CN107065428B - 用于形成色阻层、黑矩阵的拼接单元光罩 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于形成色阻层的拼接单元光罩及用于黑矩阵的拼接单元光罩，属于显示技术领域，解决了现有的拼接曝光技术存在易产生拼接斑纹的技术问题。该用于形成色阻层的拼接单元光罩，包括透光区域和不透光区域；所述透光区域对应于色阻层的去除区域，所述不透光区域对应于色阻层的保留区域；所述拼接单元光罩的边缘设置有拼接重叠区域，所述拼接重叠区域位于黑矩阵区域之内。

Description

用于形成色阻层、黑矩阵的拼接单元光罩
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体的说，涉及一种用于形成色阻层、黑矩阵的拼接单元光罩。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示屏已经成为最为常见的显示装置。液晶显示屏具有高空间利用率、低功耗、无辐射以及低电磁干扰等优越特性，因此在电视、手机、平板电脑等信息沟通工具中得到广泛使用。
随着人们对大尺寸显示的青睐，大尺寸液晶面板的需求不断增加，但受限于光罩尺寸，大于光罩尺寸的液晶面板在制作过程中需使用拼接曝光技术。拼接光罩时，拼接斑纹(mura)一直是关键问题。马赛克(Mosaic)拼接是一种常用的光罩拼接技术，多用于色阻层制程中层别的拼接。以马赛克拼接为例，为防止曝光对位误差及制程因素导致拼接图案(Pattern)不完整，设计图案时，拼接的图案间需要有重复区域。
如图1所示，现有的马赛克拼接光罩设计中，拼接处光罩上的图案设计为互补的图案，拼接后成为一个完整的图案。在拼接光罩设计时，为防止曝光对位误差导致拼接图案不完整，马赛克拼接区的图案会在拼接方向上多设计5μm左右，拼接曝光时就会该区域就会重复曝光。重复曝光的区域会导致拼接斑纹现象。
现有的拼接分割方法中存在较多的重复区域，曝光时该重复区域会重复曝光，会导致该区域的曝光量与其它正常区域的曝光量存在差异，因此易产生拼接斑纹。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于形成色阻层、黑矩阵的拼接单元光罩，以解决现有的拼接曝光技术存在易产生拼接斑纹的技术问题。
本发明提供一种用于形成色阻层的拼接单元光罩，所述拼接单元光罩包括透光区域和不透光区域；
所述透光区域对应于色阻层的去除区域，所述不透光区域对应于色阻层的保留区域；
所述拼接单元光罩的边缘设置有拼接重叠区域，所述拼接重叠区域位于黑矩阵区域之内。
进一步的是，所述拼接重叠区域设置于所述拼接单元光罩的上边缘和下边缘，且沿横向延伸；
所述不透光区域沿纵向延伸。
优选的是，所述拼接重叠区域中采用马赛克拼接图案。
优选的是，所述拼接重叠区域的宽度为10至15微米。
本发明还提供一种用于形成黑矩阵的拼接单元光罩，所述拼接单元光罩包括透光区域和不透光区域；
所述透光区域对应于像素单元的开口区域，所述不透光区域对应于像素单元的黑矩阵区域；
所述拼接单元光罩的边缘设置有拼接重叠区域，所述拼接重叠区域跨越至少两个像素单元的开口区域。
在一种实施方式中，所述黑矩阵的图形为无数据线黑矩阵图形。
在另一种实施方式中，所述黑矩阵的图形覆盖扫描线、数据线和薄膜晶体管。
进一步的是，所述拼接重叠区域跨越四个像素单元的开口区域；
所述四个像素单元分别位于相邻的两行两列中。
优选的是，所述拼接重叠区域中采用马赛克拼接图案。
优选的是，所述拼接重叠区域的宽度为10至15微米。
本发明带来了以下有益效果：本发明提供的用于形成色阻层的拼接单元光罩中，包括透光区域和不透光区域。其中，透光区域对应于色阻层的去除区域，不透光区域对应于色阻层的保留区域。另外，在拼接单元光罩的边缘设置有拼接重叠区域，拼接重叠区域位于黑矩阵区域之内。利用该拼接单元光罩对红色、绿色或蓝色的色阻层进行曝光时，多个拼接单元光罩之间的重叠区域位于黑矩阵区域之内，而在该区域形成的黑矩阵能够遮挡重复曝光造成的斑纹，因此能够显著降低发生拼接斑纹的风险。
本发明提供的用于形成黑矩阵的拼接单元光罩中，透光区域对应于像素单元的开口区域，不透光区域对应于像素单元的黑矩阵区域。另外，拼接单元光罩的边缘设置有拼接重叠区域，且拼接重叠区域跨越至少两个像素单元的开口区域。利用该拼接单元光罩对黑矩阵进行曝光时，多个拼接单元光罩之间会形成重叠区域。因为该重叠区域跨越至少两个像素单元的开口区域，所以该重叠区域中的大部分都位于像素单元的开口区域，而只有小部分位于黑矩阵区域。因此，拼接曝光造成的斑纹只有很少的部分位于黑矩阵区域，从而能够显著降低发生拼接斑纹的风险。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍：
图1是现有的马赛克拼接光罩的拼接区域的示意图；
图2是本发明实施例一提供的拼接单元光罩的拼接的示意图；
图3是本发明实施例二提供的拼接单元光罩的拼接的示意图；
