JP4836355B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、電源回路等に好適な半導体集積回路装置に関し、詳しくは、過熱する可能性を持った素子または回路に加えて過熱検出回路も搭載している半導体集積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
IC(半導体集積回路装置)に搭載される過熱検出回路として、従来より、図4(a)〜(c)に回路図を示した幾種類かのものが知られている。
そのうち図4(a)のものは、ダイオードの順方向電圧に関する温度特性を利用したものであり、ダイオードの置かれたところの温度を電圧で検出しその温度が所定値に達したとき過熱検出信号を出力するようになっている。
これに対し、図4(b)のものは、ベースを解放したバイポーラトランジスタの漏れ電流(すなわち破線で図示したベース−エミッタ間の寄生ダイオードの逆方向電流)の増加に応じて過熱検出信号を出すようになっている。
【0003】
さらに、図4(c)の過熱検出回路は、抵抗2の媒介によって、定電流回路1とバイポーラトランジスタ3との温度特性に基づく温度検出に加えて、検出電流の増幅も一緒に行うものである。そのため、この回路は、定電流回路1の出力電流をバイポーラトランジスタ3のベース3aとベース3aに接続された抵抗2との接続ラインから抵抗2へ強制的に流すようになっている。また、過熱検出信号の生成に際しては、バイポーラトランジスタ3のコレクタ電流をプルアップ抵抗4で電圧信号に変換し、それからバッファー5で所望の過熱検出信号を生成出力するようになっている。なお、抵抗2は、通常、半導体パターン等で形成され、その周りを囲むウェル領域2aは、他素子との絶縁分離のため、バイポーラトランジスタ3のベース3a側などにクランプされている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の半導体集積回路装置に用いられてきた過熱検出回路には、それぞれ一長一短がある。例えば、図4(a)及び図4(c)のものには、検出信号を出す温度を比較的自由に設定できるという長所が有る一方、過熱状態への遷移を検出温度の何処に対応させるかが難しいという短所が有る。他方、図4(b)のものには、漏れ電流が過熱状態への遷移に対応して急変するので、過熱状態への遷移を的確に捉えることができるという長所が有る一方、バイポーラトランジスタのベースが解放されているので、安定動作を得るための設計負担が大きい等の短所が有る。
【0005】
これに対して、図4(c)のものは、バイポーラトランジスタのベースに接続された抵抗を有していて使い易く、バイポーラトランジスタの電流増幅作用も自然に利用できる、という長所が有る。
そこで、過熱状態への遷移を的確に捉えることができ而も使い易い過熱検出回路を案出することが要請されるが、それに応えるには、図4(c)の過熱検出回路の長所を維持しつつ図4(b)のもののように漏れ電流に感応させることが考えられる。そして、そのためには、図4(c)の過熱検出回路を元にして、どのような改造を施すか、といった工夫をすることが技術的な課題となる。
【0006】
この発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、バイポーラトランジスタのベースに接続された抵抗の漏れ電流に基づいて過熱検出を行う半導体集積回路装置を実現することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するために発明された第1乃至第2の解決手段について、その構成および作用効果を以下に説明する。
【0008】
[第1の解決手段]
第1の解決手段の半導体集積回路装置は、出願当初の請求項1に記載の如く、過熱検出回路が過熱保護対象の素子または回路と同一基板に形成されている半導体集積回路装置において、前記過熱検出回路が、バイポーラトランジスタと、そのベースに接続された抵抗と、この抵抗の形成されたウェル領域に(素子間分離に必要な)所定電圧を印加する定電圧発生回路とを備えている、というものである。
