DE102009057544A1 - Begrenzerschaltung - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Begrenzerschaltung mit einem Signaleingang (E1) und einem Signalausgang (A) zur Begrenzung eines am Signalausgang (A) anliegenden, einer mit dem Ausgang der Bregenzerschaltung verbundenen weiteren Schaltung (SCH) zuführbaren Ausgangsssignals, ein Spannungsanschluss (E2) zur Zuführung einer Vorspannung (U) sowie ein Transistor (T) vorhanden ist, wobei der Gate-Anschluss (G) des Transistors (T) über eine erste Anpassschaltung (A1) mit dem Spannungsanschluss (E2) und über eine zweite Anpassschaltung (A2) mit dem Signaleingang (E1) verbunden ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Begrenzerschaltung gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 1.
  • Aus http://www.mwjournal.com/Journal/Print.asp?Id=AR_4771 ist eine Schutzschaltung für eine mit der Schutzschaltung verbundene Baugruppe beschrieben. Die Schutzschaltung wird in Streifenleitungs- oder Koaxialtechnologie auf einem Träger mit diskreten Bauelementen aufgebaut. Der Träger wiederum wird in ein passendes Gehäuse montiert, das auch die Anschlüsse für die Ansteuerung und die Hochfrequenzsignale enthält. Der Hochfrequenz-Ausgang wird mit dem Eingang der zu schützenden Baugruppe über eine Hochfrequenzleitung verbunden.
  • Ein Nachteil dieser Anordnung ist, dass die Schutzschaltung diskret aufgebaut ist, oder falls integriert, mit Dioden realisiert ist. Beide Ansätze sind kostenintensiv und für Anwendungen, bei welchem nur wenig Platz zur Verfügung steht, nicht geeignet. Bei der Verwendung von Dioden tritt zudem das Problem auf, dass die verwendeten Begrenzerdioden keine ausreichenden Eigenschaften aufweisen, um eine hohe Belastbarkeit der Begrenzerschaltung zu gewährleisten.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, eine Begrenzerschaltung anzugeben, welche die Nachteile des Standes der Technik beseitigt.
  • Diese Aufgabe wird mit der Begrenzerschaltung gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Eine vorteilhafte Ausführung der Erfindung ist Gegenstand eines Unteranspruchs.
  • Bei der erfindungsgemäße Begrenzerschaltung mit einem Signaleingang und einem Signalausgang zur Begrenzung eines am Signalausgang anliegenden, einer mit dem Ausgang der Bregenzerschaltung verbundenen weiteren Schaltung zuführbaren Ausgangssignals, ist ein Anschluss zur Zuführung einer Vorspannung sowie ein Transistor vorhanden, wobei der Gate-Anschluss des Transistors über eine erste Anpassschaltung mit dem Anschluss und über eine zweite Anpassschaltung mit dem Signaleingang verbunden ist.
  • Die Anpassschaltungen bestehen z. B. aus Widerständen und/oder Induktivitäten und/oder Kapazitäten und/oder Leitungsstücken. Dadurch ist es möglich, den Arbeitspunkt des Transistors entsprechend den Anforderungen einzustellen. So kann z. B. der Frequenzgang oder die Eingangsanpassung des Transistors entsprechend angepasst werden.
  • Die Erfindung wird anhand einer Figur näher erläutert. Die einzige Figur zeigt einen schematische Aufbau einer erfindungsgemäßen Begrenzerschaltung.
  • Der Signaleingang E1 der Begrenzerschaltung ist über einen Kondensator C1 und einem Widerstand R2 mit dem Gate-Anschluss eines Transistors T verbunden. Der Anschluss E2 ist über einen Widerstand R3 und dem Widerstand R2 mit dem Gate-Anschluss des Transistors T verbunden. Der Kondensator C1 und der Widerstand R3 sind im Punkt K miteinander verbunden. An den Anschluss E2 ist eine Spannungsquelle (nicht dargestellt) anschließbar. Mittels der Spannung der Spannungsquelle kann der Arbeitspunkt des Transistors T entsprechend eingestellt werden.
  • Die Kombination aus R3 und R2 symbolisiert dabei die erste Anpassschaltung A1, die Kombination aus R2 und C1 die zweite Anpassschaltung A2.
  • Der Source-Anschluß S des Transistors T ist mit Masse M und der Drain-Anschluss D ist mit dem Ausgang A der Begrenzerschaltung verbunden. An den Ausgang A der Begrenzerschaltung A ist eine weitere, zu schützende Schaltung SCH, zweckmäßig über eine dritte Anpassschaltung A3 anschließbar.
  • Zweckmäßig sind der Transistor T und die weitere Schaltung Baugruppen in einer Halbleitertechnologie für Leistungsanwendungen (z. B. Gallium-Nitrid) ausgeführt. Es ist darüber hinaus möglich, dass die Begrenzerschaltung in die zu schützende Schaltung SCH integriert ist.
  • Bei kleinen Eingangssignalen (weniger als 10 mW; was dem Normalbetrieb der Begrenzerschaltung entspricht) ändert sich die Gatespannung am Transistor T nicht. Dies bedeutet, der Transistor T bleibt gesperrt. Bei großen Signalen (mehr als 10 mW) entsteht durch den Gleichrichtungseffekt im Transistor T eine Gegenspannung, die diesen leitend macht und somit einen Teil des Eingangssignals am Eingang E1 nach Masse M ableitet und damit eine Begrenzung bewirkt (Schutzwirkung). Der Widerstand R2 dient als Schutz vor einem zu hohem Gatestrom am Transistor T und verhindert so, dass dieser selbst zerstört wird. Mit einer Spannungsquelle an dem Anschlusspunkt E2 wird der Arbeitspunkt vom Transistor so eingestellt, dass im Normalbetrieb der Begrenzerschaltung keine Begrenzung stattfindet. Außerdem kann damit auch die Ansprechschwelle für die Begrenzung eingestellt werden
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • http://www.mwjournal.com/Journal/Print.asp?Id=AR_4771 [0002]

