KR20050053306A - 박판지지용기 - Google Patents

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KR20050053306A
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치아키 마츠토리
타다히로 오바야시
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미라이얼 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 덮개의 착탈과 용기본체에 수납되는 반도체 웨이퍼의 출입을 용이하게 한다. 박판지지용기(10)의 용기본체(12) 내에, 반도체 웨이퍼(11)를 지지하는 박판지지부(13)를 구비하고, 덮개(14)의 내측면에 박판지지부(13)로 지지되는 반도체 웨이퍼(11)를 덮개(14)측으로부터 압압하여 지지하는 웨이퍼누름부(15)를 구비하였다. 웨이퍼누름부(15)의 V자형 홈(48) 중 하측면(48A)을 크게 하였다. 이 V자형 홈(48)은 덮개(14)를 용기본체(12)에 장착할 때, 반도체 웨이퍼(11)의 주연부에 용이하게 결합한다. 박판지지부(13)의 V자형 홈(31)의 하측면(31B)의 표면을 반도체 웨이퍼(11)의 미끄러지는 성질이 향상되도록 연마하였다. 철조(37)의 경사각을 수평에 대해서 2~5°로 설정했다.

Description

박판지지용기{Thin-plate supporting container}
본 발명은 반도체 웨이퍼, 기억디스크, 액정유리기판 등의 박판을 수납해 보관, 수송, 제조공정 등에 있어서 사용되는 박판지지용기에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 박판을 수납해 보관, 수송 등을 하기 위한 박판지지용기는 일반적으로 알려져 있다. 이러한 박판지지용기로서는 일본특허공개공보 제2002－122382호에 기재된 것이 있다. 이 박판지지용기를 도 2에 기초하여 설명한다.
이 박판지지용기(1)는 주로, 용기본체(2)와 이 용기본체(2)의 상부 개구(開口)를 덮는 덮개(3)로 구성된다. 용기본체(2)의 내부에는 그 내부에 수납되는 복수개의 반도체 웨이퍼(4)를 일정 간격을 두고 지지하기 위한 박판지지부(6)가 설치된다. 박판지지부(6)는 용기본체(2)를 횡으로 한 상태(반도체 웨이퍼(4)가 수평으로 되는 상태)인 때에 각 반도체 웨이퍼(4)의 주연부를 각각 지지하는 복수의 재치판편(7)과 각 재치판편(7)의 사이의 내부에 설치되어 용기본체(2)를 종으로 한 상태에서 반도체 웨이퍼(4)가 홈저부로 가라앉아 각 재치판편(7)의 중앙부로 지지하는 V자형 홈(미도시)을 구비한다.
상기 덮개(3)의 내측면에는 상기 박판지지부(6)로 지지되는 반도체 웨이퍼(4)를 덮개(3)측으로부터 압압(押壓)하여 지지하는 박판누름부(8)가 설치된다. 상기 박판누름부(8)에는 반도체 웨이퍼(4)에 결합되어 지지하는 V자형 홈(미도시)이 반도체 웨이퍼(4)의 수납 갯수에 맞게 설치된다. 이 V자형 홈은 그 중심위치를 박판지지부(6)의 V자형 홈의 중심위치에 맞추고, 좌우대칭하게 형성된다. 이것에 의해, V자형 홈은 각 반도체 웨이퍼(4)를 소정 위치로 지지하게 된다.
이러한 박판지지용기(1)에서는, 통상, 용기본체(2)를 횡으로 한 상태에서 반도체 웨이퍼 반송장치에 의해 반도체 웨이퍼(4)가 자동적으로 출입되고, 덮개(3)가 장착된다.
그런데, 상술한 바와 같은 박판지지용기(1)에서는 용기본체(2)를 횡으로 한 상태일 때, 반도체 웨이퍼(4)는 박판지지부(6)의 V자형 홈으로부터 빗나가 각 재치판편(7)에 재치된 상태가 된다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼(4)는 박판지지부(6)의 V자형 홈의 홈저부로부터 하방향으로 어긋난 상태가 된다.
이에 대해서, 덮개(3)측의 박판누름부(8)의 V자형 홈은 용기본체(2)의 박판지지부(6)의 V자형 홈과 정합하는 위치에 있기 때문에, 반도체 웨이퍼(4)가 박판누름부(8)의 V자형 홈의 중심으로부터 어긋나 버린다. 이 때문에, 용기본체(2)를 횡으로 한 상태에서 덮개(3)를 장착하는 경우, 박판누름부(8)의 V자형 홈이 반도체 웨이퍼(4)의 주연부에 부드럽게 결합될 수 없는 경우가 발생하는 문제가 있다.
또한, 박판지지용기(1)가 세정되어 V자형 홈의 하측면에 먼지 등이 거의 부착되어 있지 않은 상태에서는, 반도체 웨이퍼(4)는 미끄러지는 성질이 매우 저하되어, 하측면에 걸려 버리는 경우가 발생한다. 이 경우, 반도체 웨이퍼(4)가 기울어지게 되기 때문에, 박판누름부(8)의 V자형 홈이 반도체 웨이퍼(4)의 주연부에 부드럽게 결합될 수 없게 되거나 반송장치에 의한 반도체 웨이퍼(4)의 자동적인 출입에 지장을 초래하거나 하는 등의 문제가 발생한다.
또한, 박판지지부의 재치판편으로서 도 3에 나타낸 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)를 지지하는 철조(9A, 9B, 9C)가 설치되는 경우가 있다. 또한 상기 철조(9A, 9B, 9C) 중 1개가 설치된다. 상기 철조(9)가 지나치게 전방의 위치에 설치되면(철조(9A)의 위치로 하면), 재치판편(7)의 전방부분(7A)의 내측(도 중, 좌측으로 크게 튀어나온 위치)에 철조(9A)를 설치할 필요가 있기 때문에, 보강이 어렵워지고, 재치판편(7)에 먼지가 생겨 반도체 웨이퍼(4)의 위치 일탈이 자주 발생하게 된다. 한편, 철조(9)가 설치되는 위치가 지나치게 후방으로 치우치면(철조(9C)의 위치로 하면), 반도체 웨이퍼(4)의 무게의 대부분이 철조(9C)에 실려, V자형 홈(7B)의 하측면에 실리는 반도체 웨이퍼(4)의 무게가 감소된다. 이에 의해, 철조(9C)에 재치된 반도체 웨이퍼(4)의 마찰력이 커지고, 박판지지부(6)의 V자형 홈(7B)의 하측면에 재치된 반도체 웨이퍼(4)의 자중(自重)에 의해 반도체 웨이퍼(4)가 하측면을 따라 미끄러지는 힘(반도체 웨이퍼(4)를 전방으로 밀어내는 힘)이 감소하게 된다. 그 결과, 반도체 웨이퍼(4)가 하측면에 걸려 기울어져 버리기 때문에, 박판누름부(8)의 V자형 홈이 반도체 웨이퍼(4)의 주연부에 부드럽게 결합할 수 없게 되거나 반송장치에 의한 반도체 웨이퍼(4)의 자동적인 출입에 지장을 초래하거나 하는 문제가 발생한다.
더욱이, 덮개(3)의 내측면에 설치된 박판누름부(8)가 용기본체(2) 내에 수납된 복수개의 반도체 웨이퍼(4)를 동시에 압압지지하면, 이 박판누름부(8)는 각 반도체 웨이퍼(4)에 의한 반발력을 받는다. 박판누름부(8)는 덮개(3)에 의해 지지되지만, 덮개(3)의 중앙부는 그 강도가 약하기 때문에, 박판누름부(8)에 의한 복수개의 반도체 웨이퍼(4)의 압압지지도 중앙부가 약해져 버리는 하는 문제가 발생한다.
