CN100410154C - 薄板支持容器 - Google Patents

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Abstract

本发明的薄板支持容器是可将盖体的装卸、及容器本体中所收容半导体晶片的取出和放入变为简单。在薄板支持容器10的容器本体12内，具有支持着半导体晶片11的薄板支持部13，在盖体14内侧面设有从盖体14侧按压并支持着由薄板支持部13所支持的半导体晶片11的晶片压件15。晶片压件15的V形沟48中，将下侧面48A增大。此V形沟48在当将盖体14安装于容器本体12时，将可轻易地嵌合于半导体晶片11周缘部。对薄板支持部13的V形沟31下侧面31B表面粗糙化使半导体晶片11的滑动变佳。将凸条37的倾斜角相对于水平设定为2-5度。

Description

薄板支持容器
技术领域
本发明涉及供收容半导体晶片、存储磁盘、液晶玻璃基板等薄板，并可使用于保管、输送、制造步骤等方面的薄板支持容器。
背景技术
收容着半导体晶片等薄板并供使用于保管、输送方面的薄板支持容器已为一般众所周知。此种薄板支持容器1已经记载在日本专利特开2002-122382号公报中。根据图2对此薄板支持容器进行说明。
此薄板支持容器1主要由容器本体2、及封闭此容器本体2上端开口的盖体3所构成。在容器本体2内部设有用于将内部所收容的多个半导体晶片4隔开一定间隔支持着的薄板支持部6。薄板支持部6具有：当容器本体2处于横置状态(半导体晶片4呈水平状态)时，分别支持着各半导体晶片4周缘的多个载置板片7；以及在容器本体2处于纵置状态下，设置于各个载置板片7之间深处的半导体晶片4落到沟底部时由各个载置板片7中央部支持着的V字形沟(未图示)。
在上述盖体3内侧面，设有从盖体3侧按压由上述薄板支持部6所支持的半导体晶片4而支持着的薄板压件8。在此薄板压件8中，设有与半导体晶片4收容片数适合而设置的嵌合于半导体晶片4上而支持的V形沟(未图示)。此V形沟将其中心位置对位于薄板支持部6的V形沟中心位置，形成左右对称。这样，V形沟便将半导体晶片4支持在既定位置。
在此种薄板支持容器1中，通常在将容器本体2横置的状态下，利用半导体晶片搬送装置自动地将半导体晶片4取出和放入，并安装盖体3。
但是，在上述薄板支持容器1中，当将容器本体2横置时，半导体晶片4将偏移薄板支持部6的V形沟，呈载置于各个载置板片7上的状态。因此，半导体晶片4将呈从薄板支持部6的V形沟沟底部朝下方偏移的状态。
相对于此，因为盖体3侧的薄板压件8的V形沟位于与容器本体2的薄板支持部6的V形沟相整合的位置，因而半导体晶片4将偏移薄板压件8的V形沟中心。因此，当在将容器本体2横置状态下安装盖体3的情况时，将发生薄板压件8的V形沟无法顺畅地嵌合于半导体晶片4周缘的问题。
另外，在将薄板支持容器1洗净使V形沟下侧面几乎无附着尘埃等的状态下，半导体晶片4的滑顺程度非常差，有卡勾于下侧面的状况发生。此情况下，因为半导体晶片4呈斜向状态，因而将发生薄板压件8的V形沟无法顺畅地嵌合于半导体晶片4周缘处，或存在阻碍利用搬送装置将半导体晶片4自动地取出和放入等问题。
另外，薄板支持部的载置板片，如图3所示，设有支持着半导体晶片4的凸条9A、9B、9C。另外，凸条9A、9B、9C均仅设置1个。若该凸条9的设置位置过于偏向前方(设定为凸条9A的位置)，因为在载置板片7的上述部分7A内侧(图中大幅度朝左侧伸出的位置)，将需要设置凸条9A，因而难于增强，载置板片7将出现挠曲而导致半导体晶片4位置大幅偏移。此外，若凸条9的设置位置过于偏向深侧(设定为凸条9C的位置)，半导体晶片4的大部分重量将施加于凸条9C，导致V形沟7B下侧面所勾住的半导体晶片4重量变小。这样，凸条9C中所载置的半导体晶片4摩擦力将变大，随薄板支持部6的V形沟7B下侧面上所载置的半导体晶片4本身重量，半导体晶片4沿下侧面滑动力(将半导体晶片4朝前方推出的推力)将变小。结果，因为半导体晶片4将拉勾于下侧面而呈斜向状态，因而将发生薄板压件8的V形沟无法顺畅地嵌合于半导体晶片4周缘处，或存在阻碍利用搬送装置将半导体晶片4自动地取出和放入动作等问题。
更进一步地，若盖体3内侧面所设置的薄板压件8同时按压支持容器本体2内所收容多个半导体晶片4的话，此薄板压件8将承受由各半导体晶片4所产生的反弹力。薄板压件8虽支持于盖体3，但是因为盖体3中央处的强度较弱，因而对于利用薄板压件8所进行多个半导体晶片4的按压支持，亦将出现中央处较弱的问题。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种在将容器本体横置的状态下，可顺畅地装卸盖体，同时可将薄板顺畅地进出，且可将薄板压件的强度保持于设定值的薄板支持容器。
