JP6885862B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
《電力変換装置の主要部の概略構成》
図1は、本発明の実施の形態1による電力変換装置の主要部の構成例を示す概略図である。図1に示す電力変換装置は、パワートランジスタPTRと、電圧リミッタLMTと、ドライバ装置DRICと、制御装置MCUとを備える。パワートランジスタPTRは、代表的には、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、SiやSiC構造のMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等である。明細書では、パワートランジスタPTRは、SiC構造のMOSFETである場合を例とするが、Si、GaN、その他材料のMOSFETでもよく、IGBTの場合は、ソースおよびドレインをそれぞれエミッタおよびコレクタに置き換えればよい。
図2は、図1の電力変換装置の詳細な構成例を示す回路図である。図2において、パワートランジスタPTRは、この例では、駆動用トランジスタTRdと、電流センス用トランジスタTRcsと、クランプ用トランジスタTRclpとを備える。電流センス用トランジスタTRcsは、駆動用トランジスタTRdよりも小さいトランジスタサイズで構成され、駆動用トランジスタTRdとゲート端子(ゲート電圧VG)およびドレイン端子(ドレイン電圧VD)が共通化される。
図3(a)および図3(b)は、図2におけるパワートランジスタの構成例を示す概略図である。図3(a)に示すように、パワートランジスタ(SiC構造のMOSFET)PTRは、半導体チップCHPに形成され、半導体チップCHPの表面には、ソースパッドSP、ゲートパッドGP、クランプ入力パッドCLPP、電流センスパッドCSP、、電圧センスパッドDSPとが形成される。当該半導体チップCHPは、外部端子(リードまたはリードフレーム)PNs,PNks,PNd,PNg,PNclp,PNcs,PNdsを備えるパッケージPKGによって封止される。
図5は、図2におけるサージ吸収回路の各種構成例を示す回路図である。図2のサージ吸収回路SACは、ドレイン電圧VDに重畳し得るノイズ(サージ)を吸収するために設けられる。なお、図2の構成例は、ドレイン電圧VD側にサージ吸収回路SACを備えるが、加えて、ソース電圧VS(ケルビンソース電圧KS)側に同じサージ吸収回路SACを備えてもよい。
図6は、図2におけるドライバ装置の主要部の動作例を示すタイミングチャートである。図6において、PWM信号PWMiがオンレベル(‘H’レベル)に遷移すると、ドライバDRVを介して、ゲート電圧VGが立ち上がる。これに応じて、端子間電流Idsが増加し、その後に、端子間電圧Vds(ドレイン電圧VD)が減少する。すなわち、例えば、インバータ等において、ハイサイドまたはロウサイドの一方に還流電流が流れている状態でそれを他方の駆動電流に切り替える場合、還流電流が駆動電流に完全に切り替わるまでは、一方の還流ダイオードがオンであるため、ドレイン電圧VDは推移しない。
図7は、図1における電圧リミッタの図2とは異なる構成例を示す回路図である。図7に示す電圧リミッタLMTbは、アンプ回路AMP1と、サージ吸収回路SAC1,SAC2と、ブロッキングダイオードDbk1,Dbk2と、電流源IS1,IS2とを備える。ブロッキングダイオードDbk1およびサージ吸収回路SAC1は、駆動用トランジスタTRdのドレイン端子(VD)とアンプ回路AMP1の(+)入力との間に直列に挿入される。電流源IS1によってブロッキングダイオードDbk1に微小電流を流すことで、アンプ回路AMP1の(+)入力電圧は、電流源IS1の電圧V1にほぼ制限される。
図8(a)は、図2の温度推定部で生じ得る問題点の一例を示す説明図であり、図8(b)は、図8(a)の問題点を解決する温度推定部の構成例を示す概略図である。図8(a)に示されるように、実動作において、端子間電圧Vdsおよび端子間電流Idsが小さい範囲AR1では、相対的に温度依存に伴う変化量が小さくなるため、ジャンクション温度TJの推定精度が低くなる。逆に、端子間電圧Vdsおよび端子間電流Idsが大きい範囲AR2では、相対的に温度依存に伴う変化量が大きくなるため、ジャンクション温度TJの推定精度が高くなる。
