CN100388518C - 氮化物基化合物半导体发光器件 - Google Patents

氮化物基化合物半导体发光器件 Download PDF

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Abstract

本发明通过在氮化物基化合物半导体发光器件制造工艺中芯片分割时抑制剥落和抑制在半导体层中的短路，提供一种具有良好特性且确保高可靠性的氮化物基化合物半导体发光器件。所述半导体发光器件，具有第一欧姆电极(2)、第一焊接金属层(21)、第二焊接金属层(31)和第二欧姆电极(3)，依次设置在导电衬底(1)上，且还具有氮化物基化合物半导体层(60)，设置在第二欧姆电极(3)上。第二欧姆电极(2)的部分表面被暴露。

Description

氮化物基化合物半导体发光器件
技术领域
本发明涉及一种能够发射从绿色到紫外波段光的氮化物基化合物半导体发光器件(激光或发光二极管)，且特别涉及一种部分欧姆电极或P型半导体层暴露的氮化物基化合物半导体发光器件。
背景技术
日本专利公开No.09-008403公开了如图13所示的氮化物基化合物半导体发光器件，其中在形成有正电极107的导电衬底100上，形成第一欧姆电极102和第二欧姆电极101。其上依次堆叠氮化镓基半导体的P型层103、发光层104、N型层105和负电极106，且第一欧姆电极102和第二欧姆电极101通过热压焊接而焊接到一起。
在日本专利公开No.09-008403中描述的氮化物基化合物半导体发光器件中，氮化镓基半导体的P型层103、发光层104和N型层105被同时划线或分割。这导致了在P型层103、发光层104和N型层105的侧面可能发生短路的问题，引起该氮化物基化合物半导体发光器件可靠性的降低。
此外，当晶片被分成芯片时，在第一欧姆电极102和第二欧姆电极101之间可能发生剥落(peeling)，引起工艺产量的降低。
此外，如果剥落是局部发生的，将在工艺中引起溶剂、抗蚀剂或蚀刻剂的渗透。例如，在制造灯光发射器件时，树脂、水等将通过剥落部分进入，这将导致剥落扩大，从而可能破坏欧姆电极和焊接电极。这将降低氮化物基化合物半导体发光器件的可靠性。
发明内容
本发明已被用于解决传统技术的上述问题，且本发明要解决的技术问题是通过在氮化物基化合物半导体发光器件制造工艺中芯片分割时抑制剥落和抑制在半导体层中的短路，提供一种具有良好特性且确保高可靠性的氮化物基化合物半导体发光器件。
根据本发明的一个方面，氮化物基化合物半导体发光器件具有在导电衬底上依次设置的第一欧姆电极、第一焊接金属层、第二焊接金属层和第二欧姆电极，且还具有在第二欧姆电极上设置的氮化物基化合物半导体层，其中该第二欧姆电极的部分表面被暴露。
优选地，该氮化物基化合物半导体层至少包括P型层、发光层和N型层。
根据本发明的另一个方面，氮化物基化合物半导体发光器件具有在导电衬底上依次设置的第一欧姆电极、第一焊接金属层、第二焊接金属层和第二欧姆电极，且还具有在第二欧姆电极上设置的氮化物基化合物半导体层，其中氮化物基化合物半导体层至少包括P型层、发光层和N型层，且该P型层的部分表面被暴露。
优选地，所述导电衬底是选自由Si、GaAs、GaP、Ge和InP构成的组中的至少一种半导体。
优选地，所述氮化物基化合物半导体层采用支持衬底形成，且支持衬底是蓝宝石、尖晶石或铌酸锂绝缘衬底，或者碳化硅、硅、氧化锌或砷化镓导电衬底。
优选地，所述第一焊接金属层的垂直于其厚度方向的平面具有大于所述发光层的垂直于其厚度方向的平面的面积。
优选地，所述第二欧姆电极的该部分表面通过蚀刻而暴露。
优选地，所述第二欧姆电极的表面具有不小于1μm且不大于100μm的宽度。
优选地，所述P型层的该部分表面通过蚀刻而暴露。
优选地，所述P型层的该部分表面具有不小于1μm且不大于100μm的宽度。
或者，可在所述第二欧姆电极的该部分暴露表面形成凹槽，且通过沿着该凹槽实施分割而制造所述氮化物基化合物半导体发光器件。
优选地，在所述P型层的该部分暴露表面形成凹槽，且通过沿着该凹槽实施分割而制造所述氮化物基化合物半导体发光器件。
优选地，所述凹槽向下形成直到所述导电衬底内的中部。
优选地，所述凹槽具有不小于1μm且不大于50μm的宽度。
