JP2013513978A - リミッタ回路 - Google Patents

Abstract

本発明は、信号入力（Ｅ１）と信号出力（Ａ）を有し、出力信号を制限するためのリミッタ回路であって、前記出力信号は、前記信号出力（Ａ）に存在すると共に、前記リミッタ回路の前記信号出力（Ａ）に接続された追加の回路（ＳＣＨ）に供給され得、バイアス電圧（Ｕ）を供給するための電圧接続部（Ｅ２）と、トランジスタ（Ｔ）とが存在し、前記トランジスタ（Ｔ）のゲート接続部（Ｇ）は、第１のマッチング回路（Ａ１）を介して前記電圧接続部（Ｅ２）に、且つ、第２のマッチング回路（Ａ２）を介して前記信号入力（Ｅ１）に接続されているリミッタ回路に関する。

Description

本発明は、請求項１の特長に従ったリミッタ回路に関する。

http://www.mwjournal.com/Journal/Print.asp?Id=AR_4771は、組立品（アセンブリ：assembly）用の保護回路を記載している。組立品は、その保護回路に接続されている。保護回路は、ディスクリート素子（個別素子）を有する支持材上のストリップライン又は同軸技術を用いて設計されている。支持材は同様に、作動及び高周波信号用の接続部も含んでいる適当な筐体内に組み込まれている。高周波出力は、高周波ラインを介して、保護されるべき組立品の入力に接続されている。

この配置の不利な点は、保護回路はディスクリートの設計であること、又は、もし集積されればダイオードを用いて実装されることである。両者のアプローチは、高コストであり、且つ、小さな空間のみが利用可能なアプリケーションには不適切である。ダイオードが用いられた時、用いられたリミッタダイオードは、リミッタ回路用の高い容量（capacity）を確保する適切な特性を有していないという追加の問題を生じさせる。

追加のリミッタ回路は、ＵＳ５，３０１，０８１から知られている。この回路は、トランジスタを有する第１の回路ブロックと、ダイオード装置を有する第２の回路ブロックと、を備える。第１の回路ブロックのトランジスタは、複数のダイオードを有する複合検出回路によって動作させられる。このリミッタ回路の不利な点は、複雑な設計と、複数の構成部品が必要とされることである。

本発明の目的は、従来技術の不利な点を無くすリミッタ回路を規定することである。

この目的は、請求項１の特長によるリミッタ回路で達成される。本発明の有利な実施形態は、従属請求項の対象である。

信号入力と信号出力を有し、出力信号を制限するための本発明のリミッタ回路の場合、前記出力信号は、前記信号出力に加えられると共に、前記リミッタ回路の前記信号出力に接続された追加の回路に供給され得、バイアス電圧を供給するための電圧接続部と、トランジスタとが存在し、前記トランジスタのゲート接続部は、第１のマッチング回路を介して前記電圧接続部に、且つ、第２のマッチング回路を介して前記信号入力に接続されている。

一例として、マッチング回路は、抵抗及び／又はインダクタンス及び／又はキャパシタンス及び／又は線路素子（line element）の一部を備える。このことは、トランジスタの動作点が要求に応じて調整されるようにする。一例として、従って、トランジスタの周波数応答または入力マッチングを必要に応じて調整することができる。

本発明は、図面を参照して、より詳細に説明される。

１つの図は、本発明によるリミッタ回路用の概略設計を示す。

リミッタ回路の信号入力Ｅ１は、キャパシタＣ１及び抵抗Ｒ２を介してトランジスタＴのゲート接続部に接続されている。接続部Ｅ２は、抵抗Ｒ３及び抵抗Ｒ２を介してトランジスタＴのゲート接続部に接続されている。キャパシタＣ１と抵抗Ｒ３は、Ｋ点で互いに接続されている。接続部Ｅ２は、それに接続された電源（図示せず）を有し得る。電源からの電圧は、トランジスタＴの動作点を適切に調整するために用いられ得る。

この場合のＲ３とＲ２の組み合わせは、第１のマッチング回路Ａ１を表し、且つ、Ｒ２とＣ１の組み合わせは、第２のマッチング回路Ａ２を表す。

トランジスタＴのソース接続部Ｓは、グランドＭに接続され、且つ、ドレイン接続部Ｄは、リミッタ回路の出力Ａに接続されている。リミッタ回路Ａの出力Ａは、保護されるべき、且つ、便宜上第３のマッチング回路Ａ３を介してそれに接続されるべき、追加の回路ＳＣＨを有し得る。

便宜上、トランジスタＴ及び追加の回路は、電力アプリケーション用の半導体技術（例えば、窒化ガリウム）を用いた組立品の形をとっている。リミッタ回路は、保護されるべき回路ＳＣＨ内に集積化されることも更に可能である。

小さい入力信号（１０ｍＷより低い；リミッタ回路の通常動作に対応する）の場合、トランジスタＴのゲート電圧は変化しない。このことは、トランジスタＴはオフのままであることを意味する。大きい信号（１０ｍＷより高い）の場合、トランジスタＴにおける整流効果は、反対の電圧（opposing voltage）を生成する。その電圧は、そのトランジスタをオンにして、そして従って入力Ｅ１における入力信号の一部をグランドＭに流し、そして従ってリミッティング（制限）をもたらす（保護効果）。抵抗Ｒ２は、トランジスタＴにおける過剰なゲート電流に対するプロテクションとして用いられ、そして従って後者のそれ自体が破壊されることを防ぐ。接続点Ｅ２における電源は、リミッタ回路の通常動作中にリミッティングが起こらないように、トランジスタの動作点を調整するのに用いられる。さらに、それは、リミッティングのための応答のしきい値を調整するのにも用いられ得る。

Claims (3)

1. 信号入力（Ｅ１）と信号出力（Ａ）を有し、出力信号を制限するためのリミッタ回路であって、前記出力信号は、前記信号出力（Ａ）に加えられると共に、前記リミッタ回路の前記信号出力（Ａ）に接続された追加の回路（ＳＣＨ）に供給され得、
   バイアス電圧（Ｕ）を供給するための電圧接続部（Ｅ２）と、トランジスタ（Ｔ）とが存在し、前記トランジスタ（Ｔ）のゲート接続部（Ｇ）は、第１のマッチング回路（Ａ１）を介して前記電圧接続部（Ｅ２）に、且つ、第２のマッチング回路（Ａ２）を介して前記信号入力（Ｅ１）に接続されている
   ことを特徴とするリミッタ回路。
2. 第３のマッチング回路（Ａ３）が、前記トランジスタ（Ｔ）のドレイン接続部（Ｄ）と、前記追加の回路（ＳＣＨ）との間に存在している
   ことを特徴とする請求項１に記載のリミッタ回路。
3. 前記トランジスタ（Ｔ）と、前記追加の回路（ＳＣＨ）において用いられた組立品は、電力アプリケーション用の半導体技術を用いて製造されている
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のリミッタ回路。

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