본 발명은 상술한 점을 거울 삼아, 용기본체를 횡으로 한 상태에서, 덮개를 부드럽게 착탈시킬 수 있고, 동시에 박판을 부드럽게 출입시킬 수 있고, 그리고 박판누름부의 강도를 설정치로 유지시킬 수 있는 박판지지용기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
제1의 발명에 따른 박판지지용기는 내부에 박판을 복수개 수납하는 용기본체와 상기 용기본체를 덮는 덮개를 구비하는 박판지지용기로서, 상기 용기본체 내에 설치되어 그 내부에 수납된 박판을 일정 간격을 두고 지지하는 박판지지부와, 상기 덮개측에 설치되어 상기 박판지지부로 지지된 박판을 덮개측으로부터 압압하여 지지하는 박판누름부를 구비하고, 상기 박판지지부 및 박판누름부에 상기 박판에 결합되어 지지하는 V자형 홈을 각각 구비하고, 상기 박판누름부의 V자형 홈에서, 상기 박판이 수평이 되도록 배치된 상태에서의 하측면을 크게 한 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의해, 용기본체를 횡으로 한 상태에서 덮개를 장착하는 경우, 박판지지부로 지지된 수평상태의 박판의 주연부에 하측면을 크게 한 V자형 홈이 부드럽게 결합된다.
제2의 발명에 따른 박판지지용기는 내부에 박판을 복수개 수납하는 용기본체와 상기 용기본체를 덮는 덮개를 구비한 박판지지용기로서, 상기 용기본체 내에 설치되어 그 내부에 수납된 박판을 일정간격을 두고 지지하는 박판지지부와 상기 덮개측에 설치되어 상기 박판지지부로 지지되는 박판을 덮개측으로부터 압압하여 지지하는 박판누름부를 구비하고, 상기 박판지지부 및 박판누름부에 상기 박판에 결합되어 지지하는 V자형 홈을 각각 구비하고, 상기 박판누름부의 V자형 홈을 상기 박판이 수평이 되도록 배치된 상태에서의 하측으로 비켜 놓은 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의해, 용기본체를 횡으로 한 상태에서 덮개를 덮는 경우, 박판지지부로 지지되는 수평상태의 박판의 주연부에 하측으로 비켜 놓은 V자형 홈이 부드럽게 결합된다.
제3의 발명에 따른 박판지지용기는 제1 또는 제2의 발명에 따른 박판지지용기에 있어서, 상기 박판지지부의 V자형 홈에서, 상기 박판이 수평이 되도록 배치된 상태에서의 하측면의 표면을 연마하는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의해, V자형 홈의 하측면의 표면이 연마되는 것으로, 미끄러지는 성질이 향상된다. 이것에 의해, 용기본체를 횡으로 했을 때, V자형 홈의 하측면에 재치된 박판은 자중에 의해 경사진 하측면을 따라 미끄러져 내려, 재치판편에 재치된다.
제4의 발명에 따른 박판지지용기는 제1 내지 제3의 발명의 어느 한 발명에 따른 박판지지용기에 있어서, 상기 박판이 수평이 되도록 배치된 상태에서 상기 박판이 재치되는 상기 박판지지부의 재치판편에 상기 박판에 직접 접촉되어 지지하는 철조를 구비하고, 상기 철조가 상기 철조에 재치된 상기 박판의 마찰력과 상기 박판지지부의 V자형 홈의 하측면에 재치된 상기 박판의 자중에 의해 상기 박판이 상기 하측면을 따라 미끄러지는 힘이 부합되는 위치의 근방에 설치되는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의해, 철조에 재치된 박판의 마찰력은 박판이 V자형 홈의 하측면을 따라 미끄러지는 힘보다 작게 된다. 즉, 박판지지부의 V자형 홈의 하측면에 재치된 박판의 자중에 의해 박판이 하측면을 따라 미끄러지는 힘이 철조에 재치된 박판에 작용하는 마찰력보다 크기 때문에, 용기본체를 횡으로 하면, 박판은 박판지지부의 V자형 홈의 하측면을 따라 미끄러져 내려, 재치판편에 재치된다.
제5의 발명에 따른 박판지지용기는 제4의 발명에 따른 박판지지용기에 있어서, 상기 철조가 그 경사각을 수평에 대해 2~5°로 설정한 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의해, 박판은 그 주연부가 철조에 2~5°의 각도로 접촉하고, 마찰력은 작아진다.
제6의 발명에 따른 박판지지용기는 제1 내지 제5의 발명의 어느 한 발명에 따른 박판지지용기에 있어서, 병렬로 다수 배설된 상기 박판지지부의 V자형 홈의 각 홈저부에서, 양단측보다 중앙측의 홈저부를 상기 덮개측으로 융기하는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의해, 용기본체를 종으로 한 상태에서, 용기본체 내에 수납된 복수의 박판의 각 상단 위치는 양단의 박판보다 중앙측의 박판 쪽이 덮개측으로 융기한다. 이것에 의해, 덮개의 중앙부가 강도의 관계에 의해 휘어져도, 박판의 배설 위치가 이것을 보충한다. 이것에 의해, 각 박판은 박판누름부에 의해 균일한 힘으로 압압 지지된다.
제7의 발명에 따른 박판지지용기는 제1 내지 제6의 발명의 어느 한 발명에 따른 박판지지용기에 있어서, 상기 박판누름부가 그 양단측보다 중앙측의 부분을 보강하는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의해, 용기본체에 복수의 박판을 수납해 덮개를 덮으면, 덮개의 중앙부의 강도가 약하기 때문에 휘려고 하지만, 박판누름부의 중앙측의 부분을 보강하고 있기 때문에, 상기 박판누름부가 각 박판을 균일한 힘으로 압압 지지한다.
실시형태
이하, 본 발명의 실시형태를 첨부 도면에 근거해 설명한다. 본 발명의 박판지지용기는 반도체 웨이퍼, 기억디스크, 액정유리기판 등의 박판을 수납하여, 보관, 수송, 제조하는 라인 등에서 사용되는 용기이다. 또한, 여기에서는, 반도체 웨이퍼를 수납하는 박판지지용기를 예로 들어 설명한다.
본 실시형태에 따른 박판지지용기(10)는 도 4, 5에 나타난 바와 같이, 내부에 반도체 웨이퍼(11)(도 9 참조)를 복수개 수납하는 용기본체(12)와, 그 용기본체(12) 내의 대향하는 측벽에 각각 설치되어 내부에 수납된 반도체 웨이퍼(11)를 양측으로부터 지지하는 2개의 박판지지부(13)와, 용기본체(12)를 덮는 덮개(14)와, 이 덮개(14)의 내측면에 설치되어 반도체 웨이퍼(11)를 압압 지지하는 박판누름부로서의 웨이퍼누름부(15)(도 15 참조)와, 공장 내의 반송장치(미도시)의 완부에서 파지(把持)되는 탑플랜지(16)와, 작업자가 손으로 박판지지용기(10)를 운반할 때 잡는 운반용 핸들(17)로 구성된다.
