CN100382429C - 可集成的电压控制射频功率放大器 - Google Patents

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CN100382429C CNB2004100315690A CN200410031569A CN100382429C CN 100382429 C CN100382429 C CN 100382429C CN B2004100315690 A CNB2004100315690 A CN B2004100315690A CN 200410031569 A CN200410031569 A CN 200410031569A CN 100382429 C CN100382429 C CN 100382429C
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Abstract

公开了一种具有可变偏置电压的可集成功率放大器，其中，基于整流晶体管的非线性，第一偏置控制器检测RF信号的幅度，并且输出随所检测的幅度而变化的DC信号。第二偏置控制器通过调整DC信号的电压使放大效率最优化，所述DC信号是经过作为互补器件的源极跟随器晶体管从第一偏置控制器接收的。放大器晶体管是由驱动电压触发的，根据从第二偏置控制器接收的偏置电压放大输入信号，并且输出放大信号。

Description

可集成的电压控制射频功率放大器
技术领域
本发明总体上涉及功率放大器，具体讲涉及具有可变偏置电压的可集成的功率放大器。
背景技术
通常，在小尺寸的通信设备中，射频(RF)信号在发送之前在发射机的输出端通过功率放大器进行放大。考虑到功率放大器在输出端的使用，对放大信号范围的线性的关注是非常有意义的。放大效率也需要考虑，因为需要大量电流将RF信号放大到高电平。实际上，功率放大器要消耗RF电路的大约50％的功率，例如，在蜂窝电话中。因此，功率放大器的效率是决定电池寿命的主要因素。
因为功率放大器的RF输出信号的幅度随通信距离而变化，因此效率的提高可以从两种方式考虑：最大输出信号的效率提高和低输出信号的效率提高。考虑到小尺寸的通信设备通常用于低功率，因此功率放大器对低功率RF信号的效率的提高对终端电池的使用时间和寿命具有直接、巨大的影响。关于此点，已经开发出各种技术来提高低功率的放大效率，在功率放大器中的峰值功率仍然保持性能，从而提高小尺寸通信设备的性能。
图1和2中描述了通过偏置控制提高传统的功率放大器电路的低功率效率。
图1是传统功率放大器的电路图，其中放大器晶体管的偏置电压随输入端检测的RF功率电平而变化。
参照图1，具有以电阻14实现的电源阻抗Rs的输入电源12将输入信号Vin施加到RF功率放大器10。输入电源12连接到直流(DC)阻塞电容器16。DC阻塞电容器16与电感器18结合，形成放大器晶体管32的输入阻抗匹配网络。二极管20具有连接到电容器16一端的阴极和连接到保持电容器(holding capacitor)22一端的阳极。
保持电容器22的另一端接地。二极管20和保持电容器22集合形成负峰值检测器23。二极管20的阴极的多数负电压通过保持电容器22被保持在保持电容器22和二极管20之间。节点24的电压反馈到低通反馈放大器31，该低通反馈放大器31包括控制放大器26、电压源27、电阻28和电容器30。
晶体管32的漏极电流通过负载电阻36转换成输出电压Vout。电感器38用作RF扼流圈。电感器40和电容器42集合形成输出阻抗匹配网络，电容器44用作DC阻塞电容器。
在这样构成的功率放大器10中，检测器23位于功率放大器10的输入端，用以检测输入RF功率的电平。二极管20将输入RF信号转换成DC信号。控制放大器26将通过电压源27施加到输入端的参考电压Vref与施加到另一个输入端的DC信号作比较，并生成适合晶体管32的偏置电压。功率放大器10需要附加基准电压，并且使用外部器件，即，非集成二极管。结果，将功率放大器10集成在单个芯片上是不可能的。因此，在功率放大器10的尺寸不能被缩小。
图2是另一个传统的功率放大器的电路图，其中在其输出端检测RF功率电平。
参照图2，功率放大器50包括第一功率放大单元52、第二功率放大单元54、栅极电压控制器56、输入匹配电路58、中间匹配电路60以及输出匹配电路62。栅极电压控制器56位于功率放大器50的输出端，用以检测RF功率电平。
