JP2006005369A - 裏側ビアを持った透明サブマウント付き発光デバイス - Google Patents
裏側ビアを持った透明サブマウント付き発光デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006005369A JP2006005369A JP2005202236A JP2005202236A JP2006005369A JP 2006005369 A JP2006005369 A JP 2006005369A JP 2005202236 A JP2005202236 A JP 2005202236A JP 2005202236 A JP2005202236 A JP 2005202236A JP 2006005369 A JP2006005369 A JP 2006005369A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact
- region
- light emitting
- layer
- submount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 103
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical group [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004219 SiNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910001258 titanium gold Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/0502—Disposition
- H01L2224/05023—Disposition the whole internal layer protruding from the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05155—Nickel [Ni] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/05166—Titanium [Ti] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01077—Iridium [Ir]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【課題】 サブマウント上に取り付けられた発光デバイスを提供する。
【解決手段】 デバイスは、そのデバイスの同じ側にある接点を持った半導体発光デバイスを含み、フリップチップ構造で接点に電気的に接続している伝導性ビアを持つ透明サブマウント上に取り付けられる。半導体発光デバイスの製造方法は成長基板上にある第一伝導型の第一域と第二伝導型の第二域間にある発光活性域を形成することを含む。接点域は第二域、活性域と部分的に第一域を通りエッチングされる。接点は第一域、すなわち、エッチングされた接点域、と第二域上に形成される。伝導ビアを持った透明サブマウントが準備され、成長基板が除去される前にアセンブリ−に結合される。サブマウントとアセンブリ−はその後一緒にさいの目状に切られ、ほぼ同じフットプリントを持つサブマウントとアセンブリ−が得られる。
【選択図】図1A
【解決手段】 デバイスは、そのデバイスの同じ側にある接点を持った半導体発光デバイスを含み、フリップチップ構造で接点に電気的に接続している伝導性ビアを持つ透明サブマウント上に取り付けられる。半導体発光デバイスの製造方法は成長基板上にある第一伝導型の第一域と第二伝導型の第二域間にある発光活性域を形成することを含む。接点域は第二域、活性域と部分的に第一域を通りエッチングされる。接点は第一域、すなわち、エッチングされた接点域、と第二域上に形成される。伝導ビアを持った透明サブマウントが準備され、成長基板が除去される前にアセンブリ−に結合される。サブマウントとアセンブリ−はその後一緒にさいの目状に切られ、ほぼ同じフットプリントを持つサブマウントとアセンブリ−が得られる。
【選択図】図1A
Description
本発明は、半導体発光デバイス、特にサブマウント上に取り付けられた発光デバイスに関する。
発光ダイオ−ド(LED)のような半導体発光デバイスは、現在利用できるものの中でも最も効率的な光源である。可視光域で作動可能な高輝度LEDの製造において現在興味ある物質系は、III族−V族半導体、特にIII族窒化物材料とも呼ばれる、ガリウム、アルミニュ−ム、インジュ−ム及び窒素の2元、3元、及び4元合金と、III族リン化物物質とも呼ばれる、ガリウム、アルミニュ−ム、インジュ−ム及びリンの2元、3元、及び4元合金を含む。このようなデバイスは、典型的には、pド−プ域とnド−プ域の間にはさまれた発光域すなわち活性域を持っている。多くの場合、III族窒化物デバイスは、サファイア、炭化ケイ素又はIII族窒化物基板上において、III族リン化物デバイスは、ヒ素化ガリウム上において、金属有機化学蒸着法(MOCVD)、分子ビームエピタキシー(MBE)、或いは他のエピタキシャル技術を用いてエピタキシャル成長させられる。