すなわち、従来例の図4(c)の過熱検出回路と対比して言えば、定電流回路に代えて定電圧発生回路が導入されるとともに、バイポーラトランジスタのベースに接続された抵抗のウェル領域のクランプ先が前記定電圧発生回路の出力電圧に変更されている、というものである。
【0009】
このような第1の解決手段の半導体集積回路装置にあっては、ウェル領域から抵抗への漏れ電流が検出対象になるうえ、その電流が定電圧発生回路の存在によって安定するとともにバイポーラトランジスタによって自然に増幅される。そのバイポーラトランジスタの動作状態もベースに接続された抵抗の存在によって容易に安定する。
したがって、この発明によれば、バイポーラトランジスタのベースに接続された抵抗の漏れ電流に基づいて過熱検出を行う半導体集積回路装置を実現することができる。
【0010】
[第2の解決手段]
第2の解決手段の半導体集積回路装置は、出願当初の請求項2に記載の如く、上記の第1の解決手段の半導体集積回路装置であって、前記の過熱保護対象の素子または回路に対して前記抵抗は近くに設けられ前記定電圧発生回路は遠くに設けられている、というものである。
【0011】
このような第2の解決手段の半導体集積回路装置にあっては、ベースに接続された抵抗の漏れ電流に過熱保護対象の温度が的確に反映されるとともに、漏れ電流の安定に寄与する所定電圧は温度変化による不所望な影響が少なくて済む。
これにより、より的確に過熱検出が行われることとなる。
したがって、この発明によれば、バイポーラトランジスタのベースに接続された抵抗の漏れ電流に基づいて過熱検出をより的確に行う半導体集積回路装置を実現することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
このような解決手段で達成された本発明の半導体集積回路装置について、これを実施するための具体的な形態を、図面を引用して説明する。図1は、その要部構造を示し、(a)が過熱検出回路の回路図、(b)がベースに接続された抵抗の形成領域の縦断面模式図である。また、図2は、装置全体の構造を示す回路図である。なお、それらの図示に際して、従来と同様の構成要素には、同一の符号を付して示した。
【0013】
この半導体集積回路装置は(図2参照)、ワンチップの基板10に、過熱検出回路(2〜6)と、過熱保護対象の出力段トランジスタ9と、過熱検出結果等に応じて出力段トランジスタ9を制御する制御回路8とが形成されたものである。出力段トランジスタ9及び制御回路8が2組設けられているので、過熱検出信号を総ての制御回路8に伝達する検出信号分配回路7も設けられている。
【0014】
過熱検出回路(2〜6)は(図1(a)参照)、漏れ電流を利用した過熱検出部として、ベースに抵抗2(バイポーラトランジスタのベースに接続された抵抗)の付いたNPNトランジスタ3(バイポーラトランジスタ)を具えている。これを設計等の楽な例えばエミッタ接地で用いるために、バイポーラトランジスタ3は、ベース3aが抵抗2を介して接地ラインGNDに接続され、エミッタが接地ラインGNDに接続され、コレクタがプルアップ抵抗4(コレクタ抵抗)を介して電源ラインVccに接続されている。また、過熱検出回路(2〜6)には(図1(a),図2参照)、検出信号の出力を行うために、コレクタ電流を電圧に変換する上述のプルアップ抵抗4に加えて、その電圧に応じてオンオフするMOSトランジスタ等からなるバッファー5も設けられている。
【0015】
過熱検出回路における抵抗2は(図1(b)参照)、基板10がp型サブストレートの場合、先ずn型ウェル領域2aを形成しておき、その中に適宜な濃度のp型半導体からなる適宜な長さ及び幅のパターン等にて形成されて、所望の抵抗値や温度特性を示すものとなっている。ウェル領域2aは、抵抗2を他の素子や回路から絶縁分離するとともに漏れ電流の供給を安定した状態で行うために、新たに設けられた定電圧発生回路6に接続されて、ベース3aの採りうる電圧より高い一定電圧(所定電圧)が印加されるようになっている。その定電圧発生回路6とウェル領域2aとの接続は、成る可く多くの漏れ電流がバイポーラトランジスタ3の方へ流れるように、接地ラインGNDと抵抗2との接続点よりもベース3aと抵抗2との接続点に近いところで、なされている。なお、定電圧発生回路6には、精度の良いバンドギャップ電圧源を採用したもの等が適しているが、他の方式のものでも良い。