용기본체(12)는 전체가 거의 입방체 형상으로 형성된다. 이 용기본체(12)는 종으로 한 상태(도 4, 5의 상태)에서, 주위의 벽이 되는 4개의 측벽부(12A, 12B, 12C, 12D)와 저판부(12E)로 구성되고, 그 상부에 개구(12F)가 설치된다. 이 용기본체(12)는 반도체 웨이퍼(11)의 제조라인 등에 있어서 웨이퍼 반송장치(미도시)에 대향해 고정시킬 수 있을 때는, 횡으로 두게 된다. 횡으로 둔 상태에서 저부에 해당하게 되는 측벽부(12B)의 외측에는 박판지지용기(10)의 위치결정수단(미도시)이 설치된다. 횡으로 둔 상태에서 천정부에 해당하게 되는 측벽부(12A)의 외측에는 탑플랜지(16)가 착탈가능하게 장착된다. 횡으로 둔 상태에서 횡벽부에 해당하는 측벽부(12C, 12D)의 외측에는 운반용 핸들(17)이 착탈가능하게 장착된다. 용기본체(12)의 각 측벽부(12A, 12B, 12C, 12D)의 상단부에는 덮개(14)가 결합하기 위한 덮개 수용부(18)가 설치된다. 덮개수용부(18)의 네 모서리에는 후술할 덮개(14)의 간이착탈기구(26)가 결합하게 덮개(14)를 용기본체(12)측으로 고정하기 위한 피결합부(18A, 18B)가 설치된다. 피결합부(18A, 18B)는 복수종의 덮개(14) 등에 대응할 수 있도록, 각종 간이착탈기구에 대응하는 형상으로 형성된다.
박판지지부(13)는 용기본체(12)에 착탈가능하게 장착된다. 이 박판지지부(13)는 도 6 및 도 7에 나타난 바와 같이 구성된다. 박판지지부(13)는 주로, 병렬로 일정 간격을 두고 다수개 배설되어 각 반도체 웨이퍼(11)가 1개씩 재치하여 지지되는 재치판편(20)과, 각 재치판편(20)이 병렬로 일정 간격을 두고 배설된 상태에서 이들을 3개소의 위치에서 일체적으로 지지하는 연결판편(21)과, 최내부측의 연결판편(21A)의 내측면(반도체 웨이퍼(11)의 당접면)에 형성된 반도체 웨이퍼(11)의 지지용 V자형 홈(22)으로 구성된다.
박판지지부(13)의 이면에는 용기본체(12) 내에 설치된 하부지지용 돌기(미도시)와 결합하여 이 박판지지부(13)의 하부를 지지하는 하부지지공부(23)와, 상부지지용 돌기(미도시)와 결합하여 이 박판지지부(13)의 상부를 지지하는 상부지지공부(24)가 설치된다.
상기 박판지지부(13)는 그 일례에 지나지 않고, 그 외에 다양한 구성의 박판지지부가 있다. 다른 박판지지부의 예를 도 8 내지 도 10에 나타낸다. 이 박판지지부(28)의 전체 구성은 상기 박판지지부(13)와 거의 동일하며, 주로, 재치판편(29)과 연결판편(30)과 V자형 홈(31)으로 구성된다.
박판지지부(28)의 하단(도 8의 우측단)에는 용기본체(12) 내에 설치된 하부지지부(33)와 결합한 상태에서 박판지지부(28)의 하부를 고정하는 하부고정편(34)과, 상부지지용 돌기(미도시)와 결합하여 이 박판지지부(28)의 상부를 지지하는 상부고정편(미도시)과, 박판지지부(28)를 손으로 잡기 위한 손잡이(35)가 설치된다.
재치판편(29)에는 철조(37)와 스토퍼(38)가 설치된다. 철조(37)는 반도체 웨이퍼(11)에 직접 접촉하여 반도체 웨이퍼(11)를 수평으로 지지하기 위한 부재이다. 철조(37)는 재치판편(29)의 후방측(도 10의 우측)과 전방측(도 10의 좌측)에 2개(좌우로 4개) 설치된다. 후방측의 철조(37)는 V자형 홈(31)에 면하여 설치된다. 전방측의 철조(37)는 이 철조(37)에 재치된 반도체 웨이퍼(11)와의 사이의 마찰력과 후술할 V자형 홈(31)의 하측면(31B)에 재치된 반도체 웨이퍼(11)의 자중에 의해 반도체 웨이퍼(11)가 하측면(31B)을 따라 미끄러지는 힘이 부합되는 위치의 전방 근방에 설치된다. 이 마찰력과 미끄러지는 힘이 부합되는 위치에 철조(37)를 설치하면, 반도체 웨이퍼(11)가 V자형 홈(31)의 하측면(31B)을 미끄러졌다가 미끄러지지 않았다가 하기 때문에, 상기에 언급한 부합되는 위치보다 전방측에 철조(37)를 설치할 필요가 있다. 그리고 철조(37)를 지나치게 전방에 설치하면, 종래의 문제점과 같이, 재치판편(29)이 휘어 반도체 웨이퍼(11)를 정확한 위치로 지지할 수가 없게 되기 때문에, 철조(37)를 상기에 언급한 부합되는 위치의 전방측 근방에 설치한다. 상기에서 언급한 부합되는 위치의 전방측 근방(예를 들면, 도 3의 철조(9B)의 위치)의 철조(37)는 재치판편(29)의 휘어짐(반도체 웨이퍼(11)의 위치 일탈)을 억제한 상태에서, 반도체 웨이퍼(11)를 정확한 위치로 지지함과 동시에, 이 반도체 웨이퍼(11)를 부드럽게 미끄러지게 할 수 있게 된다.
여기서, 철조(37)의 위치를 변경하여 실험한 결과를 기술하고자 한다. 구체적으로는, 도 3에 나타난 바와 같이, 3개의 위치(철조(9A, 9B, 9C)의 위치)에서 실험했다. 반도체 웨이퍼(11)는 300㎜이고, 300㎜의 반도체 웨이퍼(11)용의 박판지지용기(10)를 이용했다. 반도체 웨이퍼(11)가 박판지지용기(10) 내에 수납된 상태(반도체 웨이퍼(11)가 V자형 홈(31)의 하측면(31B)으로부터 미끄러져 4개의 철조(37)에 재치된 상태)에서, 철조(9A)의 위치를 반도체 웨이퍼(11)의 중심으로부터 69±10㎜(도 3의 거리A), 철조(9B)의 위치를 반도체 웨이퍼(11)의 중심으로부터 50±10㎜(도 3의 거리B), 철조(9C)의 위치를 반도체 웨이퍼(11)의 중심으로부터 30±10㎜(도 3의 거리C) 떨어지게 설정했다. 이 설정치로 실험한 결과, 다음과 같은 결과를 얻었다.
거리A의 위치의 경우는, V자형 홈(31)의 하측면(31B)에서의 반도체 웨이퍼(11)의 미끄러짐은 양호하고, 재치판편(29(7A))의 휘어짐에 의한 웨이퍼 존재값은 미흡하였고, 4개의 철조(37)에 재치된 상태에서의 웨이퍼 존재값은 양호했다. 거리B의 위치의 경우는, V자형 홈(31)의 하측면(31B)에서의 반도체 웨이퍼(11)의 미끄러짐은 보통이었고, 재치판편(29(7A))의 휘어짐에 의한 웨이퍼 존재값은 보통이었으며, 4개의 철조(37)에 재치된 상태에서의 웨이퍼 존재값은 보통이었다. 거리C의 위치의 경우는, V자형 홈(31)의 하측면(31B)에서의 반도체 웨이퍼(11)의 미끄러짐은 미흡하였고, 재치판편(29(7A))의 휘어짐에 의한 웨이퍼 존재값은 양호하였으며, 4개의 철조(37)에 재치된 상태에서의 웨이퍼 존재값은 미흡하였다.