Claims (3)

  1. Begrenzerschaltung mit einem Signaleingang (E1) und einem Signalausgang (A) zur Begrenzung eines am Signalausgang (A) anliegenden, einer mit dem Ausgang (A) der Bregenzerschaltung verbundenen weiteren Schaltung (SCH) zuführbaren Ausgangssignals, dadurch gekennzeichnet, dass ein Spannungsanschluss (E2) zur Zuführung einer Vorspannung (U) sowie ein Transistor (T) vorhanden ist, wobei der Gate-Anschluss (G) des Transistors (T) über eine erste Anpassschaltung (A1) mit dem Spannungsanschluss (E2) und über eine zweite Anpassschaltung (A2) mit dem Signaleingang (E1) verbunden ist.
  2. Begrenzerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Drain-Anschluss (D) des Transistors (T) und der weiteren Schaltung (SCH) eine dritte Anpassschaltung (A3) vorhanden ist.
  3. Begrenzerschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Transistor (T) und die in der weiteren Schaltung (SCH) verwendeten Baugruppen in einer Halbleitertechnologie für Leistungsanwendungen gefertigt sind.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3013536B1 (fr) * 2013-11-18 2016-01-01 Thales Sa Limiteur de puissance radiofrequence ameliore; chaine d'emission et/ou de reception radiofrequence et etage d'amplification faible bruit associes 

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5301081A (en) * 1992-07-16 1994-04-05 Pacific Monolithics Input protection circuit

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5233453A (en) * 1975-09-10 1977-03-14 Nec Corp High frequency high output transistor amplifier
US4751473A (en) * 1985-11-05 1988-06-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha FET amplifier circuit
US5121176A (en) * 1990-02-01 1992-06-09 Quigg Fred L MOSFET structure having reduced gate capacitance
US5157289A (en) 1991-07-29 1992-10-20 Grumman Aerospace Corporation FET adaptive limiter with high current FET detector
US5608353A (en) * 1995-03-29 1997-03-04 Rf Micro Devices, Inc. HBT power amplifier
JPH10247828A (ja) 1997-03-04 1998-09-14 Mitsubishi Electric Corp リミタアンプ
JPH10322141A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波電力増幅器およびそれを用いた無線通信装置
US6100763A (en) * 1999-03-29 2000-08-08 Motorola, Inc. Circuit for RF buffer and method of operation
KR100759508B1 (ko) * 2000-08-01 2007-09-18 정연문 귀환루프를 갖는 고주파 발진 회로
JP4512971B2 (ja) * 2001-03-02 2010-07-28 株式会社日立プラズマパテントライセンシング 表示駆動装置
JP2005526439A (ja) * 2002-05-22 2005-09-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Rf電力増幅器
US6747484B1 (en) 2003-04-22 2004-06-08 Raytheon Company Radio frequency limiter circuit
KR100663450B1 (ko) * 2003-05-19 2007-01-02 삼성전자주식회사 집적 가능한 전압조정 초고주파 전력 증폭기
US7348852B1 (en) * 2004-11-08 2008-03-25 Anadigies, Inc. Device and method for power amplifier noise reduction
ATE413729T1 (de) * 2006-07-05 2008-11-15 Infineon Technologies Ag Mos-transistorschaltung mit gesteuerter anstiegszeit
JP2008251755A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Eudyna Devices Inc 半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5301081A (en) * 1992-07-16 1994-04-05 Pacific Monolithics Input protection circuit

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
http://www.mwjournal.com/Journal/Print.asp?Id=AR_4771
KER, Brian: Radar Receiving Protection Technology, Mirowave Journal, E2V Technologies Ltd., Chelmsford, Essex, UK, 08.08.2007. URL: "http://www.mwjornal.com/Journal/print.asp?Id=AR_4 71", (abgerufen am 17.10.2010) *
KER, Brian: Radar Receiving Protection Technology, Mirowave Journal, E2V Technologies Ltd., Chelmsford, Essex, UK, 08.08.2007. URL: "http://www.mwjornal.com/Journal/print.asp?Id=AR_4771", (abgerufen am 17.10.2010)

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