根据本发明第一方面，薄板支持容器具有：内部收容着多个薄板的容器本体，及封闭该容器本体的盖体，其特征在于具有：设置于上述容器本体内，且将收容于内部的薄板隔开一定间隔支持着的薄板支持部；以及设置于上述盖体侧，并从盖体侧按压而支持着由上述薄板支持部所支持的薄板的薄板压件；且上述薄板支持部及薄板压件上分别具有嵌合而支持于上述薄板的V形沟；上述薄板压件的V形沟中，上述薄板配置成水平状态时下侧面较大，以使该V形沟顺畅地嵌合于水平状态下的上述薄板的周缘部。
根据上述构造，当在将容器本体横置状态下安装盖体的情况时，在由薄板支持部所支持的水平状态的薄板周缘处，将顺畅地嵌合着将下侧面变大的V形沟。
根据本发明第二方面，薄板支持容器具有：内部收容着多个薄板的容器本体，及封闭该容器本体的盖体，其特征在于具有：设置于上述容器本体内，且将收容于内部的薄板隔开一定间隔支持着的薄板支持部；以及设置于上述盖体侧，并从盖体侧按压并支持着由上述薄板支持部所支持的薄板的薄板压件；上述薄板支持部及薄板压件上分别具有嵌合而支持于上述薄板的V形沟；将上述薄板压件的V形沟向上述薄板配置成水平状态时的下侧偏移。
根据上述构造，当在将容器本体横置状态下安装盖体的情况时，在由薄板支持部所支持的水平状态的薄板周缘处，将顺畅地嵌合着朝下侧偏移的V形沟。
根据本发明第三方面，薄板支持容器其特征在于，在上述发明第一或第二方面的薄板支持容器中，在上述薄板配置成水平状态时，将上述薄板支持部的V形沟中的下侧面的表面施行粗糙化。
根据上述构造，利用将V形沟下侧面表面粗糙化，便可使滑动变佳。这样，当将容器本体横置时，载置于V形沟下侧面的薄板，将利用本身重量而沿倾斜的下侧面滑落，并载置于载置板片上。
根据本发明第四方面的薄板支持容器，其特征在于，在上述发明第一至三方面的任一方面的薄板支持容器中，在将上述薄板配置成水平状态下，载置着该薄板的上述薄板支持部的载置板片上，具有直接接触并支持该薄板的凸条；该凸条设置在一个均衡的位置附近，所述均衡的位置是指载置于该凸条的上述薄板间的摩擦力与通过在上述薄板支持部V形沟的下侧面上所载置的上述薄板的本身重量使该薄板沿上述下侧面滑动的力相均衡。
根据上述构造，凸条上所载置薄板的摩擦力，将小于薄板沿V形沟下侧面滑动的力。即，因为依在薄板支持部V形沟下侧面上所载置薄板的本身重量，使薄板沿下侧面滑动的力，较大于作用凸条上所载置薄板的摩擦力，因而若将容器本体横置，薄板将沿薄板支持部的V形沟下侧面滑落，并载置于载置板片上。
根据本发明第五方面，薄板支持容器的特征在于，将上述本发明第四方面的薄板支持容器中的上述凸条将其倾斜角相对于水平设定成为2-5度。
根据上述构造，薄板的周缘将依2-5度的角度接触凸条，而降低摩擦力。
根据本发明第六方面，薄板支持容器的特征在于，在上述本发明第一至五方面的任一方面的薄板支持容器中，多数并排配设的上述薄板支持部的V形沟的各沟底部中，与两端侧的沟底部相比，中央侧的V形沟的沟底部更加向上述盖体侧隆起。
根据上述构造，在将容器本体纵置的状态下，容器本体内所收容多个薄板的各上端位置，中央侧薄板都比两端的薄板朝盖体侧隆起。这样，即便盖体中央部因强度的关系而挠曲的情况下，仍可利用此弥补薄板的配设位置。这样，各薄板将由薄板压件依均匀力按压支持着。
根据本发明第七方面，薄板支持容器的特征在于，上述本发明第一至六方面的任一方面的薄板支持容器中，上述薄板压件用以增强中央侧的部分而不是两侧端的部分。
根据上述构造，若将多个薄板收容于容器本体中并安装盖体的话，因为盖体中央部的强度较弱，因而将挠曲，但是因为已增强薄板压件的中央侧部分，因而此薄板压件便将依均匀力按压支持着各薄板。
附图说明
图1为本发明实施方式的薄板支持容器中的薄板支持部及晶片压件V形沟的主要部分放大图。
图2为现有的薄板支持容器的侧视剖面图。
图3为现有的薄板支持容器的主要部分剖视图。
图4为本发明实施方式的薄板支持容器的立体示意图。
图5为本发明实施方式的薄板支持容器取下盖体后的立体示意图。
图6为本发明实施方式的薄板支持容器的薄板支持部的前视图。
图7为本发明实施方式的薄板支持容器中的薄板支持部的侧视图。
图8为本发明实施方式的薄板支持容器中的另一薄板支持部的立体示意图。
图9为本发明实施方式的薄板支持容器中的另一薄板支持部安装状态的立体示意图。
图10为本发明实施方式的薄板支持容器中的另一薄板支持部的主要部分立体示意图。
图11为本发明实施方式的薄板支持容器中的V形沟的主要部分放大图。
图12为本发明实施方式的薄板支持容器中的V形沟的主要部分放大剖视图。
图13为本发明实施方式的薄板支持容器中的V形沟的沟底部概略剖视图。
图14为本发明实施方式的薄板支持容器中的晶片压件的主要部分放大图。