《電力変換装置の主要部の概略構成(応用例)》
図9は、図1の電力変換装置を更に拡張した構成例を示す概略図である。図9の構成例は、図1の構成例に対して、更に、制御装置MCU2が追加されている。制御装置MCU2は、例えば、マイクロコントローラ等によって構成され、図1の電力変換装置を含んだ上位システムを管理する。当該上位システムの制御装置MCU2と、図1の電力変換装置内の制御装置MCUとは、通信経路CPHで結合され、通信インタフェースCIFを介して通信を行う。通信インタフェースCIFには、例えば、CAN(Controller Area Network)やSPI(Serial Peripheral Interface)等の通信プロトコルが適用される。
図20は、本発明の比較例となる電力変換装置の主要部の構成例を示す概略図である。図20に示す電力変換装置では、パワートランジスタPTR’内に、温度検出用のダイオードDjが搭載される。電圧検出回路VDET’は、当該ダイオードDjの順方向電圧Vfを検出し、制御装置MCU’は、当該順方向電圧Vfに基づいてジャンクション温度TJを推定する。
《モータシステムへの適用例》
図10(a)は、本発明の実施の形態2による電力変換装置を適用したモータシステムの主要部の構成例を示す概略図であり、図10(b)および図10(c)は、図10(a)の動作例を示す図である。図10(a)のモータシステムは、負荷駆動端子OUTに結合されるモータMTと、負荷駆動端子OUTと電源電圧(高電位側電源電圧)Vbusとの間に設けられる駆動用トランジスタTRdhと、負荷駆動端子OUTと接地電源電圧(低電位側電源電圧)GNDとの間に設けられる駆動用トランジスタTRdlとを備える。明細書では、電源電圧Vbus側の駆動用トランジスタTRdhをハイサイドトランジスタと呼び、接地電源電圧GND側の駆動用トランジスタTRdlをロウサイドトランジスタと呼ぶ。負荷駆動端子OUTは、モータMTに含まれる複数相(例えば3相)の中の1相を駆動する端子となる。
図11(a)は、図10における制御装置の概略的な処理内容の一例を示すフロー図であり、図11(b)は、図11(a)の補足図である。図11(a)において、制御装置MCUは、電圧検出回路VDETh,VDETlから端子間電圧Vds_H,Vds_Lを取得する(ステップS101)。詳細には、制御装置MCUは、図2に示したように、受信したPWM信号PWMoを復調することで各端子間電圧Vds_H,Vds_Lを取得する。
図12は、図10(a)に示されるモータシステムのより詳細な構成例を示す概略図である。図12のモータシステムは、3相(u,v,w相)の負荷駆動端子OUT(u,v,w)に結合される3相のモータMTと、3相の負荷駆動端子OUT(u,v,w)と接地電源電圧GNDとの間に設けられるロウサイドトランジスタTRd(lu,lv,lw)とを有する。3相のロウサイドトランジスタTRd(lu,lv,lw)は、3相インバータの一部である。すなわち、3相インバータは、図示は省略されているが、実際には図10(a)に示したような3相のハイサイドトランジスタも有する。
以上、実施の形態2の電力変換装置(モータシステム)を用いることで、実施の形態1で述べた各種効果と同様の効果が得られる。さらに、使用する相関情報IVTRを端子間電流Idsの方向に応じて切り替えることで、ジャンクション温度TJを、実施の形態1の場合よりも更に高精度に推定することが可能になる。また、実動作において、駆動用トランジスタ毎のジャンクション温度TJの推定期間を適切に定めることが可能になる。
《ドライバ装置(半導体装置)の構成》
図13は、本発明の実施の形態3による半導体装置の主要部の構成例を示す概略図である。図13に示すドライバ装置(半導体装置)DRICbは、図2に示したドライバ装置DRICと比較して、次の点が異なっている。1つ目の相違点として、ドライバ装置DRICbは、例えば、図2のアンドゲートAD1やオアゲートOR1等を含む制御ロジック回路LGCを有する。
以上、実施の形態3の半導体装置を用いることで、実施の形態1で述べた各種効果と同様の効果が得られる。さらに、ドライバ装置DRICでも過熱保護を行うことで、電力変換装置、ひいては、それを含んだシステムの安全性をより高めることが可能になる。