여기서, 웨이퍼 존재값이라는 것은 반도체 웨이퍼(11)의 박판지지용기(10) 내에서의 이상적 위치에 어느 정도 근접한가를 나타내는 값이다. 웨이퍼 존재값이 양호, 보통, 미흡하다는 것은, 반도체 웨이퍼(11)의 이상적 위치로부터의 편차량을 나타내는 지표이다. 양호, 보통, 미흡의 3요소 모두, 반송장치에 의한 반도체 웨이퍼(11)의 자동적 출입에 지장을 초래하지 않는 범위에서의 값을 나타낸다. 지장을 초래하지 않는 범위내에서 이상적 위치에 가장 가까운 범위를 양호, 점차 편차량이 커지는 순으로 보통, 미흡으로 표현했다.
그 결과, 300㎜의 반도체 웨이퍼(11)용의 박판지지용기(10)에 있어서는, 반도체 웨이퍼(11)의 중심으로부터 50±10㎜ (거리B)떨어진 위치가 가장 바람직한 것으로 밝혀졌다. 이 거리B의 위치에 있는 철조(37)는 재치판편(29)의 휘어짐을 억제한 상태로, 반도체 웨이퍼(11)를 정확한 위치로 지지함과 동시에, 이 반도체 웨이퍼(11)를 부드럽게 미끄러지게 할 수 있게 한다.
더욱이, 전후 4개의 철조(37)는 그 경사각을 수평에 대해서 2~5°하방향으로 기울어지게 설정된다. 이 철조(37)의 경사각을 수평에 대해서 2~5°하방향으로 경사시켜 설정하는 것은 철조(37)의 경사각을 여러번 변경시켜 실험한 결과, 이 2~5°의 범위에서 양호한 결과를 얻었기 때문이다. 철조(37)를 수평으로 하거나 상방향으로 경사시키면, 반도체 웨이퍼(11)의 이면에 흠을 낼 가능성이 있다. 또한, 하방향으로 경사각도를 6°이상으로 설정하면, 반도체 웨이퍼(11)를 좌우로 약간 비켜 놓아도, 수평도가 크게 변화한다. 더욱이, 하방향으로의 경사 각도가 지나치게 작으면, 마찰이 커져 미끄러지는 성질이 저하된다. 따라서, 반도체 웨이퍼(11)의 이면에 상처를 낼 가능성이 없고, 반도체 웨이퍼(11)의 수평도의 변화가 적고, 그리고 반도체 웨이퍼(11)의 미끄러지는 성질이 양호한 각도인 상기 2~5°범위로 설정하게 된다. 구체적인 각도는 반도체 웨이퍼(11)의 크기나 박판지지용기(10)의 재질 등의 제반 조건에 따라 변화하기 때문에, 제반 조건을 고려해 실험적으로 특정한다.
V자형 홈(31)은 반도체 웨이퍼(11)를 서로 이웃하는 2개의 재치판편(29)의 사이의 중앙 위치로 지지하기 위한 부재이다. 즉, 용기본체(12)를 종으로 한 상태에서, 반도체 웨이퍼(11)의 주연부가 V자형 홈(31)의 중앙(서로 이웃하는 2개의 재치판편(29) 사이의 중앙)에 위치하는 홈저부(31A)에 결합하여, 반도체 웨이퍼(11)를 서로 이웃하는 2개의 재치판편(29) 사이의 중앙 위치로 지지하기 위한 부재이다. V자형 홈(31)은 도 10~13에 나타난 바와 같이 구성된다. V자형 홈(31)은 하측면(31B)과 상측면(31C)으로 구성되며, 단면형상이 V자형으로 형성된다. V자형 홈(31)은 재치판편(29)의 최후방측 단부(도 9의 좌측 단부)에 설치된다.
더욱이, V자형 홈(31)에서, 용기본체(12)를 횡으로 한 상태(반도체 웨이퍼(11)가 수평이 되도록 배치된 상태)에서 하측에 위치하는 하측면(31B)의 표면은 연마되어 마무리된다. 하측면(31B)의 표면을 연마한다는 것은 하측면(31B)의 표면 전면에 10~15㎛ 정도의 요철을 2만~3만개/㎠ 정도의 밀도로 설치하여 마무리하는 것을 의미한다. 과도하게 높은 정밀도로 하측면(31B)를 마무리하면, 반도체 웨이퍼(11)와 하측면(31B)이 지나치게 밀착되어 마찰저항이 커져 미끄러지기 어려워지는데 반해, 표면을 연마하면, 반도체 웨이퍼(11)와 하측면(31B)이 밀착되지 않게 되어 마찰저항이 작아진다. 따라서, 하측면(31B)의 표면을 10~15㎛ 정도의 요철이 남는 상태로 연마하여 마무리한다.
이 하측면(31B)의 표면을 연마하여 마무리하는 수단으로서는 다양한 것이 존재한다. 예를 들면, PBT나 POM에 PTFE나 PFA를 10% 정도 혼합한 재료로, 박판지지부(28) 또는 V자형 홈(31)의 부분을 성형하여 10~15㎛ 정도의 요철을 만들어도 무방하다. 하측면(31B)의 표면을 연마나 샌드블레스트(sandblast) 등으로 연마하여 마무리해도 무방하다. 또한, 금형에서 하측면(31B)에 대응하는 부분의 표면을 연마하여 10~15㎛ 정도의 요철을 만들어도 무방하다. 하측면(31B)의 표면에 10~15㎛ 정도의 요철이 2만~3만개/㎠ 정도의 밀도로 존재하는 상태로 마무리할 수 있는 수단이라면, 어느 수단을 이용하더라도 상관없다.
하측면(31B)의 표면을 연마하는 범위는 하측면(31B)에서, 홈저부(31A)를 제외한 부분이다. 홈저부(31A)는 반도체 웨이퍼(11)의 주연부에 접하여 반도체 웨이퍼(11)를 지지할 필요가 있기 때문에, 미끄러지지 않는 편이 바람직하다. 따라서, 홈저부(31A)는 표면을 연마하지 않고, 통상의 정밀도로 마무리된다.
V자형 홈(31)의 홈저부(31A)는 양단측과 중앙측으로 그 높이를 변경하여 설치된다. 구체적으로는, 도 13에 나타난 바와 같이, 다수로 늘어선 각각의 V자형 홈(31)의 홈저부(31A)에서, 그 양단측보다 중앙측의 홈저부(31A)를 덮개(14)측으로 융기시켜 설치한다. 각 홈저부(31A)는 원형의 일부, 타원형의 일부 등의 곡선상으로 늘어서게 배설된다. 이 각 홈저부(31A)의 배열상태를 형성하는 곡선은 웨이퍼누름부(15)가 휘는 형상에 부합되게 된다. 덮개(14)의 강도가 약하면 웨이퍼누름부(15)가 복수의 반도체 웨이퍼(11)에 결합하여 압압 지지 할 경우에, 그 반동으로 웨이퍼누름부(15)가 덮개(14)와 함께 휘어지는데, 이때, 휘어지는 웨이퍼누름부(15)의 형상에 맞추어 각 홈저부(31A)의 배설 위치가 설정된다. 이것에 의해, 각 반도체 웨이퍼(11)의 웨이퍼누름부(15) 측단부가 웨이퍼누름부(15)가 휘어지는 형상에 맞추어 배열되어, 각 반도체 웨이퍼(11)가 웨이퍼누름부(15)에 의해 균일한 힘으로 압압 지지되게 된다.
또한, 상술한 박판지지부(13)의 설명에서는, 상기 박판지지부(28)의 V자형 홈(31), 철조(37) 등에 대해서 언급하지 않았지만, 박판지지부(13)에 있어서도 동일한 형상의 부재가 설치된다. 이하에서는, 박판지지부(28)의 V자형 홈(31), 철조(37) 등을 기본으로 하여 설명한다.