优选地，在所述导电衬底的背面形成刻划线，与向下形成直到所述导电衬底内的中部的所述凹槽相对。
优选地，所述氮化物基化合物半导体发光器件通过沿着所述凹槽和所述刻划线实施分割而制造，所述凹槽向下直到所述导电衬底内中部而形成，所述刻划线在所述导电衬底的背面形成。
根据本发明，被构造成不是在半导体层的PN结附近进行划线或分割。即，仅在完全除去氮化物基化合物半导体层之后或在向下直到P型层内的中部而除去之后才形成凹槽。这能阻止芯片分割步骤中划线时会发生的P型层和N型层之间的短路，使得漏电流能减小。因此，可能提供非常可靠的氮化物基化合物半导体发光器件。
此外，当在该部分暴露表面形成凹槽时，阻止焊接金属层的剥落或分离，因此有利于芯片分割。这提高了发光器件的产量，且这样，可以提供便宜的氮化物基化合物半导体发光器件。
当结合附图时，从下面本发明的详细描述中，本发明的上述和其他目的、特征、方面和优点将变得更为明显。
附图说明
图1是根据本发明的氮化物基化合物半导体发光器件的示意性剖面图；
图2是示出在根据本发明的氮化物基化合物半导体发光器件的制造工艺中，在支持衬底上形成半导体层的步骤的示意性剖面图；
图3是示出在本发明的氮化物基化合物半导体发光器件的制造工艺中，在半导体层上形成欧姆电极和焊接金属层的步骤的示意性剖面图；
图4是示出在本发明的氮化物基化合物半导体发光器件的制造工艺中，在导电衬底上形成欧姆电极和焊接金属层的步骤的示意性剖面图；
图5是示出在本发明的氮化物基化合物半导体发光器件的制造工艺中，焊接图3中的结构和图4中的结构的步骤的示意性剖面图；
图6是示出在本发明的氮化物基化合物半导体发光器件的制造工艺中，除去支持衬底步骤的示意性剖面图；
图7是示出在本发明的氮化物基化合物半导体发光器件的制造工艺中，通过蚀刻暴露欧姆电极表面的步骤的示意性剖面图；
图8是示出在本发明的氮化物基化合物半导体发光器件的制造工艺中，在N型层上形成透明电极和衬垫电极的步骤的示意性剖面图；
图9是示出在本发明的氮化物基化合物半导体发光器件的制造工艺中，在暴露表面形成凹槽的步骤的示意性剖面图；
图10是示出在本发明的氮化物基化合物半导体发光器件的制造工艺中，在形成于暴露表面的凹槽中引入刻划线步骤的示意性剖面图；
图11是示出关于图7中步骤的可选择步骤的示意性剖面图；
图12是示出根据本发明的氮化物基化合物半导体发光器件的另一个实施例的示意性剖面图；
图13是传统氮化物基化合物半导体发光器件的示意性剖面图。
具体实施方式
本发明提供了一种氮化物基化合物半导体发光器件，其具有依次叠放于导电衬底上的第一欧姆电极、第一焊接金属层、第二焊接金属层和第二欧姆电极，且还具有设置在第二欧姆电极上的氮化物基化合物半导体层，其特点是该第二欧姆电极的表面被暴露。
采用此结构，可以减少漏电流，并能获得非常可靠的氮化物基化合物半导体发光器件。下面，将参考附图详细说明本发明。
第一实施例
图1是根据本发明的氮化物基化合物半导体发光器件的示意性剖面图。在图1中，本发明的氮化物基化合物半导体发光器件至少包括在导电衬底1上的第一欧姆电极2、第一焊接金属层21、第二焊接金属层31和第二欧姆电极3，且在第二欧姆电极3上形成氮化物基化合物半导体层60。此外，在氮化物基化合物半导体层60上形成透明电极7、焊接电极8和焊接线9，以使所述结构起发光器件的作用。
在本发明中，所述氮化物基化合物半导体层依次具有P型层4、发光层5和N型层6，如图1所示。这些半导体层的组分、厚度和物理性质可以被调整以实现期望特性的光发射。
在本发明中，作为导电衬底，任何具有良好的导热性、易于形成解理面且易于实现P型或N型导电的衬底都可以被采用。具体来说，虽然不局限于此，但优选采用从包括Si、GaAs、GaP、Ge和InP的组中选择的至少一种半导体。特别地，从经济角度考虑，优选采用硅衬底。
在本发明中，Ti/Al、Ti、Al、Hf、Hf/Al等可以用作第一欧姆电极。其中，Ti/Al是最优选的，因为能由此制造低操作电压的发光器件。Pd、Ni、Pd/Au、Ni/Au、Ag等可以用作第二欧姆电极。其中，从制造具有低操作电压的发光器件的角度考虑，Pd是最优选的。
此外，在本发明中，虽然不局限于此，但可以用Au、AuSn、Sn、In、In-Pd、Ag膏、AuGe等作为第一和第二焊接金属层。