图15为本发明实施方式的薄板支持容器中，从背面显示盖体的立体示意图。
图16为本发明实施方式的薄板支持容器中，盖体的主要部分的立体示意图。
图17为本发明实施方式的薄板支持容器中，盖体的主要部分的剖视图。
图18为本发明实施方式的薄板支持容器中的晶片压件的剖视图。
图19为本发明的变形例的主要部分放大图。
附图标记说明
1、10薄板支持容器
2、12容器本体
3、14盖体
4、11、11A半导体晶片
6、13、28薄板支持部
7、20、29载置板片
7B、22、31、48 V形沟
8薄板压件
9A、9B、9C、37凸条
12A、12B、12C、12D侧壁部
12E底板部                 12F开口
15晶片压件                16上端凸缘
17抓持运送用把手          18盖体承接部
18A、18B被嵌合部          21、21A、30连结板片
23下侧支持孔部            24上端支持孔部
26简易装卸机构            31A沟底部
31B、48A下侧面            31C上端面
33下侧支持部              34下侧固定片
35把手                    38挡止
40基端支持部              41弹性支持板部
42抵接片                  43连接支持板部
43A、43B纵板部            43C横板部
44支持用肋                46钩状支持部
50支持用凸条              51、52支持壁部
53支持板片                54隔间板片
具体实施方式
以下，针对本发明实施方式根据所附图进行说明。本发明的薄板支持容器用于收容半导体晶片、存储磁盘，液晶玻璃基板等薄板，并可使用于保管、输送、制造线等方面的容器。另外，在此以收容半导体晶片的薄板支持容器为例进行说明。
本实施方式的薄板支持容器10如图4、5所示，由下述构件所构成：内部收容着多个半导体晶片11(参照图9)的容器本体12；分别设置于此容器本体12内相对向侧壁上，且从两侧支持着内部所收容半导体晶片11的2个薄板支持部13；封闭容器本体12的盖体14；设置于该盖体14内侧，并按压支持着半导体晶片11的当作薄板压件用的晶片压件15(参照图15)；由工厂内搬送装置(未图示)的臂部所握持的上端凸缘16；以及当由作业员依手拿取薄板支持容器10并运送时的抓持运送用把手17。
容器本体12的整体大体上形成立方体状。此容器本体12在纵置状态(图4、5状态)下，由构成周围壁的4片侧壁部12A、12B、12C、12D、与底板部12E所构成，在上端设有开口12F。此容器本体12当在半导体晶片11的制造线等，被安置成相对向于晶片搬送装置(未图示)时，便形成横置状态。在此横置状态下，于构成底部的侧壁部12B外侧设置薄板支持容器10的定位手段(未图示)。在横置状态下，于构成天花板部的侧壁部12A外侧，装卸自如地安装着上端凸缘16。在横置状态下，于构成横壁部的侧壁部12C、12D外侧，装卸自如地安装着抓持运送用把手17。在容器本体12的各侧壁部12A、12B、12C、12D上端部，设置着供盖体14嵌合用的盖体承接部18。在盖体承接部18四角落，设置有供嵌合着后述盖体14的简易装卸机构26，用于将盖体14固定于容器本体12侧的被嵌合部18A、18B。被嵌合部18A、18B系依可对应多个种类盖体14等的方式，形成对应着各种简易装卸机构的形状。
薄板支持部13装卸自如地安装于容器本体12上。此薄板支持部13由如图6与图7所示构造。薄板支持部13主要由下述构件所形成：相隔一定间隔并排配设多数片，并分别各载置1片半导体晶片11且支持着的载置板片20；在各载置板片20相隔一定间隔并排配设状态下，将该等在3个位置处一体支持的连结板片21；以及形成最深侧的连结板片21A内侧面(抵接于半导体晶片11的抵接面)上的半导体晶片11支持用的V形沟22。
在薄板支持部13背面设有：嵌合于容器本体12内所设置的下侧支持用突起(未图示)，支持着此薄板支持部13下侧的下侧支持孔部23；以及嵌合于上端支持用突起(未图示)，支持着此薄板支持部13上端的上端支持孔部24。
上述薄板支持部13仅一例而已，除此之外亦有各种构造的薄板支持部。其它的薄板支持部例子有如图8至图10所示。此薄板支持部28整体构造大致如同上述薄板支持部13，主要包括：载置板片29、连结板片30及V形沟31。
在薄板支持部28下侧(图8中的右侧端)设有：在嵌合于容器本体12内所设置下侧支持部33状态下，固定着薄板支持部28下侧的下侧固定片34；嵌合上端支持用突起(未图示)，并支持着此薄板支持部28上端的上端固定片(未图示)；以及供手握持薄板支持部28用的把手35。