ヒ素化ガリウム(GaAs)基板上で成長するIII族リン化物デバイスの欠点は、GaAsのバンドギャップエネルギ−がIII族リン化物質のそれより小さいことである。結果として、AlGaInP−GaAsデバイスの発光効率は著しく低いものとなる。この問題を解決しようとする試みには、エピタキシ−層に支持基板を結合し、GaAs基板を除去しようとするものが含まれる。レイを挙げると、R.H.Horng,et al.,“AlGaInP light−emitting diodes with mirror substances fabricated by wafer bonding”,Appl.Phys.Lett.Vol.75,No.20,15 November 1999,pp3054−3056 と Shoou−Jinn Chang et al.,“AlGaInP−Sapphire Glue Bonded Light−Emitting Diodes”,IEEE Journal of Quantum Electronics,Vol.38,No.10,October 2002,pp.1390−1394.で述べられているように、ミラ−状の、又は透明な支持基板が使用される。しかしながら、そのようなデバイスは、光が取り出されるデバイスの側に接点が形成される。次いで、ワイヤボンドがサブマウントとデバイスの接点とを接続するために使用される。不幸にして、ワイヤボンドを通る熱移動は貧弱で、付加的な熱除去のための構造が通常は求められる。加えて、サブマウントは、ワイヤボンドに接続されるリ−ド線を含んでいる。従って、サブマウントのフットプリントは、発光デバイスより通常はるかに大きい。このようにして、得られたデバイスは、デバイスの発光面積に比較し大きなフットプリントを持つことになる。
本発明の実施形態によれば、デバイスは、該デバイスの同じ側に接点が形成された半導体発光デバイスを含み、該半導体発光デバイスは、伝導性ビアを持つ透明サブマウント上に取り付けられ、該ビアがフリップチップ構造で該接点に電気的に接続される。半導体発光デバイスの製造方法は、成長基板上の第一伝導型の第一領域と第二伝導型の第二領域との間に発光活性域を形成することを含む。接点域は、第二領域、活性域、及び部分的に第一域を通してエッチングされる。接点は、第一領域上に、すなわちエッチングされた接点域内に形成され、かつ、第二領域上に形成される。伝導ビアを持った透明サブマウントが用意され、成長基板が除去される前にアセンブリ−に結合される。その後で、サブマウントとアセンブリ−とが一緒にさいの目状に切られ、小さなフットプリントを持ったデバイスとなる。
本発明の実施形態によれば、半導体発光デバイスは、伝導ビアを持った透明サブマウント上に組み立てられ、このことは、ワイヤボンドなしで組み立てることが可能になるという利点をもたらす。透明サブマウント内に伝導ビアが存在することは、フリップチップ構造でのデバイスの製造、すなわち、p接点とn接点がデバイスの同じ側に形成され、光は、接点とは反対側のデバイスの側を通して取り出されることになる。従って光の取り出しが改良される。さらに、伝導ビアは、熱伝導の有効な手段を提供する。サブマウントの透明性は、デバイス上の接点を伝導ビアに整列させるのを容易にし、サブマウントがウエハ−段階で発光デバイスに結合可能となる。結合された発光デバイスとサブマウントは、その後一つの操作で一緒にさいの目状に切ることができる。従って、得られたデバイスは、発光デバイスのフットプリントとほとんど同じ大きさのフットプリントを持ったサブマウントを含むものとなる。
図1Aは、本発明の実施形態による、伝導ビア118を持つ透明サブマウント116に半導体発光デバイス100a(時々LED100aとして参照される)が取り付けられたデバイス100の断面図である。LED100aは、nド−プ被覆域104とpド−プ被覆域106との間にはさまれた発光活性域102を含む多数のエピタキシャル成長層101を含む。活性域102によって放出される光の波長は、当業界周知のように、活性域102の層の幅と組成を選択することにより制御できる。適切な活性域の実施例は、バリア−層によって分けられた3又は4個の量子井戸を含む。LED100aはまた、pド−プ被覆域106に接続されたp接点層108と、nド−プ被覆域104に接続されたn接点層110を含んでいる。
エピ層101は、GaAs基板114上で成長させられ、このGaAs基板114は、以下に説明されるアセンブリ−100bに透明サブマウント116が取り付けられた後に、図1Aの破線で示されるように除去される。いったんGaAs基板114が除去されると、反射防止被覆124を、望まれるならエピ層全体を被うように堆積させることが可能である。反射防止被覆124は、当業界で周知のように、例えばSiNx,SiO2,或いはMgO或いは複合多層誘電フィルムの四分の一波長層として形成することができる。或いは、接点層110は、光学的引き抜きを高めるため、例えば、粗面化することにより、処理することができる。
下表は、エピ層101の各層にとって適切な厚さ、組成及びド−パントの例を示す。各層について下記に示された特性は例であって、限定されるものでない。デバイス層の適切な特性を選択するためのこれ以上の情報は、ここに引用により組み入れられる、半導体及び半金属、64巻、電子ルミネッセンスI、Academic Press,サンフランシスコ、2000、Gerd Mueller,ed.の1−3章で見ることができる。
p接点層108は金属接点109に電気的に接続され、n接点層110は他の金属接点111に電気的に接続されている。接点109及び111は、図1B及び1Cにそれぞれ例示されている。図1Bは、例えば、約2000Åの厚さを持ち、半導体p接点層108に対するオ−ム接点を提供するAuZn合金の金属p接点109aを含む、多層p接点109の実施例を示している。所望なら、例えば、チタン或いはニッケルの接着性層を、オ−ム層109aを堆積する前にp接点層108全体を被うように堆積させることができる。オ−ム層109aは、例えば、TiW,TiW:NとTiWのサンドイッチ構造のガ−ド金属層109bによって保護されている。オ−ム層109a及びガ−ド層109bは、露出されたp接点層108の全部又は一部だけをカバ−するように形成することができる。次いで、約2μmの厚さのTi/Auのような厚い接点層109cが、ガ−ド層109bの全体を被うように形成され、サブマウント116に接続するのに使用できる。代替的には、図1Bに示されるように、例えば、Ni或いはTiWのバリア−層109eとAuSnはんだのような厚いはんだ層109dが、接点層109cの全部又は一部に形成される。はんだ層109dは、サブマウント116にはんだ付けするのに適当な表面を用意できるようになっていなければいけない。所望なら、SiNx或いはAl2O3のような誘電性物質を、不動態化及び保護のため活性域とp/n接合に渡して堆積させることができる。