此外，在本发明中，对于氮化物基化合物半导体层，虽然不局限于此，但可以采用至少包括InxAlyGa1-x-y(0≤x，0≤y，x+y≤1)、P、As、B等其中之一的氮化物基化合物半导体。
下面，将参照附图说明根据本发明氮化物基化合物半导体发光器件的制造方法。应该注意，在下面说明中指出的各层的尺寸仅为了举例，且它们可以根据发光器件的期望特性而调整到合适。
首先，如图2所示，通过例如金属有机化学气相淀积(MOCVD)在支持衬底10上依次形成GaN材料的缓冲层11、N型氮化物基化合物半导体层6、多量子阱(MQW)结构的发光层5、和P型氮化物基化合物半导体层4。
在本发明中，作为支持衬底，可以采用绝缘衬底例如蓝宝石、尖晶石或铌酸锂，或导电衬底例如碳化硅、硅、氧化锌或砷化镓。
至于层的尺寸，作为举例，支持衬底10可以是430μm厚，GaN缓冲层11可以是20nm厚，N型氮化物基化合物半导体层可以是5μm厚，MQW发光层5可以是50nm厚，且P型氮化物基化合物半导体层4可以是200nm厚，尽管这些厚度并不局限于此。
接下来，如图3所示，通过蒸发在P型氮化物基化合物半导体层4上形成第二欧姆电极3、反射金属层32和第二焊接金属层31。对于第二欧姆电极，可以在
Figure C20051009961000081
的条件下进行确保好的膜厚可控性的电子束(EB)蒸发。反射金属层32优选通过溅射形成，且第二焊接金属层31优选通过电阻加热蒸发形成。
第二欧姆电极3可以由钯材料制成具有3nm的厚度。反射金属层32可以由银材料制成具有150nm的厚度。对于第二焊接金属层31，可以依次由AuSn材料形成3μm厚度并由Au材料形成100nm厚度。优选由钼材料在反射金属层32和第二焊接金属层31之间形成100nm厚度的阻挡层(未示出)。此处，AuSn中包括的Sn优选为20％的重量比。当采用AuSn/Au的第二焊接金属层时，在AuSn上的Au起AuSn层的抗氧化膜的作用。
接下来，如图4所示，在导电衬底1上依次形成第一欧姆电极2和第一焊接金属层21。优选地，第一欧姆电极2采用EB蒸发形成，且第一焊接金属层21采用电阻加热蒸发形成。所述导电衬底可以由Si材料制成350μm厚度。第一欧姆电极2可以由Ti/Al制成，厚度分别为15nm/150nm。第一焊接金属层21可以由Au材料制成3μm厚度。可以在第一欧姆电极2和第一焊接金属层21之间形成100nm厚度的Mo材料的阻挡层(未示出)。
接下来，如图5所示，图3中所示的结构和图4中所示的结构被焊接使得第二焊接金属层31和第一焊接金属层21被彼此焊接。具体地，使作为第一焊接金属层21的Au层和作为第二焊接金属层31的AuSn层上的Au层彼此面对，以通过在290℃温度和300N/cm2的压强下的共晶焊接彼此焊接。
接下来，如图6所示，支持衬底10被除去。具体地，从支持衬底10的镜面抛光侧面发射YAG-THG激光(波长355nm)，用于热解支持衬底10、与支持衬底10形成界面的GaN材料的缓冲层11和N型GaN材料的N型层6的一部分，以此除去支持衬底10。在图6中，虚线代表除去的支持衬底10、缓冲层11和N型层6的一部分。
接下来，如图7所示，在N型层6上形成抗蚀层12，并采用反应离子刻蚀(RIE)通过完全除去从N型层6到P型层4的部分而形成凹槽，以部分暴露第二欧姆电极3的主表面50。这里，通过RIE暴露的凹槽具有优选不小于1μm且不大于100μm的宽度X。如果宽度小于1μm，形成用于在暴露的凹槽表面分割晶片为芯片的凹槽将变得困难，在这种情况下可能不能成功地进行芯片分割。如果宽度超过100μm，凹槽变得不必要地宽，在这种情况下从单一晶片可获得的芯片数目减少。更优选地，宽度X不小于10μm且不大于30μm，且在第一实施例中为50μm。
接下来，如图8所示，除去抗蚀层12，且在GaN材料的N型层6通过除去支持衬底10而被暴露出的大约整个表面上，形成ITO(掺杂Sn的In2O3)透明导体电极7，且在该透明导体电极7的中心形成N型焊接衬垫电极(Au/Ti)作为焊接衬垫电极8。
下面，如图9所示，在箭头所示的方向发射YAG-THG激光(波长为355nm)，以形成从第二欧姆电极3的主表面50下至导电衬底1内的中部的凹槽13。下面，如图10所示，采用红外透射型划线器在导电衬底的背面形成刻划线14，与凹槽13相对延伸。当晶片沿着此刻划线14被分割时，芯片分割步骤就完成了。此外，Au材料的焊接线9是球形焊接在焊接衬垫8上的。这样，如图1所示的本发明的氮化物基化合物半导体发光器件就制成了。