栅极电压控制器56具有输出功率检测器64和分压器66。输出功率检测器64将功率放大器50的输出端的已采样的输出信号转换成DC信号。分压器66，具有-5.0V电源以及两个电阻R3和R4，将DC信号的电压调整成适合放大器晶体管的电平。然后，被调整的DC信号反馈到第二功率放大单元54。
功率放大器具有在检测电路中可能发生输出功率损失的缺点。例如，在图2的电路中，通过输出匹配电路62的信号被部分引进栅极电压控制器56，而不是用作负载。因此，增大信号损失的结果极有可能减少峰值功率以及功率放大器的效率。与图1中的描述的功率放大器相似，功率放大器50需要二极管。因此，放大器尺寸增大，并且需要附加的外部功率。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种RF功率放大器，采用由集成器件组成的功率检测器，而不需要附加外部电源或外部二极管。
本发明的另一个目的是提供使用电压控制电路的功率检测器，用以通过源极跟随器控制电压电平，该源极跟随器是互补器件。
本发明的再一个目的是提供小尺寸、低成本、效率提高的功率放大器，它可集成在一个单独的芯片上。
以上目的是通过提供一种具有可变偏置电压的集成RF功率放大器来实现的。在该RF功率放大器中，基于整流晶体管的非线性，第一偏置控制器检测RF信号的幅度，并且输出随所检测的幅度而变化的DC信号。第二偏置控制器通过调整DC信号的电压使放大效率最优化，所述DC信号是通过作为互补器件的源极跟随器晶体管从第一偏置控制器接收的。放大器晶体管是由驱动电压触发的，根据从第二偏置控制器接收的偏置电压放大输入信号，并且输出放大的信号。
附图说明
通过下文中结合附图的详细描述，本发明的以上和其它目的、特征和优点将变得更明朗：
图1是传统功率放大器的电路图，其中在其输入端检测RF功率电平；
图2是另一个传统功率放大器的电路图，其中在其输出端检测RF功率电平；
图3是根据本发明的实施例的可集成功率放大器的电路图；
图4是根据本发明的另一个实施例的可集成功率放大器的电路图；
图5示出了根据本发明的功率放大器中的输入功率与偏置电压相互关系的曲线图；
图6示出了不使用可变偏置电路的传统功率放大器中，输入功率与效率相互关系的曲线图；以及
图7示出了根据本发明的使用可变偏置电路的功率放大器中，输入功率与效率相互关系的曲线图。
具体实施方式
下面将参照附图描述本发明的优选实施例。在下文的描述中，众所周知的功能或结构将不再详细描述，因为对他们进行不必要的描述将使本发明变得模糊。
图3是根据本发明的实施例的集成功率放大器的电路图。
参照图3，功率放大器100除了包括放大晶体管150外，还包括第一和第二偏置控制器130和140，用以根据输入功率电平控制偏置电压、输入匹配电路110和输出匹配电路120，最好，所述放大晶体管150是A型、AB型或B型FET(场效应晶体管)。输入和输出匹配电路110和120都是根据使用频率、增益以及所使用晶体管的类型，利用无源器件来组成。
RF输入信号被反馈到输入匹配电路110，该匹配电路110包括电感器L1和电容器C2。电感器L1和电容器C2能够提供一个输入匹配阻抗，用于匹配输入信号的阻抗和放大器晶体管150的输入阻抗。输入信号还经过电容器C1提供给第一偏置控制器130。第一偏置控制器130用作RF检测器，用以在功率放大器100的输入端检测输入信号的幅度，并生成根据该幅度上升或下降的DC信号。
第一偏置控制器130由偏置电阻R1和R2、整流晶体管T1、电阻R3和电容器C5组成。偏置电阻R1的一端连接到驱动电压VDD，另一端连接到整流晶体管T1的栅极。偏置电阻R2的一端连接到整流晶体管T1的栅极，另一端接地。整流晶体管T1的漏极和栅极互相连接，其源极接地。电阻R3的一端连接到整流晶体管T1的漏极，另一端连接到电容器C5的一端。电容器C5的另一端接地。整流晶体管T1是可集成器件，包括FET。
第二偏置控制器140用作DC电平移位器，用于将DC信号的电压调整到使放大效率最优的偏置电压。最好，第二偏置控制器140包括用作源极跟随器的PMOS(P沟道金属-氧化物半导体)FET T2、用于对电压分压的电阻R6和R7以及用作低通滤波器的电容器C6。