덮개(14)는 도 4, 15, 16에 나타난 바와 같이, 거의 평판 형상으로 형성되어 용기본체(12)의 덮개수용부(18)에 결합된다. 덮개(14)의 네 모서리에는 간이착탈기구(26)가 설치된다. 이 간이착탈기구(26)의 계지걸이(미도시)가 덮개수용부(18)의 피결합부(18A, 18B)에 결합하고, 덮개(14)가 용기본체(12)에 고정되게 된다.
웨이퍼누름부(15)는 도 18에 나타난 바와 같이, 기단지지부(40)와 탄성지지판부(41)와 당접편(42)과 연접지지판부(43)와 지지용 리브(44)로 구성된다.
기단지지부(40)는 도 14~도 18에 나타난 바와 같이, 웨이퍼누름부(15)의 양단에 각각 설치되어 2개의 탄성지지판부(41)를 직접적으로 지지하기 위한 부재이다. 기단지지부(40)는 사각막대모양으로 형성됨과 동시에, 웨이퍼누름부(15)의 장방향 전체 길이(도 15의 상하 방향)에 걸쳐 형성된다. 덮개(14)의 하측면에는 2개의 갈고리모양 지지부(46)가 각각 설치된다. 기단지지부(40)는 각 갈고리모양 지지부(46)에 끼워 넣어져, 덮개 이면측에 고정된다.
탄성지지판부(41)는 당접편(42)의 외측단을 탄성적으로 지지하기 위한 부재이다. 2개의 탄성지지판부(41)는 용기본체(12) 내에 수납되는 반도체 웨이퍼(11)의 수 만큼 늘어놓아져 설치된다. 각 탄성지지판부(41)는 횡으로 일렬로 늘어놓아진 상태로 기단지지부(40)에 각각 고정된다. 탄성지지판부(41)는 측면형상을 S자 형상으로 굴곡시켜 구성된다. 2개의 탄성지지판부(41)는 그 기단부를 2개의 기단지지부(40)에 각각 고정하여 선단부에 당접편(42)이 각각 장착되고, 각 당접편(42)을 탄성적으로 지지한다.
당접편(42)은 반도체 웨이퍼(11)의 주연부에 직접 접하여 각 반도체 웨이퍼(11)를 직접적으로 지지하기 위한 부재이다. 각 당접편(42)의 일측면에는 도 1에 나타난 바와 같이, 반도체 웨이퍼(11)가 결합되는 V자형 홈(48)이 설치된다. 이 V자형 홈(48)은 반도체 웨이퍼(11)의 주연부를 홈저부에 결합시키는 것으로, 반도체 웨이퍼(11)를 덮개(14)측으로부터 지지하게 된다. 이 V자형 홈(48)에서, 각 반도체 웨이퍼(11)가 수평이 되도록 배치된 상태(용기본체(12)를 횡으로 한 상태)에서, 하측에 위치하는 면인 하측면(48A)을 크게 하고 있다. 구체적으로는 경사각도를 완만하게 하여 면적을 크게 하고 있다. 이것에 의해, 하측면(48A)의 하단부를 하방향으로 연장하여 형성된다. 그 결과, 하측면(48A)의 하단부는 하방향으로 어긋난 상태의 반도체 웨이퍼(11) 보다 하측에 위치하도록 설정된다. 또한, 여기서 반도체 웨이퍼(11)가 하방향으로 어긋난 상태라는 것은 용기본체(12)를 횡으로 하여, 각 반도체 웨이퍼(11)가 박판지지부(13)의 V자형 홈(22)로부터 빗나가 재치판편(29)에 재치된 상태(도 1의 반도체 웨이퍼(11A)의 상태)를 말한다. 더욱이, 하측면(48A)은 상기 V자형 홈(31)의 하측면(31B)과 동일하게, 그 표면을 연마하여 마무리된다.
연접지지판부(43)는 도 14~도 18에 나타난 바와 같이, 2개의 당접편(42)의 사이를 서로 연접하여 지지하기 위한 부재이다. 연접지지판부(43)의 양단부가 각 당접편(42)에 각각 접속되어 각 당접편(42)을 탄성적으로 지지한다. 연접지지판부(43)는 측면 형상을 거의 U자 형상으로 굴곡시켜 형성한다. 구체적으로는, 양측의 종판부(43A, 43B)와 횡판부(43C)로 구성된다. 종판부(43A, 43B)는 덮개(14)의 이면에 수직인 방향으로 배설되며, 거의 휘어짐 없이, 각 당접편(42)을 지지한다.
횡판부(43C)는 탄성적으로 휘어지게 된다. 연접지지판부(43)가 각 당접편(42)을 탄성적으로 지지하는 기능은 주로 횡판부(43C)가 담당한다. 횡판부(43C)는 그 양단에 종판부(43A, 43B)가 각각 접속된 상태에서, 덮개(14)의 이면을 따르는 방향으로 배설된다. 횡판부(43C)는 그 중앙부가 후술할 지지용 철조(50)에 지지되고, 그 지지용 철조(50)을 중심으로 하여 양단부가 휘게 된다.
지지용 리브(44)는 연접지지판부(43)를 지지하여 덮개 이면을 따른 방향에서 어긋나는 것을 방지하기 위한 지지용 부재이다. 지지용 리브(44)는 덮개(14)의 이면의 중앙부에 설치된다. 지지용 리브(44)는 다수 배설된 웨이퍼누름부(15)의 연접지지판부(43)의 전체를 덮도록 설치된다. 구체적으로는, 수납되는 반도체 웨이퍼(11)의 개수만큼 늘어놓아져 설치되는 연접지지판부(43)를 모두 결합할 수 있는 길이로 설정된다. 지지용 리브(44)는 2개의 지지벽부(51, 52)로 구성된다.
각 지지벽부(51, 52)는 서로 대향하여 평행하게 설치된다. 각 지지벽부(51, 52)는 지지판편(53)과 칸막이판편(54)으로 구성된다.
지지판편(53)은 연접지지판부(43)의 종판부(43A, 43B)를 반도체 웨이퍼(11)의 원주방향(도 18의 좌우방향)에서 어긋나지 않게 지지하기 위한 부재이다. 지지판편(53)은 연접지지판부(43)의 종판부(43A, 43B)를 직접적으로 지지하는 것으로, 간접적으로 각 당접편(42)을 반도체 웨이퍼(11)의 원주방향에서 어긋나지 않게 지지한다.
칸막이판편(54)는 다수 배설되는 연접지지판부(43)를 개별적으로 구분하기 위한 판편이다. 각 칸막이판편(54)은 최외측 및 각 연접지지판부(43)의 사이에 각각 위치하게 설치된다. 이것에 의해, 각 칸막이판편(54)이 각 연접지지판부(43)를 그 폭방향 양측으로부터 지지한다. 이것에 의해, 각 칸막이판편(54)은 연접지지판부(43)를 직접적으로 지지하는 것이며, 간접적으로 각 당접편(42)을 반도체 웨이퍼(11)의 원주방향과 직교하는 방향에서 어긋나지 않게 지지한다.
상기 지지판편(53)과 칸막이판편(54)으로, 연접지지판부(43)를 주위(용기본체(12) 내에 수납되는 반도체 웨이퍼(11)의 원주방향과 직교하는 방향)로부터 끼워 개별적으로 지지하는 것으로, 연접지지판부(43)의 덮개 이면을 따르는 방향의 엇갈림을 방지하고, 덮개 이면에 수직인 방향의 변동을 허용하게 된다.