如上所述，根据本发明的氮化物基化合物半导体发光器件，为了阻止在PN结附近晶片的刻划或分割，所述氮化物基化合物半导体层被完全除去或者除去到下至在用于芯片分割的刻划线或凹槽形成的区域中的P型层内的中部。这抑制了在P型层和N型层之间的短路，因此减小了漏电流，否则该短路会在芯片分割步骤中刻划时发生。因此，可以实现非常可靠的氮化物基化合物半导体发光器件。
此外，所述凹槽是通过激光形成在欧姆电极层的暴露表面的，且刻划线也是在导电衬底面对相应凹槽的背面形成的。这样，通过能提高可获得芯片数目的抑制焊接金属层的剥离或分离，使芯片分割更容易。应该指出，可以将Si从导电衬底的背面在该处刻划线14形成之前通过蚀刻除去，在这种情况下，芯片分割更为容易。
第二实施例
现在将说明在本发明的氮化物基化合物半导体发光器件中采用不同于第一实施例中相应层的材料的情况。
在第一实施例中描述的本发明的氮化物基化合物半导体发光器件中，图3所示的反射金属层32还可以用Ag-Nd材料形成150nm厚度。此外，作为第二焊接金属层31，可以依次采用AuSn材料形成3μm厚的层和采用Au材料形成10nm厚的层。此外，可以用Ni-Ti材料形成200nm厚的设置在反射金属层32和第二焊接金属层31之间的阻挡层。
此外，在第一实施例中的氮化物基化合物半导体发光器件中，图4所示的第一焊接金属层21还可以用Au材料形成3μm厚度，且设置在第一欧姆电极2和第一焊接金属层21之间的阻挡层可以由Ni-Ti材料制成200nm厚度。
在采用这些材料的情况下，用于焊接图3所示结构与图4所示结构的共晶焊接优选在270℃的温度和400N/cm2的压强的条件下进行。
如在第一实施例中图7所示在N型层6上提供抗蚀层和暴露表面的工艺，可以用另外一种方式实施，现在将参照图11解释该方式。
图11是示出相应于第一实施例中图7所示的工艺步骤的示意性剖面图。在图11中，直到形成抗蚀层12，除了各层的材料和厚度如上所述修改了以外，工艺与第一实施例中相似。
在图11中，在抗蚀层12形成以后，采用抗蚀层12作为掩模，从N型层6侧到P型层4内的中部进行蚀刻，特别地为RIE，因此暴露P型层的部分表面51。这里，通过RIE暴露的凹槽具有优选为不小于1μm且不大于100μm的宽度Y。如果宽度小于1μm，形成用于将晶片在暴露的凹槽表面处分割为芯片的凹槽变得困难，在这种情况下，芯片分割不能成功进行。如果宽度超过100μm，凹槽变得不必要的宽，在这种情况下，从单一晶片可获得的芯片数目将降低。更优选地，宽度Y不小于10μm且不大于50μm，且在第二实施例中是30μm。
此后，与第一实施例中的情况一样，且如图8所示，抗蚀层12被除去，且在通过除去支持衬底10而暴露出的GaN材料的N型层6的大约整个表面形成ITO(掺杂Sn的In203)的透明导体电极7，和在透明导体电极7的中心形成N型焊接衬垫电极(Au/Ni)作为焊接衬垫电极8。
接下来，如图9所示，在箭头所示的方向发射YAG-THG激光(波长355nm)，以形成从P型层4的部分表面51向下到导电衬底1内的中部的凹槽13。接下来，如图10所述，采用红外透射型划线器在导电衬底的背面形成刻划线14，使得刻划线相对凹槽13延伸。当晶片沿着此划线14被分割时，芯片分割步骤就完成了。此外，Au材料的焊接线9球焊接在焊接衬垫8上。这样，图12所示的本发明的氮化物基化合物半导体发光器件被制造出了。
在第一和第二实施例中，虽然用Mo形成阻挡层，但也可以用Pt/Mo、Ni、Ti、W、Ni-Ti等的合金作阻挡层。此外，虽然透明电极7在N型层6的大约整个表面形成，但也在可以形成分支的形状。
在本发明的上述实施例中，已经解释了作为具有暴露表面的层的例子的P型层和第二欧姆电极。然而，在构成氮化物基化合物半导体发光器件的结构中从第二欧姆电极到导电衬底的任何层中形成暴露表面都是需要的。这可以减少或消除在芯片分割时PN结短路的发生。其表面将被暴露的层可以在本发明的工艺中通过调整凹槽的形成而控制使得凹槽达到目标层。
虽然已经详细描述和示例了本发明，但应该清楚地理解，上述仅仅是通过示例和范例的方式而不应被理解为局限于此，本发明的精神和范畴仅通过所附的权利要求条款而限定。