《モータシステムの構成》
図16は、本発明の実施の形態4によるモータシステムの主要部の構成例を示す概略図である。図16に示すモータシステムは、負荷駆動端子OUT1,OUT2間に結合されるモータMTと、ハイサイドトランジスタTRd(h1),TRd(h2)およびロウサイドトランジスタTRd(l1),TRd(l2)とを有する。ハイサイドトランジスタTRd(h1),TRd(h2)は、電源電圧Vbusと負荷駆動端子OUT1,OUT2との間にそれぞれ設けられる。ロウサイドトランジスタTRd(l1),TRd(l2)は、接地電源電圧GNDと負荷駆動端子OUT1,OUT2との間にそれぞれ設けられる。
《制御装置の動作》
図18は、図16における制御装置の処理内容の一例を示すフロー図である。図18において、制御装置MCUは、ハイサイドトランジスタTRd(h1)の端子間電圧Vds_H1と、ロウサイドトランジスタTRd(h2)の端子間電圧Vds_L2とを、対応する電圧検出回路VDETh,VDETlから取得する(ステップS201)。また、制御装置MCUは、アナログディジタル変換器ADC1を用いて、電源電圧Vbusと接地電源電圧GNDの電位差を取得する。そして、これらの情報を用いて、制御装置MCUは、モータMTへの正味の印加電圧V(t)(=Vbus−(Vds_H1+Vds_L2))を算出する(ステップS202)。
以上、実施の形態4のモータシステムを用いることで、モータMTへの印加電圧を高精度に算出できるため、巻線抵抗を正確に推定でき、巻線抵抗の温度依存性(相関情報RTR)から巻線温度を精度よく推定できる。その結果、モータMTの温度管理、過熱保護等が可能になる。
《電力変換装置の製造方法》
図19は、本発明の実施の形態5による電力変換装置の製造方法において、処理内容の一例を示す模式図である。例えば、実施の形態1の方式では、相関情報IVTRに基づいてジャンクション温度TJが推定される。この際に、高精度な推定を行うためには、相関情報IVTRが高精度であることが必要とされる。一方、実際のパワートランジスタでは、製造ばらつきに伴い電気的特性にもばらつきが生じ得る。このため、複数のパワートランジスタに対して高精度な相関情報IVTRを共通に定めることは困難となる恐れがある。
以上、実施の形態5の電力変換装置の製造方法を用いることで、実施の形態1で述べた各種効果と同様の効果が得られる。さらに、パワートランジスタ毎にカスタマイズされた相関情報IVTRを用いることができるため、パワートランジスタに製造ばらつき等が生じる場合であっても、ジャンクション温度TJを高精度に推定することが可能になる。
(1)第1のノード、第2のノードおよび制御入力ノードを備える複数の単位トランジスタが形成され、前記複数の単位トランジスタの配分によって駆動用トランジスタおよびクランプ用トランジスタが設けられる半導体チップと、
前記駆動用トランジスタの前記制御入力ノードに結合される制御入力端子と、
前記駆動用トランジスタの前記第1のノードに結合される第1の端子と、
前記駆動用トランジスタおよび前記クランプ用トランジスタの前記第2のノードに共通に結合される第2の端子と、
前記クランプ用トランジスタの前記制御入力ノードに結合されるクランプ入力端子と、
前記クランプ用トランジスタの前記第1のノードの結合される電圧センス端子と、
を有し、
前記クランプ用トランジスタを構成する前記単位トランジスタの数は、前記駆動用トランジスタを構成する前記単位トランジスタの数よりも少ない、
半導体装置。
(2)前記(1)記載の半導体装置において、
前記半導体チップには、さらに、前記複数の単位トランジスタの配分によって電流センス用トランジスタが設けられ、
前記半導体装置は、さらに、前記電流センス用トランジスタの前記第1のノードに結合される電流センス端子を備え、
前記電流センス用トランジスタの前記制御入力ノードは、前記制御入力端子に結合され、
前記電流センス用トランジスタの前記第2のノードは、前記第2の端子に結合され、
前記電流センス用トランジスタを構成する前記単位トランジスタの数は、前記駆動用トランジスタを構成する前記単位トランジスタの数よりも少ない、
半導体装置。
(3)前記(2)記載の半導体装置において、さらに、
前記駆動用トランジスタの前記第1のノードに結合されるケルビン端子を有する、