지지판편(53) 및 칸막이판편(54)과 연접지지판부(43)와의 사이는, 약간의 극간이 있도록 설정되어, 미세한 진동이 있을 경우 접촉하지 않게 된다. 즉, 반도체 웨이퍼(11)가 약간 진동하는 정도일 때는 연접지지판부(43)는 지지판편(53) 및 칸막이판편(54)과 접촉하지 않은 채 휘어저 진동을 흡수하게 된다. 진동이 격렬해졌을 때에는 각 당접편(42)을 개입시켜 연접지지판부(43)도 격렬하게 진동하기 때문에, 연접지지판부(43)는 지지판편(53) 및 칸막이판편(54)에 접촉하여 지지되게 된다.
지지용 리브(44)의 2개의 지지벽부(51, 52) 사이에는 지지용 철조(50)가 설치된다. 지지용 철조(50)는 각 연접지지판부(43)에 직접 접하여 지지하기 위한 부재이다. 구체적으로는, 각 연접지지판부(43)의 횡판부(43C)의 중앙부가 지지용 철조(50)에 접해 지지되어 횡판부(43C)의 양단부가 자유롭게 휘어질 수 있게 된다. 지지용 철조(50)는 서로 대향하여 평행하게 설치된 2개의 지지벽부(51, 52) 사이의 중앙부에 이들 지지벽부(51, 52)와 평행하게 그리고 거의 같은 길이로 설치된다.
지지용 철조(50)는 도 17에 나타난 바와 같이 구성된다. 즉, 양측에 위치하는 당접편(42)에 비해 중앙측에 위치하는 당접편(42)을 반도체 웨이퍼(11)측으로 융기시키도록, 양측은 얇고, 중앙측은 두껍게 성형된다. 본 실시형태에서는 전체를 활모양으로 만곡하게 형성한다. 이것에 의해, 웨이퍼누름부(15)가 덮개(14)에 장착된 상태로, 각 연접 지지판부(43)와의 간격이 양측에서 넓어지고, 중앙측에서 좁아지게 설정된다. 상기 지지용 철조(50)의 구체적인 크기는 박판지지부(28)의 V자형 홈(31)의 홈저부(31A)와의 균형으로, 덮개(14)의 휘어짐의 크기에 따라 적당하게 설정된다.
지지용 철조(50)를 위와 같이 형성하는 것은 다음과 같은 이유에서이다. 용기본체(12) 내에 복수개의 반도체 웨이퍼(11)를 수납한 상태로 덮개(14)를 장착하면, 덮개(14)에 일정한 반발력이 작용한다. 덮개 이면에 장착된 웨이퍼누름부(15)는 각 반도체 웨이퍼(11)를 1개씩 일정한 힘으로 지지하기 때문에, 반도체 웨이퍼(11)의 직경이 커져 1개의 반도체 웨이퍼(11)를 지지하는 힘이 커지면 커질수록, 그리고 갯수가 많아지면 많아질수록 웨이퍼누름부(15)를 되밀어내는 반발력도 커지게 된다. 이 반발력에 의해, 웨이퍼누름부(15)가 장착된 덮개(14)가 외측으로 다소 휘게 된다. 그리고 덮개(14)가 외측으로 휘면, 웨이퍼누름부(15)에서 반도체 웨이퍼(11)를 지지하는 힘이 중앙부에서 감소하게 되버린다. 이 반도체 웨이퍼(11)를 지지하는 힘의 불균일을 해소하기 위해서, 지지용 철조(50)가 설치된다. 중앙측을 두껍게 한 지지용 철조(50)에 의해 덮개(14)의 휘어짐이 흡수되고, 웨이퍼누름부(15)가 각 반도체 웨이퍼(11)를 균등한 힘으로 지지하게 된다.
이상과 같이 구성된 박판지지용기(10)는 다음과 같이 작용한다.
용기본체(12)를 횡으로 한 상태에서, 반도체 웨이퍼(11)가 반송장치 등에서 용기본체(12) 내로 삽입되면, 반도체 웨이퍼(11)는 박판지지부(28)의 재치판편(29)에 재치된다. 이 때, 반도체 웨이퍼(11)는 재치판편(29)의 4개의 철조(37)에 재치된다. 반도체 웨이퍼(11)가 조금 후방으로 들어갔을 경우는, 반도체 웨이퍼(11)의 후방측의 주연이 V자형 홈(31)의 하측면(31B)에 실리는 경우가 있다. 이 경우는, 도 12에 나타난 바와 같이, 하측면(31B)에 실린 반도체 웨이퍼(11)가 자중에 의해 경사진 하측면(31B)을 따라 하방향으로 떨어진다. 이것에 의해, 반도체 웨이퍼(11)는 재치판편(29)의 4개의 철조(37)로 확실하게 지지되고, 용기본체(12) 내에서 수평으로 정연하게 늘어서게 된다.
이 상태에서, 덮개(14)가 장착되면, 덮개(14)의 웨이퍼누름부(15)가 각 반도체 웨이퍼(11)에 접한다. 이 때, 웨이퍼누름부(15)의 V자형 홈(48)의 하측면(48A)의 하단부는 재치판편(29)에 재치된 반도체 웨이퍼(11)보다 하측에 위치하기 때문에, 이 하측면(48A)이 반도체 웨이퍼(11)를 걸어 올려 V자형 홈(48)의 홈저부까지 안내한다. 즉, 각 당접편(42)의 V자형 홈(48)이 각 반도체 웨이퍼(11)의 주연부에 개별적으로 결합하고, 각 반도체 웨이퍼(11)의 주연부를 V자형 홈(48)의 홈저부로 안내한다.
이것과 동시에, 각 반도체 웨이퍼(11)가 용기본체(12)의 후방측으로 밀리고, 각 반도체 웨이퍼(11)의 주연부가 박판지지부(28)의 V자형 홈(31)의 하측면(31B)을 따라 밀어 올려진다. 이것에 의해, 각 반도체 웨이퍼(11)는 재치판편 (29)으로부터 V자형 홈(31)의 홈저부(31A)로 안내된다.
이상과 같이, 용기본체(12)에 덮개(14)를 장착하는 경우에, 웨이퍼누름부(15)의 V자형 홈(48)에서, 반도체 웨이퍼(11)를 수평으로 했을 때의 하측면을 크게 하여, 수평 상태의 반도체 웨이퍼(11)의 주연부에 V자형 홈(48)이 부드럽게 결합하기 때문에, 덮개(14)를 미세조정(fine tune)하지 않아도, 이 덮개(14)를 용기본체(12)에 용이하게 장착할 수 있게 된다. 그 결과, 덮개(14)의 착탈을, 착탈장치 등을 이용하여 용이하게 자동화할 수 있게 된다.
더욱이, 용기본체(12)에 덮개(14)를 장착하면, 웨이퍼누름부(15)가 각 반도체 웨이퍼(11)를 압압 지지하는 반동에 의해 웨이퍼누름부(15) 및 덮개(14)가 휘게 되지만, V자형 홈(31)의 홈저부(31A) 및 지지용 철조(50)가 이 웨이퍼누름부(15) 등이 휘는 형상에 맞추어 배설되기 때문에, 각 반도체 웨이퍼(11)를 균등한 힘으로 압압 지지한다. 즉, 각 V자형 홈(31)에서 양단측보다 중앙측의 홈저부(31A)를 덮개(14)측으로 융기시키는 것에 의해, 용기본체(12)를 종으로 하여 각 반도체 웨이퍼(11)가 홈저부(31A)에 결합한 상태에서 각 반도체 웨이퍼(11)의 상단 위치가 그 양단측보다 중앙측에서 덮개(14)측으로 융기하기 때문에, 각 반도체 웨이퍼(11)의 상단 위치가 덮개(14)와 함께 휘어진 웨이퍼누름부(15)를 따르는 배열이 되게 된다. 그 결과, 웨이퍼누름부(15)가 각 반도체 웨이퍼(11)를 균일한 힘으로 압압 지지할 수 있다.