【0016】
出力段トランジスタ9及び制御回路8は(図2参照)、例えば外部に接続された負荷に所定電圧の電力を供給する電源回路であり、その場合、出力段トランジスタ9には例えばMOSトランジスタからなるパワー素子が採用され、制御回路8は、図示した外部入力や図示しないフィードバック信号などに応じて、出力段トランジスタ9をオンオフ制御したりアナログ的に制御したりするが、バッファー5から送出された有意の過熱検出信号を検出信号分配回路7経由で受けると、出力段トランジスタ9の出力動作を停止させるようになっている。
【0017】
その検出信号分配回路7は、バッファー5の出力と制御回路8の入力とを整合させつつバッファー5の出力を全制御回路8に伝達するものであれば、図示のようなMOSトランジスタからなる回路であっても、バイポーラトランジスタやその他の素子等からなるものであっても良い。
さらに、半導体集積回路装置のレイアウトに関して、過熱検出回路(2〜6)のうち抵抗2及びバイポーラトランジスタ3は、検出対象である出力段トランジスタ9の近くに、なるべく両者の中間・中央に、置かれる。また、過熱検出回路(2〜6)のうち残りの定電圧発生回路6とプルアップ抵抗4とバッファー5は、出力段トランジスタ9の出す熱の影響を少なく抑えるために、そこから出来るだけ遠いところに置かれる。
【0018】
このような構成の半導体集積回路装置について、その使用態様及び動作を、図面を引用して説明する。図3は、その検出動作の説明図であり、特に過熱検出回路の過熱検出部における漏れ電流とそれを増幅したコレクタ電流を示している(二点鎖線を参照)。
【0019】
通常の動作状態では、抵抗2に流れる電流は順方向電流も漏れ電流も僅かなものであり、バイポーラトランジスタ3はオフしている。そのため、バッファー5及び検出信号分配回路7を介して制御回路8に伝達される検出信号は、有意にならない又は送出されない。そして、制御回路8が外部入力等に応じて出力段トランジスタ9の動作制御を行うので、出力段トランジスタ9はスイッチング等の動作を繰り返す。
【0020】
それから、そのようなパワー出力動作に起因する発熱によって出力段トランジスタ9の温度が上昇し、それに伴って抵抗2のところの温度も上昇すると、定電圧発生回路6からウェル領域2a及び抵抗2を介して接地ラインGNDとバイポーラトランジスタ3のベース3aとに流れる漏れ電流が増加する(図3の二点鎖線を参照)。そのうちベース3aに流れた漏れ電流は、バイポーラトランジスタ3の電流増幅率(hfe)で増量されて、バイポーラトランジスタ3のコレクタ電流に反映される。
【0021】
抵抗2が半導体で出来ていてその漏れ電流は半導体素子の温度が動作限界に近づくと急増するので、やはり半導体で出来ている出力段トランジスタ9の温度が上限に近づくと、プルアップ抵抗4及びバッファー5によって有意の検出信号が送出され、それに応じて制御回路8が出力段トランジスタ9の動作を強制的に停止させる。
【0022】
こうして、出力段トランジスタ9が過熱状態になりかけると、そのことが過熱検出回路(2〜6)によって検出されるとともに、その検出に基づいて出力段トランジスタ9の動作が停止させられる。その強制停止は出力段トランジスタ9の温度が下がるまで続き、温度が下がると、過熱検出回路(2〜6)からの有意の過熱検出信号の送出が止み、出力段トランジスタ9の動作が再開される。
【0023】
また、この過熱検出回路(2〜6)にあっては、過熱状態の的確な未然検出に加えて、過熱に至らない通常動作時にも、バイポーラトランジスタ3のベース3aが抵抗2を介して接地されていることから、バイポーラトランジスタ3の動作状態が安定するので、電源ラインVccの瞬時変動や、外部からの電磁ノイズの飛来などに起因した誤作動は、極めて起き難い。そのため、この半導体集積回路装置にあっては、不適切な検出信号の送出によって正常な動作が停止させられるといった不所望な事態に至ることは、ほとんど無い。