半導体装置。
(4)前記(2)記載の半導体装置において、
前記複数の単位トランジスタは、SiC構造のMOSFETである、
半導体装置。
(5)第1のノード、第2のノードおよび制御入力ノードを備える複数の単位トランジスタが形成され、前記複数の単位トランジスタの配分によって駆動用トランジスタ、電流センス用トランジスタおよびクランプ用トランジスタが設けられる半導体チップと、
前記駆動用トランジスタおよび前記電流センス用トランジスタの前記制御入力ノードに結合される制御入力端子と、
前記駆動用トランジスタの前記第1のノードに結合される第1の端子と、
前記駆動用トランジスタ、前記電流センス用トランジスタおよび前記クランプ用トランジスタの前記第2のノードに共通に結合される第2の端子と、
前記電流センス用トランジスタの前記第1のノードに結合される電流センス端子と、
前記クランプ用トランジスタの前記第1のノードの結合される電圧センス端子と、
を有し、
前記電流センス用トランジスタを構成する前記単位トランジスタの数は、前記駆動用トランジスタを構成する前記単位トランジスタの数よりも少なく、
前記クランプ用トランジスタを構成する前記単位トランジスタの数は、前記駆動用トランジスタを構成する前記単位トランジスタの数よりも少ない、
半導体装置。
(6)前記(5)記載の半導体装置において、さらに、
前記クランプ用トランジスタの前記制御入力ノードに結合されるクランプ入力端子を有する、
半導体装置。
(7)前記(5)記載の半導体装置において、
前記クランプ用トランジスタの前記制御入力ノードは、前記制御入力端子に結合される、
半導体装置。
(8)前記(5)記載の半導体装置において、さらに、
前記駆動用トランジスタの前記第1のノードに結合されるケルビン端子を有する、
半導体装置。
(9)第1の負荷駆動端子と、第2の負荷駆動端子との間に結合されるモータと、
高電位側電源電圧と、前記第1の負荷駆動端子との間に設けられるハイサイドトランジスタと、
前記第2の負荷駆動端子と、低電位側電源電圧との間に設けられるロウサイドトランジスタと、
前記モータの電流を検出する電流センサと、
前記ハイサイドトランジスタおよび前記ロウサイドトランジスタのオン・オフをそれぞれ制御し、予め、前記モータの巻線抵抗と、巻線温度との相関情報を保持する制御装置と、
前記ハイサイドトランジスタのオン期間における前記ハイサイドトランジスタの第1の端子と第2の端子の端子間電圧を検出するハイサイド電圧検出回路と、
前記ロウサイドトランジスタのオン期間における前記ロウサイドトランジスタの第1の端子と第2の端子の端子間電圧を検出するロウサイド電圧検出回路と、
を有するモータシステムであって、
前記制御装置は、
前記高電位側電源電圧と前記低電位側電源電圧の電位差と、前記ハイサイド電圧検出回路で検出された前記端子間電圧と、前記ロウサイド電圧検出回路で検出された前記端子間電圧とに基づき前記モータへの印加電圧を算出する第1の処理と、
前記モータへの印加電圧に対して応答する前記モータの電流を前記電流センサを用いて観測する第2の処理と、
前記モータの逆起電圧を算出し、当該逆起電圧と前記モータへの印加電圧とに基づき前記モータの巻線への印加電圧を算出する第3の処理と、
前記モータの巻線への印加電圧と、前記モータの電流の観測結果とに基づき、前記モータの巻線抵抗を算出する第4の処理と、
前記相関情報に基づき前記巻線抵抗から前記巻線温度を推定する第5の処理と、
を実行する、
モータシステム。
(10)前記(9)記載のモータシステムにおいて、
前記制御装置は、前記第3の処理において、前記モータへの印加電圧に対して応答する前記モータの電流の時定数を算出し、当該時定数と前記モータにおける既知の巻線インダクタンスとに基づき前記巻線抵抗を算出する、
モータシステム。
(11)制御入力端子、第1の端子および第2の端子を備え、前記第1の端子および前記第2の端子を介して所定の負荷に電力を供給するパワートランジスタと、
前記パワートランジスタとは別の部品で構成され、温度推定部を含み、前記パワートランジスタのオン・オフを制御する制御装置と、
前記パワートランジスタのオン期間における前記第1の端子と前記第2の端子の端子間電圧を検出する電圧検出回路と、
を有する電力変換装置の製造方法であって、