在载置板片29中设有：凸条37及挡止38。凸条37用于直接接触半导体晶片11并将半导体晶片11水平支持用的构件。凸条37系在载置板片29深处(图10中的右侧)与前端(图10中的左侧)设置2个(左右共4个)。深处的凸条37系设计成面朝V形沟31。前端的凸条37系设置于与此凸条37上所载置半导体晶片11间的摩擦力，与依在后述V形沟31的下侧面31B上所载置半导体晶片11的本身重量，使半导体晶片11沿下侧面31B滑动的力相均衡位置的前端附近。若将凸条37设置于此摩擦力与滑动力相均衡的位置处，因为半导体晶片11将在V形沟31的下侧面31B上进行滑动或不进行滑动，因而必须将凸条37设置于较上述均衡位置更靠前端位置处。然而，若将凸条37设置于过度靠前端的话，便将如上述问题点，因为载置板片29挠曲而无法依正确位置支持着半导体晶片11，因而将凸条37设置于上述均衡位置的前端附近。此均衡位置前端附近(如图3的凸条9B位置)的凸条37，在按压载置板片29挠曲的状态下，将依正确位置支持着半导体晶片11，同时可使半导体晶片11顺畅地滑动。
在此，针对改变凸条37位置并实验的结果进行说明。具体而言，如图3所示，依3个(凸条9A、9B、9C的位置)进行实验。半导体晶片11为300mm，且采用300mm半导体晶片11用薄板支持容器10。在半导体晶片11收容于薄板支持容器10内的状态(半导体晶片11从V形沟31的下侧面31B滑落并载置于4个凸条37上的状态)，将凸条9A位置设定为距半导体晶片11中心69±10mm(图3中的距离A)、将凸条9B位置设定为距半导体晶片11中心50±10mm(图3中的距离B)、将凸条9C位置设定为距半导体晶片11中心30±10mm(图3中的距离C)。依此设定值施行实验的结果，如下述。
当距离A位置的情况时，在V形沟31下侧面31B的半导体晶片11滑动属于良好，因载置板片29(7A)的挠曲所产生的晶片存在值属于难，在载置于4个凸条37上的状态下的晶片存在值属于良好。当距离B位置的情况时，在V形沟31下侧面31B的半导体晶片11滑动属于普通，因载置板片29(7A)的挠曲所产生的晶片存在值属于普通，在载置于4个凸条37上的状态下的晶片存在值属于普通。当距离C位置的情况时，在V形沟31下侧面31B的半导体晶片11滑动属于难，因载置板片29(7A)的挠曲所产生的晶片存在值属于良好，在载置于4个凸条37上的状态下的晶片存在值属于难。
此处所谓「晶片存在值」是表示何种程度半导体晶片11接近薄板支持容器10内的理想位置的值。所谓「晶片存在值良好、普通、难」是表示半导体晶片11偏离理想位置的偏移量的指标。良好、普通、难等三种等级，均表示不致对利用搬送装置进行半导体晶片11的自动的取出和放入动作，造成阻碍范围内的偏移。在未造成阻碍的范围内，最靠近理想位置的范围表示为「良好」，将偏移量逐次增加者表示为「普通」、「难」。
由结果得知，在300mm半导体晶片11用薄板支持容器10中，距半导体晶片11中心50±10mm(距离B)的位置系属于最佳的位置。此距离B位置的凸条37在按压载置板片29的挠曲状态下，依正确位置支持着半导体晶片11，同时可使此半导体晶片11顺畅地滑动。
另外，前后4个凸条37的倾斜角系设定为相对于水平朝下方倾斜2-5度。的所以将此凸条37的倾斜角设定为相对于水平朝下方倾斜2-5度，系针对凸条37的倾斜角进行各种改变并经实验后的结果，在此2-5度范围内可获得良好结果的缘故。若将凸条37设为水平或朝上方倾斜的话，便有对半导体晶片11背面造成损伤的可能性。此外，若将朝下方的倾斜角度设定在6度以上的话，即便半导体晶片11仅朝左右稍微偏移的话，水平度仍将产生颇大的变化。更进一步地，若朝下方的倾斜角度过小的话，摩擦将过大导致滑动不佳。因此，不导致发生对半导体晶片11背面造成损伤的可能性，半导体晶片11水平度变化小，且半导体晶片11滑动佳的角度，便设定在上述2-5度范围。具体的角度是因为配合半导体晶片11大小、薄板支持容器10材质等诸条件而变化，因而在考虑诸条件并经实验后再特定。
V形沟31用于将半导体晶片11支持于相邻两个载置板片29间的中央位置处的构件。即，在将容器本体12纵置的状态下，将半导体晶片11周缘嵌合于位于V形沟31中央(相邻2个载置板片29间的中央)的沟底部31A，以便将半导体晶片11支持于相邻2个载置板片29间的中央位置处用的构件。V形沟31由如图10-13所示构造。V形沟31是由下侧面31B与上端面31C所构成，截面形状呈V形。V形沟31是设于载置板片29最深侧端部(图9中的左侧端)。