同様に、n接点111は、図1Cに示すように複合層に形成することができる。図1Aに示すように、LED100はフリップチップ構造を有することが可能であり、したがって、n接点111は、サブマウント116からn接点層110に延びるn接点域112内に形成される。例えば、約2000Åの厚さのAu−Ge合金のオ−ム層111aが、半導体n接点層110にオ−ム接点を提供するために形成される。所望なら、例えば、チタン或いはニッケルの粘着層(示されてない)を、オ−ム層の堆積前にn接点層110全体を被うように堆積させることができる。オ−ム層111aは、例えば、TiW,TiW:N,及びTiWのサンドイッチ構造のガ−ド層111bによって保護される。オ−ム層111a及びガ−ド層111bは、n接点層110の全部又は一部だけをカバ−するようにすることができる。次いで、TiAuのような厚い接点層111cが、ガ−ド層111b全体を被うように形成され、サブマウントに結合するため使用される。代替的には、図1Cに示されているように、バリア−層111eと、例えば、AuSnのような、厚いはんだ層111dが接点層111cの全体を被うように形成される。結合層111dは、サブマウント116と結合するための適当な面を提供するため、順応性がなければならない。
図1Aに示されるように、伝導ビアを持った透明サブマウント116が、エピ層101に結合される。サブマウント116は、例えばガラス基板であり、これは、電気的及び熱的伝導性物質よりなる複数のビアを含む。サブマウント116基板はまた、光の特定の波長、例えば、赤外(IR)域或いは可視域において透明或いは部分的に透明であり、電気的に絶縁性である他の物質から形成することもできる。例を挙げると、サブマウント116は、IR域に透明なGaAsのような物質、或いはシリコンにより形成することができる。ビア118は、例えば、高度にド−プされた半導体物質、例えばシリコンにより、或いは代替的には、金属のような他の電気的及び熱的に伝導性の物質、例えば、Au又は金属合金により充填することができる。
サブマウント116は、例えば、10ミル厚さとすることができ、ビア118は、ピッチ200−500μmで、直径約100μから200μmとすることができる。ビア118を持った適切なサブマウント116は、マサチュ−セッツ州、Lowell所在のM/A−Comにより、注文生産される。加えて、伝導性ビアを持ったサブマウント、その製造及びLEDとの一般的使用が、2003年7月31日に出願され、本発明の譲受人に譲渡された、Jerome C.Bhatらによる米国特許出願番号第10/632,719号、発明の名称「Mount for Semiconductor Light Emitting Device」に開示されており、この特許出願は、全部が引用によりここに組み入れられる。
サブマウント116は、上面、すなわち接点109及び111に結合された面上に金又はAuSnはんだ(示されてない)の層を持つことができる。もちろん、金又はAuSnの結合層がサブマウント116の上面にある場合には、該結合層のn及びp接点部分は電気的に絶縁されていなければいけない。伝導域120は、例えば、金又はAuSnのはんだ付け可能層とすることができ、p接点109に連結されたビア118に電気的に接続されており、別の伝導域122は、n接点111に連結されたビア118に電気的に接続されている。伝導域120及び122は、ワイヤボンディングなしでボ−ドのような構造体にサブマウントをはんだ付けするために使用される。
伝導ビア118のある透明サブマウント116の使用は、接点109及び111とビア118の配列を簡単に行うことができるので、利点がある。従って、サブマウント116は、ウエハ−段階で半導体発光デバイス100aに結合でき、例えば、ウエハ−段階の複数の半導体発光デバイスを同時にウエハ−段階の複数のサブマウントそれぞれに結合することができる。この場合、サブマウントウエハ−116はまた、GaAsサブマウント114の除去中及びその後で、エピ層101に対する機械的支持体としての作用も果たす。次いで、結合されたサブマウント及び半導体発光デバイスは、一回の操作でさいの目状に切られる。このようにして得られたデバイス中のサブマウントのフットプリントは、半導体発光デバイスのフットプリントより大きくなることはない。さらに、サブマウント116を通る伝導ビア118は、フリップチップ型LEDを可能にし、p及びn接点層108及び110は半導体発光デバイス100aの同じ側に形成され、光は図1Aに見られるように接点側と反対のデバイスの側を通って取り出される。従って、デバイス100は、発光面上に該面を暗くする接点及びワイヤボンドを使用することを避けることができ、それによって光の取り出し及び熱伝導を改良するものとなる。
図1Aに示された実施形態は、III族リン化物デバイスであるが、III族窒化物のような他の物質系による実施形態も作製可能であることを理解すべきである。加えて、下記に説明する実施形態においては、p及びn型域、並びにデバイスの接点の配置名は確保される。さらに、上述したことは例証的なもので、限定的なものでなく、別の厚さ、材料、ド−パント、並びに、付加的な層、或いは、これよりも少ない数の層を、本発明による適切な半導体発光デバイスの製造に使用することができる。