来自第一偏置控制器130的电阻R3和电容器C5的DC信号被反馈到晶体管T2的栅极。晶体管T2的栅极连接到电阻R4的一端。电阻R4的另一端接地。晶体管T2通过在其源极接收来自偏置电阻R5的驱动电压VDD而被触发，其漏极接地。从晶体管T2的源极输出的信号以预定的比率被分压，所述预定比率是由电阻R6和R7的相对阻值设置的。被分压的信号由电容器C6低通滤波并且经过用来隔离RF信号的电阻R8施加到放大器晶体管150的栅极，从而提供偏置电压。
放大器晶体管150由驱动电压VDD触发并且通过电阻R8偏置。电感器L2连接在驱动电压VDD和放大晶体管150的源极之间，用作RF扼流圈。由放大晶体管150放大的信号以利用包括电容器C3和C4以及电感器L3的输出匹配电路120所匹配的输出阻抗来输出。
为了更详细地描述功率放大器100的操作，输入端RF IN(RF输入)的RF信号反馈到输入匹配电路110，同时它的一部分被采样并且通过电容器C1被反馈到第一偏置控制器130。在第一偏置控制器130中，输入信号被转换成DC信号，由于以电阻R1和R2偏置的整流晶体管T1的非线性，所述DC信号随输入信号的幅度而变化。DC信号仍含有RF分量，而大部分RF分量都被一个低通滤波器过滤掉，该低通滤波器由连接到整流晶体管T1和电容器C5的电阻R3形成。
经过过滤后的DC信号不适合用作放大晶体管150的偏置，这是因为它具有取决于输入信号的功率电平的0V或者介于0.2到0.3V之间的低电压。因此，利用作为互补器件的源极跟随器晶体管T2将DC信号的电压上移到预定电平。电压的移位量和互补器件的偏置通过驱动电压VDD和晶体管T2之间的电阻R5被调整。
由电阻R6和R7形成的电压分压器将移位后的DC信号的电压转化成适合放大器晶体管150的偏置电压。电容器C6在电阻R6和R7间接地，从而用作低通滤波器。它基本上去掉了来自偏置信号的所有RF分量。电阻R8用来隔离RF分量，将过滤后的偏置信号传送到放大器晶体管150的栅极。
放大器晶体管150是FET，具有由偏置信号偏置的栅极、接地的源极以及经过电感器L2接收驱动电压VDD的漏极。放大器晶体管150将从输入匹配电路110接收的输入信号放大，并将放大的信号提供到输出匹配电路120。输出匹配电路120由电容器C3、电容器C4以及电感器L3组成，其中所述电容器C3的一端连接到放大器晶体管150的漏极，所述电容器C4的一端连接到所述电容器C3的另一端，电容器C4的另一端接地，所述电感器L3连接在所述电容器C3的另一端与功率放大器100的输出端子RF OUT(RF输出)之间。输出匹配电路120在匹配其输出阻抗之后最终输出被放大的信号。
图4是根据本发明的另一个实施例的可集成功率放大器的电路图。
参照图4，功率放大器200包括放大器晶体管250、输入匹配电路210、输出匹配电路220以及第一和第二偏置控制器230和240，最好放大器晶体管250是A、AB或B型的FET。与图3描述的功率放大器相比较，第二偏置控制器240利用用作比如PMOS的互补器件的源极跟随器晶体管T4生成DC信号，并且通过运算放大器249将DC信号的电压转换成适合放大器晶体管250的偏置电压。
RF输入信号被反馈到输入匹配电路210，该输入匹配电路包括电感器L4和电容器C8。电感器L4和电容器C8能够提供一个输入匹配阻抗，用于匹配输入信号的阻抗的和放大器晶体管250的输入阻抗。输入信号也经过电容器C7被反馈到第一偏置控制器230。第一偏置控制器230用作RF检测器，用于在功率放大器200的输入端检测输入信号的幅度，并且生成随根据检测的幅度上升或下降的DC信号。
第一偏置控制器230包括偏置电阻R9和R10、整流晶体管T3、电阻R11和电容器C11。偏置电阻R9的一端连接到驱动电压VDD，另一端连接到整流晶体管T3的栅极。偏置电阻R10的一端连接到整流晶体管T3的栅极，另一端接地。整流晶体管T3的漏极和栅极互相连接，其源极接地。电阻R11的一端连接到整流晶体管T3的漏极，其另一端连接到电容器C11的一端。电容器C11的另一端接地。整流晶体管T3是可集成器件，它包括FET。
第二偏置控制器240用作DC电平移位器，用于将在第一偏置控制器230中生成的DC信号的电压调整到使功率放大器200的效率最优的偏置电压。最好，第二偏置控制器240具有源极跟随器晶体管T4、用于分压电压的电阻R14和R15、运算放大器249、用于对电压分压的电阻R16和R17以及用作低通滤波器的电容器C12，该源极跟随晶体管T4最好是PMOS FET。