另外，V形沟31中，对当在将容器本体12横置状态(半导体晶片11被配置成水平的状态)下，位于下侧的下侧面31B表面施行粗糙化加工。所谓将下侧面31B表面粗糙，是指将下侧面31B表面整面依2万-3万个/cm2程度的密度加工为10-15μm程度的凹凸。若依过高精度加工着下侧面31B的话，半导体晶片11与下侧面31B间将过度密接，导致摩擦阻力变大而不易滑动，相对于此，若将表面粗糙化的话，半导体晶片11与下侧面31B间将成无密接状态，而减小摩擦阻力。所以，将下侧面31B表面粗糙化加工为残留10-15μm程度凹凸的状态。
对此下侧面31B表面施行粗糙化加工的手段有各种形式。例如可利用在PBT或POM中混合PTFE或PFA 10％程度的材料，形成薄板支持部28或V形沟31部分，再制作10-15μm程度的凹凸。亦可对下侧面31B表面利用研磨或砂磨等形式施行粗糙化加工。此外，亦可将模具中对应于下侧面31B的部分的表面施行粗糙化，而制作10-15μm程度的凹凸。仅要属于可在下侧面31B表面上，依2万-3万个/cm2程度的密度加工成残留10-15μm程度凹凸状态的手段的话便可，可采用所有的手段。
对下侧面31B表面施行粗糙的范围，是下侧面31B中除沟底部31A外的其它部分。沟底部31A是因为抵接于半导体晶片11周缘并支持半导体晶片11所需要，因而最好不要滑溜。所以，沟底部31A便不对表面施行粗糙，仅施行普通精度的加工。
V形沟31的沟底部31A系改变两端侧与中央侧的高度而设置。具体而言，如图13所示，多数排列的各V形沟31的沟底部31A中，设计成将中央侧沟底部31A较两端侧更朝盖体14侧隆起的状态。各沟底部31A系排列部分圆形、部分椭圆形等曲线状而配设。形成此各沟底部31A排列状态的曲线系配合晶片压件15挠曲形状。若盖体14强度较弱的话，当晶片压件15嵌合于多个半导体晶片11中并按压支持时，根据此反弹使晶片压件15将与盖体14一起挠曲，此时配合挠曲的晶片压件15形状设定各沟底部31A配设位置。这样，各半导体晶片11的晶片压件15侧端部，将配合晶片压件15挠曲形状而排列，此各半导体晶片11将呈由晶片压件15依均匀力按压支持着的状态。
另外，在上述的薄板支持部13说明中，虽仅言及上述薄板支持部28的V形沟31、凸条37等，但是相关在薄板支持部13中亦设置相同的构件。以下便以薄板支持部28的V形沟31、凸条37等为基础进行说明。
盖体14如图4、15、16所示，形成略平板状，并嵌合于容器本体12的盖体承接部18中。在盖体14的四个角落设有简易装卸机构26。此简易装卸机构26的卡接爪(未图示)嵌合于盖体承接部18的被嵌合部18A、18B中，便将盖体14呈固定于容器本体12上的状态。
晶片压件15如图18所示，由基端支持部40、弹性支持板部41、抵接片42、连接支持板部43及支持用肋44所构成。
基端支持部40如图14-图18所示，供直接支持着在晶片压件15两端分别各设置2个弹性支持板部41用的构件。基端支持部40系形成四角形棒状，同时沿晶片压件15长边方向总长(图15的上下方向)而形成。在盖体14下侧面分别设有两个钩状支持部46。基端支持部40将嵌入于各钩状支持部46中，并固定于盖体背面侧。
弹性支持板部41供弹性支持着抵接片42外侧用的构件。两个弹性支持板部41系仅隔开容器本体12内所收容半导体晶片11片数大小而并排。各弹性支持板部41系依横向单列排列状态分别固定于基端支持部40上。弹性支持板部41的侧面形状弯曲呈S状。两个弹性支持板部41的基端分别固定于两个基端支持部40上，在前端分别安装着抵接片42，以便弹性地支持着各抵接片42。
抵接片42用于直接抵接于各半导体晶片11周缘而直接支持各半导体晶片11用的构件。各抵接片42的一侧面，如图1所示，设有嵌合半导体晶片11用的V形沟48。此V形沟48系根据将半导体晶片11周缘嵌合于沟底部，便成从盖体14支持着半导体晶片11的状态。此V形沟48中，在各半导体晶片11配置成水平状态(将容器本体12横置的状态)下，位于下侧的面的下侧面48A较大。具体而言，缓和倾斜角度且面积渐增加。这样便形成下侧面48A下侧朝下方延伸的状态。结果，下侧面48A下侧便设定于较偏移下方状态的半导体晶片11更靠下侧的位置处。另外，所谓半导体晶片11偏移下方的状态，指将容器本体12横置，各半导体晶片11偏移薄板支持部13的V形沟22，并载置于载置板片29上的状态(图1的半导体晶片11状态)。此外，下侧面48A如同上述V形沟31的下侧面31B，对表面施行粗糙化加工。
连接支持板部43如图14-图18所示，是将两个抵接片42间相互连接并支持用的构件。连接支持板部43两端分别连接于各抵接片42并弹性支持着各抵接片42。连接支持板部43的侧面形状弯曲成略U形状。具体而言，由两侧的纵板部43A、43B、横板部43C所构成。纵板部43A、43B系在盖体14背面朝垂直方向配设，几乎无挠曲地支持着各抵接片42。