図2は、図1Aに示すデバイス100の形成方法の流れ図200を示す。まず第一に、段階202において、LED100aのエピ層101が、例えばGaAs基板114上に有機金属化学蒸着によって成長させられる。n接点層110と被覆域104が最初に成長し、活性域102、被覆域104及びp接点層108がこれに続く。p接点層108が成長させられた後、p接点層108、被覆域106、活性域102及び被覆域104を通してエッチングしてn接点層110を露出させることにより、n接点域112が生成される(段階204)。エッチングは、例えば、化学的感性によるか、或いはガスエッチングプロセスにおいてプラズマ分光分析により停止させられる。
次いで、n及びp金属層、例えば、接点オ−ム層及びガ−ド層が形成される(段階206)。最初にオ−ム接点層109a、111a、次にガ−ド層109b、111bが適当な半導体上に形成され、例えば、急速熱アニ−ル或いは炉内でのアニ−ルによって半導体層に合金化される。結合層111c(及び、使用される場合には層111e及び111d)が次に堆積され、n接点111を形成するためパタ−ン化される(段階208)。次いで、結合層109c(及び、使用される場合には層109e及び109d)が、p接点109を形成するためパタ−ン状に堆積させられる。多層接点109及び111の一又はそれ以上の層の堆積及びパタ−ン化は、一緒に或いは別々に遂行することができる。所望ならば、SiNi又はAl2O3のような誘電性物質が、n接点109の堆積前又は後に、n接点域112の周りに堆積させられて、保護及び不動態化層として作用するようにする。
サブマウント116内のビア118は、次いで、接点109、111に整列させられ、図1Aに示されるように、アセンブリ−100bに熱−機械的に結合させられる。或いは、ビア118は、接点109及び111にはんだ付けすることができる。この点においては、アセンブリ−100bは、エピタキシャル成長層101とp及びn接点109及び111に加えて、GaAs成長基板114を含んでいることを理解すべきである(段階210)。すなわち、アセンブリ−100bとサブマウント116は、ウエハ−段階で、すなわち成長基板114が除去される前に結合されることになる。従って、複合半導体発光デバイスは(ウエハ−形態で)、同時にサブマウントに(ウエハ−形態で)結合される。伝導性領域120及び122は、サブマウント116がアセンブリ−100bに結合される前に、サブマウント116上で形成される。
アセンブリ−100bに対するサブマウント116の結合は、結合層109d及び111dがAuSnはんだである場合には、325℃において、約50psiの圧力に1ないし5分間保つことにより遂行される。フォ−ミングガス或いは水素雰囲気が好ましい。結合層が金であれば、結合は100−800psiにより、300−400℃のもとで1ないし10分間保つことにより遂行される。結合工程を助けるために、熱音波研磨を使用することができる。
サブマウント116がアセンブリ−100bに結合されると、所望により、デバイスをウエハ−段階でテストできる(段階211)。図1Aに示すフリップチップ構造においては、テストは、背面からプローブを当て、上面から感知することにより遂行される。次いで、GaAs成長基板114は、NH4OH:H2O2液によるといった業界において周知の適当な選択的エッチングを使用して、通常の方法で除去できる(段階212)。個々のLEDチップはその後さいの目状に切られる(段階214)。反射防止被覆124が使われる時は、該反射防止被覆は、ウエハの切断前に堆積させることができる。反射防止被覆124は、3Mによって製造された輝度向上フィルムのように、いくつかの良く知られた輝度向上フィルムの一つとすることができ、或いは、光学的取り出しを向上させるための半導体接点層110の表面処理、例えば粗面化とすることができることを理解すべきである。デバイスは、その後、所望により包装される。
サブマウント116とLED100aはウエハ−段階で取り付けられ、一緒にさいの目状に切られるので、得られたデバイス100のフットプリントは小さい。図1Aに見られるように、サブマウント116のフットプリントは、LED100aのフットプリントとほぼ同じ大きさである。例えば、切断時に形状付けされた型刃を使用してLED100aが面取される場合には、サブマウント116のフットプリントサイズは、LED100aのフットプリントサイズとはわずかに異なるものとなることをと理解すべきである。比較すると、従来は、LEDチップとサブマウントは別々にさいの目状に切断され、個別に取り付けられている。このような従来法によるデバイスは、必要なリ−ド線を供給するため、LEDチップのフットプリントより十分に大きなフットプリントを持ったサブマウントの使用が必要となる。本発明によれば、個々のチップ結合にかかる関連製造コストもまた除かれる。
本発明を詳細に説明したが、当業者は、この開示を得た場合には、ここに示された発明的概念の精神から逸脱することなしに、本発明に対する修正が可能であることを理解するだろう。例えば、上述された実施形態はIII族リン化物デバイスであるが、ある実施形態はIII族窒化物デバイスに応用できる。それ故、本発明の範囲は、例示され、説明された特定の実施形態に限定することを意図するものではない。
100 デバイス
100a 半導体発光デバイス(LED)
100b アセンブリ−
102 発光活性域
104 nド−プ化被覆域
106 pド−プ化被覆域
108 p接点層
109 金属接点、金属p接点、多層p接点
109a 金属p接点
109b ガ−ド(金属)層
109c 厚い接点層
109d 厚いはんだ層
109e バリア−層
101 エピタキシャル成長層、エピ層
110 n接点層
111 n接点
111a オ−ム層
111b ガ−ド層
111c 厚い接点層
111d 厚いはんだ層
111e バリア−層
112 n接点域
114 GaAs成長基板
116 サブマウント
118 スル−ホ−ル
120 伝導域
122 他の伝導域
124 反射防止被覆
100a 半導体発光デバイス(LED)
100b アセンブリ−
102 発光活性域
104 nド−プ化被覆域
106 pド−プ化被覆域
108 p接点層
109 金属接点、金属p接点、多層p接点
109a 金属p接点