한편, 용기본체(12)에 복수의 반도체 웨이퍼(11)가 수납되어 덮개(14)가 장착되는 상태에서 덮개(14)를 떼어내면, 반도체 웨이퍼(11)를 누르고 있던 것이 없어 지게 된다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼(11)는 그 주연부가 박판지지부(28)의 V자형 홈(31)의 하측면(31B)를 따라 미끄러져 떨어지고, 4개의 철조(37)상에 재치된다.
이때, V자형 홈(31)의 하측면(31B)은 표면이 연마되어 마무리되고, 철조(37)는 2~5°의 범위로 경사지게 설치되기 때문에, 반도체 웨이퍼(11)와 철조(37)의 사이의 마찰력이 작아지고, 반도체 웨이퍼(11)는 그 주연부가 하측면 (31B)에 실린 상태에서, 이 하측면(31B)을 따라 부드럽게, 그리고 확실하게 미끄러져 떨어져 4개의 철조(37)상에 재치된다. 즉, 반도체 웨이퍼(11)가 V자형 홈(31)의 하측면(31B)을 따라 미끄러지는 힘이 철조(37)에 재치된 반도체 웨이퍼(11)에 작용하는 마찰력보다 크게 되고, 반도체 웨이퍼(11)가 V자형 홈(31)의 하측면(31B)을 따라 미끄러져 떨어져 하측면(31B)에 걸려 비스듬하게 되는 것 없이 4개의 철조(37) 상에 확실하게 재치된다. 더욱이, 전방측의 철조(37)가 마찰력과 미끄러지는 힘이 부합되는 위치에 설치되기 때문에, 재치판편(29)이 휘어지는 일 없이 반도체 웨이퍼(11)는 수평으로 정확한 위치로 재치되어 모든 반도체 웨이퍼(11)가 정연하게 늘어선다.
이것에 의해, 용기본체(12)를 횡으로 하여 덮개(14)가 떼어내진 상태에서, 각 반도체 웨이퍼(11)는 수평으로 정확한 위치로 지지된다. 이것에 의해, 반송장치로 출입하는 경우에, 반송장치의 포크부가 반도체 웨이퍼(11)에 접촉하는 경우도 없게 된다.
즉, 표면이 연마된 V자형 홈(31)의 하측면(31B)에 재치된 반도체 웨이퍼(11)는 자중에 의해 경사진 하측면을 따라 미끄러져 떨어져 재치판편(29)에 재치되기 때문에, 용기본체(12)를 횡으로 하여 각 반도체 웨이퍼(11)를 수평으로 할 경우에 반도체 웨이퍼(11)가 V자형 홈(31)의 하측면에 걸려 비스듬하게 되는 일이 없어지고, 모든 반도체 웨이퍼(11)가 정연하게 늘어선다. 그 결과, 덮개(14)의 착탈 및 반도체 웨이퍼(11)의 출입의 자동화가 용이하게 된다.
상기 실시형태에서는, 웨이퍼누름부(15)의 V자형 홈(48)의 하측면(48A)을 크게 하는 모양으로서, 경사각도를 완만하게 하여 면적을 크게 했지만, 이 하측면(48A)의 경사각도를 변경하지 않고 면적을 크게 하여도 무방하다. 용기본체(12)를 횡으로 하여 반도체 웨이퍼(11)가 재치판편(29)에 재치된 상태에서, 하측면(48A)의 하단부가 반도체 웨이퍼(11)보다 하측에 위치하여 반도체 웨이퍼(11)를 들어올릴 수 있도록 하측면(48A)을 크게 하는 모양이라면 무방하고, 이와 같이 형성된 하측면(48A) 구성이라면 모두 본 발명에 포함된다.
또, V자형 홈(48)의 하측면(48A)을 크게 하지 않고, 도 19에 나타난 바와 같이, 상하의 양측면을 상하대칭으로 하여, V자형 홈(48)을 하측(용기본체(12)를 횡으로 한 상태의 하측)으로 비껴 설치해도 무방하다. 즉, V자형 홈(48)의 홈저부를 통과하는 중심선(A)을 박판지지부(13)의 V자형 홈(22)의 중심선(B)보다 하측으로 비켜놓게 설치해도 무방하다. 또한, 하측면(48A)을 크게 한 다음, V자형 홈(48)을 하측으로 비켜 놓도록 설치해도 무방하다. V자형 홈(48)을 비켜놓는 양은 웨이퍼누름부(15)의 크기 등의 여러 조건에 따라 상이하지만, 적어도 V자형 홈(48)의 하측면(48A)의 하단부가 반도체 웨이퍼(11)보다 하측에 위치하여 반도체 웨이퍼(11)를 들어올릴 수 있는 위치까지 V자형 홈(48)을 비켜 놓는다. 통상적으로 V자형 홈(48)의 폭의 20% 정도 하측으로 비켜 놓는다. 또한, V자형 홈(48)의 하측면(48A)의 하단부가 반도체 웨이퍼(11)보다 하측이 되는 위치는 반도체 웨이퍼(11)의 크기 등의 여러 조건에 따라서 상이하므로, 각각의 크기에 대응하여 적당하게 설정한다. 이 때문에, V자형 홈(48)의 폭의 19% 이하이거나 21% 이상인 경우도 있다.
이 경우도, 상기 실시형태와 같이, 덮개(14)를 미세조정할 필요가 없고, 수평상태의 반도체 웨이퍼(11)의 주연부에 V자형 홈(48)이 부드럽게 결합하기 때문에, 덮개(14)를 용기본체(12)에 용이하게 장착할 수 있게 된다. 그 결과, 덮개의 착탈의 자동화가 용이하게 된다.
상기 실시형태에서는, 웨이퍼누름부(15)의 V자형 홈(48)을 정확하게 V자형으로 형성했지만, 상기 V자형 홈(48)의 형상이 정확하게 V자형으로만 한정되는 것은 아니다. 단계적으로 각도를 변경한 V자형 홈이나, U자형에 가까운 형상의 홈, U자형 홈, 그 외의 형상의 홈이여도 무방하다. 하측면(48A)의 하단부가 반도체 웨이퍼(11)보다 하측에 위치하여 반도체 웨이퍼(11)를 들어올릴 수 있는 기능을 구비한 V자형 홈 모두가 포함된다. 하측면(48A)역시 평탄면상으로 한정할 필요는 없다. 반도체 웨이퍼(11)를 들어올리는 형상이라면 무방하다.
이 경우도, 상기 실시형태와 같은 작용 효과를 얻을 수 있다.
상기 실시형태에서는 용기본체 내에 수납된 박판을 지지하기 위한 박판누름부로서의 웨이퍼누름부(15)를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 다른 구조의 박판누름부에도 적용할 수 있다. 이 경우도, 상기 실시형태 같은 작용, 효과를 얻을 수 있다.