横板部43C呈弹性挠曲状态。连接支持板部43弹性支持着各抵接片42的功能，主要由横板部43C完成。横板部43C以在其两端分别连接有纵板部43A、43B的状态，配设在沿着盖体14背面的方向。横板部43C系中央处支持于后述支持用凸条50上，并以此支持用凸条50为中心呈两端挠曲状态。
支持用肋44用于支持连接支持板部43而防止沿盖体背面方向偏移用的支持用构件。支持用肋44系设置于盖体14背面的中央处。支持用肋44系设置成覆盖着多数配设的晶片压件15的连接支持板部43全部。具体而言，设定为可使仅隔开所收容半导体晶片11片数大小而排列设置的连接支持板部43，全部嵌合的长度。支持用肋44系由两个支持壁部51、52所构成。
各支持壁部51、52设计成相对向平行的状态。各支持壁部51、52由支持板片53与隔间板片54所构成。
支持板片53用于将连接支持板部43的纵板部43A、43B，支持呈不致朝半导体晶片11圆周方向(图18的左右方向)偏移用的构件。支持板片53由于利用直接支持着连接支持板部43的纵板部43A、43B，而间接地将各抵接片42支持呈不致朝半导体晶片11圆周方向偏移。
隔间板片54用于将多数配设的连接支持板部43个别区隔开用的板片。各隔间板片54系设置成分别位于最外侧与各连接支持板部43间。这样，各隔间板片54便从宽度方向两侧支持着各连接支持板部43。这样各隔间板片54便利用直接支持着连接支持板部43，而间接地将各抵接片42，支持呈不致朝半导体晶片11圆周方向的正交方向偏移的状态。
根据上述支持板片53与隔间板片54，便从周围(容器本体12内所收容半导体晶片11圆周方向的正交方向)包夹并个别支持着连接支持板部43，因此防止沿连接支持板部43盖体背面方向偏移，并容许朝盖体背面垂直方向的变动。
支持板片53与隔间板片54、和连接支持板部43之间，设定成仅隔开些微间隙状态，俾当较小振动时不致接触。即，当半导体晶片11仅些微振动程度时，连接支持板部43将不致接触及支持板片53与隔间板片54，将挠曲吸收振动。当振动较激烈之时，因为透过各抵接片42，连接支持板部43亦将激烈地振动，因而连接支持板部43将接触到支持板片53与隔间板片54并支持着。
在支持用肋44的两个支持壁部51、52之间，设有支持用凸条50。支持用凸条50用于直接抵接于各连接支持板部43并支持用的构件。具体而言，各连接支持板部43的横板部43C中央处，抵接于支持用凸条50并支持着，横板部43C两端部呈可自由地挠曲状态。支持用凸条50系在相对向平行设置的两个支持壁部51、52之间中央处，设置成平行于该等支持壁部51、52且几乎相同长度。
支持用凸条50如图17所示。即，依相较于位于两侧的抵接片42的下，位于中央处的抵接片42较朝半导体晶片11侧隆起的状态，将两侧变薄并将中央处形成较厚状态。在本实施方式中，整体弯曲成弓箭状。这样，在晶片压件15安装于盖体14的状态下，在与各连接支持板部43间的间隔，便被设定为两侧较宽而中央处较狭窄的状态。此支持用凸条50的具体尺寸，兼顾薄板支持部28的V形沟31沟底部31A，配合盖体14挠曲量而适当设定。
支持用凸条50之所以依此形成的理由如下。在容器本体12内收容着多个半导体晶片11的状态下，若安装盖体14的话，将对盖体14作用一定的反弹力。因为安装于盖体背面的晶片压件15，依一定力逐片支持着各半导体晶片11，因而半导体晶片11直径越大的话，支持单片半导体晶片11的力将越大，且片数越多的话，晶片压件15的按压反弹力亦将越大。利用该反弹力，已安装着晶片压件15的盖体14便将多少朝外侧挠曲。然后，若盖体14朝外侧挠曲的话，利用晶片压件15支持着半导体晶片11的力在中央处将变弱。为解除此支持着半导体晶片11的力不均状况，而设置支持用凸条50。利用中央处变厚的支持用凸条50而吸收盖体14的挠曲，将呈晶片压件15依均匀力支持着半导体晶片11的状态。
依上述所构成的薄板支持容器10，可发挥下述作用。
在将容器本体12横置的状态下，若将半导体晶片11利用搬送装置等插入于容器本体12内的话，半导体晶片11便将载置于薄板支持部28的载置板片29上。此时，半导体晶片11将载置于载置板片29的4个凸条37上。当半导体晶片11稍微过度插入深处的情况时，半导体晶片11深侧周缘将承载于V形沟31的下侧面31B上。此情况下，如图12所示，随下侧面31B上所承载半导体晶片11本身的重量，沿倾斜的下侧面31B朝下方落下。这样，半导体晶片11便确实地支持于载置板片29的4个凸条37上，并在容器本体12内整齐排列于水平方向。