前記温度推定部は、予め、前記第1の端子と前記第2の端子の端子間電圧および端子間電流と、ジャンクション温度との相関情報を保持し、前記電圧検出回路から取得した前記端子間電圧と、既知の端子間電流と、前記相関情報とに基づきジャンクション温度を推定し、
前記製造方法は、
前記パワートランジスタの電気的特性を検査し、検査結果となる電気的特性のデータを前記パワートランジスタの識別子に対応付けてサーバに格納する検査工程と、
電力供給装置に、前記パワートランジスタと、前記制御装置と、前記電圧検出回路とを実装する組み立て工程と、
前記電力供給装置に実装される前記パワートランジスタの電気的特性のデータを、前記パワートランジスタの識別子を検索キーとして前記サーバから取得し、前記パワートランジスタと同一の電力供給装置に実装される前記制御装置の前記相関情報を、前記取得した電気的特性のデータに基づき定める相関情報作成工程と、
を有する、
電力変換装置の製造方法。
(12)前記(11)記載の電力変換装置の製造方法において、
前記制御装置は、不揮発性メモリを搭載したマイクロコントローラであり、前記相関情報を前記不揮発性メモリに保持する、
電力変換装置の製造方法。
AMP アンプ回路
CHP 半導体チップ
CMP コンパレータ
DIV 除算器
DRIC ドライバ装置
DRV ドライバ
DST DESAT検出回路
GND 接地電源電圧
IDET 電流検出回路
ISEN 電流センサ
IVTR 相関情報
Ids 端子間電流
JGU 判定回路
LGC 制御ロジック回路
LMT 電圧リミッタ
MCTU モータ制御部
MCU 制御装置
MEM 記憶部
MT モータ
OCD 過電流検出回路
OHD 過熱検出回路
PNclp クランプ入力端子
PNcs 電流センス端子
PNd ドレイン端子
PNds 電圧センス端子
PNg ゲート端子
PNks ケルビン端子
PNs ソース端子
PTJU 温度推定部
PTR パワートランジスタ
PWM PWM信号
PWMMD PWM変調器
RTR 相関情報
Ron オン抵抗
Rs 抵抗素子
SAC サージ吸収回路
SH サンプリングホールド回路
ST ステート
TJ ジャンクション温度
TRclp クランプ用トランジスタ
TRcs 電流センス用トランジスタ
TRd 駆動用トランジスタ
Tpwm PWM周期
U 単位トランジスタ
VDET 電圧検出回路
Vbus 電源電圧
Vclp クランプ電圧
Vds 端子間電圧
WFLT 加重平均フィルタ
Claims (13)
- 制御入力端子、第1の端子および第2の端子を備え、前記第1の端子および前記第2の端子を介して所定の負荷に電力を供給するパワートランジスタと、
前記制御入力端子を駆動するドライバと、
温度推定部を含み、前記パワートランジスタのオン・オフを前記ドライバを介して制御する制御装置と、
前記パワートランジスタのオン期間における前記第1の端子と前記第2の端子の端子間電圧を検出する電圧検出回路と、
を有する電力変換装置であって、
前記温度推定部は、予め、前記第1の端子と前記第2の端子の端子間電圧および端子間電流と、ジャンクション温度との相関情報を、前記端子間電流の電流方向に応じて2通り保持し、前記電圧検出回路から取得した前記端子間電圧と、既知の端子間電流と、前記既知の端子間電流の電流方向に応じて定まる前記2通りの相関情報の一方とに基づきジャンクション温度を推定する、
電力変換装置。 - 請求項1記載の電力変換装置において、さらに、
前記端子間電圧を、上限値を制限した上で前記電圧検出回路へ伝送する電圧リミッタを有する、
電力変換装置。 - 請求項2記載の電力変換装置において、
前記電圧リミッタは、第2のノードに前記第2の端子が結合され、制御入力ノードに前記上限値を定めるクランプ電圧が印加されるクランプ用トランジスタを備える、
電力変換装置。 - 請求項2記載の電力変換装置において、さらに、
前記電圧検出回路で検出された前記端子間電圧と所定の電圧判定値とを比較することで前記パワートランジスタの非飽和の有無を判定するDESAT検出回路を有する、
電力変換装置。 - 請求項3記載の電力変換装置において、
前記パワートランジスタは、一つの半導体チップに形成される複数の単位トランジスタの一部で構成され、
前記クランプ用トランジスタは、前記パワートランジスタと同一の半導体チップを用いて、前記複数の単位トランジスタの他の一部で構成され、