상기 실시형태에서는, 각 반도체 웨이퍼(11)를 균등한 힘으로 지지하는 대책(덮개(14)측의 대책)으로서 웨이퍼누름부(15)의 지지용 철조(50)의 두께를 변경하였지만, 웨이퍼누름부(15)의 강도를 변경하여도 무방하다. 구체적으로는, 탄성지지판부(41) 및 연접지지판부(43)의 세로판부(43A, 43B)의 두께를 변경한다. 중앙측의 탄성지지판부(41) 및 연접지지판부(43)의 종판부(43A, 43B)의 두께를 양단측보다 두껍게 설정하여 보강한다. 이것에 의해, 덮개(14)가 휘어져 약해지는 것을 보충한다. 기단지지부(40)의 두께를 변경하여 덮개(14)가 휘어지기 어렵게 설정해도 무방하다. 이것에 의해, 웨이퍼누름부(15)에 의해 각 반도체 웨이퍼(11)를 균일한 힘으로 압압 지지할 수 있다. 상기 경우에서도, 상기 실시형태 같은 작용, 효과를 얻을 수 있다.
상기 실시형태에서는 V자형 홈(31)의 홈저부(31A)의 위치를 조정했지만, 이 경우, 홈저부(31A)의 위치만을 조정하거나, 홈저부(31A)를 포함한 V자형 홈(31)의 위치를 조정해도 무방하다. V자형 홈(31) 자체의 위치를 조정하는 경우로서는, 박판지지부(28)를 성형할 때에, V자형 홈(31)의 위치를 그 중앙측이 덮개(14)측으로 융기하도록 설계해도 무방하다. 또한, V자형 홈(31)의 위치는 덮개(14)측으로 융기시키지 않고 직선상으로 배열하도록 박판지지부(28)를 성형하고, 박판지지부(28)를 용기본체(12)에 장착할 때, 박판지지부(28)를 변형시키도록 하여도 무방하다. 구체적으로는 박판지지부(28)의 중앙측으로 박판지지부(28)측 또는 용기본체(12)측에, 돌기 등의 박판지지부(28)를 변형시킨 것을 설치해도 무방하다. 이 경우도, 상기 실시형태 같은 작용, 효과를 얻을 수 있다.
상기 실시형태에서는 지지용 철조(50)를 그 양측을 얇고, 중앙측을 두껍게 성형함과 동시에, V자형 홈(31)의 홈저부(31A)를 그 양단측보다 중앙측의 홈저부(31A)를 덮개(14)측으로 융기시켜 설치했지만, 이들은 어느쪽이든 한편에만 적용되어도 무방하다. 이 경우도, 상기 실시형태와 같은 작용, 효과를 얻을 수 있다.
상기 실시형태에서는 V자형 홈(31)의 하측면(31B)의 표면을 연마하여 마무리했지만, V자형 홈(31)의 상하 양측면의 표면을 연마하여 마무리해도 무방하다. 이 경우도, 상기 실시형태와 같은 작용, 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 박판지지용기의 박판지지부 및 웨이퍼누름부의 V자형 홈을 나타내는 주요부 확대도이다.
도 2는 종래의 박판지지용기를 나타내는 측면 단면도이다.
도 3은 종래의 박판지지용기를 나타내는 주요부 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시형태에 따른 박판지지용기를 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시형태에 따른 박판지지용기에서 덮개를 제외한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 실시형태에 따른 박판지지용기의 박판지지부를 나타내는 정면도이다.
도 7은 본 발명의 실시형태에 따른 박판지지용기의 박판지지부를 나타내는 측면도이다.
도 8은 본 발명의 실시형태에 따른 박판지지용기의 다른 박판지지부를 나타내는 사시도이다.
도 9는 본 발명의 실시형태에 따른 박판지지용기의 다른 박판지지부의 설치 상태를 나타내는 사시도이다.
도 10은 본 발명의 실시형태에 따른 박판지지용기의 다른 박판지지부를 나타내는 주요부 사시도이다.
도 11은 본 발명의 실시형태에 따른 박판지지부의 V자형 홈을 나타내는 주요부 확대도이다.
도 12는 본 발명의 실시형태에 따른 박판지지부의 V자형 홈을 나타내는 주요부 확대 단면도이다.
도 13은 본 발명의 실시형태에 따른 박판지지부의 V자형 홈의 홈저부를 나타내는 개략 단면도이다.
도 14는 본 발명의 실시형태에 따른 박판지지용기의 웨이퍼누름부를 나타내는 주요부 확대도이다.
도 15는 본 발명의 실시형태에 따른 박판지지용기의 덮개를 그 이면에서 나타내는 사시도이다.
도 16은 본 발명의 실시형태에 따른 박판지지용기의 덮개의 주요부를 나타내는 사시도이다.
도 17은 본 발명의 실시형태에 따른 박판지지용기의 덮개의 주요부를 나타내는 단면도이다.
도 18은 본 발명의 실시형태에 따른 박판지지용기의 웨이퍼누름부를 나타내는 단면도이다.
도 19는 본 발명의 변형예를 나타내는 주요부 확대도이다.

Claims (7)

  1. 내부에 박판을 복수개 수납하는 용기본체와 상기 용기본체를 덮는 덮개를 구비한 박판지지용기로서,
    상기 용기본체 내에 설치되어 그 내부에 수납된 박판을 일정 간격을 두고 지지하는 박판지지부와 상기 덮개측에 설치되어 상기 박판지지부로 지지되는 박판을 덮개측으로부터 압압하여 지지하는 박판누름부를 구비하고,
    상기 박판지지부 및 박판누름부에 상기 박판에 결합되어 지지하는 V자형 홈을 각각 구비하고,
    상기 박판누름부의 V자형 홈에서, 상기 박판이 수평이 되도록 배치된 상태에서의 하측면을 크게 한 것을 특징으로 하는 박판지지용기.
  2. 내부에 박판을 복수개 수납하는 용기본체와 상기 용기본체를 덮는 덮개를 구비한 박판지지용기로서,
    상기 용기본체 내에 설치되어 그 내부에 수납된 박판을 일정 간격을 두고 지지하는 박판지지부와 상기 덮개측에 설치되어 상기 박판지지부로 지지되는 박판을 덮개측으로부터 압압하여 지지하는 박판누름부를 구비하고,
    상기 박판지지부 및 박판누름부에 상기 박판에 결합되어 지지하는 V자형 홈을 각각 구비하고,
    상기 박판누름부의 V자형 홈을 상기 박판이 수평이 되도록 배치된 상태에서의 하측으로 비켜 놓은 것을 특징으로 하는 박판지지용기.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 박판지지부의 V자형 홈에서, 상기 박판이 수평이 되도록 배치된 상태에서의 하측면의 표면을 연마하는 것을 특징으로 하는 박판지지용기.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 박판이 수평이 되도록 배치된 상태에서 상기 박판이 재치되는 상기 박판지지부의 재치판편에 상기 박판에 직접 접촉하여 지지하는 철조를 구비하고,
    상기 철조가 상기 철조에 재치된 상기 박판과의 사이의 마찰력과 상기 박판지지부의 V자형 홈의 하측면에 재치된 상기 박판의 자중에 의해 상기 박판이 상기 하측면을 따라 미끄러지는 힘과 부합되는 위치의 앞측 근방에 설치된 것을 특징으로 하는 박판지지용기.
  5. 제4항에 있어서, 상기 철조가 그 경사각을 수평에 대해서 2~5°로 설정한 것을 특징으로 하는 박판지지용기.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 병렬로 다수 배설된 상기 박판지지부의 V자형 홈의 각 홈저부에서, 양단측보다 중앙측의 V자형 홈의 홈저부를 상기 덮개측으로 융기시킨 것을 특징으로 하는 박판지지용기.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 박판누름부가 그 양단측보다 중앙측의 부분을 보강한 것을 특징으로 하는 박판지지용기.
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