在此状态下，若安装盖体14的话，盖体14的晶片压件15将抵接于各半导体晶片11。此时，晶片压件15的V形沟48的下侧面48A下端部，因为较载置板片29上所载置半导体晶片11位于更靠下侧的位置处，此下侧面48A便将半导体晶片11拱起并导引于V形沟48的沟底部。即，固抵接片42的V形沟48将分别嵌合于各半导体晶片11周缘，且将各半导体晶片11周缘导引于V形沟48沟底部。
此时，各半导体晶片11被按压往容器本体12深处，各半导体晶片11周缘部将沿薄板支持部28的V形沟31下侧面31B被上举。这样，各半导体晶片11便从载置板片29导引于V形沟31的沟底部31A中。
如上述，当将盖体14安装于容器本体12的情况时，因为晶片压件15的V形沟48中，将当半导体晶片11设置成水平时的下侧面变大，水平状态的半导体晶片11周缘部将顺畅地嵌合于V形沟48中，因而即便未对盖体14进行微调，仍可轻易地将此盖体14安装于容器本体12。结果，采用装卸装置等便可轻易地将盖体14的装卸自动化。
另外，若将盖体14安装于容器本体12上，晶片压件15将按压支持各半导体晶片11并反弹，晶片压件15与盖体14将挠曲，但是因为V形沟31的沟底部31A与支持用凸条50，系配合晶片压件15等的挠曲形状而配设，因而便依均等力按压支持着各半导体晶片11。即，各V形沟31中，中央侧的沟底部31A较两端侧更朝盖体14侧隆起，在将容器本体12纵置并将各半导体晶片11嵌合于沟底部31A的状态下，因为各半导体晶片11上端位置的中央侧较两端侧更朝盖体14侧隆起，因而各半导体晶片11的上端位置，将与盖体14一起沿挠曲的晶片压件15排列着。结果，晶片压件15便可依均匀力按压支持着各半导体晶片11。
此外，若从容器本体12中收容着多个半导体晶片11并安装盖体14的状态下，取下盖体14的话，便不致按压半导体晶片11。因此，半导体晶片11的周缘部将沿薄板支持部28的V形沟31下侧面31B滑落，并载置于4个凸条37上。
此时，因为V形沟31的下侧面31B系对表面施行粗糙化加工，并将凸条37设计成倾斜2-5度范围的倾斜，所以半导体晶片11与凸条37间的摩擦力将减小，半导体晶片11便从周缘部承载于下侧面31B的状态下，沿此下侧面31B顺畅且确实地滑落，并载置于4个凸条37上。即，半导体晶片11沿V形沟31的下侧面31B滑动的滑动力，将战胜作用于凸条37上所载置半导体晶片11的摩擦力，所以半导体晶片11将沿V形沟31的下侧面31B滑落，将卡住于下侧面31B上而不致倾斜，俾确实地载置于4个凸条37上。此外，因为前侧凸条37设置于上述摩擦力与滑动力均衡的位置，因而载置板片29便不致挠曲，半导体晶片11将载置于水平的正确位置，全部的半导体晶片11将整齐排列。
这样，在将容器本体12横置并取下盖体14的状态下，各半导体晶片11将在水平的支持于正确位置处。这样，当利用搬送装置进出的情况时，搬送装置的勾部也不致接触及半导体晶片11。
即，表面经粗糙化的V形沟31的下侧面31B上所载置的半导体晶片11，因为将因本身重量而沿倾斜的下侧面滑落，并载置于载置板片29上，因而当将容器本体12横置而将各半导体晶片11形成水平状态时，半导体晶片11便将卡住于V形沟31下侧面而不致倾斜，所有的半导体晶片11将整齐排列。结果，便可轻易地将盖体14的装卸及半导体晶片11的取出和放入自动化。
在上述实施方式中，虽将晶片压件15的V形沟48的下侧面48A增大的状态，并将倾斜角度设为缓和且增加面积的状态，但是亦可在不改变此下侧面48A倾斜角度的情况下，增加面积。在将容器本体12横置并将半导体晶片11载置于载置板片29上的状态下，仅要将下侧面48A的下端部增加为下侧面48A下侧比半导体晶片11位于更下侧，且可将半导体晶片11拱起状态的话便可，依此所形成的下侧面48A全部涵盖于本发明中。
另外，亦可未将V形沟48的下侧面48A增大，而如图19所示，使上下两侧面呈上下对称，将V形沟48设计成朝下侧(容器本体12横置状态时的下侧)偏移状态。即，可将通过V形沟48沟底部的中心线A，设计成较薄板支持部13的V形沟22的中心线B更偏移于下侧。此外，在将下侧面48A增大的前提下，亦可将V形沟48朝下侧偏移。V形沟48的偏移量，虽依晶片压件15尺寸等各种条件而异，但是至少V形沟48的下侧面48A的下侧较半导体晶片11位于更下侧处，并将V形沟48偏移至可将半导体晶片11拱起的位置处。通常，朝V形沟48宽度的20％程度下侧偏移。另外，V形沟48的下侧面48A的下端部位于较半导体晶片11更靠下侧的位置，系因为随半导体晶片11尺寸等各种条件而异，配合各个条件而适当设定。所以，亦有V形沟48宽度的19％以下、21％以上的情况。
此情况下，仍如同上述实施方式，因为不需要对盖体14进行微调，便将V形沟48顺畅地嵌合于水平状态的半导体晶片11的周缘部中，因而可将盖体14轻易地安装于容器本体12中。结果，便可轻易地将盖体的装卸自动化。