在第一偏置控制器230中生成的DC信号从电阻R11和电容器C11被反馈到晶体管T4的栅极。晶体管T4的栅极连接到电阻R12的一端。电阻R12的另一端接地。晶体管T4通过在其源极接收来自偏置电阻R13的驱动电压VDD而被触发，其漏极接地。从晶体管T4的源极输出的信号反馈到运算放大器249的正输入端。
不使用附件外部电源，电阻R14和R15以预定比率对驱动电压VDD进行分压，并且经过电阻R16将作为参考电压的分压电压提供到运算放大器249的负输入端。运算放大器249的输出端通过电容器C12接地，电阻R17将运算放大器249的输出反馈回其负输入端。
运算放大器249将从晶体管T4接收的信号的电压与参考电压作比较。代表比较结果的DC信号以预定的比率被分压并作为偏置控制信号输出，所述预定比率是由电阻R16和R17的相对阻抗设置的。该偏置控制信号由电容器12低通滤波，并通过电阻R18被施加到放大器晶体管250的栅极，从而生成偏置电压。
放大器晶体管250由驱动电压VDD触发并通过电阻R18偏置。电感器L5连接在驱动电压VDD和放大器晶体管250的源极之间，用作RF扼流圈。由放大器晶体管250放大的信号以利用具有电容器C9和C10以及电感器L6的输出匹配电路220所匹配的输出阻抗被输出。
输出匹配电容220由电容器C9、电容器C10和电感器L6组成。其中，电容器C9的一端连接到放大器晶体管250的漏极，电容器C10的一端连接到电容器C9的另一端，另一端接地，电感器L6连接在电容器C9的另一端和功率放大器200的输出端子RF OUT(RF输出)之间。输出匹配电路220匹配放大信号的输出阻抗。
图4中描述的功率放大器的这种结构使偏置电压的电平和变化范围能够通过使用运算放大器249更精确地调整。类似于图3中描述的功率放大器，运算放大器249由以电阻R14和R15分压的驱动电压触发，而不使用附加外部电源。运算放大器249的输出被调整为具有基于电阻R16与电阻R17的阻值比的最优电压电平。
图5和7是描述根据本发明的功率放大器的性能的曲线图。
图5描述了功率放大器中的可变偏置电压。在没有可变偏置电压的功率放大器中，施加到放大器晶体管的栅极的偏置电压保持在预定电压，而不考虑输入功率电平，而在根据本发明的功率放大器中，偏置电压随输入功率电平而变化。
在发明的功率放大器中，接近峰值功率点的偏置电压与没有可变偏置电压的典型功率放大器中的偏置电压几乎相等。然而，由于输入功率逐渐下降，因此可利用小电流来实现放大性能，而不象传统系统中为实现最大功率操作需要大电流。因此，降低施加到晶体管的偏置电压减少了DC功率消耗，并且提高了放大器的功率附加效率(Power Added Efficiency，PAE)。
图6描述了没有可变偏置电路的典型功率放大器中输入功率与效率的对比，图7描述了根据本发明的具有可变偏置电路的功率放大器中输入功率与效率的对比。可以看到，在两种功率放大器中的峰值功率处具有实际上相同的效率。然而，在-3dBm的低功率下，根据本发明的功率放大器的效率是6.5％，与传统的功率放大器的效率4.5％相比上升了差不多60％。也就是说，本发明的可变偏置电路显著提高了低功率的效率，保持了功率放大器的峰值功率以及峰值功率的效率。
正如以下所述，本发明具有下列主要作用。
本发明提供了用于功率放大器的偏置电路，根据输入信号变化的偏置电压施加到放大器晶体管，从而提高了统计上广泛使用的低功率电平的效率，保持了峰值功率的放大效率。由于不再使用外部电源，功率放大器不需要附加的产生功率的偏置电路。由于使用了带有可集成晶体管的功率检测器，比如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，代替使用外部二极管，功率放大器能够被简化和缩小。而且，利用包括基于比如PMOS的互补器件的源极跟随器的电压控制电路，将偏置电压调整为适合放大器晶体管的电压，就能够将所有电路集成在单个芯片上，从而制造小尺寸、低成本和效率提高的功率放大器。
尽管本发明已经参照其特定优选实施例示出和描述，对于本领域中的技术人员应该明白，在不偏离附属权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对其作形式和内容上的各种变化。