【0024】
[その他]
なお、上記の例では、過熱保護対象の出力段トランジスタ9が2個であったが、過熱保護対象の素子または回路は、2個に限られる訳で無く、1個でも良く、3個以上でも良い。
また、過熱検出回路(2〜6)が複数設けられていても良い。
【0025】
さらに、バイポーラトランジスタ3は、NPNトランジスタに限らず、PNPトランジスタでも良い。基板10も、p型サブストレートに限らず、n型サブストレートであっても良く、その場合、先ずp型ウェル領域を形成しておいてからその中に適宜な濃度のn型半導体にて抵抗2を形成すると良い。バッファー5や,出力段トランジスタ9も、MOSトランジスタに限らず、バイポーラトランジスタや、他の種類の素子等からなるものであっても良い。また、単一の素子からなるものに限らず、複数の素子を含む回路であっても良い。
【0026】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明の第1の解決手段の半導体集積回路装置にあっては、バイポーラトランジスタのベースに接続された抵抗のウェル領域のクランプ先を定電圧発生回路に変更したことにより、バイポーラトランジスタのベースに接続された抵抗の漏れ電流に基づいて過熱検出を行う半導体集積回路装置を実現することができたという有利な効果が有る。
【0027】
また、本発明の第2の解決手段の半導体集積回路装置にあっては、過熱検出回路の配置にも工夫を凝らしたことにより、バイポーラトランジスタのベースに接続された抵抗の漏れ電流に基づいて過熱検出をより的確に行う半導体集積回路装置を実現することができたという有利な効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の半導体集積回路装置の一実施形態について、(a)が過熱検出回路の回路図であり、(b)がバイポーラトランジスタのベースに接続された抵抗の形成領域の縦断面模式図である。
【図2】 装置全体の回路図である。
【図3】 検出動作の説明図である。
【図4】(a)〜(c)が何れも従来の過熱検出回路の回路図である。
【符号の説明】
1 定電流回路
2 抵抗(過熱検出部)
2a ウェル領域(抵抗形成領域、素子分離領域)
3 バイポーラトランジスタ(過熱検出部)
3a ベース
4 プルアップ抵抗(検出信号送出部)
5 バッファー(検出信号送出部)
6 定電圧発生回路(過熱検出補助部)
7 検出信号分配回路(検出信号伝達部)
8 制御回路(動作停止再開手段)
9 出力段トランジスタ(パワー素子、過熱保護対象の素子または回路)
10 基板(ICチップ)
Claims (2)
- 過熱検出回路が過熱保護対象の素子または回路と同一基板に形成されている半導体集積回路装置において、前記過熱検出回路が、バイポーラトランジスタと、前記バイポーラトランジスタのベースに接続された抵抗と、前記抵抗の形成されたウェル領域に所定電圧を印加する定電圧発生回路とを備えたものであり、前記の過熱保護対象の素子または回路の温度の昇降に伴って前記抵抗の温度が昇降するようになっており、前記定電圧発生回路から前記ウェル領域および前記抵抗を介して前記バイポーラトランジスタのベースに流れる漏れ電流が前記抵抗の温度の昇降に応じて増減するようになっており、前記バイポーラトランジスタが前記漏れ電流を増幅して前記漏れ電流の増減に応じてオンオフすることにより前記の過熱保護対象の素子または回路に係る過熱の有無を示すようになっていることを特徴とする半導体集積回路装置。
- 前記の過熱保護対象の素子または回路に対して前記抵抗は近くに設けられ前記定電圧発生回路は遠くに設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
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