图4是现有的拼接单元光罩的拼接的示意图；
图5是本发明实施例三提供的拼接单元光罩的拼接的示意图；
图6是另一种现有的拼接单元光罩的拼接的示意图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
本发明实施例提供一种用于形成色阻层、黑矩阵的拼接单元光罩，以解决现有的拼接曝光技术存在易产生拼接斑纹的技术问题。
实施例一：
如图2所示，本发明实施例提供一种用于形成色阻层的拼接单元光罩，其中包括透光区域11和不透光区域12。透光区域11对应于色阻层的去除区域，不透光区域12对应于色阻层的保留区域。拼接单元光罩的边缘设置有拼接重叠区域13，且拼接重叠区域13位于黑矩阵区域之内。
作为一个优选方案，拼接重叠区域13中采用马赛克拼接图案，且拼接重叠区域13的宽度为10至15微米。
本实施例中，拼接重叠区域13设置于拼接单元光罩的上边缘和下边缘，且沿横向延伸，而透光区域11和不透光区域12均沿纵向延伸。
本实施例以G8.5产线的大板上排布3片65寸基板为例进行说明。65寸基板四周的边框都是5毫米，则曝光的面积为1438×813微米，大于光罩尺寸(1400×1120微米)，因此生产65寸及以上尺寸的基板需用到光罩拼接技术。
利用本发明实施例提供的拼接单元光罩对红色、绿色或蓝色的色阻层进行曝光时，多个拼接单元光罩之间的重叠区域131位于黑矩阵区域之内，而在该区域形成的黑矩阵能够遮挡重复曝光造成的斑纹，因此能够显著降低发生拼接斑纹的风险。
实施例二：
如图3所示，本发明实施例提供一种用于形成黑矩阵的拼接单元光罩，其中包括透光区域21和不透光区域22。透光区域21对应于像素单元的开口区域，不透光区域22对应于像素单元的黑矩阵区域。拼接单元光罩的边缘设置有拼接重叠区域23，拼接重叠区域23跨越至少两个像素单元的开口区域。
作为一个优选方案，拼接重叠区域13中采用马赛克拼接图案，且拼接重叠区域23的宽度为10至15微米。
本实施例中的黑矩阵的图形为无数据线黑矩阵图形，也就是只有横向延伸的黑矩阵。
如图4所示，现有的拼接方案中，以一个像素单元作为一个分割单元。这样拼接光罩时候，重叠区域230面积较大，而且会在两个方向上都存在重叠区域230，因此出现拼接斑纹的风险较大。
如图3所示，利用本发明实施例提供的拼接单元光罩对黑矩阵进行曝光时，多个拼接单元光罩之间会形成重叠区域231。因为重叠区域231跨越至少两个像素单元的开口区域，所以重叠区域231中的大部分都位于像素单元的开口区域，而只有小部分位于黑矩阵区域，并且也只存在一个方向上的重叠区域231。因此，拼接曝光造成的斑纹只有很少的部分位于黑矩阵区域，从而能够显著降低发生拼接斑纹的风险。
实施例三：
如图5所示，本发明实施例提供一种用于形成黑矩阵的拼接单元光罩，其中包括透光区域31和不透光区域32。透光区域31对应于像素单元的开口区域，不透光区域32对应于像素单元的黑矩阵区域。拼接单元光罩的边缘设置有拼接重叠区域33，拼接重叠区域33跨越至少两个像素单元的开口区域。
本实施例与实施例二之间的不同点在于，本实施例中的黑矩阵的图形覆盖扫描线、数据线和薄膜晶体管，也就是包括横向延伸和纵向延伸的黑矩阵。
如图6所示，现有的拼接方案中，以一个像素单元作为一个分割单元。这样拼接光罩时候，重叠区域330面积较大，而且会在两个方向上都存在重叠区域330，因此出现拼接斑纹的风险较大。
如图5所示，利用本发明实施例提供的拼接单元光罩对黑矩阵进行曝光时，多个拼接单元光罩之间会形成重叠区域331。拼接重叠区域331跨越四个像素单元的开口区域，并且该四个像素单元分别位于相邻的两行两列中，所以重叠区域331中的大部分都位于像素单元的开口区域，而只有小部分位于黑矩阵区域。因此，拼接曝光造成的斑纹只有很少的部分位于黑矩阵区域，从而能够显著降低发生拼接斑纹的风险。
应当说明的是，上述各个实施例提供的拼接单元光罩，由于降低了发生拼接斑纹的风险，因此也更容易进行拼接，从而降低了基板制程的难度，能够明显提升产品品质，具有较强的实用性和可行性。
虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (4)

1.一种用于形成黑矩阵的拼接单元光罩，其特征在于，所述拼接单元光罩包括透光区域和不透光区域，所述黑矩阵的图形覆盖扫描线、数据线和薄膜晶体管；
所述透光区域对应于像素单元的开口区域，所述不透光区域对应于像素单元的黑矩阵区域；
所述拼接单元光罩的边缘设置有拼接重叠区域，所述拼接重叠区域跨越四个像素单元的开口区域；所述四个像素单元分别位于相邻的两行两列中。
2.根据权利要求1所述的拼接单元光罩，其特征在于，所述黑矩阵的图形为无数据线黑矩阵图形。
3.根据权利要求1所述的拼接单元光罩，其特征在于，所述拼接重叠区域中采用马赛克拼接图案。
4.根据权利要求1至3任一项所述的拼接单元光罩，其特征在于，所述拼接重叠区域的宽度为10至15微米。
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