Claims (20)

1.一种射频功率放大器，包括：
第一偏置控制器，基于整流晶体管的非线性，检测输入射频信号的幅度，并且输出随所检测的幅度而变化的直流信号；
第二偏置控制器，通过调整通过源极跟随器晶体管从所述第一偏置控制器接收的直流信号的电压，来生成使放大效率最优化的偏置电压；以及
放大器晶体管，由驱动电压触发，根据从所述第二偏置控制器接收的所述偏置电压放大所述输入信号，并且输出所放大的信号。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其中所述第一偏置控制器包括：
整流晶体管，具有接收输入信号的栅极、连接到该栅极的漏极和接地的源极；
第一偏置电阻，其一端连接到所述放大器晶体管的驱动电压，另一端连接到所述整流晶体管的栅极；
第二偏置电阻，其一端连接到所述整流晶体管的栅极，另一端接地；以及
第一低通滤波器，连接到所述整流晶体管的漏极，用于减少所述直流信号的射频分量，并将射频分量减少后的直流信号提供给所述第二偏置控制器。
3.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其中所述第一低通滤波器包括一个电阻，其第一端连接到所述整流晶体管的漏极，第二端连接到一个电容器的第一端，该电容器的第二端接地，所述电阻的第二端是所述第一偏置控制器的输出端。
4.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其中所述第二偏置控制器包括：
第三偏置电阻，其一端连接到所述驱动电压；
所述源极跟随器晶体管具有连接到所述第一偏置控制器的输出端的栅极、接地的漏极和连接到所述第三偏置电阻另一端的源极；
分压器，具有第一分压电阻和第二分压电阻，所述第一分压电阻的第一端连接到所述源极跟随器晶体管的源极，所述第二分压电阻的第一端连接到所述第一分压电阻的第二端，所述第二分压电阻的第二端接地，所述分压器用于调整从所述第一偏置控制器接收的所述直流信号的电压电平；以及
第二低通滤波器，用于去除从所述分压器接收的信号中的射频分量，并将射频分量去除后的信号作为偏置电压提供给所述放大器晶体管。
5.根据权利要求4所述的射频功率放大器，其中所述源极跟随器晶体管是互补器件。
6.根据权利要求4所述的射频功率放大器，其中所述第二低通滤波器包括一电容器，其第一端连接到所述第一分压电阻的第二端，其第二端接地，所述电容器的第一端是所述第二偏置控制器的输出端。
7.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其中所述第二偏置控制器包括：
第三偏置电阻，其一端连接到所述驱动电压；
所述源极跟随器晶体管具有连接到所述第一偏置控制器的输出端的栅极、接地的漏极和连接到所述第三偏置电阻另一端的源极；
第一分压器，包括第一分压电阻和第二分压电阻，所述第一分压电阻的第一端连接到所述驱动电压，所述第二分压电阻的第一端连接到所述第一分压电阻的第二端，所述第二分压电阻的第二端接地；
第一电阻，其第一端连接到所述第一分压电阻的第二端；
运算放大器，其正极输入端连接到所述源极跟随器晶体管的源极，其负极输入端连接到所述第一电阻的第二端；
第二电阻，用于将所述运算放大器的输出反馈回所述运算放大器的所述负极输入；以及
第二低通滤波器，用于从功率运算放大器的输出中去除射频分量，并将射频分量去除后的信号作为偏置电压提供给所述放大器晶体管。
8.根据权利要求7所述的射频功率放大器，其中所述源极跟随器晶体管是互补器件。
9.根据权利要求7所述的射频功率放大器，其中所述第二低通滤波器包括电容器，该电容器的第一端连接到所述运算放大器的输出，第二端接地，所述电容器的第一端是所述第二偏置控制器的输出端。
10.根据权利要求1所述的射频功率放大器，还包括输入和输出匹配电路，用于使所述输入和输出信号的阻抗与所述放大器晶体管的输入和输出阻抗相匹配。
11.一种射频功率放大器，包括：
第一偏置控制器，基于整流晶体管的非线性，检测输入射频信号的幅度，并且输出随所检测的幅度而变化的直流信号；
第二偏置控制器，通过调整经过源极跟随器晶体管从所述第一偏置控制器接收的直流信号的电压，来生成使放大效率最优化的偏置电压；以及