109b ガ−ド(金属)層
109c 厚い接点層
109d 厚いはんだ層
109e バリア−層
101 エピタキシャル成長層、エピ層
110 n接点層
111 n接点
111a オ−ム層
111b ガ−ド層
111c 厚い接点層
111d 厚いはんだ層
111e バリア−層
112 n接点域
114 GaAs成長基板
116 サブマウント
118 スル−ホ−ル
120 伝導域
122 他の伝導域
124 反射防止被覆
Claims (21)
- n型層と、
p型層と、
前記n型層と前記p型層との間に配置された活性域と、
前記n型層に電気的に接続された接続されたn接点と、
前記p型層に電気的に接続された接続されたp接点と、
を含み、前記n接点とp接点とが同じ側に形成されている、
半導体発光デバイスと、
電気的及び熱的に伝導性の複数のビアが貫通形成された透明サブマウントと、
を備え、
前記半導体発光デバイスの前記n接点が少なくとも一つの前記ビアに、前記p接点が少なくとも一つの他の前記ビアに、電気的、物理的にフリップチップ構造で接続された接続された、
ことを特徴とするデバイス。 - 前記半導体発光デバイスはフットプリントを持ち、前記透明サブマウントはほぼ同じフットプリントを持っていることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記半導体発光デバイスは底面を含み、前記透明サブマウントは該半導体発光デバイスの底面に接続された上面を含んでおり、該透明サブマウントの上面と該半導体発光デバイスの底面は同じ寸法を有することを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記透明サブマウントは、ガラス、GaAs及びシリコンを含む群から選択されることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記複数のビアは、高度にド−プされた半導体物質、金属及び合金を含む群から選択されることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記高度にド−プされた物質がシリコンであることを特徴とする請求項5に記載のデバイス。
- 前記透明サブマウントは、前記半導体発光デバイスが接続された上面及び底面を含み、該透明サブマウントは、該透明サブマウントの底面上の第一の伝導型の領域と第二の伝導型の領域を含み、該第一の伝導型の領域は前記n接点に接続された少なくとも一つの前記ビアに電気的に接続され、該第二の伝導型の領域は前記p接点に接続された少なくとも一つの前記ビアに電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記半導体発光デバイスがIII族リン化物とIII族窒化物デバイスの一つであることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記半導体デバイスがAlInGaPとInGaNデバイスの一つであることを特徴とする請求項8に記載のデバイス。
- 第一の伝導型の領域と第二の伝導型の領域の間に発光域を含み、第一の面を有する半導体発光デバイスと、
貫通して延びる複数のビアを含む透明サブマウントと、
を含み、
前記ビアは電気的及び熱的に伝導性で、該透明サブマウントは、上面が前記半導体発光デバイスの前記第一の面に結合され、少なくとも一つのビアが前記第一の伝導型の領域に電気的に接続され、少なくとも一つの他のビアが前記第二の伝導型の領域に電気的に接続され、前記透明サブマウントの上面と前記半導体発光デバイスの第一面とは同じ寸法である、
ことを特徴とするデバイス。 - 前記半導体発光デバイスが、さらに、少なくとも一つの前記ビアと前記第一の伝導型の領域との間に配置された第一接点と、少なくとも一つの他の前記ビアと前記半導体発光デバイスを製造するため第二の伝導型の領域との間に配置された第二接点とを含むことを特徴とする請求項10に記載のデバイス。
- 前記第一接点と前記第二接点とが前記半導体発光デバイスの同じ側に形成されていることを特徴とする請求項11に記載のデバイス。
- 前記透明サブマウントが、ガラス、GaAs及びシリコンを含む群から選択された物質により形成されたことを特徴とする請求項10に記載のデバイス。
- 前記複数のビアが、高度にド−プされたシリコン、金属及び金属合金を含む群から選択された物質により形成されたことを特徴とする請求項10に記載のデバイス。
- 第一の伝導型の領域と第二の伝導型の領域との間に発光域が配置されたアセンブリ−を製造し、
前記第一の伝導型の領域に電気的に接続された第一接点を生成し、
第二の伝導型の領域に電気的に接続された第二接点を生成し、
電気的及び熱的に伝導性の複数の伝導ビアを持つ透明サブマウントを生成し、
少なくとも一つの伝導ビアが前記第一接点に電気的に接続され、少なくとも一つの伝導ビアが前記第二接点に電気的に接続されるように、前記サブマウウントに前記アセンブリ−を結合する、
ことからなることを特徴とする半導体発光デバイスの製造方法。 - 前記アセンブリ−がさらに成長基板を含んでいる請求項15に記載の方法であって、
前記透明サブマウウトに結合した後に前記成長基板を除去し、
前記成長基板を除去した後、結合した前記透明サブマウントと前記アセンブリ−をさいの目状に切って半導体発光デバイスを製造する、
ことを特徴とする方法。 - ウエハ−段階で前記アセンブリ−と前記透明サブマウントとを結合し、一緒にさいの目状に切ることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記アセンブリ−を製造することが、
成長基板上に第一接点層を形成し、
第一伝導型の領域である第一被覆層を前記第一接点層上に形成し、
前記第一被覆層を被うように発光域である活性域を形成し、
前記活性域を被うように第二伝導型の領域である第二被覆層を形成し、
第二接点層を前記第二被覆層上に形成し、