在上述实施方式中，虽将晶片压件15的V形沟48形成正V形，但是此V形沟48的形状并未必限于正V形。亦可为阶段式改变角度的V形沟，或接近U形状的沟，或近乎U形的沟，或其它形状的沟。下侧面48A的下端部位于较半导体晶片11更下侧的位置处，具备可将半导体晶片11拱起功能的V形沟均涵盖在内。下侧面48A亦未必要局限于平坦面状。仅要属于将半导体晶片11拱起的形状便可。
此情况仍将达到如同上述实施方式相同的作用效果。
在上述实施方式中，供支持着容器本体内所收容薄板用的薄板压件，虽针对晶片压件15为例进行说明，惟本发明并不局限于此，亦可使用于其它构造的薄板压件。此情况下，仍可达如同上述实施方式相同的作用效果。
在上述实施方式中，依均等力支持着各半导体晶片11的策略(盖体14侧的策略)，是改变晶片压件15的支持用凸条50厚度，但是亦可改变晶片压件15强度。具体而言，改变弹性支持板部41的厚度，与连接支持板部43的纵板部43A、43B的厚度。将中央侧的弹性支持板部41与连接支持板部43的纵板部43A、43B的厚度，增强为较两端侧为厚的状态。这样，便可弥补盖体14挠曲较弱的部分。亦可改变基端支持部40厚度，使盖体14较难挠曲。这样，便可利用晶片压件15依均匀力按压支持着各半导体晶片11。此情况下，仍可达如同上述实施方式相同的作用效果。
在上述实施方式中，虽调整V形沟31的沟底部31A位置，此情况下，亦可仅调整沟底部31A位置，亦可调整含沟底部31A在内的V形沟31位置。当调整V形沟31本身位置的情况时，当形成薄板支持部28之时，亦可将V形沟31位置设计成中央侧较朝盖体14侧隆起的状态。此外，亦可V形沟31位置并未朝盖体14侧隆起，而是将薄板支持部28形成排列于直线上的状态，当将薄板支持部28安装于容器本体12上之时，便使薄板支持部28产生变形。具体而言，在薄板支持部28中央侧且薄板支持部28侧或容器本体12侧，亦可设置突起等使薄板支持部28变形的物质。此情况下，仍可达到如同上述实施方式相同的作用效果。
在上述实施方式中，虽将支持用凸条50设计成两侧较薄而中央侧较厚的状态，同时将V形沟31的沟底部31A设计成中央侧的沟底部31A较两端侧更朝盖体14侧隆起的状态，但是该等亦可仅采行其中一者。此情况下，仍可达如同上述实施方式相同的作用效果。
在上述实施方式中，可对V形沟31的下侧面31B的表面施行粗糙加工，亦可对V形沟31的上下两侧面的表面施行粗糙加工。此情况下，仍可达如同上述实施方式相同的作用效果。

Claims (7)

1. 一种薄板支持容器，具有：内部收容着多个薄板的容器本体，及封闭该容器本体的盖体，其特征在于具有：
薄板支持部，其设置于上述容器本体内，且将收容于内部的薄板隔开一定间隔支持着；以及
薄板压件，其设置于上述盖体侧，并从盖体侧按压并支持着由上述薄板支持部所支持的薄板；且
上述薄板支持部及薄板压件分别具有嵌合并支持于上述薄板的V形沟；
上述薄板压件的V形沟中，上述薄板配置成水平状态时的下侧面较大，以使该V形沟顺畅地嵌合于水平状态下的上述薄板的周缘部。
2. 一种薄板支持容器，具有：内部收容着多个薄板的容器本体，及封闭该容器本体的盖体，其特征在于具有：
薄板支持部，其设置于上述容器本体内，且将收容于内部的薄板隔开一定间隔支持着；以及
薄板压件，其设置于上述盖体侧，并从盖体侧按压并支持着由上述薄板支持部所支持的薄板；
上述薄板支持部及薄板压件分别具有嵌合并支持于上述薄板的V形沟；
将上述薄板压件的V形沟向上述薄板配置成水平状态时的下侧偏移。
3. 如权利要求1或2所述的薄板支持容器，其特征在于，在上述薄板配置成水平状态时，将上述薄板支持部的V形沟中的下侧面的表面施行粗糙化。
4. 如权利要求1或2所述的薄板支持容器，其特征在于，在上述薄板配置成水平状态下，载置着该薄板的上述薄板支持部的载置板片上，具有直接接触并支持该薄板的凸条；
该凸条设置在一个均衡的位置附近，所述均衡的位置是指载置于该凸条的上述薄板间的摩擦力与通过在上述薄板支持部V形沟的下侧面上所载置的上述薄板的本身重量使该薄板沿上述下侧面滑动的力相均衡。
5. 如权利要求4所述的薄板支持容器，其特征在于，上述凸条系将其倾斜角相对于水平设定成为2-5度。
6. 如权利要求1或2所述的薄板支持容器，其特征在于，在多数并排配设的上述薄板支持部的V形沟的各沟底部中，与两端侧的沟底部相比，中央侧的V形沟的沟底部更加向上述盖体侧隆起。
7. 如权利要求1或2所述的薄板支持容器，其特征在于，上述薄板压件用以增强中央侧的部分，而不是增强两侧端的部分。
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