放大器晶体管，由驱动电压触发，根据从所述第二偏置控制器接收的所述偏置电压放大所述输入信号，并且输出所放大的信号，其中
所述第二偏置控制器包括：
第一偏置电阻，其一端连接到所述驱动电压；
所述源极跟随器晶体管具有连接到所述第一偏置控制器的输出端的栅极、接地的漏极和连接到所述第一偏置电阻另一端的源极；
分压器，具有第一分压电阻和第二分压电阻，所述第一分压电阻的第一端连接到所述源极跟随器晶体管的源极，所述第二分压电阻的第一端连接到所述第一分压电阻的第二端，所述第二分压电阻的第二端接地，所述分压器用于调整从所述第一偏置控制器接收的直流信号的电压电平；以及
第一低通滤波器，用于去除从所述分压器接收的信号中的射频分量，并且将射频分量去除后的信号作为偏置电压提供到所述放大器晶体管。
12.根据权利要求11所述的射频功率放大器，其中所述第一偏置控制器包括：
整流晶体管，具有接收输入信号的栅极、连接到所述栅极的漏极和接地的源极；
第二偏置电阻，其一端连接到所述放大器晶体管的驱动电压，另一端连接到所述整流晶体管的栅极；
第三偏置电阻，其一端连接到所述整流晶体管的栅极，另一端接地；以及
第二低通滤波器，连接到所述整流晶体管的漏极，用于减少所述直流信号的射频分量，并将射频分量减少后的直流信号提供到所述第二偏置控制器。
13.根据权利要求12所述的射频功率放大器，其中所述第二低通滤波器包括一个电阻，其第一端连接到所述整流晶体管的漏极，第二端连接到一个电容器的第一端，该电容器的第二端接地，所述电阻的第二端是所述第一偏置控制器的输出端。
14.根据权利要求11所述的射频功率放大器，其中所述源极跟随器晶体管是互补器件。
15.根据权利要求11所述的射频功率放大器，其中所述第一低通滤波器包括一电容器，其第一端连接到所述第一分压电阻的第二端，其第二端接地，所述电容器的第一端是所述第二偏置控制器的输出端。
16.一种射频功率放大器，包括：
第一偏置控制器，基于整流晶体管的非线性，检测输入射频信号的幅度，并且输出随所检测的幅度而变化的直流信号；
第二偏置控制器，通过调整通过源极跟随器晶体管从所述第一偏置控制器接收的直流信号的电压，来生成使放大效率最优化的偏置电压；以及
放大器晶体管，由驱动电压触发，根据从所述第二偏置控制器接收的所述偏置电压放大所述输入信号，并且输出所放大的信号，其中
所述第二偏置控制器包括：
第一偏置电阻，其一端连接到所述驱动电压；
所述源极跟随器晶体管具有连接到所述第一偏置控制器的输出端的栅极、接地的漏极和连接到所述第一偏置电阻另一端的源极；
第一分压器，包括第一分压电阻和第二分压电阻，所述第一分压电阻的第一端连接到所述驱动电压，所述第二分压电阻的第一端连接到所述第一分压电阻的第二端，其第二端接地；
第一电阻，其第一端连接到所述第一分压电阻的第二端；
运算放大器，其正极输入连接到所述源极跟随器晶体管的源极，其负极输入连接到所述第一电阻的第二端；
第二电阻，用于将所述运算放大器的输出反馈回所述运算放大器的负极输入；以及
第一低通滤波器，用于从功率运算放大器的所述输出中去除射频分量，并将射频分量去除后的信号作为偏置电压提供给所述放大器晶体管。
17.根据权利要求16所述的射频功率放大器，其中所述第一偏置控制器包括：
整流晶体管，具有接收输入信号的栅极、连接到该栅极的漏极和接地的源极；
第二偏置电阻，其一端连接到所述放大器晶体管的驱动电压，另一端连接到所述整流晶体管的栅极；
第三偏置电阻，其一端连接到所述整流晶体管的栅极，另一端接地；以及
第二低通滤波器，连接到所述整流晶体管的漏极，用于减少所述直流信号的射频分量，并将射频分量减少后的直流信号提供到所述第二偏置控制器。
18.根据权利要求17所述的射频功率放大器，其中所述第二低通滤波器包括一个电阻，其第一端连接到所述整流晶体管的漏极，第二端连接到一个电容器的第一端，该电容器的第二端接地，所述电阻的第二端是所述第一偏置控制器的输出端。
19.根据权利要求16所述的射频功率放大器，其中所述源极跟随器晶体管是互补器件。
20.根据权利要求16所述的射频功率放大器，其中所述第一低通滤波器包括电容器，该电容器的第一端连接到所述运算放大器的输出，第二端接地，所述电容器的第一端是所述第二偏置控制器的输出端。
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