前記第二接点層、前記第二被覆層、前記活性域及び前記第一被覆層を通って、前記第一接点が形成されている該接点域をエッチングする、
ことからなる方法。 - さらに誘電性物質を前記第一接点と一緒に前記接点域に堆積させることを含むことを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記第二接点が前記活性域から射出される光を少なくとも部分的に反射することを特徴とする請求項18に記載の方法。
- さらに前記成長基板を除去した後に前記第一接点層を被うように反射防止被覆を堆積させることを特徴とする請求項18に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/867,606 US20050274970A1 (en) | 2004-06-14 | 2004-06-14 | Light emitting device with transparent substrate having backside vias |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006005369A true JP2006005369A (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=34940118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005202236A Pending JP2006005369A (ja) | 2004-06-14 | 2005-06-14 | 裏側ビアを持った透明サブマウント付き発光デバイス |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050274970A1 (ja) |
EP (1) | EP1608030A2 (ja) |
JP (1) | JP2006005369A (ja) |
TW (1) | TW200620699A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010534943A (ja) * | 2007-07-26 | 2010-11-11 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | P型表面を有する発光ダイオード |
JP2012195345A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
KR20160028086A (ko) * | 2014-09-02 | 2016-03-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
US9343641B2 (en) | 2011-08-02 | 2016-05-17 | Manutius Ip, Inc. | Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006098545A2 (en) | 2004-12-14 | 2006-09-21 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having a plurality of light emitting cells and package mounting the same |
US8076680B2 (en) * | 2005-03-11 | 2011-12-13 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
US20080042145A1 (en) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Helmut Hagleitner | Diffusion barrier for light emitting diodes |
WO2008073400A1 (en) | 2006-12-11 | 2008-06-19 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
JP2009064961A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
TWI353657B (en) * | 2007-09-28 | 2011-12-01 | Ind Tech Res Inst | An island submount |
CN101414591B (zh) * | 2007-10-18 | 2011-05-04 | 财团法人工业技术研究院 | 岛状式承载板及其制作方法 |
US20090173956A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-07-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Contact for a semiconductor light emitting device |
CN102136533A (zh) * | 2008-01-24 | 2011-07-27 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件的制造方法 |
US9117944B2 (en) * | 2008-09-24 | 2015-08-25 | Koninklijke Philips N.V. | Semiconductor light emitting devices grown on composite substrates |
TW201034256A (en) | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
