상기 도 4b에는 레드 컬러 패턴 형성 과정이 도시되는데, 적색 성분의 안료가 분산된 네가티브형 컬러 포토레지스트(435)를 블랙 매트릭스 패턴이 형성된 기판 상에 도포하고, 마스크(437)를 사용하여 노광시키면, 노광된 영역의 광 중합 개 시제가 반응하여 폴리머가 형성되어 현상시 제거되지 않고 패턴으로 남게 된다. 현상 후 형성된 컬러 필터 패턴은 열을 가하여 고착화 시킨다.
이러한 RGB 컬러 필터 패턴은 박막 트랜지스터 기판의 패턴 형성 수준의 정밀도가 요구되는 것은 아니므로, 일반적으로 노광되지 않은 부분이 현상액으로 제거되는 네가티브형 포토레지스트를 사용한다. 여기서, 네가티브형 포토레지스트용 현상액은 계면 활성제 및 수산화칼륨 수용액을 포함하는 수산화칼륨계 현상액을 사용한다. 예를 들면, JSR사의 CD-150CR(상표명)과 물을 1:99의 비율로 희석하여 사용한다.
그리고 나서, 레드(Red) 컬러 필터 패턴이 형성된 기판에 그린(Green) 성분의 안료가 분산된 네가티브형 컬러 포토레지스트를 도포하고 동일한 설계의 마스크를 단위화소 이격 거리만큼 이동시켜 노광시키고 현상하면, 그린 컬러 필터 패턴이 형성된다. 그리고 나서, 블루(Blue) 성분의 안료가 분산된 네가티브형 컬러 포토레지스트를 사용하여 상기와 같은 공정을 반복하면, RGB 컬러 필터 패턴이 형성된다.
상기 도 4c를 참조하면, RGB 컬러 필터 패턴이 형성되면, 그 상부에 평탄화막(440)을 형성한다. 상기 평탄화막은 RGB 컬러 필터 패턴에서 액정 셀 쪽으로 유기 물질의 용출 방지와 공통 전극 형성 시 양호한 스텝 커버리지를 위하여, RGB 컬러 필터 패턴의 표면에 형성한다. 이때, 평탄화막의 재료로는 아크릴 수지 등이 이용된다.
상기 도 4d를 참조하면, 공통 전극으로서 ITO막(450)을 평탄화막 상에 증착시킨다. 이때, ITO막은 스퍼터링 방식을 통하여 증착시킨다.
상기 도 4e를 참조하면, ITO 패턴은 박막 트랜지스터 기판의 패턴 형성과 마찬가지로 미세 패턴 형성을 요구하므로, 포지티브형 포토레지스트를 이용하여 형성한다. 이때, 포지티브형 포토레지스트는 상기 RGB 컬러 패턴 형성 시 사용되는 네가티브형 포토레지스트용 현상액으로 현상이 가능한 성분으로 구성된다.
본 실시예에서 사용되는 네가티브형 포토레지스트용 현상액으로 현상이 가능한 포지티브형 포토레지스트에 대해서 상세히 살펴보면, 상기 포지티브형 포토레지스트는 DNQ(diazonaphtoquinone)를 포함하는 감광성 화합물(PAC)과, 노볼락 수지 및 아크릴레이트계 수지를 포함한 고분자 수지와, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME) 및 에틸 락테이트(EL)를 포함한 용매와, 멜라민계 가교제 및 실리콘계 계면 활성제를 포함한다.
이때, 상기 디아지드계 감광성 화합물은 3 내지 7 중량%, 상기 고분자 수지는 11 내지 18 중량%, 상기 용매는 70 내지 85 중량%, 상기 가교제와 계면 활성제는 1 내지 5 중량%로 구성되는 것이 바람직하다.
상기 고분자 수지의 노볼락 수지는 이하의 화학식 1로 표시되며, 아크릴레이트계 수지는 이하의 화학식 2로 표시된다.
Figure 112005049991821-PAT00001
Figure 112005049991821-PAT00002
상기 화학식 2에서 R1은 수소 또는 메틸기이며, R2, R3, R4는 수소, 알킬기, 아릴기 또는 방향족이다.