本非临时性申请基于2004年8月31日向日本专利局申请的日本专利申请2004-252500，其全部内容引用到此处作为参考。

Claims (17)

1.一种氮化物基化合物半导体发光器件，其具有依次设置在导电衬底(1)上的第一欧姆电极(2)、第一焊接金属层(21)、第二焊接金属层(31)和第二欧姆电极(3)，还具有设置在第二欧姆电极(3)上的氮化物基化合物半导体层(60)，其中所述第二欧姆电极(3)的部分表面被暴露。
2.根据权利要求1所述的氮化物基化合物半导体发光器件，其中所述氮化物基化合物半导体层(60)至少包括P型层(4)、发光层(5)和N型层(6)。
3.根据权利要求2所述的氮化物基化合物半导体发光器件，其中所述第一焊接金属层(21)的垂直于所述第一焊接金属层(21)厚度方向的平面具有大于所述发光层(5)的垂直于所述发光层(5)厚度方向的平面的面积。
4.根据权利要求1所述的氮化物基化合物半导体发光器件，其中所述导电衬底(1)是选自由Si、GaAs、GaP、Ge和InP构成的组中至少一种的半导体。
5.根据权利要求1所述的氮化物基化合物半导体发光器件，其中所述第二欧姆电极(3)的所述部分表面通过蚀刻而暴露。
6.根据权利要求1所述的氮化物基化合物半导体发光器件，其中所述第二欧姆电极(3)的所述部分表面具有不小于1μm且不大于100μm的宽度。
7.根据权利要求1所述的氮化物基化合物半导体发光器件，其中在所述第二欧姆电极(3)的暴露的所述部分表面形成凹槽，且通过沿着该凹槽实施分割而制造所述氮化物基化合物半导体发光器件。
8.一种氮化物基化合物半导体发光器件，具有依次设置在导电衬底(1)上的第一欧姆电极(2)、第一焊接金属层(21)、第二焊接金属层(31)和第二欧姆电极(3)，且还具有设置在第二欧姆电极(3)上的氮化物基化合物半导体层(60)，其中所述氮化物基化合物半导体层(60)至少包括从下向上依次的P型层(4)、发光层(5)和N型层(6)，且所述P型层(4)的部分表面被暴露。
9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其中所述导电衬底(1)是选自由Si、GaAs、GaP、Ge和InP构成的组中至少一种的半导体。
10.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其中所述第一焊接金属层(21)的垂直于所述第一焊接金属层(21)厚度方向的平面具有大于所述发光层(5)的垂直于所述发光层(5)厚度方向的平面的面积。
11.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其中所述P型层(4)的所述部分表面通过蚀刻而暴露。
12.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其中所述P型层(4)的所述部分表面具有不小于1μm且不大于100μm的宽度。
13.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其中在所述P型层(4)的暴露的所述部分表面形成凹槽，且通过沿着该凹槽实施分割而制造所述氮化物基化合物半导体发光器件。
14.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其中所述凹槽向下形成直到所述导电衬底(1)内的中部。
15.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其中所述凹槽具有不小于1μm且不大于50μm的宽度。
16.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其中在所述导电衬底(1)的背面与所述凹槽相对形成刻划线，所述凹槽向下直到所述导电衬底(1)内的中部而形成。
17.根据权利要求16所述的半导体发光器件，通过沿着向下直到所述导电衬底(1)内的中部而形成的所述凹槽和在所述导电衬底(1)的背面形成的所述刻划线实施分割而制造。
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