JP4724222B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2011-07-13 | 株式会社東芝 | 発光装置の製造方法 |
KR101020974B1 (ko) * | 2010-03-17 | 2011-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
DE102010025320B4 (de) * | 2010-06-28 | 2021-11-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
TWI446527B (zh) * | 2010-07-02 | 2014-07-21 | Epistar Corp | 光電元件 |
DE102010033868A1 (de) * | 2010-08-10 | 2012-02-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Chipträger, elektronisches Bauelement mit Chipträger und Verfahren zur Herstellung eines Chipträgers |
US9070851B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same |
US9246061B2 (en) * | 2011-03-14 | 2016-01-26 | Koninklijke Philips N.V. | LED having vertical contacts redistruted for flip chip mounting |
US8952402B2 (en) | 2011-08-26 | 2015-02-10 | Micron Technology, Inc. | Solid-state radiation transducer devices having flip-chip mounted solid-state radiation transducers and associated systems and methods |
US20130095581A1 (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Thick window layer led manufacture |
KR102171024B1 (ko) * | 2014-06-16 | 2020-10-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법 |
CN104157757B (zh) * | 2014-08-15 | 2017-02-22 | 天津三安光电有限公司 | 一种透明衬底的四元发光二极管及其制备方法 |
CN205944139U (zh) | 2016-03-30 | 2017-02-08 | 首尔伟傲世有限公司 | 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块 |
JP2018026386A (ja) * | 2016-08-08 | 2018-02-15 | 株式会社ディスコ | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100298205B1 (ko) * | 1998-05-21 | 2001-08-07 | 오길록 | 고집적삼색발광소자및그제조방법 |
US6320206B1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-11-20 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks |
US6133589A (en) * | 1999-06-08 | 2000-10-17 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction |
US6287947B1 (en) * | 1999-06-08 | 2001-09-11 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Method of forming transparent contacts to a p-type GaN layer |
US6525335B1 (en) * | 2000-11-06 | 2003-02-25 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Light emitting semiconductor devices including wafer bonded heterostructures |
US6486534B1 (en) * | 2001-02-16 | 2002-11-26 | Ashvattha Semiconductor, Inc. | Integrated circuit die having an interference shield |
US20040188696A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Gelcore, Llc | LED power package |
-
2004
- 2004-06-14 US US10/867,606 patent/US20050274970A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-06-08 EP EP05105015A patent/EP1608030A2/en not_active Withdrawn
- 2005-06-10 TW TW094119336A patent/TW200620699A/zh unknown