그리고, 상기 고분자 수지는 노볼락 수지 35 내지 45 중량% 및 아크릴레이트계 수지 55 내지 65 중량%의 비율로 혼합하여 구성되는 것이 바람직하다.
노볼락 수지만으로 구성된 종래의 포지티브형 포토레지스트의 경우, 이러한 노볼락 수지가 수산화칼륨계 네가티브형 포토레지스트용 현상액에서 용해 속도가 매우 느리기 때문에 현상이 불가능하였다.
한편, 상기에서 살펴본 본 발명의 실시예에 따른 포지티브형 포토레지스트는 노볼락 수지와 용해 속도가 빠른 아크릴레이트계 수지를 포함하기 때문에, 수산화칼륨계 네가티브형 포토레지스트용 현상액으로도 현상이 가능하게 된다.
도 5는 본 발명에 따른 포지티브형 포토레지스트를 이용한 공통 전극(ITO) 패턴의 제조 공정을 나타내는 흐름도이다.
상기 도 5를 참조하여, 공통 전극 패턴을 형성하는 과정을 살펴보면, 우선 블랙 매트릭스, RGB 컬러 필터 패턴 및 평탄화막이 형성된 컬러 필터 기판 상에 공통 전극으로서 ITO(Indium-Tin Oxide)를 증착한다(S510). 그 다음에, 오염 물질 등을 제거하기 위하여, 상기 컬러 필터 기판을 세정한다(S520).
그리고 나서, 상기에서 살펴본 바와 같이, 네가티브형 포토레지스트용 현상액 예를 들면, 수산화칼륨계 현상액으로 현상이 가능한 포지티브형 포토레지스트를 증착된 ITO 전면에 코팅하는 과정을 수행한다(S530).
상기 코팅된 포지티브형 포토레지스트를 소정 온도로 프리 베이크(pre bake)하는 과정(S540)을 수행하며, 이때 프리 베이크는 80 내지 100℃에서 이루어지며, 바람직하게는 90℃에서 이루어진다.
그리고 나서, 소정 패턴이 형성된 마스크를 이용하여 노광을 한 후(S550), 네가티브형 포토레지스트용 현상액을 이용하여, 상기 포지티브형 포토레지스트를 현상하는 과정을 수행한다(S560).
이때, 상기 노광하는 과정에서 노광량은 200 내지 300mJ/cm2이 되게 하며, 바람직하게는 250mJ/cm2이 되도록 조절한다.
상기 네가티브형 포토레지스트용 현상액은 상기에서 살펴본 바와 같이, 수산화칼륨계 현상액을 이용하며, 본 실시예에서는 JSR사의 CD-150CR을 물에 희석하여 사용한다. 그리고, 상기 네가티브형 포토레지스트용 현상액의 온도는 20 내지 30℃가 되도록 조절하며, 바람직하게는 25℃가 되도록 한다.
이와 같이, 네가티브형 포토레지스트용 현상액을 이용하여 충분히 현상한 후, 노광된 포지티브형 포토레지스트가 제거될 때까지 대기한다.
그 다음, 잔존하는 포토레지스트의 접착성 및 내화학성을 증진시키기 위하여, 소정 온도로 포스트 베이크(post bake)하는 과정(S570)을 수행하며, 이때 포스트 베이크는 110 내지 130℃에서 이루어지며, 바람직하게는 120℃에서 이루어진다.
그리고 나서, 노출된 ITO를 식각한 후(S580), 잔존하는 포지티브형 포토레지스트를 제거하는 과정(S590)을 수행하여, 컬러 필터 기판 상에 ITO 패턴을 형성하게 된다.
도 6a는 종래 기술에 따라 제조된 공통 전극 패턴을 나타내며, 도 6b는 본 발명에 따라 제조된 공통 전극 패턴을 나타내는 사진이다.
상기 도 6a는 종래 기술에 따른 포지티브형 포토레지스트를 이용하여 형성한 공통 전극 패턴이며, 상기 도 6b는 본 발명에 따른 네가티브형 포토레지스트용 현상액으로 현상이 가능한 포지티브형 포토레지스트를 이용하여 형성한 공통 전극 패턴이다.