前記クランプ用トランジスタを構成する前記単位トランジスタの数は、前記パワートランジスタを構成する前記単位トランジスタの数よりも少ない、
電力変換装置。 - 請求項5記載の電力変換装置において、さらに、
前記電圧検出回路で検出された前記端子間電圧と所定の電圧判定値とを比較することで前記パワートランジスタの非飽和の有無を判定するDESAT検出回路を有する、
電力変換装置。 - 請求項1記載の電力変換装置において、
前記電圧検出回路は、前記パワートランジスタのオン・オフ制御信号を前記制御装置から受け、前記パワートランジスタのオン期間における前記端子間電圧をサンプリングし、当該サンプリング値を前記パワートランジスタのオフ期間で保持するサンプリングホールド回路を有する、
電力変換装置。 - 請求項7記載の電力変換装置において、
前記サンプリングホールド回路は、前記オン・オフ制御信号におけるオンレベルへの遷移を受けて、所定の遅延時間後にサンプリング動作を開始する、
電力変換装置。 - 請求項1記載の電力変換装置において、さらに、
前記パワートランジスタの一つであり、高電位側電源電圧と負荷駆動端子との間に設けられるハイサイドトランジスタと、
前記パワートランジスタの他の一つであり、前記負荷駆動端子と低電位側電源電圧との間に設けられるロウサイドトランジスタと、
を有し、
前記制御装置は、さらに、前記負荷駆動端子に流れる負荷電流が電流目標値となるように、前記ハイサイドトランジスタおよび前記ロウサイドトランジスタのオン・オフを相補のPWM信号で制御する負荷制御部を有し、
前記温度推定部は、前記負荷制御部からの前記負荷電流の情報と、前記相補のPWM信号の論理レベル情報とに基づき、PWM周期毎に前記ハイサイドトランジスタに流れる前記端子間電流の電流値および電流方向と前記ロウサイドトランジスタに流れる前記端子間電流の電流値および電流方向とを判別し、当該判別した電流方向に応じて前記2通りの相関情報を切り替えることで前記ハイサイドトランジスタの前記ジャンクション温度と前記ロウサイドトランジスタの前記ジャンクション温度とを推定する、
電力変換装置。 - 請求項1記載の電力変換装置において、
前記温度推定部は、各時刻で推定した複数の前記ジャンクション温度を、対応する前記端子間電圧または前記端子間電流の大きさで重み付けを行った上で平均化する加重平均フィルタを有する、
電力変換装置。 - 制御入力端子、第1の端子および第2の端子を備え、前記第1の端子および前記第2の端子を介して所定の負荷に電力を供給するパワートランジスタと、
ドライバ装置と、
温度推定部を含み、前記パワートランジスタのオン・オフを前記ドライバ装置を介して制御する制御装置と、
を有する電力変換装置であって、
前記ドライバ装置は、
前記制御入力端子を駆動するドライバと、
前記パワートランジスタのオン期間における前記第1の端子と前記第2の端子の端子間電圧を検出する電圧検出回路と、
前記パワートランジスタのオン期間における前記第1の端子と前記第2の端子の端子間電流を検出する電流検出回路と、
前記電圧検出回路で検出された前記端子間電圧と前記電流検出回路で検出された前記端子間電流とに基づき前記パワートランジスタのオン抵抗を算出することでジャンクション温度を推定する温度演算回路と、
を有し、
前記温度推定部は、予め、前記第1の端子と前記第2の端子の前記端子間電圧および前記端子間電流と、ジャンクション温度との相関情報を保持し、前記電圧検出回路から取得した前記端子間電圧と、既知の端子間電流と、前記相関情報とに基づきジャンクション温度を推定する、
電力変換装置。 - 請求項11記載の電力変換装置において、
前記ドライバ装置は、さらに、前記温度演算回路によって得られるジャンクション温度が第1の温度判定値を超えた場合に前記ドライバを介して所定の保護動作を行う制御ロジック回路を有し、
前記制御装置は、前記温度推定部によって得られるジャンクション温度が第2の温度判定値を超えた場合に前記ドライバ装置を介して所定の保護動作を行う、
電力変換装置。 - 請求項12記載の電力変換装置において、
前記第1の温度判定値は、前記第2の温度判定値よりも高い、
電力変換装置。
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