- 2005-06-14 JP JP2005202236A patent/JP2006005369A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010534943A (ja) * | 2007-07-26 | 2010-11-11 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | P型表面を有する発光ダイオード |
JP2012195345A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
US8941124B2 (en) | 2011-03-15 | 2015-01-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
US9343641B2 (en) | 2011-08-02 | 2016-05-17 | Manutius Ip, Inc. | Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process |
KR20160028086A (ko) * | 2014-09-02 | 2016-03-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
KR102282141B1 (ko) | 2014-09-02 | 2021-07-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1608030A2 (en) | 2005-12-21 |
TW200620699A (en) | 2006-06-16 |
US20050274970A1 (en) | 2005-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006005369A (ja) | 裏側ビアを持った透明サブマウント付き発光デバイス | |
US8384100B2 (en) | InGaAIN light-emitting device and manufacturing method thereof | |
US7190005B2 (en) | GaN LED with solderable backside metal | |
US9530950B2 (en) | Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element having thick metal bump | |
US8679869B2 (en) | Contact for a semiconductor light emitting device | |
US6838704B2 (en) | Light emitting diode and method of making the same | |
US20110018013A1 (en) | Thin-film flip-chip series connected leds | |
JP2019114804A (ja) | 支持基板に接合された発光デバイス | |
US20050214965A1 (en) | Vertical GaN light emitting diode and method for manufacturing the same | |
TWI500183B (zh) | 發光二極體的製造方法 | |
JP2006108698A (ja) | フリップチップ発光デバイス用のコンタクト及び全方向反射ミラー | |
JP2012074665A (ja) | 発光ダイオード | |
JP2006269912A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
US20120119184A1 (en) | Vertical Light Emitting Diode (VLED) Die Having N-Type Confinement Structure With Etch Stop Layer And Method Of Fabrication | |
KR100916366B1 (ko) | 반도체 발광소자용 지지기판 및 이를 이용한 수직구조의 반도체 발광소자 제조 방법 | |
US20110121358A1 (en) | P-type layer for a iii-nitride light emitting device | |
KR20080053181A (ko) | 반도체 발광소자용 지지기판 및 상기 지지기판을 이용한고성능 수직구조의 반도체 발광소자 | |
KR101032987B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
KR101499954B1 (ko) | 수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및제조방법 | |
TW201332149A (zh) | 於半導體發光裝置上形成厚金屬層 | |
KR20090111889A (ko) | 수직구조의 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자및 제조방법 | |
KR20090109598A (ko) | 수직구조의 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자및 제조방법 | |
KR101171855B1 (ko) | 반도체 발광소자용 지지기판 및 상기 지지기판을 이용한고성능 수직구조의 반도체 발광소자 | |
KR101084641B1 (ko) | 3족 질화물 반도체 발광소자 | |
KR101147715B1 (ko) | 반도체 발광소자 |