양자를 비교할 때, 약 6㎛ 선폭을 갖는 패턴 형성 상태가 거의 동등한 수준이며, 노치(notch) 부분의 형성 상태 역시 양자가 거의 동등한 수준임을 알 수 있 다.
따라서, 본 발명에 따른 컬러 필터 기판의 제조 방법에 따르면, 컬러 필터 기판의 ITO 패턴 형성 과정을 컬러 필터 기판 제조 라인에서 수행함으로써, 컬러 필터 기판의 제품 생산 시간을 단축시킬 수 있으며, 박막 트랜지스터 기판의 생산량 역시 증가시킬 수 있게 된다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조방법의 예시적인 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이, 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
전술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 미세 패턴 형성을 요구하는 컬러 필터 기판의 ITO 패턴 형성시, 네가티브형 포토레지스트용 현상액으로 현상이 가능한 포지티브형 포토레지스트를 이용함으로써, ITO 패턴 형성 과정을 컬러 필터 기판 제조 라인에서 수행할 수 있으며, 그 결과 컬러 필터 기판의 제품 생산 시간을 단축시키고, 박막 트랜지스터 기판의 생산량 역시 증가시킬 수 있게 된다.

Claims (11)

  1. 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조 방법에 있어서,
    기판 상에 블랙 매트릭스(Black Matrix) 패턴을 형성하는 단계;
    상기 블랙 매트릭스 패턴이 형성된 기판 상에 레드, 그린, 블루(RGB) 컬러 필터 패턴을 형성하는 단계;
    상기 RGB 컬러 필터 패턴 상에 평탄화막을 형성하는 단계 및
    상기 평탄화막 상에 공통 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 RGB 컬러 필터 패턴은 네가티브(negative)형 포토레지스트 및 상기 네가티브형 포토레지스트용 현상액을 이용하여 형성하며, 상기 공통 전극 패턴은 상기 네가티브형 포토레지스트용 현상액으로 현상이 가능한 포지티브(positive)형 포토레지스트를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 네가티브형 포토레지스트용 현상액은 계면 활성제 및 수산화칼륨 수용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 포지티브형 포토레지스트는,
    디아지드계 감광성 화합물;
    노볼락 수지 및 아크릴레이트계 수지를 포함한 고분자 수지;
    프로필렌글리콜 모노메틸에테르 및 에틸 락테이트를 포함한 용매;
    멜라민계 가교제 및
    실리콘계 계면 활성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 포지티브형 포토레지스트는,
    상기 디아지드계 감광성 화합물 3 내지 7 중량%, 상기 고분자 수지 11 내지 18 중량%, 상기 용매 70 내지 85 중량%, 상기 가교제와 계면 활성제 1 내지 5 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조 방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 고분자 수지는,
    상기 노볼락 수지 35 내지 45 중량% 및 상기 아크릴레이트계 수지 55 내지 65 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서
    상기 블랙 매트릭스 패턴은 상기 네가티브형 포토레지스트용 현상액으로 현상이 가능한 포지티브(positive)형 포토레지스트를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조 방법.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 평탄화막 상에 공통 전극 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 평탄화막 상에 ITO(Indium-Tin Oxide)를 증착하는 단계;
    상기 포지티브형 포토레지스트를 코팅하는 단계;
    상기 코팅된 포지티브형 포토레지스트를 소정 온도로 프리 베이크(pre bake)하는 단계;
    소정 패턴이 형성된 마스크를 이용하여 노광하는 단계;
    상기 네가티브형 포토레지스트용 현상액을 이용하여 현상하는 단계;
    소정 온도로 포스트 베이크(post bake)하는 단계 및
    상기 ITO를 식각한 후, 상기 포지티브형 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 프리 베이크는 80 내지 100℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 노광하는 단계에서, 노광량은 200 내지 300mJ/cm2 인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 네가티브형 포토레지스트용 현상액의 온도는 20 내지 30℃ 인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 포스트 베이크는 110 내지 130℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 제조 방법.
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